SiM3L1xx 最大 256 kB フラッシュ付き高性能、低消費電力、32 ビット Precision32™ MCU ファミリ

SiM3L1xx
最大 256 kB フラッシュ付き高性能、低消費電力、32 ビット
Precision32™ MCU ファミリ
32 ビット ARM Cortex-M3 CPU
- 最大動作周波数 50MHz
- シングルサイクル乗算、ハードウエア除算サポート
- ネスト型ベクタ割込み制御(NVIC)8 優先度レベル
アナログ周辺回路
- 12 ビット・アナログ・デジタル・コンバータ:250 ksps
12 ビット・モードまたは 1 Msps 10 ビット・モード
- 10 ビット電流モード・デジタル・アナログ・コンバータ
- 2 x 低電流コンパレータ
メモリ
- 32–256 kB フラッシュ、インシステム・プログラム可能
- 8-32 kB SRAM リテンション容量可変
デジタルおよび通信用周辺回路
- 1 x USART、IrDA および ISO7816 Smartcard サポート付き
- 低消費電力モードで動作する 1 x UART
- 2 x SPIs、1 x I2C、16/32 ビット CRC
- 128/192/256 ビット・ハードウェア AES 暗号化機能
- エンコーダ / デコーダ:マンチェスタ 3 out of 6
- LCD コントローラ内蔵:最大 160 セグメント(40 x 4)、自動
クロック・ソース
- PLL 付き内部オシレータ:23–50 MHz
- 低消費電力内部オシレータ:20 MHz
- 低周波内部オシレータ (LFO):16.4 kHz
- 外部リアルタイム・クロック (RTC) クリスタルオシレータ
- 外部オシレータ:クリスタル、RC、C、CMOS クロック
コントラストおよび低消費電力動作
タイマ / カウンタ
- キャプチャ/ コンペア付き 3 x 32 ビットまたは 6 x 16 ビットの
電源管理
- 3 つの調整可能な低ドロップアウト (LDO) レギュレータ
- パワー・オン・リセット回路およびブラウンアウト検出器
- DC-DC バック・コンバータによって、最大効率(250 mW 出
ウンタと、差動出力付きデッドタイム・コントローラ
- 超低消費電力モードでの 16 ビット低消費電力タイマ/高度キャ
力)のための動的電圧スケーリングが可能
低消費電力の最適化のためにサポートされている複数の電力
モード
プチャ・カウンタの動作
消費電力低減機能:
- 75 nA(Typ:PowerMode 8)
- 低電流 RTC(LFO 使用時 180 nA、クリスタル使用時 300 nA)
- 4 µs ウェイクアップ、レジスタ状態保持および超低消費電力
モードからのリセット不要
175 µA/MHz(3.6 V 電源 フラッシュから動作)
140 µA/MHz(3.6 V 電源 SRAM から動作)
内蔵チャージポンプ(低消費電力モード)で消費電力を低減
プロセス / 電圧 / 温度 (PVT) モニタ
データ転送用周辺回路
- 10 チャンネル DMA コントローラ
- 3 チャンネルデータ転送マネージャにより、CPU コアの介在
なしで複雑な DMA 転送を管理
オンチップ・デバッグ機能
- シリアル・ワイヤ・ビューワ (SWV) または JTAG(バウンダ
5 V トレラントフレシキブル I/O
- 最大 62 ピンの 5 V トレラント GPIO ピンをプライオリティー
クロスバーで柔軟にピン配置可能
-
リスキャンなし)を使用したシリアル・ワイヤ・デバッグ
(SWD) により、デバッグとプログラムが可能
Cortex-M3 エンベデットトレースマクロセル (ETM)
動作電圧範囲:1.8 ~ 3.8 V
Power
Core / Memory / Support
Analog Peripherals
Scalable Digital LDO
ARM Cortex M3 (50 MHz)
SAR ADC
(12-bit 250 ksps / 10-bit 1 Msps)
Scalable Memory LDO
Scalable Analog LDO
DC-DC Buck Converter
32/64/128/256 kB Flash
Watchdog
Current-Source DAC
Supply Monitor
2 x Low Current Comparators
Serial Wire or JTAG Debug / Programming + ETM
50 MHz PLL
Real-Time Clock w/ Dedicated Crystal Oscillator
16 kHz Low Frequency Oscillator
20 MHz Low Power Oscillator
External Clock (XTAL / RC / C / CMOS)
Advanced Capture Counter
Digital Peripherals
Clock Selection
and Gating
Clocking / Oscillators
改訂 1.0 10/13
Voltage Reference
10-Ch DMA Controller + 3x Data Transfer Mgr.
Low Power Mode Charge Pump
Power Management Unit
8/16/32 kB Retention
RAM
1 x I2C
2 x SPI
AES
CRC
3 x 32-bit Timers (6 x 16-bit)
1 x UART, 1 x USART w/ IrDA/SmartCard
Encoder/Decoder
Low-Power Timer
6-Channel PWM
LCD Controller
Copyright © 2013 by Silicon Laboratories
62 Multi-Function 5V-Tolerant I/O Pins
パッケージ・オプション
- QFN オプション:40 ピン (6 x 6 mm)、64 ピン (9 x 9 mm)
- TQFP オプション:64 ピン (10 x 10 mm)、80 ピン (12 x 12 mm)
- TFBGA オプション:80 ボール (5.5 x 5.5 mm)
動作周囲温度:–40 ~ +85 °C
Flexible Pin Muxing
-
- 複数アラーム付きの 32 ビットリアルタイム・クロック (RTC)
- ウオッチドッグタイマ
- 低消費電力モード高度キャプチャ・カウンタ (ACCTR)
Priority Crossbar
Encoder
-
タイマ
- キャプチャ/ コンペア /PWM 付き 16 ビット、6 チャンネルのカ
SiM3L1xx
2
改訂 1.0
SiM3L1xx
目次
1. 関連資料と規則......................................................................................................................5
1.1. 関連資料 .................................................................. 5
1.1.1. SiM3L1xx リファレンス・マニュアル...................................................................5
1.1.2. ハードウェア・アクセス・レイヤ (Hardware Access Layer : HAL) API 説明 ......5
1.1.3. ARM Cortex-M3 リファレンス・マニュアル.........................................................5
1.2. 表記規則 .................................................................. 5
2. 典型的な接続のダイアグラム ................................................................................................6
2.1. 電力 ...................................................................... 6
3. 電気仕様.................................................................................................................................8
3.1. 電気的特性 ................................................................ 8
3.2. 熱条件 ................................................................... 30
3.3. 最大絶対定格 ............................................................. 31
4. Precision32™ SiM3L1xx システムの概要 ......................................................................... 32
4.1. 電力 ..................................................................... 34
4.1.1. DC-DC バック・コンバータ (DCDC0) ................................................................ 34
4.1.2. 3 つの低ドロップアウト LDO レギュレータ (LDO0) .......................................... 35
4.1.3. 電圧電源モニタ (VMON0) ...................................................................................35
4.1.4. 電源管理ユニット (PMU)..................................................................................... 35
4.1.5. デバイスの電力モード......................................................................................... 35
4.1.6. プロセス / 電圧 / 温度モニタ(TIMER2 および PVTOSC0)............................... 38
4.2. I/O................................................................................................................................. 39
4.2.1. 一般的な特徴 ....................................................................................................... 39
4.2.2. クロスバー........................................................................................................... 39
4.3. クロッキング ............................................................. 40
4.3.1. PLL (PLL0)........................................................................................................... 41
4.3.2. 低消費電力オシレータ (LPOSC0) ....................................................................... 41
4.3.3. 低周波オシレータ (LFOSC0)............................................................................... 41
4.3.4. 外部オシレータ (EXTOSC0) ............................................................................... 41
4.4. LCD コントローラ内蔵 (LCD0).................................................................................... 42
4.5. データ周辺回路 ........................................................... 43
4.5.1. 10 チャンネル DMA コントローラ ...................................................................... 43
4.5.2. データ転送マネージャ (DTM0、DTM1、DTM2)................................................. 43
4.5.3. 128/192/256 ビット・ハードウェア AES 暗号化機能 (AES0) ............................ 43
4.5.4. 16/32 ビット拡張型 CRC (ECRC0).....................................................................44
4.5.5. エンコーダ / デコーダ (ENCDEC0) .....................................................................44
4.6. カウンタ / タイマ .......................................................... 45
4.6.1. 32 ビット・タイマ (TIMER0、TIMER1、TIMER2) ............................................ 45
4.6.2. 拡張型プログラム可能カウンタ配列 (EPCA0) .................................................... 45
4.6.3. リアルタイム・クロック (RTC0) ........................................................................ 46
4.6.4. 低消費電力タイマ (LPTIMER0) ........................................................................... 46
4.6.5. ウオッチドッグタイマ (WDTIMER0) .................................................................. 46
4.6.6. 低消費電力モード高度キャプチャ・カウンタ (ACCTR0) ................................... 47
4.7. 通信用周辺回路 ........................................................... 48
4.7.1. USART (USART0) ............................................................................................... 48
改訂 1.0
3
SiM3L1xx
4.7.2. UART (UART0).................................................................................................... 48
4.7.3. SPI (SPI0, SPI1) .................................................................................................. 49
4.7.4. I2C (I2C0) ............................................................................................................ 49
4.8. アナログ ................................................................. 50
4.8.1. 12 ビット・アナログ・デジタル・コンバータ (SARADC0) ............................... 50
4.8.2. 10 ビット・デジタル・アナログ・コンバータ (IDAC0) ..................................... 50
4.8.3. 低電流コンパレータ (CMP0、CMP1) ................................................................. 50
4.9. リセット・ソース ......................................................... 51
4.10.セキュリティ ............................................................. 52
4.11.オンチップ・デバッグ機能 ................................................. 52
5. 注文情報............................................................................................................................... 53
6. ピンの定義 ........................................................................................................................... 55
6.1. SiM3L1x7 ピンの定義 ...................................................... 55
6.2. SiM3L1x6 ピンの定義 ...................................................... 63
6.3. SiM3L1x4 ピンの定義 ...................................................... 70
6.4. TQFP-80 パッケージの仕様................................................. 75
6.4.1. TQFP-80 はんだマスクの設計............................................................................. 78
6.4.2. TQFP-80 ステンシルの設計 ................................................................................ 78
6.4.3. TQFP-80 カード・アセンブリ............................................................................. 78
6.5. TFBGA-80 パッケージの仕様 ............................................... 79
6.5.1. TFBGA-80 はんだマスクの設計 .......................................................................... 82
6.5.2. TFBGA-80 ステンシルの設計.............................................................................. 82
6.5.3. TFBGA-80 カード・アセンブリ .......................................................................... 82
6.6. QFN-64 パッケージの仕様.................................................. 83
6.6.1. QFN-64 はんだマスクの設計............................................................................... 85
6.6.2. QFN-64 ステンシルの設計 .................................................................................. 85
6.6.3. QFN-64 カード・アセンブリ............................................................................... 85
6.7. TQFP-64 パッケージの仕様................................................. 86
6.7.1. TQFP-64 はんだマスクの設計............................................................................. 89
6.7.2. TQFP-64 ステンシルの設計 ................................................................................ 89
6.7.3. TQFP-64 カード・アセンブリ............................................................................. 89
6.8. QFN-40 パッケージの仕様.................................................. 90
6.8.1. QFN-40 はんだマスクの設計............................................................................... 92
6.8.2. QFN-40 ステンシルの設計 .................................................................................. 92
6.8.3. QFN-40 カード・アセンブリ............................................................................... 92
7. リビジョン特有の動作 ......................................................................................................... 93
7.1. リビジョンの識別 ......................................................... 93
文書変更リスト ......................................................................................................................... 95
お問い合わせ.............................................................................................................................96
4
改訂 1.0
SiM3L1xx
1. 関連資料と規則
1.1. 関連資料
このデータシートには、SiM3L1xx デバイスについての完全な説明を提供するために、いくつかのドキュメントが
付属しています。
1.1.1. SiM3L1xx リファレンス・マニュアル
Silicon Laboratories SiM3L1xx リファレンス・マニュアルは SiM3L1xx デバイスの各周辺回路についての詳細な説
明を提供します。
1.1.2. ハードウェア・アクセス・レイヤ (Hardware Access Layer : HAL) API 説明
Silicon Laboratories ハードウェア・アクセス・レイヤ (Hardware Access Layer : HAL) API は、SiM3L1xx デバイ
スの各ビットを変更し、読み取るために C 言語関数を提供しています。この説明は SiM3xxxx HAL API リファレ
ンス・マニュアルに記載されています。
1.1.3. ARM Cortex-M3 リファレンス・マニュアル
ネスト型ベクタ割込み制御のような ARM 固有の機能は、ARM Cortex-M3 リファレンス・ドキュメントで説明さ
れています。オンライン・リファレンス・マニュアルは、以下でご覧ください。
http://infocenter.arm.com/help/topic/com.arm.doc.subset.cortexm.m3/index.html#cortexm3。
1.2. 表記規則
このドキュメントに記載されているブロック・ダイアグラムでは、以下のような表記を使用しています :
Internal Module
Other Internal
Peripheral Block
External Memory
Block
DMA Block
Memory Block
Input_Pin
External to MCU
Block
Output_Pin
Functional Block
Internal_Input_Signal
Internal_Output_Signal
REGn_NAME / BIT_NAME
Figure 1.1. Block Diagram Conventions
改訂 1.0
5
SiM3L1xx
2. 典型的な接続のダイアグラム
このセクションでは、SiM3L1xx デバイスの典型的な接続のダイアグラムについて説明します。
2.1. 電力
図 2.1 は、dc-dc バック・コンバータが使用されていない場合の SiM3L1xx デバイスの電源ピンの典型的な接続の
ダイアグラムを示しています。
SiM3L1xx Device
VIORF
VIO
DC-DC
Converter
VBAT/VBATDC
VDC
VLCD
1 uF and 0.1 uF bypass
capacitors required for
each power pin placed
as close to the pins as
possible.
