シングル N チャンネル MOSFET ELM5J400RA-S ■概要 ■特長 ELM5J400RA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低 ・ Vds=30V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=5.6A ・ Rds(on) = 72mΩ (Vgs=10V) ・ Rds(on) = 95mΩ (Vgs=4.5V) ■絶対最大定格値 項目 記号 Vds Vgs ドレイン - ソース電圧 ゲート - ソース電圧 Ta=25℃ Ta=70℃ 連続ドレイン電流 パルス ・ ドレイン電流 Id 5.6 3.6 A Idm 10 A Tc=25℃ Tc=70℃ 最大許容損失 特に指定なき場合、Ta=25℃ 規格値 単位 30 V ±20 V 接合温度範囲及び保存温度範囲 Pd Tj, Tstg 1.45 0.60 - 55 to 150 W ℃ ■熱特性 項目 最大接合部 - 周囲温度 記号 Rθja ■端子配列図 Typ. Max. 120 ■回路 D SOT-89(TOP VIEW) � � 単位 ℃/W � 端子番号 1 端子記号 GATE 2 3 DRAIN SOURCE 5-1 G S シングル N チャンネル MOSFET ELM5J400RA-S ■電気的特性 項目 記号 条件 特に指定なき場合、Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Id=250μA, Vgs=0V ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 Idss ゲート漏れ電流 Igss ゲート ・ スレッシュホールド電圧 オン状態ドレイン電流 ドレイン - ソースオン状態抵抗 順方向相互コンダクタンス ダイオード順方向電圧 最大寄生ダイオード連続電流 動的特性 V Vds=30V, Vgs=0V 1 Vds=30V, Vgs=0V, Ta=85℃ 30 Vds=0V, Vgs=±20V Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA Id(on) Vgs=10V, Vds=4.5V Vgs=10V, Id=5.6A Rds(on) Vgs=4.5V, Id=3.6A Gfs Vds=15V, Id=4.8A Vsd 30 Is=2.7A, Vgs=0V 1.0 6 0.8 1.2 V 1.6 A スイッチング特性 総ゲート電荷 ゲート - ソース電荷 Qg Qgs 2.00 0.80 ゲート - ドレイン電荷 Qgd 5-2 V A 95 230 50 20 ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 2.5 85 11 Ciss Coss Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz Crss td(on) Vgs=4.5V, Vds=15V tr RL=5.6Ω, Id=3.2A td(off) Rgen=1Ω tf nA 72 入力容量 出力容量 帰還容量 ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 ±100 62 Is Vgs=4.5V, Vds=15V Id=3.2A μA mΩ S pF pF pF 3.60 0.65 nC nC nC 10 45 12 60 ns ns 12 20 18 30 ns ns AFN8904 Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET シングル N チャンネル MOSFET ELM5J400RA-S Typical Characteristics ■標準特性と熱特性曲線 ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev. B Dec. 2010 www.alfa-mos.com Page 3 5-3 AFN8904 Alfa-MOS 30V N-Channel Technology シングル N チャンネルEnhancement MOSFET Mode MOSFET ELM5J400RA-S Typical Characteristics ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev. B Dec. 2010 www.alfa-mos.com Page 4 5-4 AFN8904 Alfa-MOS 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Technology シングル N チャンネル MOSFET ELM5J400RA-S Typical■テスト回路と波形 Characteristics ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev. B Dec. 2010 www.alfa-mos.com Page 5 5-5