单 N 沟道 MOSFET ELM36400EA-S ■概要 ■特点 ELM36400EA-S 是 N 沟道低输入电容,低工作电压, ·Vds=30V 低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=7A ·Rds(on) < 27mΩ (Vgs=10V) ·Rds(on) < 40mΩ (Vgs=4.5V) ■绝对最大额定值 项目 记号 栅极 - 源极电压 如没有特别注明时, Ta=25℃ 规格范围 单位 备注 Vgs Ta=25℃ Ta=100℃ 漏极电流(定常) Id 漏极电流(脉冲) Idm Tc=25℃ Tc=100℃ 容许功耗 Pd 结合部温度及保存温度范围 Tj, Tstg ±20 7 5 V 20 1.6 1.2 A A 3 W - 55 ~ 150 ℃ ■热特性 项目 最大结合部 - 封装热阻 最大结合部 - 环境热阻 稳定状态 记号 Rθjc 稳定状态 Rθja 典型值 最大值 30 单位 ℃/W 78 ℃/W ■引脚配置图 ■电路图 SOT-26(俯视图) 6 1 5 2 备注 4 3 引脚编号 引脚名称 1 2 3 DRAIN DRAIN GATE 4 5 6 SOURCE DRAIN DRAIN 4- 1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 D G S 单 N 沟道 MOSFET ELM36400EA-S ■电特性 项目 记号 条件 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 备注 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss 栅极漏电电流 Igss 1 Vds=20V,Vgs=0V, Ta=125℃ 10 Vds=0V, Vgs=±20V Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA Id(on) Vgs=10V, Vds=5V 漏极 - 源极导通电阻 Rds(on) Gfs 二极管正向压降 寄生二极管最大连续电流 Vsd Is V Vds=24V,Vgs=0V 栅极阈值电压 导通时漏极电流 正向跨导 30 1.0 20 Vgs=10V, Id=7A Vgs=4.5V, Id=5A Vds=5V, Id=7A 1.5 23 32 14.4 If=1A, Vgs=0V μA ±100 nA 3.0 V A 1 mΩ 1 S 1 V A 1 27 40 1.1 3 动态特性 输入电容 输出电容 反馈电容 Ciss Coss Vgs=0V, Vds=10V, f=1MHz Crss 680 140 70 开关特性 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 栅极 - 漏极电荷 Qg Qgs 10.0 1.7 Vgs=10V, Vds=15V, Id=7A pF pF pF 15.0 nC nC 2 2 导通延迟时间 Qgd td(on) 2.1 8.0 nC ns 2 2 导通上升时间 关闭延迟时间 关闭下降时间 tr Vgs=10V, Vds=10V , Id=1A td(off) Rgen=6Ω tf 4.0 22.0 5.0 ns ns ns 2 2 2 备注: 1.脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒, 占空比≤2%。 2. 独立于工作温度。 3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。 4. 占空比≤1%。 4- 2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 NIKO-SEM P2703BAG N-Channel Logic Level Enhancement Mode N 沟道 MOSFET Field单 Effect Transistor_Preliminary TSOP-6 Lead-Free ELM36400EA-S I ,DRAIN - SOURCE CURRENT( A ) ■标准特性和热特性曲线 0 I S,REVERSE DRAIN CURRENT( A ) 100 BODY DIODE FORWARD VOLTAGE VARIATION WITH SOURCE CURRENT AND TEMPERATURE VGS= 0V 10 TA = 125°C 1 25°C 0.1 -55°C 0.01 0.001 0.0001 0 0.8 0.2 1.0 1.2 0.4 0.6 VSD ,BODY DIODE FORWARD VOLTAGE( V ) 3 4- 3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 1.4 AUG-12-2005 单 N 沟道 MOSFET N-Channel Logic Level Enhancement Mode ELM36400EA-S Field Effect Transistor_Preliminary NIKO-SEM TSOP-6 Lead-Free TRANSIENT THERMAL RESPONSE CURVE 1 D=0.5 10 0 0.20 0.10 10 10 10 10 -1 -2 0.05 0.02 0.01 Single pulse P(pk) TRANSIENT THERMAL RESISTANCE r ( t ) ,NORMALIZED EFFECTIVE 10 P2703BAG t1 -3 t2 1.R� JC (t)=r(t)*R 2.R � JC = 156° C/W 3.T j + TC = P * R� JC (t) t1 4.Duty Cycle,D = t2 -4 10 -4 10 -3 10 -2 -1 10 10 t1 , TIME( ms ) 0 10 1 10 2 10 3 4 -4 4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 AUG-12-2005