IND
VDRV
Low Dropout
Regulator
(LDO0)
VSSDC
VSS
10 uF capacitor required
on the VLCD pin
Figure 2.1. Connection Diagram with DC-DC Converter Unused
図 2.2 は、内部 dc-dc バック・コンバータが使用されており、I/O がバッテリから直接電力を供給されている場合
の SiM3L1xx デバイスの電源ピンの典型的な接続のダイアグラムを示しています。
SiM3L1xx Device
4.7, 0.1, and 0.01 uF
bypass capacitors
required on
VBAT/VBATDC input
VIORF
VIO
DC-DC
Converter
0.56 uH inductor
required between the
IND and VDC pins
VDC
VBAT/VBATDC
1 uF and 0.1 uF bypass
capacitors required for
each power pin placed
as close to the pins as
possible.
IND
to external
VDRV circuitry
VLCD
Low Dropout
Regulator
(LDO0)
2.2, 0.1, and 0.01 uF
bypass capacitors
required on VDC output
VSSDC
VSS
10 uF capacitor required
on the VLCD pin
Figure 2.2. Connection Diagram with DC-DC Converter Used and I/O Powered from Battery
図 2.3 は、Silicon Labs EZRadio® または EZRadioPRO® デバイスのような外部ラジオ・デバイスと共に使用する
場合の SiM3L1xx デバイスの電源ピンの典型的な接続のダイアグラムを示しています。
6
改訂 1.0
SiM3L1xx
1 uF and 0.1 uF bypass
capacitors required for
each I/O power pin
SiM3L1xx Device
DC-DC
Converter
VBAT/VBATDC
0.56 uH inductor
required between the
IND and VDC pins
IND
VDC
VIO
4.7, 0.1, and 0.01 uF
bypass capacitors
required on
VBAT/VBATDC input
to external
radio
VDRV
Low Dropout
Regulator
(LDO0)
2.2, 0.1, and 0.01 uF
bypass capacitors
required on VDC output
VIORF
VLCD
VSSDC
VSS
capacitors must be
placed as close to the
pins as possible.
10 uF capacitor required
on the VLCD pin
Figure 2.3. Connection Diagram with External Radio Device
図 2.4 は、dc-dc バック・コンバータが使用されており、I/O が個別に電力を供給されている場合の SiM3L1xx デ
バイスの電源ピンの典型的な接続のダイアグラムを示しています。
1 uF and 0.1 uF bypass
capacitors required for
each I/O power pin
SiM3L1xx Device
DC-DC
Converter
1.8-VBAT V
4.7, 0.1, and 0.01 uF
bypass capacitors
required on
VBAT/VBATDC input
VBAT/VBATDC
1.8-VBAT V
0.56 uH inductor
required between the
IND and VDC pins
VDC
to external
VDRV circuitry
VIORF
VIO
IND
Low Dropout
Regulator
(LDO0)
2.2, 0.1, and 0.01 uF
bypass capacitors
required on VDC output
VLCD
VSSDC
VSS
capacitors must be
placed as close to the
pins as possible.
10 uF capacitor required
on the VLCD pin
Figure 2.4. Connection Diagram with DC-DC Converter Used and I/O Powered Separately
改訂 1.0
7
SiM3L1xx
3. 電気仕様
3.1. 電気的特性
すべての表のすべての電気的パラメータは、特に指定のない限り、表 3.1 に記載されている条件の下で定められ
ています。
Table 3.1. Recommended Operating Conditions
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
Operating Supply Voltage on
VBAT/VBATDC
VBAT
1.8
—
3.8
V
Operating Supply Voltage on VDC
VDC
1.25
—
3.8
V
Operating Supply Voltage on VDRV
VDRV
1.25
—
3.8
V
VIO
1.8
—
VBAT
V
Operation Supply Voltage on VIORF
VIORF
1.8
—
VBAT
V
Operation Supply Voltage on VLCD
VLCD
1.8
—
3.8
V
System Clock Frequency (AHB)
fAHB
0
—
50
MHz
Peripheral Clock Frequency (APB)
fAPB
0
—
50
MHz
Operating Ambient Temperature
TA
–40
—
+85
°C
Operating Junction Temperature
TJ
–40
—
105
°C
Operating Supply Voltage on VIO
Note: All voltages with respect to VSS.
8
改訂 1.0
SiM3L1xx
Table 3.2. Power Consumption
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
IBAT
FAHB = 49 MHz,
FAPB = 24.5 MHz
—
17.5
18.9
mA
FAHB = 20 MHz,
FAPB = 10 MHz
—
6.7
7.2
mA
FAHB = 2.5 MHz,
FAPB = 1.25 MHz
—
1.15
1.4
mA
FAHB = 49 MHz,
FAPB = 24.5 MHz
—
13.3
14.5
mA
FAHB = 20 MHz,
FAPB = 10 MHz
—
5.4
5.9
mA
FAHB = 2.5 MHz,
FAPB = 1.25 MHz
—
980
1.2
µA
FAHB = 49 MHz,
FAPB = 24.5 MHz
VBAT = 3.3 V
—
9.7
—
mA
FAHB = 49 MHz,
FAPB = 24.5 MHz
VBAT = 3.8 V
—
8.65
—
mA
FAHB = 20 MHz,
FAPB = 10 MHz
VBAT = 3.3 V
—
4.15
—
mA
FAHB = 20 MHz,
FAPB = 10 MHz
VBAT = 3.8 V
—
3.9
—
mA
Digital Core Supply Current
Normal Mode1,2,3,4—Full speed
with code executing from flash,
peripheral clocks ON
Normal Mode1,2,3,4—Full speed
with code executing from flash,
peripheral clocks OFF
Normal Mode1,2,3,4—Full speed
with code executing from flash,
LDOs powered by dc-dc at 1.9 V,
peripheral clocks OFF
IBAT
IBAT
Notes:
1. Currents are additive. For example, where IBAT is specified and the mode is not mutually exclusive, enabling the
functions increases supply current by the specified amount.
2. Includes all peripherals that cannot have clocks gated in the Clock Control module.
3. Includes LDO and PLL0OSC (>20 MHz) or LPOSC0 (<20 MHz) supply current.
4. Internal Digital and Memory LDOs scaled to optimal output voltage.
5. Flash AHB clock turned off.
6. Running from internal LFO, Includes LFO supply current.
7. LCD0 current does not include switching currents for external load.
8. IDAC output current not included.
9. Does not include LC tank circuit.
10. Does not include digital drive current or pullup current for active port I/O. Unloaded IVIO is included in all IBAT PM8
production test measurements.
改訂 1.0
9
SiM3L1xx
Table 3.2. Power Consumption (Continued)
Parameter
Power Mode 11,2,3,4—Full speed
with code executing from RAM,
peripheral clocks ON
Power Mode 11,2,3,4—Full speed
with code executing from RAM,
peripheral clocks OFF
Power Mode 11,2,3,4—Full speed
with code executing from RAM,
LDOs powered by dc-dc at 1.9 V,
peripheral clocks OFF
Power Mode 21,2,3,4,5—Core halted
with peripheral clocks ON
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
IBAT
FAHB = 49 MHz,
FAPB = 24.5 MHz
—
13.4
16.6
mA
FAHB = 20 MHz,
FAPB = 10 MHz
—
4.7
—
mA
FAHB = 2.5 MHz,
FAPB = 1.25 MHz
—
810
—
µA
FAHB = 49 MHz,
FAPB = 24.5 MHz
—
9.4
12.5
mA
FAHB = 20 MHz,
FAPB = 10 MHz
—
3.3
—
mA
FAHB = 2.5 MHz,
FAPB = 1.25 MHz
—
630
—
µA
FAHB = 49 MHz,
FAPB = 24.5 MHz
VBAT = 3.3 V
—
7.05
—
mA
FAHB = 49 MHz,
FAPB = 24.5 MHz
VBAT = 3.8 V
—
6.3
—
mA
FAHB = 20 MHz,
FAPB = 10 MHz
VBAT = 3.3 V
—
2.75
—
mA
FAHB = 20 MHz,
FAPB = 10 MHz
VBAT = 3.8 V
—
2.6
—
mA
FAHB = 49 MHz,
FAPB = 24.5 MHz
—
7.6
11.3
mA
FAHB = 20 MHz,
FAPB = 10 MHz
—
2.75
—
mA
FAHB = 2.5 MHz,
FAPB = 1.25 MHz
—
575
—
µA
IBAT
IBAT
IBAT
Notes:
1. Currents are additive. For example, where IBAT is specified and the mode is not mutually exclusive, enabling the
functions increases supply current by the specified amount.
2. Includes all peripherals that cannot have clocks gated in the Clock Control module.
3. Includes LDO and PLL0OSC (>20 MHz) or LPOSC0 (<20 MHz) supply current.
4. Internal Digital and Memory LDOs scaled to optimal output voltage.
5. Flash AHB clock turned off.
6. Running from internal LFO, Includes LFO supply current.
7. LCD0 current does not include switching currents for external load.
8. IDAC output current not included.
9. Does not include LC tank circuit.
10. Does not include digital drive current or pullup current for active port I/O. Unloaded IVIO is included in all IBAT PM8
production test measurements.
10
改訂 1.0
SiM3L1xx
Table 3.2. Power Consumption (Continued)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
Power Mode 21,2,3,4,5—Core halted
with only Port I/O clocks on (wake
from pin).
