单 P 沟道 MOSFET ELM323506A-S ■概要 ■特点 ELM323506A-S 是 P 沟道低输入电容，低工作电压， 低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Vds=-60V ·Id=-26A ·Rds(on) < 35mΩ (Vgs=-10V) ·Rds(on) < 55mΩ (Vgs=-7V) ■绝对最大额定值 项目 漏极 - 源极电压 记号 Vds 栅极 - 源极电压 Vgs Ta=25℃ 漏极电流（定常） Ta=100℃ 漏极电流（脉冲） 崩溃电流 如没有特别注明时, Ta=25℃ 规格范围 单位 备注 -60 V ±20 -26 Id V A -16 Idm Ias -100 -39 A 崩溃能量 L=0.1mH Eas 77 mJ 容许功耗 Tc=25℃ Tc=100℃ Pd 42 17 W Tj, Tstg -55 ~ 150 ℃ 结合部温度及保存温度范围 3 5 ■热特性 项目 最大结合部 - 封装热阻 记号 Rθjc Rθja 最大结合部 - 环境热阻 ■引脚配置图 典型值 最大值 单位 3 50 ℃/W 备注 ■电路图 D TO-252-3(俯视图) TAB 1 2 3 引脚编号 引脚名称 1 2 3 GATE DRAIN SOURCE 4-1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 G S 单 P 沟道 MOSFET ELM323506A-S ■电特性 项目 记号 条件 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 备注 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Vgs=0V, Id=-250μA 栅极接地时漏极电流 Idss 栅极漏电电流 Igss -1 Vds=-40V, Vgs=0V, Ta=55℃ -10 Vds=0V, Vgs=±20V Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA Id(on) Vgs=-5V, Vds=-10V 漏极 - 源极导通电阻 Rds(on) Gfs 二极管正向压降 寄生二极管最大连续电流 Vsd Is V Vds=-48V, Vgs=0V 栅极阈值电压 导通时漏极电流 正向跨导 -60 -2.0 -100 Vgs=-10V, Id=-25A Vgs=-7V, Id=-20A Vds=-5V, Id=-25A -2.7 29 32 15 If=-25A, Vgs=0V μA ±100 nA -4.0 V A 1 mΩ 1 S 1 V A 1 35 55 -1.3 -26 动态特性 输入电容 输出电容 反馈电容 栅极抵抗 开关特性 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 栅极 - 漏极电荷 导通延迟时间 导通上升时间 关闭延迟时间 关闭下降时间 寄生二极管反向恢复时间 寄生二极管反向恢复电荷 Ciss Coss Vgs=0V, Vds=-30V, f=1MHz Crss Rg Qg Qgs Qgd Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz Vgs=-10V, Vds=-30V Id=-25A td(on) tr Vgs=-10V, Vds=-30V td(off) Id=-20A, RL=1Ω, Rgen=6Ω tf trr Qrr If=-25A, dlf/dt=100A/μs 备注： 1．脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒， 占空比≤2%; 2. 独立于工作温度; 3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制; 4. 占空比≤1%; 5. Vdd=-30V, 启动时 Tj=25℃ 4-2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 2550 241 140 pF pF pF 4.85 Ω 39 nC 2 13 8 nC nC 2 2 30 90 70 ns ns ns 2 2 2 15 30 100 ns ns nC 2 单 P 沟道 MOSFET ELM323506A-S ■标准特性和热特性曲线 � � � � � � � � � 4-3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 单 P 沟道 MOSFET � � �� �� �� �� �� ELM323506A-S � � � � � � � � � 4-4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。