シングル N チャンネル MOSFET ELM5E402PA-S ■概要 ■特長 ELM5E402PA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低 ・ Vds=20V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=0.7A ・ Rds(on) = 360mΩ (Vgs=4.5V) ・ Rds(on) = 420mΩ (Vgs=2.5V) ・ Rds(on) = 560mΩ (Vgs=1.8V) ■絶対最大定格値 項目 記号 Vdss Vgs ドレイン - ソース電圧 ゲート - ソース電圧 Ta=25℃ Ta=70℃ 連続ドレイン電流 パルス ・ ドレイン電流 Id 0.7 0.4 A Idm 1.0 A Tc=25℃ Tc=70℃ 最大許容損失 接合温度範囲及び保存温度範囲 特に指定なき場合、Ta=25℃ 規格値 単位 20 V ±12 V Pd Tj, Tstg ■端子配列図 0.27 0.16 - 55 to 150 ℃ ■回路 � SOT-523(TOP VIEW) � � W � 端子番号 端子記号 1 2 3 GATE SOURCE DRAIN � � 5-1 シングル N チャンネル MOSFET ELM5E402PA-S ■電気的特性 項目 記号 条件 特に指定なき場合、Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Id=250μA, Vgs=0V ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 Idss ゲート漏れ電流 Igss ゲート ・ スレッシュホールド電圧 オン状態ドレイン電流 ドレイン - ソースオン状態抵抗 20 V Vds=16V, Vgs=0V 1 Vds=16V, Vgs=0V, Ta=85℃ 5 Vds=0V, Vgs=±12V Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V Vgs=4.5V, Id=0.6A Rds(on) Vgs=2.5V, Id=0.5A Vgs=1.8V, Id=0.4A 0.3 0.7 ダイオード順方向電圧 最大寄生ダイオード連続電流 Vsd Is Is=0.15A, Vgs=0V 0.65 動的特性 入力容量 出力容量 Ciss Coss Vgs=0V, Vds=10V, f=1MHz ゲート - ソース電荷 Qgs Vgs=4.5V, Vds=10V Id=0.6A ゲート - ドレイン電荷 ターン ・ オン遅延時間 Qgd td(on) ターン ・ オン立ち上がり時間 ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 tr RL=20Ω, Id=0.5A td(off) Rgen=1Ω tf Vgs=4.5V, Vds=10V 5-2 V A 420 560 1 Qg 0.8 300 420 Vds=10V, Id=0.4A Crss mA 360 Gfs 帰還容量 スイッチング特性 総ゲート電荷 ±1 240 順方向相互コンダクタンス μA mΩ S 1.20 0.3 V A 70 20 pF pF 8 pF 1.06 1.38 nC 0.18 nC 0.32 18 26 nC ns 20 70 25 28 110 40 ns ns ns AFN1012E Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Mode MOSFET シングル N チャンネル Enhancement MOSFET ELM5E402PA-S Typical Characteristics ■標準特性と熱特性曲線 ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.A Oct. 2010 www.alfa-mos.com Page 3 5-3 AFN1012E Alfa-MOS 20V N-Channel Technology シングル N チャンネルEnhancement MOSFET Mode MOSFET ELM5E402PA-S Typical Characteristics ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.A Oct. 2010 www.alfa-mos.com Page 4 5-4 AFN1012E Alfa-MOS 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Technology シングル N チャンネル MOSFET ELM5E402PA-S Typical■テスト回路と波形 Characteristics ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.A Oct. 2010 www.alfa-mos.com Page 5 5-5