IBAT
FAHB = 49 MHz,
FAPB = 24.5 MHz
—
4
7.2
mA
FAHB = 20 MHz,
FAPB = 10 MHz
—
1.47
—
mA
FAHB = 2.5 MHz,
FAPB = 1.25 MHz
—
430
—
µA
VBAT = 3.8 V
—
320
530
µA
VBAT = 1.8 V
—
225
—
µA
FAHB = FAPB = 16 kHz,
VBAT = 3.8 V
—
385
640
µA
FAHB = FAPB = 16 kHz,
VBAT = 1.8 V
—
330
—
µA
FAHB = FAPB = 16 kHz,
VBAT = 3.8 V
—
320
490
µA
FAHB = FAPB = 16 kHz,
VBAT = 1.8 V
—
275
—
µA
FAHB = FAPB = 16 kHz,
VBAT = 3.8 V
—
315
490
µA
FAHB = FAPB = 16 kHz,
VBAT = 1.8 V
—
270
—
µA
RTC Disabled,
TA = 25 °C
—
75
400
nA
RTC w/ 16.4 kHz LFO,
TA = 25 °C
—
360
—
nA
RTC w/ 32.768 kHz Crystal,
TA = 25 °C
—
670
—
nA
Power Mode 31,2,6—Fast-Wake
Mode (PM3CLKEN = 1)
IBAT
Power Mode 41,2,4,6—Slower clock
speed with code executing from
flash, peripheral clocks ON
IBAT
Power Mode 51,2,4,6—Slower clock
speed with code executing from
RAM, peripheral clocks ON
IBAT
Power Mode 61,2,4,6—Core halted
with peripheral clocks ON
IBAT
Power Mode 81,2—Low Power
Sleep, powered through VBAT,
VIO, and VIORF at 2.4 V, 32kB of
retention RAM
IBAT
Notes:
1. Currents are additive. For example, where IBAT is specified and the mode is not mutually exclusive, enabling the
functions increases supply current by the specified amount.
2. Includes all peripherals that cannot have clocks gated in the Clock Control module.
3. Includes LDO and PLL0OSC (>20 MHz) or LPOSC0 (<20 MHz) supply current.
4. Internal Digital and Memory LDOs scaled to optimal output voltage.
5. Flash AHB clock turned off.
6. Running from internal LFO, Includes LFO supply current.
7. LCD0 current does not include switching currents for external load.
8. IDAC output current not included.
9. Does not include LC tank circuit.
10. Does not include digital drive current or pullup current for active port I/O. Unloaded IVIO is included in all IBAT PM8
production test measurements.
改訂 1.0
11
SiM3L1xx
Table 3.2. Power Consumption (Continued)
Parameter
Power Mode 81,2—Low Power
Sleep, powered by the low power
mode charge pump, 32kB of
retention RAM
Unloaded VIO and VIORF Current10
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
IBAT
RTC w/ 16.4 kHz LFO,
VBAT = 2.4 V, TA = 25 °C
—
180
—
nA
RTC w/ 32.768 kHz Crystal,
VBAT = 2.4 V, TA = 25 °C
—
300
—
nA
RTC w/ 16.4 kHz LFO,
VBAT = 3.8 V, TA = 25 °C
—
245
—
nA
RTC w/ 32.768 kHz Crystal,
VBAT = 3.8 V, TA = 25 °C
—
390
—
nA
—
2
—
nA
VBAT = 3.8 V, TA = 25 °C
—
195
600
nA
VBAT = 2.4 V, TA = 25 °C
—
120
—
nA
VBAT = 3.8 V, TA = 25 °C
—
495
660
nA
VBAT = 2.4 V, TA = 25 °C
—
395
—
nA
VBAT = 3.8 V, TA = 25 °C
—
800
—
nA
VBAT = 2.4 V, TA = 25 °C
—
580
—
nA
VBAT = 2.4 V, TA = 25 °C,
CPMD = 01
—
1.11
—
nA/Hz
VBAT = 3.8 V, TA = 25 °C,
CPMD = 01
—
1.44
—
nA/Hz
VBAT = 2.4 V, TA = 25 °C,
CPMD = 10
—
1.45
—
nA/Hz
VBAT = 3.8 V, TA = 25 °C,
CPMD = 10
—
1.82
—
nA/Hz
VBAT = 2.4 V, TA = 25 °C,
CPMD = 11
—
2.15
—
nA/Hz
VBAT = 3.8 V, TA = 25 °C,
CPMD = 11
—
2.54
—
nA/Hz
IVIO
Power Mode 8 Peripheral Currents
UART0
LCD07, No segments active
LCD07, All (4 x 40) segments active
Advanced Capture Counter
(ACCTR0), LC Single-Ended
Mode, Relative to Sampling
Frequency9
IUART0
ILCD0
ILCD0
IACCTR
Notes:
1. Currents are additive. For example, where IBAT is specified and the mode is not mutually exclusive, enabling the
functions increases supply current by the specified amount.
2. Includes all peripherals that cannot have clocks gated in the Clock Control module.
3. Includes LDO and PLL0OSC (>20 MHz) or LPOSC0 (<20 MHz) supply current.
4. Internal Digital and Memory LDOs scaled to optimal output voltage.
5. Flash AHB clock turned off.
6. Running from internal LFO, Includes LFO supply current.
7. LCD0 current does not include switching currents for external load.
8. IDAC output current not included.
9. Does not include LC tank circuit.
10. Does not include digital drive current or pullup current for active port I/O. Unloaded IVIO is included in all IBAT PM8
production test measurements.
12
改訂 1.0
SiM3L1xx
Table 3.2. Power Consumption (Continued)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
Advanced Capture Counter
(ACCTR0), LC Dual or Quadrature
Mode, Relative to Sampling
Frequency9
IACCTR
VBAT = 2.4 V, TA = 25 °C,
CPMD = 01
—
1.39
—
nA/Hz
VBAT = 3.8 V, TA = 25 °C,
CPMD = 01
—
1.89
—
nA/Hz
VBAT = 2.4 V, TA = 25 °C,
CPMD = 10
—
2.08
—
nA/Hz
VBAT = 3.8 V, TA = 25 °C,
CPMD = 10
—
2.59
—
nA/Hz
VBAT = 2.4 V, TA = 25 °C,
CPMD = 11
—
3.47
—
nA/Hz
VBAT = 3.8 V, TA = 25 °C,
CPMD = 11
—
4.03
—
nA/Hz
Analog Peripheral Supply Currents
PLL0 Oscillator (PLL0OSC)
IPLLOSC
Operating at 49 MHz
—
1.4
1.6
mA
Low-Power Oscillator (LPOSC0)
ILPOSC
Operating at 20 MHz
—
25
—
µA
Operating at 2.5 MHz
—
25
—
µA
ILFOSC
Operating at 16.4 kHz
—
190
310
nA
IEXTOSC
FREQCN = 111
—
3.8
4.5
mA
FREQCN = 110
—
840
960
µA
FREQCN = 101
—
185
230
µA
FREQCN = 100
—
65
80
µA
FREQCN = 011
—
25
30
µA
FREQCN = 010
—
10
13
µA
FREQCN = 001
—
5
7
µA
FREQCN = 000
—
3
5
µA
Low-Frequency Oscillator
(LFOSC0)
External Oscillator (EXTOSC0)
Notes:
1. Currents are additive. For example, where IBAT is specified and the mode is not mutually exclusive, enabling the
functions increases supply current by the specified amount.
2. Includes all peripherals that cannot have clocks gated in the Clock Control module.
3. Includes LDO and PLL0OSC (>20 MHz) or LPOSC0 (<20 MHz) supply current.
4. Internal Digital and Memory LDOs scaled to optimal output voltage.
5. Flash AHB clock turned off.
6. Running from internal LFO, Includes LFO supply current.
7. LCD0 current does not include switching currents for external load.
8. IDAC output current not included.
9. Does not include LC tank circuit.
10. Does not include digital drive current or pullup current for active port I/O. Unloaded IVIO is included in all IBAT PM8
production test measurements.
改訂 1.0
13
SiM3L1xx
Table 3.2. Power Consumption (Continued)
Parameter
SARADC0
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
ISARADC
Sampling at 1 Msps, Internal
VREF used
—
1.2
1.6
mA
Sampling at 250 ksps, lowest
power mode settings.
—
390
540
µA
—
75
110
µA
Normal Power Mode
—
680
—
µA
Normal Power Mode
—
160
—
µA
—
80
—
µA
CMPMD = 11
—
0.5
2
µA
CMPMD = 10
—
3
8
µA
CMPMD = 01
—
10
16
µA
CMPMD = 00
—
25
42
µA
Temperature Sensor
ITSENSE
Internal SAR Reference
IREFFS
VREF0
Comparator 0 (CMP0),
Comparator 1 (CMP1)
IREFP
ICMP
IDAC08
IIDAC
—
70
100
µA
Voltage Supply Monitor (VMON0)
IVMON
—
10
22
µA
Write Operation
IFLASH-W
—
—
8
mA
Erase Operation
IFLASH-E
—
—
15
mA
Flash Current on VBAT
Notes:
1. Currents are additive. For example, where IBAT is specified and the mode is not mutually exclusive, enabling the
functions increases supply current by the specified amount.
2. Includes all peripherals that cannot have clocks gated in the Clock Control module.
3. Includes LDO and PLL0OSC (>20 MHz) or LPOSC0 (<20 MHz) supply current.
4. Internal Digital and Memory LDOs scaled to optimal output voltage.
5. Flash AHB clock turned off.
6. Running from internal LFO, Includes LFO supply current.
7. LCD0 current does not include switching currents for external load.
8. IDAC output current not included.
9. Does not include LC tank circuit.
10. Does not include digital drive current or pullup current for active port I/O. Unloaded IVIO is included in all IBAT PM8
production test measurements.
14
改訂 1.0
SiM3L1xx
Table 3.3. Power Mode Wake Up Times
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
Power Mode 2 or 6 Wake Time
tPM2
4
—
5
clocks
Power Mode 3 Fast Wake Time
(using LFO as clock source)
tPM3FW
—
425
—
µs
tPM8
—
3.8
—
µs
Power Mode 8 Wake Time
Notes:
1. Wake times are specified as the time from the wake source to the execution phase of the first instruction following WFI.
This includes latency to recognize the wake event and fetch the first instruction (assuming wait states = 0).
Table 3.4. Reset and Supply Monitor
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
VBAT High Supply Monitor Threshold
(VBATHITHEN = 1)
VVBATMH
Early Warning
—
2.20
—
V
Reset
1.95
2.05
2.1
V
VBAT Low Supply Monitor Threshold
(VBATHITHEN = 0)
VVBATML
Early Warning
—
1.85
—
V
Reset
1.70
1.75
1.77
V
Rising Voltage on
VBAT
—
1.4
—
V
Falling Voltage on
VBAT
0.8
1
1.3
V
Power-On Reset (POR) Threshold
VPOR
VBAT Ramp Time
tRMP
Time to VBAT > 1.8 V
10
—
3000
µs
Reset Delay from POR
tPOR
Relative to VBAT >
VPOR
3
—
100
ms
Reset Delay from non-POR source
tRST
Time between release
of reset source and
code execution
—
10
—
µs
RESET Low Time to Generate Reset
tRSTL
50
—
—
ns
Missing Clock Detector Response
Time (final rising edge to reset)
tMCD
—
0.5
1.5
ms
Missing Clock Detector Trigger 
Frequency
FMCD
—
2.5
10
kHz
VBAT Supply Monitor Turn-On Time
tMON
—
2
—
µs
FAHB > 1 MHz
改訂 1.0
15
SiM3L1xx
Table 3.5. On-Chip Regulators
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
VDCIN
1.8
—
3.8
V
Input Supply to Output Voltage
Differential (for regulation)
VDCREG
0.45
—
—
V
Output Voltage Range
VDCOUT
1.25
—
3.8
V
Output Voltage Accuracy
VDCACC
—
±25
—
mV
Output Current
IDCOUT
—
—
90
mA
Inductor Value1
LDC
0.47
0.56
0.68
µH
Inductor Current Rating
ILDC
Iload < 50 mA
450
—
—
mA
Iload > 50 mA
550
—
—
mA
DC-DC Buck Converter
Input Voltage Range
Output Capacitor Value
CDCOUT
1
2.2
10
µF
Input Capacitor Value2
CDCIN
—
4.7
—
µF
Load Regulation
Rload
—
0.03
—
mV/mA
Maximum DC Load Current During
Startup
IDCMAX
—
—
5
mA
Switching Clock Frequency
FDCCLK
1.9
2.9
3.8
MHz
Local Oscillator Frequency
FDCOSC
2.4
2.9
3.4
MHz
Sourced from VBAT
1.8
—
3.8
V
Sourced from VDC
1.9
—
3.8
V
VLDO
0.8
—
1.9
V
VLDOACC
—
±25
—
mV
LDO Regulators
Input Voltage Range3
VLDOIN
4
Output Voltage Range
LDO Output Voltage Accuracy
Output Settings in PM8 (All LDOs)
VLDO
1.8 V < VBAT < 2.9 V
1.5
V
1.95 V < VBAT < 3.5 V
1.8
V
2.0 V < VBAT < 3.8 V
1.9
V
Notes:
1. See reference manual for recommended inductors.
2. Recommended: X7R or X5R ceramic capacitors with low ESR. Example: Murata GRM21BR71C225K with ESR < 10
m (@ frequency > 1 MHz).
