シングル N チャンネル MOSFET ELM36402EA-S ■概要 ■特長 ELM36402EA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低 ・ Vds=20V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=6.5A ・ Rds(on) < 24mΩ (Vgs=4.5V) ・ Rds(on) < 35mΩ (Vgs=2.5V) ■絶対最大定格値 項目 記号 Vgs ゲート - ソース電圧 Ta=25℃ 連続ドレイン電流 Id Ta=100℃ パルス ・ ドレイン電流 特に指定なき場合、Ta=25℃ 規格値 単位 備考 ±12 V 6.5 A 4.5 Idm Tc=25℃ 最大許容損失 Tc=100℃ 接合温度範囲及び保存温度範囲 Pd Tj, Tstg 20 1.6 A 3 W 1.2 - 55 ～ 150 ℃ ■熱特性 項目 最大接合部 - ケース 定常状態 記号 Rθjc 最大接合部 - 周囲温度 定常状態 Rθja ■端子配列図 SOT-26(TOP VIEW) Typ. Max. 30 単位 ℃/W 78 ℃/W 備考 ■回路 端子番号 1 端子記号 DRAIN 2 3 4 DRAIN GATE SOURCE 5 6 DRAIN DRAIN 4-1 � � � シングル N チャンネル MOSFET ELM36402EA-S ■電気的特性 項目 記号 条件 特に指定なき場合、 Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 備考 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Id=250μA, Vgs=0V ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 Idss Vds=16V, Vgs=0V Vds=16V, Vgs=0V, Ta=125℃ ゲート漏れ電流 Igss Vds=0V, Vgs=±12V ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA オン状態ドレイン電流 Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V Vgs=4.5V, Id=6.5A ドレイン - ソースオン状態抵抗 Rds(on) Vgs=2.5V, Id=5A 順方向相互コンダクタンス Gfs Vds=5V, Id=6.5A ダイオード順方向電圧 最大寄生ダイオード連続電流 動的特性 Vsd 20 V 1 10 μA ±100 nA 0.45 0.75 1.20 10 20 24 25 7.2 If=Is, Vgs=0V Is V A 1 mΩ 1 S 1 1.2 V 1 1.3 A 35 入力容量 出力容量 帰還容量 Ciss Coss Vgs=0V, Vds=10V, f=1MHz Crss 1125 290 145 pF pF pF スイッチング特性 総ゲート電荷 ゲート - ソース電荷 Qg Qgs 10.5 16.0 1.5 nC nC 2 2 ゲート - ドレイン電荷 Qgd nC 2 Vgs=4.5V, Vds=5V, Id=6.5A 2.2 ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 td(on) tr Vgs=4.5V, Vds=10V, Id=1A 9 13 18 24 ns ns 2 2 ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 td(off) Rgen=6Ω tf 26 11 42 20 ns ns 2 2 備考 : 1. パルステスト ： パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2％ 2. 動作温度は独立しています 3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています 4. デューティーサイクル≦1％ 4-2 P2402CAG シングル N Level チャンネル MOSFET N-Channel Logic Enhancement Mode Field Effect Transistor NIKO-SEM TSOP-6 Lead-Free ELM36402EA-S ■標準特性と熱特性曲線 2.5V 2.0V 3.0V 16 12 DS(ON) ID, Drain current(A) VGS= 4.5V R , Normalized Drain-source on-resistance On-Region Characteristics. 20 8 1.5V 4 0 0 0.4 1.2 0.8 1.6 On-Resistance Variation with Drain Current and Gate Voltage. 2.5 2 VGS= 2.0V 1.5 2.5V 3.0V 4.5V 1 0.5 2 0 VDS, Drain to Source Voltage(V) 5 10 15 20 ID, Drain Current(A) On-Resistance Variation with Gate-to-Source Voltage. 1.5 ID= 6.5A VGS= 4.5V 1.4 1.3 1.2 1.1 1 0.9 0.8 0.7 -50 -25 0.08 RDS(ON), On-resistance(OHM) RDS(ON), Normalized Drain-source on-resistance On-Resistance Variation with Temperature. 0 25 50 75 100 125 ID=6.5A 0.06 0.04 TA= 125°C TA= 25°C 0.02 0 150 TJ, Junction Temperature(°C) 1 TA= -55°C 125°C 25°C 15 10 5 0 0.5 1 1.5 4 5 Body Diode Forword Voltage Variation with Source Current and Temperature. Is, Reverse Drain Current (A) ID, Drain Current(A) VDS= 5V 3 VGS, Gate to Source Voltage(V) Transfer Characteristics. 20 2 2 VGS, Gate to Source Voltage(V) 100 10 TJ= 125°C 25°C 1 -55°C 0.1 0.01 0.001 0.0001 0 2.5 VGS= 0V 3 4-3 0.2 0.4 0.6 0.8 1 VSD, Body Diode Forward Voltage(V) 1.2 NOV-01-2005 Capacitance Characteristics 1800 5 VGS, Gate-Source Voltage(V) TSOP-6 Lead-Free ELM36402EA-S Gate-Charge Characteristics ID = 6.5A VDS= 5V f =1MHz VGS=0 V 1500 Capacitance(pF) 4 10V 3 2 1 1200 Ciss 900 600 Coss Crss 300 0 0 4 2 6 8 10 12 14 0 Qg, Gate Charge (nC) 0 5 10 15 20 VDS, Drain to Source Voltage(V) Maxmum Safe Operating Area. Single Pulse Maximum Power Dissipation. 100 5 100� s RDS(ON) LIMIT 10 SINGLE PULSE VGS= 10V R¿ JA=156° C/W TA=25° C 4 1ms Power(W) ID,Drain Current(A) P2402CAG N-Channel Logic Enhancement Mode シングル N Level チャンネル MOSFET Field Effect Transistor NIKO-SEM 10ms 1 1s DC 100ms VGS =4.5V SINGLE PULSE R� JA=156°C/W TA=25°C 0.1 0.01 0.1 3 2 1 10 1 100 0 0.1 1 10 100 1000 Single Pulse Time(SEC) VGS,Drain-Source Voltage(V) 0.5 0.2 D=0.5 R¿ R¿ 0.2 P(pk) r(t), Normalized Effective Transient Thermal Resistance Transient Thermal Response Curve. 1 0.1 0.1 0.05 0.05 0.02 0.01 0.0001 �� t1 t2 0.02 0.01 (t) = r(t) * R¿ JA=156°C/W JA TJ-TA=P*R¿ JA(t) Duty Cycle, D= t1/ t2 Single Pulse 0.001 0.01 0.1 1 10 100 t1 Time(Sec) 4 4-4 NOV-01-2005 300