デュアルパワー N チャンネル MOSFET ショットキーダイオード付き ELM341503A-N ■概要 ■特長 ELM341503A-N は低入力容 Q2 Q1 量、 低電圧駆動、 低オン抵抗と • Vds=30V • Vds=30V いう特性を備えた大電流デュア • Id=9A(Vgs=10V) • Rds(on)<15.8mΩ(Vgs=10V) • Id=8A(Vgs=10V) • Rds(on)<21.0mΩ(Vgs=10V) ルパワー MOSFET です。 • Rds(on)<20.0mΩ(Vgs=4.5V) • Rds(on)<32.0mΩ(Vgs=4.5V) ■絶対最大定格値 特に指定なき場合、 Ta=25℃ 項目 記号 ドレイン - ソース電圧 ゲート - ソース電圧 Ta=25°C Ta=70°C 連続ドレイン電流 パルス ・ ドレイン電流 アバランシェ電流 アバランシェエネルギー 逆電流 順方向電圧 L=0.1mH Vr=25V If=1A Tc=25°C 最大許容損失 Tc=70°C 接続温度範囲及び保存温度範囲 規格値 Q1 ショットキー 30 単位 Vds Q2 30 Vgs ±20 ±20 V Id 9 7 8 6 A Idm Ias Eas 35 29 43 30 21 23 A A mJ Ir Vf 0.05 0.45 2.0 Pd V 1 mA V W 1.28 Tj, Tstg 備考 -55 ～ 150 °C 備考 : 1. パルス幅は最大接合温度によって制限されています。 ■熱特性 項目 記号 最大接合部 - 周囲温度 Typ. Rθja ■端子配列図 単位 62.5 °C/W 備考 ■回路 SOP-8(TOP VIEW) � Max. � � � � � � � 端子番号 端子記号 1 2 DRAIN1 DRAIN1 3 4 5 GATE2 SOURCE2 DRAIN2/SOURCE1 6 7 DRAIN2/SOURCE1 DRAIN2/SOURCE1 8 GATE1 7- 1 1 2 8 Q1 3 4 7 6 Q2 5 デュアルパワー N チャンネル MOSFET ショットキーダイオード付き ELM341503A-N ■電気的特性 (Q2) 項目 記号 条件 特に指定なき場合、 Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 備考 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Id=250μA, Vgs=0V ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 Idss ゲート漏れ電流 Igss 最大寄生ダイオード連続電流 動的特性 入力容量 出力容量 帰還容量 ゲート抵抗 スイッチング特性 総ゲート電荷 (Vgs=10V) 総ゲート電荷 (Vgs=4.5V) ゲート - ソース電荷 ゲート - ドレイン電荷 ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 ターン ・ オフ遅延時間 Vsd V Vds=24V, Vgs=0V 1 Vds=20V, Vgs=0V, Ta=125°C 10 Vds=0V, Vgs=±20V ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA オン状態ドレイン電流 Id(on) Vgs=10V, Vds=5V Vgs=10V, Id=9A ドレイン - ソースオン状態抵抗 Rds(on) Vgs=4.5V, Id=7A 順方向相互コンダクタンス Gfs Vds=10V, Id=9A ダイオード順方向電圧 30 ±100 nA 1.0 35 1.7 14.2 20.0 25 If=9A, Vgs=0V Rg N-Channel Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz Qg Qgs Qgd Vgs=10V, Vds=15V, Id=9A td(on) tr Vgs=10V, Vds=15V td(off) Id=1A, Rgen=6Ω ターン ・ オフ立ち下がり時間 tf 寄生ダイオード逆回復時間 寄生ダイオード逆回復電荷量 trr Qrr If=9A, dlf/dt=100A/μs 備考 : 1. パルステスト ： パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2％ 2. 動作温度は独立しています 7- 2 3.0 10.5 15.8 Is Ciss Coss Crss μA V A 1 mΩ 1 S 1 0.7 V 1 2.8 A 1040 295 139 pF pF pF 1.5 Ω 20.0 nC 2 9.0 nC 2 3.5 3.5 nC nC 2 2 18 12 40 ns ns ns 2 2 2 8 ns 2 15 6 ns nC Dual N-Channel Enhancement Mode Field PD1503YVS デュアルパワー N チャンネル MOSFET NIKO-SEM Effect Transistor ショットキーダイオード付き SOP-8 Halogen-Free & Lead-Free ELM341503A-N ■標準特性曲線 (Q2) Typical Characteristics: Q2 Output Characteristics VGS = 4.5V 15 VGS = 3V 10 5 0 0 RDS(ON) ╳ RDS(ON)ON-Resistance(OHM) ID, Drain-To-Source Current(A) VGS = 10V 20 0.5 1.5 2.0 VDS, Drain-To-Source Voltage(V) RDS(ON) ╳ 1.6 RDS(ON) ╳ 1.4 RDS(ON) ╳ 1.2 RDS(ON) ╳ 1.0 RDS(ON) ╳ 0.8 RDS(ON) ╳ 0.6 10 TJ=125°C TJ=25°C 5 TJ=-20°C 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 VGS, Gate-To-Source Voltage(V) 4.0 