3. Input voltage specification accounts for the internal LDO dropout voltage under the maximum load condition to ensure
that the LDO output voltage will remain at a valid level as long as VLDOIN is at or above the specified minimum.
4. The memory LDO output should always be set equal to or lower than the output of the analog LDO. When lowering both
LDOs (for example to go into PM8 under low supply conditions), first adjust the memory LDO and then the analog LDO.
When raising the output of both LDOs, adjust the analog LDO before adjusting the memory LDO.
5. Output range represents the programmable output range, and does not reflect the minimum voltage under all
conditions. Dropout when the input supply is close to the output setting is normal, and accounted for.
6. Analog peripheral specifications assume a 1.8 V output on the analog LDO.
16
改訂 1.0
SiM3L1xx
Table 3.5. On-Chip Regulators (Continued)
Parameter
Memory LDO Output Setting5
Digital LDO Output Setting
Analog LDO Output Setting During
Normal Operation6
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
VLDOMEM
During Programming
1.8
—
1.9
V
During Normal
Operation
1.5
—
1.9
V
FAHB < 20 MHz
1.0
—
1.9
V
FAHB > 20 MHz
1.2
—
1.9
V
VLDODIG
VLDOANA
1.8
V
Notes:
1. See reference manual for recommended inductors.
2. Recommended: X7R or X5R ceramic capacitors with low ESR. Example: Murata GRM21BR71C225K with ESR < 10
m (@ frequency > 1 MHz).
3. Input voltage specification accounts for the internal LDO dropout voltage under the maximum load condition to ensure
that the LDO output voltage will remain at a valid level as long as VLDOIN is at or above the specified minimum.
4. The memory LDO output should always be set equal to or lower than the output of the analog LDO. When lowering both
LDOs (for example to go into PM8 under low supply conditions), first adjust the memory LDO and then the analog LDO.
When raising the output of both LDOs, adjust the analog LDO before adjusting the memory LDO.
5. Output range represents the programmable output range, and does not reflect the minimum voltage under all
conditions. Dropout when the input supply is close to the output setting is normal, and accounted for.
6. Analog peripheral specifications assume a 1.8 V output on the analog LDO.
改訂 1.0
17
SiM3L1xx
Table 3.6. Flash Memory
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
Write Time1
tWRITE
One 16-bit Half Word
20
21
22
µs
Erase Time1
tERASE
One Page
20
21
22
ms
tERALL
Full Device
20
21
22
ms
20k
100k
—
Cycles
10
100
—
Years
Endurance (Write/Erase Cycles)
NWE
Retention2
tRET
TA = 25 °C, 1k Cycles
Notes:
1. Does not include sequencing time before and after the write/erase operation, which may take up to 35 µs. During
sequential write operations, this extra time is only taken prior to the first write and after the last write.
2. Additional Data Retention Information is published in the Quarterly Quality and Reliability Report.
18
改訂 1.0
SiM3L1xx
Table 3.7. Internal Oscillators
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
fPLL0OSC
Full Temperature and
Supply Range
48.3
49
49.7
MHz
Power Supply Sensitivity
(Free-running output mode,
RANGE = 2)
PSSPLL0OSC
TA = 25 °C,
Fout = 49 MHz
—
300
—
ppm/V
Temperature Sensitivity
(Free-running output mode,
RANGE = 2)
TSPLL0OSC
VBAT = 3.3 V,
Fout = 49 MHz
—
50
—
ppm/°C
23
—
50
MHz
fREF = 20 MHz,
fPLL0OSC = 50 MHz
M=39, N=99,
LOCKTH = 0
—
2.75
—
µs
fREF = 2.5 MHz,
fPLL0OSC = 50 MHz
M=19, N=399,
LOCKTH = 0
—
9.45
—
µs
fREF = 32.768 kHz,
fPLL0OSC = 50 MHz
M=0, N=1524,
LOCKTH = 0
—
92
—
µs
Phase-Locked Loop (PLL0OSC)
Calibrated Output Frequency
(Free-running output mode,
RANGE = 2)
Adjustable Output Frequency
Range
fPLL0OSC
Lock Time
tPLL0LOCK
Low Power Oscillator (LPOSC0)
Oscillator Frequency
fLPOSC
Full Temperature and
Supply Range
19
20
21
MHz
Divided Oscillator Frequency
fLPOSCD
Full Temperature and
Supply Range
2.375
2.5
2.625
MHz
Power Supply Sensitivity
PSSLPOSC
TA = 25 °C
—
0.5
—
%/V
Temperature Sensitivity
TSLPOSC
VBAT = 3.3 V
—
55
—
ppm/°C
Full Temperature and
Supply Range
13.4
16.4
19.7
kHz
TA = 25 °C,
VBAT = 3.3 V
15.8
16.4
17.3
kHz
Low Frequency Oscillator (LFOSC0)
Oscillator Frequency
fLFOSC
Power Supply Sensitivity
PSSLFOSC
TA = 25 °C
—
2.4
—
%/V
Temperature Sensitivity
TSLFOSC
VBAT = 3.3 V
—
0.2
—
%/°C
改訂 1.0
19
SiM3L1xx
Table 3.7. Internal Oscillators (Continued)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
fRTCMCD
—
8
15
kHz
fRTCEXTCLK
0
—
40
kHz
DCRTC
25
—
55
%
Min
Typ
Max
Unit
RTC0 Oscillator (RTC0OSC)
Missing Clock Detector Trigger
Frequency
RTC External Input CMOS Clock
Frequency
RTC Robust Duty Cycle Range
Table 3.8. External Oscillator
Parameter
Symbol
Test Condition
External Input CMOS Clock
Frequency
fCMOS
0*
—
50
MHz
External Crystal Frequency
fXTAL
0.01
—
25
MHz
External Input CMOS Clock High Time
tCMOSH
9
—
—
ns
External Input CMOS Clock Low Time
tCMOSL
9
—
—
ns
VBAT
2.4
—
3.8
V
Low Power Mode Charge Pump 
Supply Range (input from VBAT)
*Note: Minimum of 10 kHz when debugging.
20
改訂 1.0
SiM3L1xx
Table 3.9. SAR ADC
Parameter
Resolution
Supply Voltage Requirements
(VBAT)
Symbol
Test Condition
Nbits
12 Bit Mode
12
Bits
10 Bit Mode
10
Bits
VADC
Throughput Rate
(High Speed Mode)
fS
Throughput Rate
(Low Power Mode)
fS
Tracking Time
SAR Clock Frequency
tTRK
fSAR
Min
Typ
Max
Unit
High Speed Mode
2.2
—
3.8
V
Low Power Mode
1.8
—
3.8
V
12 Bit Mode
—
—
250
ksps
10 Bit Mode
—
—
1
Msps
12 Bit Mode
—
—
62.5
ksps
10 Bit Mode
—
—
250
ksps
High Speed Mode
230
—
—
ns
Low Power Mode
450
—
—
ns
High Speed Mode
—
—
16.24
MHz
Low Power Mode
—
—
4
MHz
Conversion Time
tCNV
10-Bit Conversion,
SAR Clock = 16 MHz,
APB Clock = 40 MHz
Sample/Hold Capacitor
CSAR
Gain = 1
—
5
—
pF
Gain = 0.5
—
2.5
—
pF
High Quality Inputs
—
18
—
pF
Normal Inputs
—
20
—
pF
High Quality Inputs
—
300
—

Normal Inputs
—
550
—

1
—
VBAT
V
Gain = 1
0
—
VREF
V
Gain = 0.5
0
—
2xVREF
V
—
70
—
dB
12 Bit Mode
—
±1
±1.9
LSB
10 Bit Mode
—
±0.2
±0.5
LSB
12 Bit Mode
–1
±0.7
1.8
LSB
10 Bit Mode
—
±0.2
±0.5
LSB
12 Bit Mode, VREF = 2.4 V
–2
0
2
LSB
10 Bit Mode, VREF = 2.4 V
–1
0
1
LSB
Input Pin Capacitance
Input Mux Impedance
Voltage Reference Range
Input Voltage Range*
Power Supply Rejection Ratio
CIN
RMUX
VREF
VIN
PSRRADC
762.5
ns
DC Performance
Integral Nonlinearity
INL
Differential Nonlinearity 
(Guaranteed Monotonic)
DNL
Offset Error (using VREFGND)
EOFF
改訂 1.0
21
SiM3L1xx
Table 3.9. SAR ADC (Continued)
Parameter
Offset Temperature Coefficient
Slope Error
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
TCOFF
—
0.004
—
LSB/°C
EM
–0.07
–0.02
0.02
%
Dynamic Performance (10 kHz Sine Wave Input 1dB below full scale, Max throughput)
Signal-to-Noise
Signal-to-Noise Plus Distortion
SNR
SNDR
Total Harmonic Distortion (Up to
5th Harmonic)
THD
Spurious-Free Dynamic Range
SFDR
12 Bit Mode
62
66
—
dB
10 Bit Mode
58
60
—
dB
12 Bit Mode
62
66
—
dB
10 Bit Mode
58
60
—
dB
12 Bit Mode
—
78
—
dB
10 Bit Mode
—
77
—
dB
12 Bit Mode
—
–79
—
dB
10 Bit Mode
—
–74
—
dB
*Note: Absolute input pin voltage is limited by the lower of the supply at VBAT and VIO.
