シングル N チャンネル MOSFET ELM5K8471A-S ■概要 ■特長 ELM5K8471A-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低 ・ Vds=60V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=5.8A ・ Rds(on) = 54mΩ (Vgs=10V) ・ Rds(on) = 60mΩ (Vgs=4.5V) ■絶対最大定格値 項目 特に指定なき場合、Ta=25℃ 規格値 単位 記号 ドレイン - ソース電圧 Vdss Vgs ゲート - ソース電圧 Ta=25℃ 連続ドレイン電流 60 ±20 5.8 Id Ta=70℃ パルス ・ ドレイン電流 Tc=25℃ 接合温度範囲及び保存温度範囲 A 2.8 Pd Tc=70℃ A 4.2 10 Idm 最大許容損失 V V 1.2 - 55 to 150 Tj, Tstg W ℃ ■熱特性 項目 記号 最大接合部 - 周囲温度 Rθja ■端子配列図 Typ. Max. 単位 120 ℃/W ■回路 � SOT-223(TOP VIEW) � � � 端子番号 1 端子記号 GATE 2 3 DRAIN SOURCE 5-1 � � シングル N チャンネル MOSFET ELM5K8471A-S ■電気的特性 項目 記号 条件 特に指定なき場合、Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Id=250μA, Vgs=0V ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 Idss ゲート漏れ電流 Igss ゲート ・ スレッシュホールド電圧 オン状態ドレイン電流 ドレイン - ソースオン状態抵抗 順方向相互コンダクタンス ダイオード順方向電圧 最大寄生ダイオード連続電流 動的特性 V Vds=60V, Vgs=0V 1 Vds=60V, Vgs=0V, Ta=85℃ 5 Vds=0V, Vgs=±20V Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V Vgs=10V, Id=5.8A Rds(on) Vgs=4.5V, Id=4.2A Gfs Vds=15V, Id=2.4A Vsd 60 Is=1.6A, Vgs=0V 1.0 10 0.8 1.2 V 1.6 A スイッチング特性 総ゲート電荷 ゲート - ソース電荷 Qg Qgs 10.0 3.5 ゲート - ドレイン電荷 Qgd 5-2 V A 60 890 85 48 ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 2.5 54 24 Ciss Coss Vgs=0V, Vds=30V, f=1MHz Crss td(on) Vgs=4.5V, Vds=30V tr RL=6.8Ω, Id=3.0A td(off) Rgen=6Ω tf nA 54 入力容量 出力容量 帰還容量 ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 ±100 48 Is Vgs=5V, Vds=30V Id=3.0A μA mΩ S pF pF pF 15.0 3.6 nC nC nC 10 12 15 20 ns ns 25 10 35 15 ns ns AFN8471 Alfa-MOS 60V N-Channel Technology Mode MOSFET シングル N チャンネルEnhancement MOSFET ELM5K8471A-S Typical Characteristics ■標準特性と熱特性曲線 ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev. A May 2011 www.alfa-mos.com Page 3 5-3 AFN8471 Alfa-MOS 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET シングル N チャンネル MOSFET Technology ELM5K8471A-S Typical Characteristics ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev. A May 2011 www.alfa-mos.com Page 4 5-4 AFN8471 Alfa-MOS 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Technology シングル N チャンネル MOSFET ELM5K8471A-S Typical Characteristics ■テスト回路と波形 ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev. A May 2011 www.alfa-mos.com Page 5 5-5