Capacitance Characteristic 1.50E+03 Ciss V GS=10V ID=9A -25 0 25 50 75 100 9.00E+02 6.00E+02 Coss 3.00E+02 Crss 0.00E+00 0.4 TJ , Junction Temperature(˚C) 0 125 150 5 10 25 20 15 30 VDS, Drain-To-Source Voltage(V) Gate charge Characteristics Characteristics 10 15 1.20E+03 -50 Source-Drain Diode Forward Voltage 1.0E+03 1.0E+02 8 IS , Source Current(A) VGS , Gate-To-Source Voltage(V) 2.5 2.0 1.8 20 0 0.0 On-Resistance VS Temperature RDS(ON) ╳ RDS(ON) ╳ 1.0 Transfer Characteristics 25 C , Capacitance(pF) ID, Drain-To-Source Current(A) 25 ID=9A V DS=15V 6 4 2 1.0E+01 1.0E+00 T J =150° C 1.0E-01 T J =25° C 1.0E-02 1.0E-03 0 1.0E-04 0 4 8 12 Qg , Total Gate Charge 16 0.1 20 REV 0.9 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 VSD, Source-To-Drain Voltage(V) Oct-28-2009 4 7- 3 0.7 デュアルパワー N チャンネル MOSFET ショットキーダイオード付き Dual N-Channel Enhancement Mode Field PD1503YVS ELM341503A-N NIKO-SEM Effect Transistor SOP-8 Halogen-Free & Lead-Free Safe Operating Area 100 Operation in This Area is Lim ited by RDS(ON) 90 ↓ 10 ID , Drain Current(A) Single Pulse Maximum Power Dissipation 80 100us 1 1m s 10m s 100m s 0.1 SINGLE PULSE RθJA = 62.5° C/W TA=25° C 70 Power(W) 100 NOTE : 1.V GS = 10V 2.T A=25° C 3.RθJA = 62.5° C/W 4.Single Pulse 60 50 40 30 1S 10S DC 20 10 0 0.01 1 0.1 10 0.0001 100 0.001 0.01 1 0.1 10 Single Pulse Time(s) VDS, Drain-To-Source Voltage(V) Transient Thermal Response Curve Transient Thermal Resistance r(t) , Normalized Effective 1.00E+01 1.00E+00 Duty Cycle=0.5 Note 0.2 0.1 1.00E-01 0.05 0.02 1.Duty cycle, D= t1 / t2 o 2.RthJA = 62.5 C/W 3.TJ-TA = P*RthJC(t) 4.RthJA(t) = r(t)*RthJA 0.01 single Pluse 1.00E-02 1.E-06 1.E-05 1.E-04 1.E-03 1.E-02 1.E-01 1.E+00 1.E+01 1.E+02 T1 , Square Wave Pulse Duration[sec] REV 0.9 Oct-28-2009 5 7- 4 デュアルパワー N チャンネル MOSFET ショットキーダイオード付き ELM341503A-N ■電気的特性 (Q1) 項目 記号 条件 特に指定なき場合、 Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 備考 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Id=250μA, Vgs=0V ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 Idss ゲート漏れ電流 Igss 最大寄生ダイオード連続電流 動的特性 入力容量 出力容量 帰還容量 ゲート抵抗 スイッチング特性 総ゲート電荷 (Vgs=10V) 総ゲート電荷 (Vgs=4.5V) ゲート - ソース電荷 ゲート - ドレイン電荷 ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 ターン ・ オフ遅延時間 Vsd V Vds=24V, Vgs=0V -1 Vds=20V, Vgs=0V, Ta=125°C -10 Vds=0V, Vgs=±20V ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA オン状態ドレイン電流 Id(on) Vgs=10V, Vds=5V Vgs=10V, Id=9A ドレイン - ソースオン状態抵抗 Rds(on) Vgs=4.5V, Id=6A 順方向相互コンダクタンス Gfs Vds=10V, Id=7A ダイオード順方向電圧 30 ±100 nA 1.0 30 2.0 Rg 25.6 32.0 15 If=7A, Vgs=0V tf 寄生ダイオード逆回復時間 寄生ダイオード逆回復電荷量 trr Qrr 1 mΩ 1 S 1 1.0 V 1 2.0 A Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz pF pF pF Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz 2.0 Ω 11.0 nC 2 5.5 nC 2 2.5 2.5 nC nC 2 2 19 8 39 ns ns ns 2 2 2 6 ns 2 20 12 ns nC Vgs=10V, Vds=15V, Id=9A td(on) tr Vgs=10V, Vds=15V td(off) Id=1A, Rgen=6Ω ターン ・ オフ立ち下がり時間 V A 560 160 84 Qg Qgs Qgd 3.0 15.8 21.0 Is Ciss Coss Crss μA If=7A, dlf/dt=100A/μs 備考 : 1. パルステスト ： パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2％ 2. 