22
改訂 1.0
SiM3L1xx
Table 3.10. IDAC
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
Static Performance
Resolution
Nbits
Integral Nonlinearity
INL
—
±0.5
±2
LSB
Differential Nonlinearity (Guaranteed
Monotonic)
DNL
—
±0.5
±1
LSB
Output Compliance Range
VOCR
—
—
VBAT –
1.0
V
Full Scale Output Current
IOUT
2 mA Range,
TA = 25 °C
1.98
2.046
2.1
mA
1 mA Range,
TA = 25 °C
0.99
1.023
1.05
mA
0.5 mA Range,
TA = 25 °C
491
511.5
525
µA
—
250
—
nA
2 mA Range
—
100
—
ppm/°C
2 mA Range
—
–220
—
ppm/V
—
1
—
k
—
1.2
—
µs
—
3
—
µs
Offset Error
EOFF
Full Scale Error Tempco
TCFS
VBAT Power Supply Rejection Ratio
Test Load Impedance (to VSS)
10
RTEST
Bits
Dynamic Performance
Output Settling Time to 1/2 LSB
min output to max
output
Startup Time
改訂 1.0
23
SiM3L1xx
Table 3.11. ACCTR (Advanced Capture Counter)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
LC Comparator Response Time,
CMPMD = 11
(Highest Speed)
tRESP0
+100 mV Differential
—
100
—
ns
–100 mV Differential
—
150
—
ns
LC Comparator Response Time,
CMPMD = 00
(Lowest Power)
tRESP3
+100 mV Differential
—
1.4
—
µs
–100 mV Differential
—
3.5
—
µs
CMPHYP = 00
—
0.37
—
mV
CMPHYP = 01
—
7.9
—
mV
CMPHYP = 10
—
16.7
—
mV
CMPHYP = 11
—
32.8
—
mV
CMPHYN = 00
—
0.37
—
mV
CMPHYN = 01
—
–7.9
—
mV
CMPHYN = 10
—
–16.1
—
mV
CMPHYN = 11
—
–32.7
—
mV
CMPHYP = 00
—
0.47
—
mV
CMPHYP = 01
—
5.85
—
mV
CMPHYP = 10
—
12
—
mV
CMPHYP = 11
—
24.4
—
mV
CMPHYN = 00
—
0.47
—
mV
CMPHYN = 01
—
–6.0
—
mV
CMPHYN = 10
—
–12.1
—
mV
CMPHYN = 11
—
–24.6
—
mV
CMPHYP = 00
—
0.66
—
mV
CMPHYP = 01
—
4.55
—
mV
CMPHYP = 10
—
9.3
—
mV
CMPHYP = 11
—
19
—
mV
CMPHYN = 00
—
0.6
—
mV
CMPHYN = 01
—
–4.5
—
mV
CMPHYN = 10
—
–9.5
—
mV
CMPHYN = 11
—
–19
—
mV
LC Comparator Positive Hysteresis
Mode 0 (CPMD = 11)
LC Comparator Negative Hysteresis
Mode 0 (CPMD = 11)
LC Comparator Positive Hysteresis
Mode 1 (CPMD = 10)
LC Comparator Negative Hysteresis
Mode 1 (CPMD = 10)
LC Comparator Positive Hysteresis
Mode 2 (CPMD = 01)
LC Comparator Negative Hysteresis
Mode 2 (CPMD = 01)
24
HYSCP+
HYSCP-
HYSCP+
HYSCP-
HYSCP+
HYSCP-
改訂 1.0
SiM3L1xx
Table 3.11. ACCTR (Advanced Capture Counter) (Continued)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
HYSCP+
CMPHYP = 00
—
1.37
—
mV
CMPHYP = 01
—
3.8
—
mV
CMPHYP = 10
—
7.8
—
mV
CMPHYP = 11
—
15.6
—
mV
CMPHYN = 00
—
1.37
—
mV
CMPHYN = 01
—
–3.9
—
mV
CMPHYN = 10
—
–7.9
—
mV
CMPHYN = 11
—
–16
—
mV
VIN
–0.25
—
VBAT +
0.25
V
LC Comparator Common-Mode
Rejection Ratio
CMRRCP
—
75
—
dB
LC Comparator Power Supply
Rejection Ratio
PSRRCP
—
72
—
dB
–10
0
10
mV
LC Comparator Positive Hysteresis
Mode 3 (CPMD = 00)
LC Comparator Negative Hysteresis
Mode 3 (CPMD = 00)
LC Comparator Input Range
(ACCTR0_LCIN pin)
HYSCP-
LC Comparator Input Offset Voltage
VOFF
LC Comparator Input Offset Tempco
TCOFF
—
3.5
—
µV/°C
DACEOFF
–1
—
1
LSB
Low Range
—
VIO/8
—
V
High Range
—
VIO
—
V
Low Range (48 steps)
—
VIO/384
—
V
High Range (64 steps)
—
VIO/64
—
V
—
25
—
ns
—
1
—
k
—
—
2
mA
PUVAL[4:2] = 0 to 6
-15
—
15
%
PUVAL[4:2] = 7
-10
—
10
%
Reference DAC Offset Error
Reference DAC Full Scale Output
Reference DAC Step Size
DACFS
DACLSB
LC Oscillator Period
TLCOSC
LC Bias Output Impedance
RLCBIAS
LC Bias Drive Strength
ILCBIAS
Pull-Up Resistor Tolerance
RTOL
TA = 25 °C
10 µA Load
改訂 1.0
25
SiM3L1xx
Table 3.12. Voltage Reference Electrical Characteristics
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
1.6
1.65
1.7
V
TCREFFS
—
50
—
ppm/°C
tREFFS
—
—
1.5
µs
PSRRREFFS
—
400
—
ppm/V
VREF2X = 0
1.8
—
3.8
V
VREF2X = 1
2.7
—
3.8
V
25 °C ambient,
VREF2X = 0
1.17
1.2
1.23
V
25 °C ambient,
VREF2X = 1
2.35
2.4
2.45
V
Internal Fast Settling Reference
Output Voltage
Temperature Coefficient
VREFFS
Turn-on Time
Power Supply Rejection
–40 to +85 °C,
VBAT = 1.8–3.8 V
Internal Precision Reference
VBAT
Valid Supply Range
VREFP
Output Voltage
Short-Circuit Current
ISC
—
—
10
mA
Temperature Coefficient
TCVREFP
—
35
—
ppm/°C
Load Regulation
LRVREFP
Load = 0 to 200 µA to
VREFGND
—
4.5
—
ppm/µA
Load Capacitor
CVREFP
Load = 0 to 200 µA to
VREFGND
0.1
—
—
µF
tVREFPON
4.7 µF tantalum, 0.1 µF
ceramic bypass
—
3.8
—
ms
0.1 µF ceramic bypass
—
200
—
µs
VREF2X = 0
—
320
—
ppm/V
VREF2X = 1
—
560
—
ppm/V
—
5.25
—
µA
Turn-on Time
Power Supply Rejection
PSRRVREFP
External Reference
Input Current
IEXTREF
Sample Rate = 250 ksps;
VREF = 3.0 V
Table 3.13. Temperature Sensor
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
Offset
VOFF
TA = 0 °C
—
760
—
mV
Offset Error*
EOFF
TA = 0 °C
—
±14
—
mV
Slope
M
—
2.77
—
mV/°C
Slope Error*
EM
—
±25
—
µV/°C
Linearity
—
1
—
°C
Turn-on Time
—
1.8
—
µs
*Note: Absolute input pin voltage is limited by the lower of the supply at VBAT and VIO.
26
改訂 1.0
SiM3L1xx
Table 3.14. Comparator
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
Response Time, CMPMD = 00
(Highest Speed)
tRESP0
+100 mV Differential
—
100
—
ns
–100 mV Differential
—
150
—
ns
Response Time, CMPMD = 11
(Lowest Power)
tRESP3
+100 mV Differential
—
1.4
—
µs
–100 mV Differential
—
3.5
—
µs
CMPHYP = 00
—
0.37
—
mV
CMPHYP = 01
—
7.9
—
mV
CMPHYP = 10
—
16.7
—
mV
CMPHYP = 11
—
32.8
—
mV
CMPHYN = 00
—
0.37
—
mV
CMPHYN = 01
—
–7.9
—
mV
CMPHYN = 10
—
–16.1
—
mV
CMPHYN = 11
—
–32.7
—
mV
CMPHYP = 00
—
0.47
—
mV
CMPHYP = 01
—
5.85
—
mV
CMPHYP = 10
—
12
—
mV
CMPHYP = 11
—
24.4
—
mV
CMPHYN = 00
—
0.47
—
mV
CMPHYN = 01
—
–6.0
—
mV
CMPHYN = 10
—
–12.1
—
mV
CMPHYN = 11
—
–24.6
—
mV
CMPHYP = 00
—
0.66
—
mV
CMPHYP = 01
—
4.55
—
mV
CMPHYP = 10
—
9.3
—
mV
CMPHYP = 11
—
19
—
mV
CMPHYN = 00
—
0.6
—
mV
CMPHYN = 01
—
–4.5
—
mV
CMPHYN = 10
—
–9.5
—
mV
CMPHYN = 11
—
–19
—
mV
Positive Hysteresis
Mode 0 (CPMD = 00)
Negative Hysteresis
Mode 0 (CPMD = 00)
Positive Hysteresis
Mode 1 (CPMD = 01)
Negative Hysteresis
Mode 1 (CPMD = 01)
Positive Hysteresis
Mode 2 (CPMD = 10)
Negative Hysteresis
Mode 2 (CPMD = 10)
HYSCP+
HYSCP-
HYSCP+
HYSCP-
HYSCP+
HYSCP-
改訂 1.0
27
SiM3L1xx
Table 3.14. Comparator (Continued)
Parameter
Positive Hysteresis
Mode 3 (CPMD = 11)
Negative Hysteresis
Mode 3 (CPMD = 11)
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
HYSCP+
CMPHYP = 00
—
1.37
—
mV
CMPHYP = 01
—
3.8
—
mV
CMPHYP = 10
—
7.8
—
mV
CMPHYP = 11
—
15.6
—
mV
CMPHYN = 00
—
1.37
—
mV
CMPHYN = 01
—
–3.9
—
mV
CMPHYN = 10
—
–7.9
—
mV
CMPHYN = 11
—
–16
—
mV
HYSCP-
Input Range (CP+ or CP–)
VIN
–0.25
—
VBAT +
0.25
V
Input Pin Capacitance
CCP
—
7.5
—
pF
Common-Mode Rejection Ratio
CMRRCP
—
75
—
dB
Power Supply Rejection Ratio
PSRRCP
—
72
—
dB
–10
0
10
mV
—
3.5
—
µV/°C
Input Offset Voltage
VOFF
Input Offset Tempco
TCOFF
Reference DAC Resolution
TA = 25 °C
NBits
6
bits
Table 3.15. LCD0
Parameter
Min
Typ
Max
Unit
Charge Pump Output Voltage Error VCPERR
—
±50
—
mV
LCD Clock Frequency
16
—
33
kHz
28
Symbol
Test Condition
FLCD
改訂 1.0
SiM3L1xx
Table 3.16. Port I/O
Parameter
Output High Voltage (PB0, PB1,
PB3, or PB4)
Output High Voltage (PB2)
Output Low Voltage (any Port I/O
pin or RESET1)
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
VOH
Low Drive, IOH = –1 mA
VIO – 0.7
—
—
V
Low Drive, IOH = –10 µA
VIO – 0.1
—
—
V
High Drive, IOH = –3 mA
VIO – 0.7
—
—
V
High Drive, IOH = –10 µA
VIO – 0.1
—
—
V
Low Drive, IOH = –1 mA
VIORF – 0.7
—
—
V
Low Drive, IOH = –10 µA VIORF – 0.1
High Drive, IOH = –3 mA VIORF – 0.7
—
—
V
—
—
V
High Drive, IOH = –10 µA VIORF – 0.1
Low Drive, IOL = 1.4 mA
—
—
—
V
—
0.6
V
VOH
VOL
Low Drive, IOL = 10 µA
—
—
0.1
V
High Drive, IOL = 8.5 mA
—
—
0.6
V
High Drive, IOL = 10 µA
—
—
0.1
V
Input High Voltage (PB0, PB1,
PB3, PB4 or RESET)
VIH
VIO – 0.6
—
—
V
Input High Voltage (PB2)
VIH
VIORF – 0.6
—
—
V
Input Low Voltage any Port I/O pin
or RESET)
VIL
—
—
0.6
V
Weak Pull-Up Current2 (per pin)
IPU
VIO or VIORF = 1.8
-6
-3.5
-2
µA
VIO or VIORF = 3.8
-32
-20
-10
µA
0 < VIN < VIO or VIORF
-1
—
1
µA
Input Leakage 
(Pullups off or Analog)
ILK
Notes:
1. Specifications for RESET VOL adhere to the low drive setting.
2. On the SiM3L1x6 and SiM3L1x4 devices, the SWV pin will have double the weak pull-up current specified whenever
the device is held in reset.
改訂 1.0
29
SiM3L1xx
3.2. 熱条件
Table 3.17. Thermal Conditions
Parameter
Thermal Resistance*
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
JA
TQFP-80 Packages
—
40
—
°C/W
TFBGA-80 Packages
—
50
—
°C/W
QFN-64 Packages
—
25
—
°C/W
TQFP-64 Packages
—
30
—
°C/W
QFN-40 Packages
—
30
—
°C/W
*Note: Thermal resistance assumes a multi-layer PCB with the exposed pad soldered to a topside PCB pad.
