シングル N チャンネル MOSFET ELM51404FA-S ■概要 ■特長 ELM51404FA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低 ・ Vds=30V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=3.6A ・ Rds(on) = 82mΩ (Vgs=10V) ・ Rds(on) = 90mΩ (Vgs=4.5V) ・ Rds(on) = 102mΩ (Vgs=2.5V) ■絶対最大定格値 項目 特に指定なき場合、Ta=25℃ 規格値 単位 記号 ドレイン - ソース電圧 Vds 30 V ゲート - ソース電圧 Vgs ±12 3.6 2.6 V 10 0.35 0.22 A Ta=25℃ Ta=70℃ 連続ドレイン電流 (Tj=150℃ ) Id パルス ・ ドレイン電流 Idm Tc=25℃ Tc=70℃ 最大許容損失 Pd 接合温度範囲及び保存温度範囲 Tj, Tstg A W - 55 ～ 150 ℃ ■熱特性 項目 最大接合部 - 周囲温度 記号 Rθja ■端子配列図 Typ. Max. 120 単位 ℃/W ■回路 � SC-70(TOP VIEW) 端子番号 1 端子記号 GATE 2 3 SOURCE DRAIN � � 5-1 シングル N チャンネル MOSFET ELM51404FA-S ■電気的特性 項目 記号 条件 特に指定なき場合、 Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Id=250μA, Vgs=0V ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 Idss ゲート漏れ電流 Igss ゲート ・ スレッシュホールド電圧 オン状態ドレイン電流 ドレイン - ソースオン状態抵抗 30 V Vds=24V, Vgs=0V 1 Vds=24V, Vgs=0V, Ta=85℃ 30 Vds=0V, Vgs=±12V Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V Vgs=10V, Id=3.6A Rds(on) Vgs=4.5V, Id=3.0A Vgs=2.5V, Id=2.2A 0.3 30 μA ±100 nA 1.2 V A 77 82 82 93 90 102 mΩ 順方向相互コンダクタンス Gfs Vds=10V, Id=6.1A 20 ダイオード順方向電圧 最大寄生ダイオード連続電流 Vsd Is Is=1.7A, Vgs=0V 0.8 動的特性 入力容量 出力容量 Ciss Coss Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz 280 40 pF pF 20 pF 帰還容量 スイッチング特性 総ゲート電荷 Crss ゲート - ソース電荷 Qgs Qg Vgs=4.5V, Vds=15V Id=3.6A ゲート - ドレイン電荷 ターン ・ オン遅延時間 Qgd td(on) ターン ・ オン立ち上がり時間 ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 tr RL=15Ω, Id=1.0A td(off) Rgen=6Ω tf Vgs=10V, Vds=15V 5-2 2.3 S 1.2 1.6 3.0 V A nC 1.0 nC 0.6 10 15 nC ns 12 15 10 20 25 15 ns ns ns AFN7400 Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Mode MOSFET シングル N チャンネル Enhancement MOSFET ELM51404FA-S Typical Characteristics ■標準特性と熱特性曲線 ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.A Dec. 2011 www.alfa-mos.com Page 3 5-3 AFN7400 Alfa-MOS 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET シングル N チャンネル MOSFET Technology ELM51404FA-S Typical Characteristics ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.A Dec. 2011 www.alfa-mos.com Page 4 5-4 AFN7400 Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET シングル N チャンネル MOSFET ELM51404FA-S Typical Characteristics ■テスト回路と波形 ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.A Dec. 2011 www.alfa-mos.com Page 5 5-5