シングル N チャンネル MOSFET ELM34414AA-N ■概要 ■特長 ELM34414AA-N は低入力容量、 低電圧駆動、 低 ・ Vds=30V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=15A ・ Rds(on) < 8mΩ (Vgs=10V) ・ Rds(on) < 12mΩ (Vgs=4.5V) ■絶対最大定格値 項目 記号 Vds Vgs ドレイン - ソース電圧 ゲート - ソース電圧 Ta=25℃ 連続ドレイン電流 Ta=90℃ パルス ・ ドレイン電流 特に指定なき場合、Ta=25℃ 規格値 単位 備考 30 V ±20 V 15 Id Idm Tc=25℃ Tc=90℃ 最大許容損失 接合温度範囲及び保存温度範囲 Pd Tj, Tstg A 12 50 A 2.5 2.0 - 55 ～ 150 3 W ℃ ■熱特性 項目 最大接合部 - 周囲温度 定常状態 記号 Rθja ■端子配列図 Typ. Max. 50 単位 ℃/W 備考 ■回路 SOP-8(TOP VIEW) � � � � � � � � 端子番号 1 2 端子記号 SOURCE SOURCE 3 4 5 SOURCE GATE DRAIN 6 7 8 DRAIN DRAIN DRAIN 5-1 � � � シングル N チャンネル MOSFET ELM34414AA-N ■電気的特性 項目 記号 条件 特に指定なき場合、Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 備考 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Id=250μA, Vgs=0V ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 Idss ゲート漏れ電流 Igss 最大寄生ダイオード連続電流 ダイオード パルス電流 動的特性 Gfs Vsd V Vds=24V, Vgs=0V 1 Vds=20V, Vgs=0V, Ta=55℃ 10 Vds=0V, Vgs=±20V ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA Vgs=10V, Id=15A ドレイン - ソースオン状態抵抗 Rds(on) Vgs=4.5V, Id=12A 順方向相互コンダクタンス ダイオード順方向電圧 30 Vds=15V, Id=15A If=3A, Vgs=0V μA ±100 nA 1.0 1.5 6.8 8.8 3.0 V 8.0 mΩ 12.0 60 1.1 S V Is 3 A Ism 6 A 1 1 1 3 入力容量 出力容量 帰還容量 Ciss Coss Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz Crss 1900 530 120 pF pF pF スイッチング特性 総ゲート電荷 ゲート - ソース電荷 Qg Qgs 18.0 28.0 4.2 nC nC 2 2 ゲート - ドレイン電荷 Qgd 5.4 nC 2 Vgs=10V, Vds=15V, Id=15A ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 td(on) tr Vgs=10V, Vds=15V, Id=1A 10 24 ns ns 2 2 ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 寄生ダイオード逆回復時間 td(off) RL=15Ω, Rgen=6Ω tf trr If=3A, dlf/dt=100A/μs 48 12 50 ns ns ns 2 2 備考 : 1. パルステスト ： パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2％ 2. 動作温度は独立しています 3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています 4. デューティーサイクル≦1％ 5-2 80 ������ ������������ シングル N チャンネル MOSFET ������������ ELM34414AA-N ������� ■標準特性と熱特性曲線 Output Characteristics Transfer Characteristics 50 40 45 35 ID - Drain Current(A) ID - Drain Current(A) 35 VGS=10thru 4V 40 30 25 20 15 10 3V 5 0 0 1 2 3 4 30 25 20 15 TC=125° C 10 25° C 5 0 0.0 5 VDS- Drain-to-Source Voltage(V) 0.5 1.0 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 VGS- Gate-to-Source Voltage(V) On-Resistance vs. Drain Current 0.015 2500 0.012 2000 C- Capacitance(pF) rDS(on) - On-Resistance(�) 1.5 -55° C VGS=4.5V 0.009 VGS=10V 0.006 0.003 Capacitance f = 1 MHz VGS=0V Ciss 1500 1000 Coss 500 Crss 0.000 0 10 20 30 ID - Drain Current(A) 40 0 50 rDS(on) - On-Resistance(�) (Normalized) VGS- Gate-to-Source Voltage(V) 2.00 VDS=10V ID=15A 6 4 2 0 4 8 12 12 18 24 30 On-Resistance vs. Junction Temperature 10 0 6 VDS- Drain-to-Source Voltage(V) Gate Charge 8 0 16 20 1.75 1.50 1.25 1.00 0.75 0.50 -50 24 Qg - Total Gate Charge(nC) VGS=10V ID=15A -25 0 25 50 75 100 TJ- Junction Temperature(° C) � � 5-3 125 150 ������ ������������ シングル N チャンネル MOSFET ������������ ELM34414AA-N On-Resistance vs.Gate-to-Source Voltage Source-Drain Diode Forward Voltage 0.040 rDS(ON) - On-Resistance(�) IS - Source Current(A) 60 TJ=150° C 10 TJ=25° C 0.032 0.024 0.016 0.000 1 0.00 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 VSD- Source-to-Drain Voltage(V) ID=15A 0.008 1.2 0 Threshold Voltage 6 8 10 Single Pulse Power 50 ID = 250�A 0.2 40 0.0 Power(W) VGS(th) Variance(V) 4 VGS - Gate-to-Source Voltage(V) 0.4 -0.2 -0.4 30 TA=25° C 20 10 -0.6 -0.8 -50 -25 0 25 50 75 100 TJ- Temperature(° C) 0 10-2 125 150 Safe Operating Area, Junction-to Ambient 100�s,10�s Limited by rDS(on) 10 1ms 1 10ms 100ms 0.1 1s TA=25°C Single Pulse 10s dc,100s 0.01 0.1 1 10-1 1 Time(sec) 100 ID - Drain Current(A) 2 10 100 VDS- Drain-to-Source Voltage(V) � 5-4 10 ������ ������������ シングル N チャンネル MOSFET ������������ ELM34414AA-N Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient Normalized Effective Transient Thermal Impedance 2 1 Duty Cycle = 0.5 0.2 Notes: 0.1 0.1 PDM 0.05 t1 0.02 10 -4 10 t1 1. Duty Cycle, D�= t2 2. R� J�A(t) = 50�° CW 3. TJM - TA =�PDM�*�R� �JA(t) 4. Surface Mounted Single Pulse 0.01 t2 -3 10 -2 10 -1 1 Square Wave Pulse Duration (sec) � � 5-5 10 100 600