30
改訂 1.0
SiM3L1xx
3.3. 最大絶対定格
表 3.18 に記載した値を超えるストレスの印加は、デバイスに永久的な損傷を発生させる可能性があります。この
規定はストレス定格のみを指定するものであり、この仕様の動作リストの条件下での、またはそれを超えた条件
下でのデバイスの機能動作を定めたものではありません。長時間最大絶対定格の状態下に置くと、デバイスの信
頼性に影響を与える可能性があります。
Table 3.18. Absolute Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Max
Unit
Ambient Temperature Under Bias
TBIAS
–55
125
°C
Storage Temperature
TSTG
–65
150
°C
Voltage on VBAT/VBATDC
VBAT
VSS–0.3
4.2
V
Voltage on VDC
VDC
VSSDC–0.3
4.2
V
Voltage on VDRV
VDRV
VSS–0.3
4.2
V
VIO
VSS–0.3
4.2
V
Voltage on VIORF
VIORF
VSS–0.3
4.2
V
Voltage on VLCD
VLCD
VSS–0.3
4.2
V
VIO > 3.3 V
VSS–0.3
5.8
V
VIO < 3.3 V
VSS–0.3
VIO+2.5
V
VIORF > 3.3 V
VSS–0.3
5.8
V
VIORF < 3.3 V
VSS–0.3
VIORF+2.5
V
Voltage on VIO
Voltage on I/O (PB0, PB1, PB3, PB4) or
RESET1
VIN
Voltage on PB2 I/O Pins1
VIN
Total Current Sunk into Supply Pins
ISUPP
VBAT/VBATDC, VIO,
VIORF, VDRV, VDC,
VLCD
—
400
mA
Total Current Sourced out of 
Ground Pins2
IVSS
VSS, VSSDC
400
—
mA
Current Sourced or Sunk by any I/O Pin
IPIO
All I/O and RESET
–100
100
mA
Power Dissipation at TA = 85 °C
PD
TQFP-80 Packages
—
500
mW
TFBGA-80 Packages
—
400
mW
QFN-64 Packages
—
800
mW
TQFP-64 Packages
—
650
mW
QFN-40 Packages
—
650
mW
Notes:
1. Exceeding the minimum VIO voltage may cause current to flow through adjacent device pins.
2. VSS and VSSDC provide separate return current paths for device supplies, but are not isolated. They must always be
connected to the same potential on board.
改訂 1.0
31
SiM3L1xx
4. Precision32™ SiM3L1xx システムの概要
SiM3L1xx Precision32™ デバイスは、完全に統合されたミックスシグナル・システム・オンチップの MCU です。主
な特徴は以下のとおりです。特定製品の機能オプションと部品注文番号については、表 5.1 を参照してください。
コア:
32
ビット ARM Cortex-M3 CPU。
MHz 最大動作周波数。
待機状態を最小限に抑えるための分岐ターゲット・キャッシュとプリフェッチ・バッファ。
50
メモリ:32 ~ 256 kB フラッシュ、インシステム・プログラム可能、4 kB ブロックで保持モードへの設定が
可能な 8 ~ 32 kB SRAM。保持モードに設定されたブロックは、低消費電力 PM8 モードの状態を維持します。
電力:
3
つの調整可能な低ドロップアウト (LDO) レギュレータ。
バック・コンバータにより、最大効率(250 mW 出力)のための動的電圧スケーリングが可能。
パワー・オン・リセット回路およびブラウンアウト検出器。
電源管理ユニット (PMU)。
専門のチャージ・ポンプにより、低消費電力モードでの消費電力量が低減されます。
プロセス / 電圧 / 温度 (PVT) モニタ。
超低消費電力モードでのレジスタ状態の保持。
DC-DC
I/O: 最大
62 連続 5 V トレラント I/O ピンおよび 1 つのフレキシブル周辺回路クロスバー。
クロック・ソース:
付き内部オシレータ:23 ~ 50 MHz(フリーランニング・モードで精度 1.5%)
MHz。
低周波内部オシレータ:16.4 kHz。
外部 RTC クリスタルオシレータ:32.768 kHz。
外部オシレータ:クリスタル、RC、C、CMOS クロック。
PLL
低消費電力内部オシレータ:20
LCD
コントローラ内蔵 (4 x 40)。
データ周辺回路:
10
チャンネル DMA コントローラ。
x データ転送マネージャ。
128/192/256 ビット・ハードウェア AES 暗号化機能。
プログラム可能な 16 ビット多項式、1 つの 32 ビット多項式、およびバス・スヌープ機能を備えた CRC。
エンコーダ / デコーダ。
3
タイマ
/ カウンタ :
3
x 32 ビット・タイマ。
x 拡張型プログラム可能カウンタ配列 (EPCA)。
リアルタイム・クロック (RTC0)。
低消費電力タイマ。
監視タイマ。
低消費電力モード高度キャプチャ・カウンタ (ACCTR)。
1
通信用周辺回路:
1
x USART、IrDA および ISO7816 Smartcard サポート付き。
(PM8) で動作する 1 x UART。
2 x SPIs。
1 x I2C。
低消費電力モード
アナログ:
1
x 12 ビット・アナログ・デジタル・コンバータ (SARADC)。
x 10 ビット・デジタル・アナログ・コンバータ (IDAC)。
2 x 低電流コンパレータ (CMP)。
1
32
改訂 1.0
SiM3L1xx
オンチップ・デバッグ機能
オンチップ・パワー・オン・リセット、電圧電源モニタ、監視タイマ、およびクロック発振器によって、SiM3L1xx
デバイスは真にスタンドアロンのシステム・オンチップ・ソリューションを提供します。これらフラッシュ・メモ
リは回路内でも再プログラミングでき、不揮発性データ・ストレージを提供し、さらにファームウェアのフィール
ド・アップグレードを可能にします。ユーザ・ファームウェアはすべての周辺回路を完全に制御しており、電力節
約のために、一部またはすべての周辺回路を個別にシャットダウンしてクロックを無効にすることができます。
オンチップのデバッグ機能インターフェイス (SWJ-DP) では、最終アプリケーションにインストールされた実稼
働 MCU を使用して、非侵入型(オンチップ・リソースを使用しない)でフルスピードの回路内デバッグ機能を利
用できます。このデバッグ・ロジックでは、メモリおよびレジスタの検査と変更、ブレークポイントの設定、シ
ングルステップ、そしてコマンドの実行と停止をサポートしています。デバッグの際は、すべてのアナログおよ
びデジタル周辺回路が完全に機能します。
各デバイスは工業用動作周囲温度(–40 ~ +85 °C)超において 1.8 ~ 3.8 V の動作に仕様が定められています。
SiM3L1xx デバイスは、40 ピンまたは 64 ピンの QFN、64 ピンまたは 80 ピンの TQFP。および 80 ピンの TFBGA
パッケージで入手できます。すべてのパッケージ・オプションが鉛フリーで RoHS に準拠しています。注文情報
については、表 5.1 を参照してください。ブロック・ダイアグラムは図 4.1 に含まれています。
Core
ARM Cortex M3
Power On Reset /
PMU
Analog
APB
Debug /
Programming
Hardware
AHB
Watchdog
Timer
(WDTIMER0)
SARADC0
Memory
Voltage Supply
Monitor (VMON0)
32/64/128/256 kB Flash
Memory
LDO
Comparator 0
8/16/32 kB configurable
retention RAM
Power
Analog
LDO
IDAC0
Digital
LDO
Comparator 1
I/O
Crossbar
LDO0
DMA
DC-DC Buck Converter (DCDC0)
10-Channel Controller
Power Management Unit (PMU)
Peripheral Crossbar
Low Power Mode Charge Pump
Data Transfer Manager
Standard 5 V
Tolerant I/O pins
Digital
USART0
UART0
SPI0
SPI1
DTM0 DTM1 DTM2
I2C0
Clocking
AES0
Real-Time Clock Oscillator (RTC0OSC)
ECRC0
Low Frequency Oscillator (LFOSC0)
ENCDEC0
Low Power Oscillator (LPOSC0)
External Oscillator Control (EXTOSC0)
EPCA0
Clock Control
Timer 0
Timer 1
Timer 2
Phase-Locked Loop (PLL0OSC)
Low Power Timer (LPTIMER0)
Peripheral Clock Control (CLKCTRL)
Advanced Capture Counter
(ACCTR0)
4x40 Segment LCD Controller
DMA support available for these peripherals
Figure 4.1. Precision32™ SiM3L1xx Family Block Diagram
改訂 1.0
33
SiM3L1xx
4.1. 電力
SiM3L1xx デバイスは、1.8 ~ 3.8 V の入力を受け取り、1.25 ~ 3.8 V の出力を作成できる DC-DC バック・コン
バータを含みます。さらに、SiM3L1xx デバイスには、LDO0 モジュールの一部として 3 つの低ドロップアウト・
レギュレータが含まれています。1 つの LDO はアナログ・サブシステムに、もう 1 つの LDO は 1.8 V でフラッ
シュおよび SRAM メモリに電力を供給し、最後の LDO はデジタルおよびコア回路に電力を供給します。DC-DC
コンバータから個別にまたはバッテリ電圧から直接、これらのレギュレータに電力を供給することができ、出力
はシステム電力を節約するために調節可能です。SiM3L1xx デバイスの PMU モジュールには、デバイスの消費電
力を低減するために低消費モード (PM8) で使用される低消費電力チャージ・ポンプが含まれます。
図 4.2 に、これらのデバイスの電力システム構成を示します。
SiM3L1xx Device
VBAT/VBATDC
DC-DC
Converter
IND
VDC
VDRV
Digital LDO
LDO0
Memory LDO
Analog LDO
Low Power
Mode Charge
Pump
to digital
and core
to memory
VSSDC
VSS
to analog
to PM8
peripherals
Figure 4.2. SiM3L1xx Power
4.1.1. DC-DC バック・コンバータ (DCDC0)
SiM3L1xx デバイスには、オンチップ・ステップダウン DC-DC コンバータが含まれ、バッテリに格納されたエネ
ルギーを効率よく利用し、操作耐用期間を延長します。DC-DC コンバータは、プログラム可能な出力電圧を持つ
スイッチング・バック・コンバータで、出力電圧は、入力バッテリ電圧より少なくとも 0.45 V 低い必要がありま
す。この基準が満たされず、コンバータが動作しなくなると、DC-DC コンバータの出力は自動的にバッテリに接
続されます。DC-DC コンバータは、最大 100 mA まで供給可能で、システムの MCU および / または外部デバイ
スへの電力供給に使用できます。
DC-DC コンバータは、内蔵電圧基準とオシレータを備え、インダクタのピーク電流が安全上限を超えた場合、ま
たは出力電圧がプログラムされたターゲット値を超えた場合、自動的に切り替え動作を制限またはオフにします。
これにより、DC-DC コンバータの出力が二次電源(使用可能な場合)によって安全にオーバードライブされ、バッ
テリ寿命を保持します。DC-DC コンバータが有効な場合、出力コンデンサに電流をソースできますが、電流をシ
ンクすることはできません。
DC-DC コンバータには、以下の特徴があります。
バッテリに蓄積されたエネルギーを効率よく利用し、動作寿命を延長します。
入力範囲
:1.8 ~ 3.8 V。
出力範囲
:50 mV (1.25 ~ 1.8 V) または 100 mV (1.8 ~ 3.8 V) ステップで 1.25 ~ 3.8 V。
100
mA まで供給します。
電圧基準およびオシレータを含みます。
34
改訂 1.0
SiM3L1xx
システム・クロックと切り替わるレギュレータの同期をサポートします。
負荷電流が安全上限を超えた場合、インダクタのピーク電流を自動的に制限します。
バッテリ電圧が十分な余裕を提供できない場合、自動的にバイパス・モードに切り替わります。
電流をソースできますが、電流をシンクすることはできません。
4.1.2. 3 つの低ドロップアウト LDO レギュレータ (LDO0)
SiM3L1xx デバイスには、3 つの低ドロップアウト・レギュレータのある 1 つの LDO0 モジュールが含まれます。
レギュレータにはそれぞれ、各 LDO への入力としてバッテリ電圧または DC-DC コンバータの出力を選択する個
