シングル N チャンネル MOSFET ELM33400CA-S ■概要 ■特長 ELM33400CA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低 ・ Vds=30V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=6A ・ Rds(on) < 28mΩ (Vgs=10V) ・ Rds(on) < 32mΩ (Vgs=4.5V) ・ Rds(on) < 52mΩ (Vgs=2.5V) ■絶対最大定格値 項目 記号 ゲート - ソース電圧 特に指定なき場合、Ta=25℃ 規格値 単位 備考 Vgs Ta=25℃ Ta=70℃ 連続ドレイン電流 パルス ・ ドレイン電流 ±12 6 5 30 Id Idm Tc=25℃ Tc=70℃ 最大許容損失 接合温度範囲及び保存温度範囲 Pd Tj, Tstg V A A 1.25 0.80 - 55 ～ 150 3 W ℃ ■熱特性 項目 最大接合部 - 周囲温度 定常状態 記号 Rθja ■端子配列図 Typ. 75 Max. 100 単位 ℃/W ■回路 � SOT-23(TOP VIEW) � � 備考 � 端子番号 端子記号 1 2 3 GATE SOURCE DRAIN � � 4-1 シングル N チャンネル MOSFET ELM33400CA-S ■電気的特性 項目 記号 条件 特に指定なき場合、Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 備考 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Id=250μA, Vgs=0V ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 Idss ゲート漏れ電流 Igss Rds(on) Vgs=4.5V, Id=5A Vgs=2.5V, Id=4A Vds=5V, Id=5A ダイオード順方向電圧 最大寄生ダイオード連続電流 Vsd Is If=Is, Vgs=0V ダイオード パルス電流 動的特性 入力容量 Ism ゲート - ソース電荷 ゲート - ドレイン電荷 ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 Ciss Coss Vgs=0V, Vds=10V, f=1MHz Crss Qg Qgs Qgd 10 Vds=0V, Vgs=±12V Gfs 総ゲート電荷 1 Vds=20V, Vgs=0V, Ta=70℃ 順方向相互コンダクタンス 出力容量 帰還容量 スイッチング特性 V Vds=24V, Vgs=0V ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA オン状態ドレイン電流 Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V Vgs=10V, Id=6A ドレイン - ソースオン状態抵抗 30 ±100 nA 0.7 30 1.1 td(on) tr Vgs=4.5V, Vds=10V td(off) Id=1A, Rgen=0.2Ω tf 備考 : 1. パルステスト ： パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2％ 2. 動作温度は独立しています 3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています 4. デューティーサイクル≦1％ 4-2 1.4 V A 1 mΩ 1 S 1 1.3 1.3 V A 1 30 A 3 23 28 27 43 32 52 15 740 pF 90 66 pF pF 8.0 Vgs=4.5V, Vds=15V, Id=5A μA 12.0 3.6 2.0 nC 2 nC nC 2 2 8 6 19 14 12 45 ns ns ns 2 2 2 7 23 ns 2 P3203CMG N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor NIKO-SEM SOT-23 Lead-Free シングル N チャンネル MOSFET ELM33400CA-S ■標準特性と熱特性曲線 10V R , Normalized Drain-source on-resistance 25 3V 20 4.5V 2.5V 15 10 DS(ON) ID, Drain current(A) On-Resistance Variation with Drain Current and Gate Voltage. On-Region Characteristics. VGS=2V 5 0 0 2 3 4 VGS, Gate to Source Voltage(V) VGS= 2.5V 2 1.75 1.5 4.5V 1.25 10V 1 0.75 5 1 2.25 0 4 ID= 5A VGS= 4.5V 1 0.8 12 8 125° C 25° C 4 -25 0 25 50 75 100 125 0 150 Is, Reverse Drain Current (A) ID=5A 125° C 0.04 0.03 25° C 0.02 0 2 4 6 8 VGS, Gate to Source Voltage(V) 0.5 1 2.5 2 1.5 3 Body Diode Forword Voltage Variation with Source Current and Temperature. 0.06 0.05 0 V GS , Gate to Source Voltage(V) On-Resistance Variation with Gate-to-Source Voltage. 0.07 20 V DS =5V 15 TJ, Junction Temperature(°C) 0.01 16 Transfer Characteristics. 1.2 0.6 -50 12 20 ID, Drain Current(A) 1.4 RDS(ON), On-resistance(� ) DS(ON) R , Normalized Drain-source on-resistance On-Resistance Variation with Temperature. 1.6 8 ID, Drain Current(A) 100 3 4-3 TA= 125°C 1 -55°C 25°C 0.1 0.01 0.001 0.0001 0 10 VGS= 0V 10 0.2 0.4 0.6 0.8 1 VSD, Body Diode Forward Voltage(V) 1.2 Mar-22-2006 P3203CMG N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor NIKO-SEM SOT-23 シングル N チャンネル MOSFET Lead-Free ELM33400CA-S Gate-Charge Characteristics Capacitance Characteristics 1100 VGS, Gate-Source Voltage(V) 5 VDS= 5V ID = 5A f =1MHz VGS=0 V 900 Capacitance(pF) 4 10V 3 2 1 Ciss 700 500 300 Coss Crss 100 0 0 2 4 6 8 0 10 Qg Gate Charge (nC) 0 12 16 20 VDS, Drain to Source Voltage(V) Maxmum Safe Operating Area. Single Puise Maximum Power Dissipation. 100 20 RDS(ON) LIMIT 1ms 10 10ms 100ms 1 10s DC 1s VGS =4.5V SINGLE PULSE R� JA=100°C/W TA=25°C 0.1 0.01 0.1 SINGLE PULSE R� JA=100°C/W TA=25° C 15 Power (W) ID,Drain Current(A) 8 4 12 8 4 1 10 0 100 0.0001 VGS,Drain-Source Voltage(V) 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000 Single Pulse Time(SEC) 1 0.5 D=0.5 0.2 0.1 0.05 0.02 0.01 0.2 R¿ JA(t) = r(t) * R¿ R¿ JA=100° C/W 0.1 0.05 0.02 0.01 t1 Single Pulse t2 0.005 TJ-TA=P*R¿ JA(t) Duty Cycle, D= t1/ t2 0.002 0.001 0.0001 �� P(pk) r(t), Normalized Effective Transient Thermal Resistance Transisent Thermal Response Curve. 0.001 0.01 0.1 Time(SEC) 4 4-4 1 10 100 Mar-22-2006 300