シングル P チャンネル MOSFET ELM53405CA-S ■概要 ■特長 ELM53405CA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低 ・ Vds=-30V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=-3.6A ・ Rds(on) < 145mΩ (Vgs=-10V) ・ Rds(on) < 180mΩ (Vgs=-4.5V) ■絶対最大定格値 項目 特に指定なき場合、Ta=25℃ 規格値 単位 -30 V 記号 Vds ドレイン - ソース電圧 ゲート - ソース電圧 Ta=25℃ Ta=70℃ 連続ドレイン電流 パルス ・ ドレイン電流 Vgs ±20 V Id -3.6 -2.4 A Idm Tc=25℃ 最大許容損失 Pd Tc=70℃ 接合温度範囲及び保存温度範囲 Tj, Tstg -15 1.25 A W 0.80 -55 ～ 150 ℃ ■熱特性 項目 最大接合部 - 周囲温度 記号 定常状態 Rθja ■端子配列図 Typ. Max. 単位 120 ℃/W ■回路 � SOT-23(TOP VIEW) � � � 端子番号 1 端子記号 GATE 2 3 SOURCE DRAIN � � 5-1 シングル P チャンネル MOSFET ELM53405CA-S ■電気的特性 項目 記号 条件 特に指定なき場合、 Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Vgs=0V, Id=-250μA ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 Idss ゲート漏れ電流 Igss ゲート ・ スレッシュホールド電圧 オン状態ドレイン電流 ドレイン - ソースオン状態抵抗 順方向相互コンダクタンス ダイオード順方向電圧 最大寄生ダイオード連続電流 動的特性 Ciss Coss Crss スイッチング特性 総ゲート電荷 ゲート - ソース電荷 Qg Qgs ゲート - ドレイン電荷 Qgd ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 -1 Vds=-24V, Vgs=0V, Ta=85℃ -30 Vds=0V, Vgs=±20V Is=-1.5A, Vgs=0V -1.0 -10 Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz Vgs=-4.5V, Vds=-15V Id=-2.5A td(on) Vgs=-10V, Vds=-15V tr RL=7.5Ω, Id=-2A, td(off) Rgen=1Ω tf 5-2 μA ±100 nA -2.5 V A 132 145 168 10 180 -0.7 -1.3 V -1.5 A Is 入力容量 出力容量 帰還容量 ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 V Vds=-24V, Vgs=0V Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V Vgs=-10V, Id=-2.8A Rds(on) Vgs=-4.5V, Id=-2.4A Gfs Vds=-5V, Id=-4A Vsd -30 mΩ S 170 50 30 pF pF pF 2.5 0.8 nC nC 1.0 nC 5 10 10 16 ns ns 10 5 16 10 ns ns AFP2303A Alfa-MOS 30V P-Channel Technology シングル P チャンネルEnhancement MOSFET Mode MOSFET ELM53405CA-S Typical Characteristics ■標準特性と熱特性曲線 ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.B May 2011 www.alfa-mos.com Page 3 5-3 AFP2303A Alfa-MOS 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Technology シングル P チャンネル MOSFET Typical Characteristics ELM53405CA-S ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.B May 2011 www.alfa-mos.com Page 4 5-4 Alfa-MOS 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Technology シングル P チャンネル MOSFET Typical Characteristics ELM53405CA-S ■テスト回路と波形 ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.B May 2011 www.alfa-mos.com Page 5 5-5