別のスイッチがあり、出力電圧を調節できます。
LDO の消費電力はわずかで、システムの電源選択の際に柔軟性を提供します。各レギュレータは、0.8 ~ 1.9 V 間
で出力を個別に調節できます。
4.1.3. 電圧電源モニタ (VMON0)
SiM3L1xx デバイスには、メイン供給電圧をモニタできる電圧供給モニタが含まれます。このモジュールには以下
の特徴があります。
メイン供給電圧の
“ 低 VBAT”(早期警告しきい値以下の VBAT)通知。
VBAT 供給電圧が VBAT リセットしきい値より低下した場合、デバイスをリセット状態に維持し
ます。
電圧供給モニタを使用すると、外部ハードウェアの必要性なしにデバイスが既知の安全な動作状態で機能します。
メイン
4.1.4. 電源管理ユニット (PMU)
SiM3L1xx の電源管理ユニットは、デバイスの電源システムを管理します。電源がオンの間、PM8 の電源投入シー
ケンスおよびウェイクアップ・ソースを管理します。PMU は、電源投入時にコアの命令が実行される前に、コア
電圧が適切な値であることを確認します。
VDRV ピンは、VBAT バッテリ入力電圧または VDC で DC-DC コンバータの出力から外部回路に電力を供給しま
す。PMU には、VDRV ピンのソースのいずれかを選択する内部スイッチが含まれます。
PMU は、電力を節約するために PM8 中に内部モジュールに電力を供給することができる、専門の VBAT 半減
チャージ・ポンプを備えています。
PMU モジュールには以下の特徴があります。
3
つの LDO レギュレータを含むアナログ電力システムの有効化または無効化を提供します。
最大
14 ピンのウェイク入力は、電力モード 8 からデバイスをウェイクできます。
0、高度キャプチャ・カウン
タ、LCD0 VBAT モニタ、UART0、低消費電力モード・チャージ・ポンプ故障、および RESET ピンも、
電力モード 8 のウェイク・ソースとして動作します。
低消費電力タイマ、RTC0(アラームおよびオシレータ故障)
、コンパレータ
電力モード
8 の場合、どの 4 kB RAM ブロックが維持されるかを制御します。
デバイスが
PM8 に切り替わっていることの確認として、PMU_Asleep 信号をピンに送信します。
PM8
での消費電力を低減する専門のチャージ・ポンプ。
VBAT と VDC の内部スイッチを制御して、外部回路の VDRV ピンに電力を供給します。
4.1.5. デバイスの電力モード
SiM3L1xx デバイスには、通常動作モードのほかに 7 つの低消費電力モードがあります。いくつかの周辺回路は、
これらの低消費電力モードのウェイクアップ・ソースを提供します。低消費電力モードには、低消費電力タイマ
(LPTIMER0)、RTC0(アラームおよびオシレータ故障通知)、コンパレータ 0 (CMP0)、高度キャプチャ・カウン
タ (ACCTR0)、LCD VBAT モニタ (LCD0)、UART0、低消費電力モード・チャージ・ポンプ故障、および PMU ピ
ン・ウェイクが含まれます。
さらに、クロック制御 (CLKCTRL) レジスタで使用されていない場合、すべての周辺回路はいつでもクロックを無
効にして、消費電力量を削減できます。
4.1.5.1. 通常モード(電力モード 0)および電力モード 4
通常モードおよび電力モード 4 は、フラッシュ・メモリからのコード実行を使用したフル動作モードです。PM4
は通常モードと同じですが、クロックは低速で動作します。LDO レギュレータ出力を低減することにより、電力
を節約できます。
改訂 1.0
35
SiM3L1xx
4.1.5.2. 電力モード 1 および 電力モード 5
電力モード 1 および電力モード 5 は、RAM からのコード実行を使用したフル動作モードです。PM5 は PM1 と同
じですが、クロックは低速度で動作します。LDO レギュレータ出力を低減することにより、電力を節約できます。
対応するフラッシュ動作モード(通常または PM4)と比較すると、これらのモードのデバイスのアクティブ消費
電力は低減されます。さらに、RAM には命令をフェッチする速度を低減する追加の待機状態が必要ないため、PM1
での高速コア・スループットも向上します。
4.1.5.3. 電力モード 2 および 電力モード 6
電力モード 2 および 電力モード 6 では、コアは停止し、周辺回路は選択されたクロック速度で動作を継続します。
PM6 は PM2 と同じですが、クロックは低速度で動作します。LDO レギュレータ出力を低減することにより、電
力を節約できます。PM2 または PM6 でデバイスを動作させるには、コアは割り込み待ち (WFI) またはイベント
待ち (WFE) 命令を実行する必要があります。WFI 命令が割り込みサービス・ルーチンから呼び出される場合、PM2
または PM6 からデバイスをウェイクする割り込みは、コアによって認識される優先度であることが必要です。す
べてのバス・アクセスが完了するように、WFI の前に DSB(データ同期バリア)および ISB(命令同期バリア)
命令を実行するようお勧めします。LFOSC0 から動作させる場合、PM6 の消費電力は PM3 と同じ程度ですが、
ウェイク時間はより高速で、割り込みをウェイクすることができます。
4.1.5.4. 電力モード 3
電力モード 3 では、コアおよび周辺回路クロックは停止します。PM3 からウェイクできるソースは、電源管理ユ
ニット (PMU) によって制御されます。特別の高速ウェイク・オプションを使用すると、LFOSC0 または RTC0 ク
ロックをアクティブに維持することにより、コアによる高速ウェイクが可能です。これらのブロックの電流消費
量は最小限に抑えられているので、高速ウェイク・オプションを使用することをお勧めします。
PM3 に切り替わる前に、DMA コントローラを無効にし、目的のウェイク・ソースを PMU で設定する必要があり
ます。ARM システム制御レジスタの SLEEPDEEP ビットを設定し、CLKCTRL0_CONFIG レジスタの PMSEL
ビットをクリアして、PM3 が目的の電力モードであることを示すことが必要です。高速ウェイクでは、コア・ク
ロック(AHB および APB)を LPOSC から実行するように設定し、PM3 高速ウェイク・オプションおよびクロッ
ク・ソースを PM3CN レジスタで選択する必要があります。
デバイスは、WFI または WFE 命令で PM3 に切り替わります。WFI 命令が割り込みサービス・ルーチンから呼び
出される場合、PM3 からデバイスをウェイクする割り込みは、コアによって認識される優先度であることが必要
です。すべてのバス・アクセスが完了するように、WFI の前に DSB(データ同期バリア)および ISB(命令同期
バリア)命令を実行するようお勧めします。
4.1.5.5. 電力モード 8
電力モード 8 では、コアおよびほとんどの周辺回路の電源は完全に遮断されますが、すべてのレジスタおよび選
択された RAM ブロックは現状を維持します。すべてのアクティブな回路が VBAT で直接動作するように、LDO
レギュレータは無効化されます。PMU は、また、電力を節約するために PM8 中に内部モジュールに電力を提供
することができる、専門の VBAT 半減チャージ・ポンプを備えています。このモードでのフル動作機能は、以下
のとおりです。LPTIMER0、RTC0、RTC0TCLK から実行する UART0、PMU ピン・ウェイク、高度キャプチャ・
カウンタ、および LCD コントローラ。
このモードでは、デバイスの消費電力量が最低になりますが、適切なウェイクアップ・ソースまたはリセットで
終了させることが必要です。PM8 からウェイクする使用可能なウェイクアップ・ソースまたはリセット・ソース
は、電源管理ユニット (PMU) によって制御されます。使用可能なウェイクアップ・ソースは、以下のとおりです。
低消費電力タイマ (LPTIMER0)、RTC0(アラームおよびオシレータ故障通知)、コンパレータ 0 (CMP0)、高度
キャプチャ・カウンタ (ACCTR0)、LCD VBAT モニタ (LCD0)、UART0、低消費電力モードのチャージ・ポンプ故
障、および PMU ピン・ウェイク。使用可能なリセット・ソースは、以下のとおりです。RESET ピン、VBAT 供
給モニタ、コンパレータ 0、コンパレータ 1、低電力モードのチャージ・ポンプ故障、RTC0 オシレータ故障、ま
たは PMU ウェイク・イベント。
PM8 に切り替える前に、目的のウェイク・ソースを PMU で設定することが必要です。ARM システム制御レジス
タの SLEEPDEEP ビットを設定し、CLKCTRL0_CONFIG レジスタの PMSEL ビットを設定して、PM8 が目的の
電力モードであることを示すことが必要です。
このデバイスは、WFI または WFE 命令で PM8 に切り替わり、PMU でリセットが設定されるまで PM8 のままで
す。すべてのバス・アクセスが完了するように、WFI の前に DSB(データ同期バリア)および ISB(命令同期バ
リア)命令を実行するようお勧めします。
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改訂 1.0
SiM3L1xx
4.1.5.6. 電力モードの概要
上記で説明された電力モードは表 4.1 にまとめられています。表 3.2 および表 3.3 では、各モードの消費電力量お
よびウェイクアップ時間に関して説明しています。
Table 4.1. 部品番号 Power Modes
Mode
Normal
Description
Core operating at full speed
Code executing from flash

Core operating at full speed
 Code executing from RAM




Power Mode 1 (PM1)
Fast wakeup from any interrupt source
All clocks to core and peripherals
stopped
 Faster wake enabled by keeping
LFOSC0 or RTC0TCLK active

Wake on any wake source or reset
source defined in the PMU
Core operating at low speed
Code executing from flash

Core operating at low speed
 Code executing from RAM


Power Mode 4 (PM4)


Power Mode 5 (PM5)
Full device operation
 Higher CPU bandwidth than PM0 (RAM
can operate with zero wait states at any
frequency)



Power Mode 3 (PM3)
Full device operation
Core halted
AHB, APB and all peripherals
operational at full speed

Power Mode 2 (PM2)
Notes


Core halted
AHB, APB and all peripherals
operational at low speed
Power Mode 6 (PM6)
Same capabilities as PM0, operating at
lower speed
 Lower clock speed enables lower LDO
output settings to save power
Same capabilities as PM1, operating at
lower speed
 Lower clock speed enables lower LDO
output settings to save power
Same capabilities as PM2, operating at
lower speed
 Lower clock speed enables lower LDO
output settings to save power
 When running from LFOSC0, power is
similar to PM3, but the device wakes
much faster

Low power sleep
 Lowest power consumption
LDO regulators are disabled and all  Wake on any wake source or reset
active circuitry operates directly from
source defined in the PMU
VBAT
 The following functions are available:
ACCTR0, RTC0, UART0 running
from RTC0TCLK, LPTIMER0, port
match, and the LCD controller
 Register and RAM state retention


Power Mode 8 (PM8)
改訂 1.0
37
SiM3L1xx
4.1.6. プロセス / 電圧 / 温度モニタ(TIMER2 および PVTOSC0)
プロセス / 電圧 / 温度モニタは、SiM3L1xx デバイスのデジタル回路性能をモニタするように設計された 2 つのモ
ジュール(TIMER2 および PVTOSC0)で構成されています。
PVT オシレータ (PVTOSC0) は、メモリ LDO およびデジタル LDO から動作する 2 つのオシレータで構成されま
す。これらのオシレータには、2 つの独立したスピード・オプションがあり、EX 入力を使用した TIMER2 モジュー
ルの 2 つの 16 ビットのタイマのクロックを提供します。TIMER2 タイマの最終的なカウントをモニタすることに
より、ファームウェアは現在のデバイス性能をモニタし、必要に応じてスケーラブル LDO レギュレータ (LDO0)
