elm51401fa

シングル P チャンネル MOSFET
ELM51401FA-S
■概要
■特長
ELM51401FA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低
・ Vds=-20V
ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。
・ Id=-1.0A
・ Rds(on) = 600mΩ (Vgs=-4.5V)
・ Rds(on) = 800mΩ (Vgs=-2.5V)
・ Rds(on) = 1300mΩ (Vgs=-1.8V)
■絶対最大定格値
項目
特に指定なき場合、Ta=25℃
規格値
単位
-20
V
記号
Vds
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
Ta=25℃
Ta=70℃
連続ドレイン電流
パルス ・ ドレイン電流
Vgs
±12
V
Id
-1.0
-0.6
A
Idm
Tc=25℃
Tc=70℃
最大許容損失
接合温度範囲及び保存温度範囲
-6
0.35
0.22
Pd
Tj, Tstg
A
W
-55 ~ 150
℃
■熱特性
項目
最大接合部 - 周囲温度
記号
Rθja
■端子配列図
Typ.
Max.
120
単位
℃/W
■回路
�
SC-70(TOP VIEW)
端子番号
1
端子記号
GATE
2
SOURCE
3
DRAIN
�
�
5-1
シングル P チャンネル MOSFET
ELM51401FA-S
■電気的特性
項目
記号
条件
特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
Idss
Vds=-20V, Vgs=0V
Vds=-20V, Vgs=0V, Ta=85℃
ゲート漏れ電流
Igss
Vds=0V, Vgs=±12V
-20
-1
-5
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
-0.4
オン状態ドレイン電流
Id(on) Vgs=-4.5V, Vds=-5V
-0.7
ドレイン - ソースオン状態抵抗
順方向相互コンダクタンス
ダイオード順方向電圧
Gfs
Vsd
最大寄生ダイオード連続電流
動的特性
入力容量
Ciss
出力容量
Coss
帰還容量
スイッチング特性
総ゲート電荷
Crss
Vgs=-1.8V, Id=-0.25A
Vds=-10V, Id=-0.4A
Is=-0.15A, Vgs=0V
-1.0
Qg
500
700
ゲート - ソース電荷
ゲート - ドレイン電荷
ターン ・ オン遅延時間
Qgs
Qgd
td(on)
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
tr
td(off)
Rgen=10Ω
tf
Vgs=-4.5V, Vds=-10V
RL=30Ω, Id=-0.2A
5-2
600
800
1000 1300
1
-0.65 -1.20
70
Vgs=-4.5V, Vds=-10V
Id=-0.25A
V
A
Is
Vgs=0V, Vds=-10V, f=1MHz
μA
±100 nA
ゲート ・ スレッシュホールド電圧
Vgs=-4.5V, Id=-0.45A
Rds(on) Vgs=-2.5V, Id=-0.35A
V
mΩ
S
V
-1.0
A
100
pF
20
pF
10
pF
1.0
1.3
nC
0.1
0.3
10
15
nC
nC
ns
10
40
30
15
60
50
ns
ns
ns
AFP1303
Alfa-MOS
20V P-Channel
Technology
Enhancement Mode MOSFET
シングル P チャンネル MOSFET
ELM51401FA-S
Typical
Characteristics
■標準特性と熱特性曲線
©Alfa-MOS Technology Corp.
Rev.A Jan. 2011
www.alfa-mos.com
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Alfa-MOS
20V P-Channel
Technology
Mode MOSFET
シングル P チャンネル Enhancement
MOSFET
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Typical Characteristics
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20V P-Channel
Technology
シングル P チャンネルEnhancement
MOSFET Mode MOSFET
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■テスト回路と波形
Typical
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