シングル P チャンネル MOSFET ELM5K8473A-S ■概要 ■特長 ELM5K8473A-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低 ・ Vds=-60V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=-4.8A ・ Rds(on) = 135mΩ (Vgs=-10V) ・ Rds(on) = 155mΩ (Vgs=-4.5V) ■絶対最大定格値 項目 特に指定なき場合、Ta=25℃ 規格値 単位 記号 ドレイン - ソース電圧 Vdss Vgs ゲート - ソース電圧 Ta=25℃ 連続ドレイン電流 -60 ±20 -4.8 Id Ta=70℃ パルス ・ ドレイン電流 Tc=25℃ 接合温度範囲及び保存温度範囲 A 2.8 Pd Tc=70℃ A -3.6 -10 Idm 最大許容損失 V V W 1.2 - 55 ～ 150 Tj, Tstg ℃ ■熱特性 項目 記号 最大接合部 - 周囲温度 Rθja ■端子配列図 Typ. Max. 単位 120 ℃/W ■回路 � SOT-223(TOP VIEW) � � � 端子番号 1 端子記号 GATE 2 3 DRAIN SOURCE 5-1 � � シングル P チャンネル MOSFET ELM5K8473A-S ■電気的特性 項目 記号 条件 特に指定なき場合、 Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Id=-250μA, Vgs=0V ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 Idss ゲート漏れ電流 Igss ゲート ・ スレッシュホールド電圧 オン状態ドレイン電流 ドレイン - ソースオン状態抵抗 順方向相互コンダクタンス ダイオード順方向電圧 最大寄生ダイオード連続電流 動的特性 V Vds=-48V, Vgs=0V -1 Vds=-48V, Vgs=0V, Ta=85℃ -30 Vds=0V, Vgs=±12V Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V Vgs=-10V, Id=-4.8A Rds(on) Vgs=-4.5V, Id=-3.6A Gfs Vds=-15V, Id=-2.2A Vsd -60 Is=-1.5A, Vgs=0V -1.0 -5 -2.0 V A 135 5 155 -1.6 410 45 20 スイッチング特性 総ゲート電荷 ゲート - ソース電荷 Qg Qgs 5.0 1.5 ゲート - ドレイン電荷 Qgd Vgs=-4.5V, Vds=-30V Id=-2.2A td(on) Vgs=-10V, Vds=-30V tr RL=16.7Ω, Id=-1.8A td(off) Rgen=1Ω tf 5-2 mΩ S -0.75 -1.30 Ciss Coss Vgs=0V, Vds=-30V, f=1MHz Crss ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 nA 135 入力容量 出力容量 帰還容量 ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 ±100 125 Is μA V A pF pF pF 10.0 2.5 nC nC nC 5 15 10 25 ns ns 20 10 35 20 ns ns AFP8473 Alfa-MOS 60V P-Channel Technology Mode MOSFET シングル P チャンネルEnhancement MOSFET ELM5K8473A-S Typical Characteristics ■標準特性と熱特性曲線 ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.A Feb. 2012 www.alfa-mos.com Page 3 5-3 AFP8473 Alfa-MOS 60V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET シングル P チャンネル MOSFET Typical Characteristics ELM5K8473A-S ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.A Feb. 2012 www.alfa-mos.com Page 4 5-4 AFP8473 Alfa-MOS 60V P-Channel Technology シングル P チャンネルEnhancement MOSFET Mode MOSFET ELM5K8473A-S Typical Characteristics ■テスト回路と波形 ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.A Feb. 2012 www.alfa-mos.com Page 5 5-5