シングル N チャンネル MOSFET ELM33410CA-S ■概要 ■特長 ELM33410CA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低 ・ Vds=20V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=5A ・ Rds(on) < 32mΩ (Vgs=4.5V) ・ Rds(on) < 50mΩ (Vgs=2.5V) ・ Rds(on) < 80mΩ (Vgs=1.8V) ■絶対最大定格値 項目 記号 ゲート - ソース電圧 特に指定なき場合、Ta=25℃ 規格値 単位 備考 Vgs Ta=25℃ Ta=70℃ 連続ドレイン電流 パルス ・ ドレイン電流 ±12 5 4 30 Id Idm Tc=25℃ Tc=70℃ 最大許容損失 接合温度範囲及び保存温度範囲 Pd Tj, Tstg V A A 1.25 0.80 - 55 ～ 150 3 W ℃ ■熱特性 項目 最大接合部 - 周囲温度 定常状態 記号 Rθja ■端子配列図 Typ. 75 Max. 100 単位 ℃/W ■回路 � SOT-23(TOP VIEW) � � 備考 � 端子番号 端子記号 1 2 3 GATE SOURCE DRAIN � � 4-1 シングル N チャンネル MOSFET ELM33410CA-S ■電気的特性 項目 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 ゼロ ・ ゲ - ト電圧ドレイン電流 ゲート漏れ電流 記号 条件 BVdss Id=250μA, Vgs=0V Vds=16V, Vgs=0V Idss Vds=16V, Vgs=0V, Ta=70℃ Igss Gfs ダイオード順方向電圧 最大寄生ダイオード連続電流 Vsd Is ダイオード パルス電流 動的特性 入力容量 Ism 20 V 1 10 Vds=0V, Vgs=±12V ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA オン状態ドレイン電流 Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V Vgs=4.5V, Id=5A ドレイン - ソースオン状態抵抗 Rds(on) Vgs=2.5V, Id=4A 順方向相互コンダクタンス 特に指定なき場合、Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 備考 Vgs=1.8V, Id=2A Vds=5V, Id=5A ±100 nA 0.45 0.75 1.20 30 27 32 V A 1 38 50 mΩ 1 57 12 80 S 1 1.3 1.3 V A 1 30 A 3 If=Is, Vgs=0V Ciss μA 740 pF pF pF 出力容量 帰還容量 スイッチング特性 Coss Vgs=0V, Vds=10V, f=1MHz Crss 90 66 総ゲート電荷 ゲート - ソース電荷 ゲート - ドレイン電荷 Qg Qgs Qgd 8.0 3.6 2.0 12.0 nC nC nC 2 2 2 8 6 19 14 12 45 ns ns ns 2 2 2 7 23 ns 2 ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 Vgs=4.5V, Vds=10V, Id=5A td(on) tr Vgs=4.5V, Vds=10V td(off) Id=1A, Rgen=0.2Ω tf 備考 : 1. パルステスト ： パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2％ 2. 動作温度は独立しています 3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています 4. デューティーサイクル≦1％ 4-2 P3202CMG N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor NIKO-SEM SOT-23 Lead-Free シングル N チャンネル MOSFET ELM33410CA-S ■標準特性と熱特性曲線 2.5V 3.0V 16 2 12 2.0V 8 4 1.5V 0 0.5 0 1 1.5 2 2.5 1.6 2.5V 1.4 DS(ON) RDS(ON), On-resistance(� ) 50 75 100 125 1 1.5 2 TA= 25° C 0.02 Is, Reverse Drain Current (A) ID, Drain Current(A) 125°C 2 0.5 TA= 125° C 0.04 0 2 3 4 5 Body Diode Forword Voltage Variation with Source Current and Temperature. 8 0 ID=2.5A 0.06 0 25°C 12 20 VGS, Gate to Source Voltage(V) TA= -55°C 16 16 0.08 150 Transfer Characteristics. VDS= 5V 12 0.1 TJ, Junction Temperature(°C) 20 8 On-Resistance Variation with Gate-to-Source Voltage. 0.8 25 4 ID, Drain Current(A) 1 0 4.5V 0 1.2 -25 4.0V 0.8 ID= 5A VGS= 4.5V 0.6 -50 3.5V 1 3 On-Resistance Variation with Temperature. 1.4 3.0V 1.2 VGS, Drain to Source Voltage(V) 1.6 VGS= 2.0V 1.8 DS(ON) ID, Drain current(A) VGS= 4.5V R , Normalized Drain-source on-resistance 20 R , Normalized Drain-source on-resistance On-Resistance Variation with Drain Current and Gate Voltage. On-Region Characteristics. 2.5 VGS, Gate to Source Voltage(V) 100 10 3 4-3 TA= 125° C 1 -55°C 25°C 0.1 0.01 0.001 0.0001 0 3 VGS= 0V 0.2 0.4 0.6 0.8 1 VSD, Body Diode Forward Voltage(V) 1.2 Mar-22-2006 P3202CMG N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor NIKO-SEM SOT-23 シングル N チャンネル MOSFET Lead-Free ELM33410CA-S Capacitance Characteristics 1100 5 VDS= 5V ID = 5A f =1MHz VGS=0 V 900 4 Capacitance(pF) VGS, Gate-Saurce Voltage(V) Gate-Charge Characteristics 10V 3 2 1 Ciss 700 500 300 Coss Crss 100 0 0 2 4 6 8 0 10 Qg Gate Charge (nC) 0 12 16 20 VDS, Drain to Source Voltage(V) Maxmum Safe Operating Area. Single Puise Maximum Power Dissipation. 100 20 RDS(ON) LIMIT 1ms 10 10ms 100ms 1 10s DC 1s VGS =4.5V SINGLE PULSE R� JA=100°C/W TA=25°C 0.1 0.01 0.1 SINGLE PULSE R� JA=100°C/W TA=25° C 15 Power (W) ID,Drain Current(A) 8 4 12 8 4 10 1 100 VGS,Drain-Source Voltage(V) 0 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000 Single Pulse Time(SEC) 1 0.5 D=0.5 0.2 0.1 0.05 0.02 0.01 0.2 R¿ JA(t) = r(t) * R¿ R¿ JA=100° C/W 0.1 0.05 0.02 0.01 t1 Single Pulse t2 0.005 TJ-TA=P*R¿ JA(t) Duty Cycle, D= t1/ t2 0.002 0.001 0.0001 �� P(pk) r(t), Normalized Effective Transient Thermal Resistance Transisent Thermal Response Curve. 0.001 0.01 0.1 Time(SEC) 4-4 1 10 100 300