動作温度は独立しています 7- 5 Dual N-Channel Enhancement Mode Field PD1503YVS デュアルパワー N チャンネル MOSFET NIKO-SEM Effect Transistor ショットキーダイオード付き SOP-8 Halogen-Free & Lead-Free ELM341503A-N ■標準特性曲線 (Q1) Typical Characteristics: Q1 Output Characteristics 15 VGS = 3V 10 5 0 0 0.5 1.0 1.5 2.0 VDS, Drain-To-Source Voltage(V) RDS(ON) ╳ RDS(ON)ON-Resistance(OHM) ID, Drain-To-Source Current(A) VGS = 4.5V 20 2.5 RDS(ON) ╳ 1.6 RDS(ON) ╳ 1.4 RDS(ON) ╳ 1.2 RDS(ON) ╳ 1.0 RDS(ON) ╳ 0.8 RDS(ON) ╳ 0.6 RDS(ON) ╳ 0.4 15 10 TJ=125°C TJ=25°C 5 TJ=-20°C 0.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 Capacitance Characteristic V GS=10V ID=7A 6.00E+02 Ciss 4.00E+02 2.00E+02 Coss Crss 0.00E+00 -25 0 25 50 75 100 125 150 15 10 5 0 TJ , Junction Temperature(˚C) 25 20 30 VDS, Drain-To-Source Voltage(V) Gate charge Characteristics Characteristics Source-Drain Diode Forward Voltage 1.0E+03 1.0E+02 8 ID =9A IS , Source Current(A) VGS , Gate-To-Source Voltage(V) 1.5 8.00E+02 -50 10 1.0 VGS, Gate-To-Source Voltage(V) 1.00E+03 2.0 1.8 20 0 0.0 On-Resistance VS Temperature RDS(ON) ╳ Transfer Characteristics 25 VGS = 10V C , Capacitance(pF) ID, Drain-To-Source Current(A) 25 V DS=15V 6 4 2 1.0E+01 1.0E+00 T J =150° C 1.0E-01 T J =25° C 1.0E-02 1.0E-03 1.0E-04 0 0 3 6 9 12 0.0 15 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 VSD, Source-To-Drain Voltage(V) Qg , Total Gate Charge REV 0.9 Oct-28-2009 6 7- 6 1.2 デュアルパワー N チャンネル MOSFET ショットキーダイオード付き Dual N-Channel Enhancement Mode Field PD1503YVS ELM341503A-N NIKO-SEM Effect Transistor SOP-8 Halogen-Free & Lead-Free Safe Operating Area 100 100 Operation in This Area is Limited by RDS(ON) 90 80 ↓ 100us 1 1ms 10ms 60 50 40 100ms 0.01 20 10 0 1 0.1 30 1S 10S DC NOTE : NOTE=:10V 1.V GS 1.V GS = 10V 2.T A=25° C 2.T=25° C 3.RθJA = 62.5° C/W 3.RθJA = 3.5° 4.Single Pulse C/W 0.1 10 100 0.0001 VDS, Drain-To-Source Voltage(V) Transient Thermal Resistance 0.001 0.01 0.1 1 Single Pulse Time(s) 10 Transient Thermal Response Curve 1.00E+01 r(t) , Normalized Effective SINGLE PULSE RθJA = 62.5° C/W T A=25° C 70 Power(W) 10 ID , Drain Current(A) Single Pulse Maximum Power Dissipation 1.00E+00 Duty Cycle=0.5 Note 0.2 0.1 1.00E-01 0.05 0.02 1.Duty cycle, D= t1 / t2 o 2.RthJA = 62.5 C/W 3.TJ-TA = P*RthJA(t) 4.RthJA(t) = r(t)*RthJA 0.01 single Pluse 1.00E-02 1.E-06 1.E-05 1.E-04 1.E-03 1.E-02 1.E-01 1.E+00 1.E+01 1.E+02 T1 , Square Wave Pulse Duration[sec] REV 0.9 Oct-28-2009 7 7- 7