シングル N チャンネル MOSFET ELM26400EA-S http://www.elm-tech.com ■概要 ■特長 ELM26400EA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低 ・ Vds=30V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=6.5A ・ Rds(on) � 24mΩ (Vgs=10V) ・ Rds(on) � 34mΩ (Vgs=4.5V) ■絶対最大定格値 項目 記号 Vds Vgs ドレイン - ソース電圧 ゲート - ソース電圧 Ta=25℃ 連続ドレイン電流 Id Ta=100℃ パルス ・ ドレイン電流 1 シングル パルス アバランシェ エネルギー シングル パルス アバランシェ 電流 2 最大許容損失 2 Tc=25℃ 接合温度範囲及び保存温度範囲 特に指定なき場合、Ta=25℃ 規格値 単位 30 V ±20 V 6.5 A Idm 4.1 26 Eas Ias Pd 32 8 1.56 mJ A W Tj, Tstg - 55 ～ 150 ℃ A ■熱特性 項目 最大接合部 - 周囲温度 記号 Typ. Max. 単位 Rθja - 80 ℃/W ■端子配列図 SOT-26(TOP VIEW) ■回路 端子番号 1 2 端子記号 GATE SOURCE 3 4 5 GATE DRAIN SOURCE 6 DRAIN � � � Rev.1.0 4 -1 シングル N チャンネル MOSFET ELM26400EA-S ■電気的特性 項目 記号 条件 http://www.elm-tech.com 特に指定なき場合、Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Id=250μA, Vgs=0V 30 △ BVdss 25℃ , Id=1mA に参考 △ Tj BVdss 温度係数 ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 Idss 順方向相互コンダクタンス 3 Rds(on) Gfs ダイオード順方向電圧 最大寄生ダイオード連続電流 Vsd Is パルスソース電流 3 動的特性 Ism 入力容量 Ciss 出力容量 帰還容量 ゲート抵抗 Coss Crss Rg 0.04 Vds=30V, Vgs=0V Ta=25℃ Vds=24V, Vgs=0V Ta=125℃ ゲート漏れ電流 Igss Vds=0V, Vgs=±20V ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA Vgs(th) 温度係数 △ Vgs(th) ドレイン - ソースオン状態抵抗 3 V Vgs=10V, Id=6A Vgs=4.5V, Id=4A Vds=10V, Id=4A 1 10 1.2 Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz μA ±100 nA 1.6 2.5 V -4 mV/℃ 19 25 6.5 Is=1A, Vgs=0V Vgs=0V, Vds=25V, f=1MHz V/℃ 24 34 mΩ S 1 6.5 V A 26.0 A 345 500 pF 55 32 3.2 80 45 6.4 pF pF Ω 4.1 1.0 2.1 8.0 2.0 4.0 nC nC nC スイッチング特性 総ゲート電荷 3, 4 ゲート - ソース電荷 3, 4 ゲート - ドレイン電荷 3, 4 Qg Qgs Qgd ターン ・ オン遅延時間 3, 4 ターン ・ オン立ち上がり時間 3, 4 ターン ・ オフ遅延時間 3, 4 td(on) tr td(off) ターン ・ オフ立ち下がり時間 3, 4 寄生ダイオード逆回復時間 寄生ダイオード逆回復電荷量 tf trr Qrr Vgs=4.5V, Vds=15V Id=6A Vgs=10V, Vds=15V Id=1A, Rgen=6Ω 2.8 5.0 7.2 14.0 15.8 30.0 4.6 Vgs=0V, Is=1A di/dt=100A/μs, Tj=25℃ 9.0 ns ns ns ns ns nC 備考 : 1. パルス幅は最大接合温度によって制限されています。 2. Vdd=25V, Vgs=10V, L=1mH, Ias=8A, Rg=25Ω, 立ち上がり Tj=25℃。 3. パルステスト ： パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2％。 4. 動作温度は独立しています。 Rev.1.0 4 -2 シングル N チャンネル MOSFET ELM26400EA-S PM3312Q Normalized On Resistance (m) ID , Continuous Drain Current (A) ■標準特性と熱特性曲線 30V N-Channel MOSFETs TJ , Junction Temperature (℃) TC , Case Temperature (℃) Continuous Drain Current vs. TC Fig.2 TJ , Junction Temperature (℃) Fig.5 Qg , Gate Charge (nC) Normalized Vth vs. TJ Fig.4 Gate Charge Waveform ID , Continuous Drain Current (A) Normalized Thermal Response (RΘJA) Fig.3 Normalized RDSON vs. TJ VGS , Gate to Source Voltage (V) Normalized Gate Threshold Voltage (V) Fig.1 http://www.elm-tech.com Square Wave Pulse Duration (s) Normalized Transient Response Fig.6 VDS , Drain to Source Voltage (V) Maximum Safe Operation Area Ver.1.00 Rev.1.0 Powermate Electronics Corp. 4 -3 3 シングル N チャンネル MOSFET ELM26400EA-S http://www.elm-tech.com PM3312Q 30V N-Channel MOSFETs VDS EAS= 90% Td(on) Tr Ton Fig.7 Td(off) BVDSS BVDSS-VDD BVDSS VDD IAS 10% VGS 1 L x IAS2 x 2 Tf Toff Switching Time Waveform VGS Fig.8 EAS Waveform Ver.1.00 Rev.1.0 Powermate Electronics Corp. 4 - 44