出力電圧を上げるか下げて、電力を節約します。
PVT モニタには、以下の特徴があります。
メモリ用およびデジタル・ロジック電圧ドメイン用の
2
2 つの個別オシレータとタイマ。
つのオシレータ出力分周器設定。
LDO レギュレータ出力電圧を可能な限り低いレベルに調整して電力を節
約するための、デジタル性能のモニタ方法を提供します。
ファームウェアがスケーラブル
38
改訂 1.0
SiM3L1xx
4.2. I/O
4.2.1. 一般的な特徴
SiM3L1xx ポートには、以下の特徴があります。
5 V トレラント。
VIO
または VIORF 電圧レベルへのプッシュプル・モードまたはオープン・ドレイン出力モード。
アナログ・モードまたはデジタル・モード。
高出力または低出力の駆動強度のオプション。
ポート一致により、デバイスはポート・ピンの値の変化を認識できます。
内部プルアップ・レジスタは、ポートごとに有効化または無効化できます。
それぞれ
最大 16 の入力を持つ 2 つの外部割り込みは、外部信号に、モニタ機能を提供します。
単純な方形波およびパルスを生成する内部パルス・ジェネレータ・タイマ(PB0
のみ)。
4.2.2. クロスバー
SiM3L1xx デバイスには、以下の特徴を持つクロスバーがあります。
周辺回路のポート・ピンへの柔軟性のある配置。
設計またはレイアウトでの必要に応じて、ピンを個別に抜かして周辺回路の配置を移動できます。
クロスバーには、各 I/O 機能に対して決まった優先順位があり、これらの機能をポート・ピンに割り当てます。デ
ジタル・リソースが選択されると、優先順位が低く、割り当てのないポート・ピンがそのリソースに割り当てら
れます。ポート・ピンが割り当てられると、クロスバーは、次に選択されたリソースを割り当てる際にそのピン
を抜かします。さらに、クロスバーは、PBSKIPEN レジスタの関連ビットが設定されているポート・ピンも抜か
します。これにより、システム設計に柔軟性をもたらします。高感度のアナログ測定に関わるピンは、デジタル
I/O から離すことができます。レイアウトの制約を緩和するために、必要に応じて、周辺回路の配置をチップの周
りで移動することができます。
改訂 1.0
39
SiM3L1xx
4.3. クロッキング
SiM3L1xx デバイスには、 AHB と APB の 2 つのシステム ・ クロックがあります。 AHB クロックはメモリ周辺
回路としての役割を果たし、 7 つのソース (RTC タイマ ・ クロック (RTC0TCLK)、 低周波オシレータ、 低消
費電力オシレータ、 分割低消費電力オシレータ、 外部オシレータ、 PLL0 オシレータ、 および VIORFCLK ピ
ン入力) のいずれかによって決定されます。 さらに、 AHB クロックの分周器によってデバイスのための柔軟な
クロック ・ オプションが提供されます。 APB クロックはデータ周辺回路としての役割を果たし、 AHB クロッ
クと同期されます。 APB クロックは AHB クロックと同等か、 AHB クロックを 2 で割った値に設定できます。
SiM3L1xx デバイスのクロック制御モジュールは、使用していない周辺回路への AHB および APB クロックをオフ
にして電力を節約します。クロックが無効な周辺回路のレジスタには、クロックが有効になるまでアクセスする
ことができません。大部分の周辺回路では、パワー・オン・リセット後にデフォルトでクロックがオフになります。
Clock Control
RAM
RTC0TCLK
DMA
LFOSC0
AHB clock
LPOSC0
DTM0
AHB Clock
Divider
Flash Controller
Registers
External
Oscillator
PLL0
Oscillator
PBCFG and
PB0/1/2/3/4
APB Clock
Divider
APB clock
USART0
UART0
VIORFCLK
SPI0
Figure 4.3. SiM3L1xx Clocking
40
Flash
改訂 1.0
SiM3L1xx
4.3.1. PLL (PLL0)
PLL モジュールは、基準周波数なしのフリーランニング・モード、基準周波数への周波数ロック、または基準周
波数への位相ロックで使用できる専用のデジタル制御オシレータ (DCO) で構成されます。周波数ロック・モード
および位相ロック・モードの基準周波数は、複数ソース(外部オシレータを含む)のいずれかを使用して、さま
ざまなアプリケーションのニーズに対し最大限の柔軟性を提供します。PLL モジュールは独自のクロックを生成
するため、DCO を特定の基準周波数にロックし、その後、フリーランニング・モードに変更して、システムの消
費電力とノイズを低減できます。
PLL モジュールには以下の特徴があります。
23
から 50 MHz の出力周波数を持つ 3 つの出力範囲。
RTC0
オシレータ、低消費電力オシレータ、および外部オシレータを含む複数の基準周波数入力。
3
つの出力モードは、以下のとおりです。フリーランニング・デジタル制御オシレータ、周波数ロック、
および位相ロック。
基準ソースの立ち上がりエッジまたは立ち下がりエッジを感知可能。
安定した出力周波数を提供する DCO 周波数 LSB ディザリング。
生成されたシステム・ノイズを低減するスペクトル拡散。
低ジッタおよび高速ロック時間。\
出力周波数のすべての更新(ディザリングおよびスペクトル拡散を含む)は、ノイズに敏感な測定時に
STALL ビットを使用して、一時的に中断できます。
4.3.2. 低消費電力オシレータ (LPOSC0)
低消費電力オシレータは、SiM3L1xx デバイスのデフォルトの AHB オシレータで、必要に応じて、自動的に有効
または無効になります。
このオシレータのデフォルトの出力周波数は 20 MHz に工場で校正済みで、このクロックの分割 2.5 MHz バー
ジョンも AHB クロック・ソースとして利用できます。
低消費電力オシレータには以下の特徴があります。
20
MHz および分割 2.5 MHz 周波数を、AHB クロックとして利用可能。
必要に応じて自動的に開始または停止。
4.3.3. 低周波オシレータ (LFOSC0)
低周波数オシレータ (LFOSC) は、RTC0 タイマとデバイス上のその他の周辺回路用に、低消費電力の内部クロッ
ク・ソースを提供します。低周波数オシレータを使用するために外部部品は不要です。また、RTC1 ピンと RTC2
ピンを短絡する必要はありません。
低周波数オシレータには次の特徴があります。
16.4
kHz 出力周波数。
4.3.4. 外部オシレータ (EXTOSC0)
EXTOSC0 外部オシレータ回路で、外部クリスタル、セラミック・レゾネータ、キャパシタまたは RC ネットワー
クを駆動することができます。CMOS クロックにもクロック入力機能があります。外部オシレータ出力が AHB ク
ロックとして選択される場合もあれば、AHB クロック選択とは無関係の他のモジュールのクロックとして使用さ
れる場合もあります。
外部オシレータ制御には、以下の特徴があります。
外部クリスタル、レゾネータ、RC、C、または
CMOS オシレータをサポート。
10
kHz ~ 50 MHz の外部 CMOS 周波数をサポート。
10
kHz ~ 25 MHz の外部クリスタル周波数をサポート。
柔軟性のあるクリスタルオシレータをサポートするための、さまざまなドライブ強度。
内部周波数の
1 ビット右シフト(2 で割る)オプションを利用可能。
改訂 1.0
41
SiM3L1xx
4.4. LCD コントローラ内蔵 (LCD0)
SiM3L1xx デバイスには、LCD セグメント・ドライバ、および、スタティック、2 MUX、3 MUX、および 4 MUX
の LCD の 1/2 または 1/3 バイアスをサポートするオンチップ・バイアス生成が含まれています。出力電圧をプロ
グラム可能な内蔵チャージポンプにより、供給電圧には無関係なソフトウェア・コントラスト制御が可能になり
ます。LCD タイミングは RTC タイマ・クロック (RTC0TCLK) により決定され、リフレッシュ速度の高精度の制
御が可能になります。
SiM3L1xx デバイスはレジスタを使用して、個々の LCD セグメントの有効 / 無効状態を格納します。すべての LCD
波形はこれらのレジスタの内容に基づいてオンチップで生成され、柔軟性のある波形制御により、可能な限り消
費電力を低減します。LCD の点滅機能も、LCD セグメントのサブセットごとにサポートされています。
LCD0 モジュールには以下の特徴があります。
最大
1/2
40 のセグメント・ピンおよび 4 つのコモン・ピン。
または 1/3 バイアスの LCD をサポート。
供給電圧には無関係なファームウェア・コントラスト制御を可能にする、出力をプログラム可能な内蔵
チャージポンプを含む。
RTC タイマ・クロック (RTC0TCLK) が、LCD タイミングとリフレッシュ速度を決定。
LCD 波形は、柔軟性のある波形制御機能を持つ LCD0 レジスタの内容に基づいてオンチップで
生成される。
LCD セグメントは、設定可能な RTC クロック・サイクルの数に合わせて次の状態に切り替える前に放電
状態にでき、表示負荷に起因する消費電力を低減する。
電力モード 8 のウェイクアップ・ソースとして機能する VBAT モニタを含む。
すべての
4 つのハードウェア自動コントラスト ・ モードをサポート : バイパス、 一定、 最小、 および自
動バイパス。
最大 8 セグメントのハードウェア点滅をサポート。
次の
42
改訂 1.0
SiM3L1xx
4.5. データ周辺回路
4.5.1. 10 チャンネル DMA コントローラ
DMA は、周辺回路の自律的な動作を助け、周辺回路が割り込みのためのポーリングや待機に時間を費やすことな
く、コアがタスクをより迅速に完了できるようにします。これは、デバイスが低消費電力モードでのタスクによ
り多くの時間を割けるため、システム全体の消費電力を低減します。
DMA コントローラには、以下の特徴があります。
ARM
10
PrimeCell uDMA アーキテクチャを活用。
チャンネルを実装。
DMA
クロスバーは DTM0、DTM1、DTM2、SARADC0、IDAC0、I2C0、SPI0、SPI1、USART0、
AES0、ENCDEC0、EPCA0、外部ピン・トリガ、およびタイマをサポート。
さまざまなタイプの転送を実装するための、一次、代替、およびスキャッター
/ ギャザーの各データ構造
をサポート。
AHB および APB メモリ・スペースへのアクセスを許可。
すべての
4.5.2. データ転送マネージャ (DTM0、DTM1、DTM2)
データ転送マネージャはさまざまな周辺回路から DMA リクエスト信号を収集するモジュールで、状態により決定され
る構成に基づいて一連のマスター DMA リクエストを生成します。このマスター・リクエストは DMA チャンネルのセッ
トに、通信パケットをアセンブリして外部デバイスに転送するなどの機能を実行させます。この機能により、複雑な
転送動作中に、コアを低消費電力モードに維持することにより、電力を節約します。単純な DMA 構成と周辺回路のス
キャッター / ギャザー DMA 構成の組み合わせを使用して、メモリ要件を低減しながら、複雑な動作を実行できます。
DTM は、周辺回路の DMA 制御信号用のサイド・チャンネルとして動作します。アクティブの場合、DTM は周辺
回路用の DMA 制御信号を管理します。DTMn モジュールがアクティブでない場合、周辺回路は DMA モジュール
と直接通信します。
DTMn モジュールには以下の特徴があります。
状態説明を
RAM に格納し、1 モジュールあたり最大 15 の状態をサポート。
データ・リクエストを要求しないメモリまたは周辺回路に加えて、1
モジュールあたり最大 15 の送信元
周辺回路、および最大 15 の送信先周辺回路をサポート。
エラー検出と、オプションの転送タイムアウトを含む。
状態遷移の通知機能を含む。
4.5.3. 128/192/256 ビット・ハードウェア AES 暗号化機能 (AES0)
基本 AES ブロック暗号器がハードウェアに実装されています。この統合ハードウェアが暗号ブロック連鎖法
(CBC) アルゴリズムとカウンタ (CTR) アルゴリズムをサポートしているため、最も基本的な電子コードブック
(ECB) アルゴリズムとこれらのより複雑なアルゴリズム間で、性能、メモリ帯域、およびメモリ・サイズが同一
になります。このハードウェア・アクセラレータは、その他の機能や省電力の低消費電力アプリケーションで使
用できるように、よりコアな帯域に変換します。
AES モジュールには以下の特徴があります。
4
ワード(16 バイト)ブロックで動作。
暗号化と暗号解読の両方で、128、192、および
256 ビットのキー・サイズをサポート。
暗号解読動作ではラウンド・キーを生成。
4 ワード・ブロック(最大 32 kB)に対して、ファームウェアを介さずに実
行できます。
入力と出力の両方で、XOR パスによるさまざまな連鎖暗号法設定とストリーム暗号法設定をサポート。
すべての暗号動作は、複数の
DMA
動作を円滑に実行するための内部 4 ワード FIFO。
統合キー保管。
統合カウンタ・ブロックの生成と以前のブロックのキャッシングを有効活用する、電子コードブック
(ECB)、暗号ブロック連鎖法 (CBC)、およびカウンタ (CTR) の各アルゴリズム用のハードウェア・アク
セラレーション。
改訂 1.0
43
SiM3L1xx
4.5.4. 16/32 ビット拡張型 CRC (ECRC0)
ECRC モジュールは、フラッシュ・メモリの検証と通信プロトコル用のハードウェア計算を目的に設計されてい
ます。ファームウェアからの直接書き込みの結果の計算に加えて、ECRC モジュールは APB バスを自動的にス
ヌープし、特定の周辺回路との間で読み取り / 書き込みされたデータの結果を計算できます。この機能により、
ECRC モジュール経由でデータを直接供給することなく、自動 CRC 結果が可能になります。
サポートされている 32 ビット多項式は 0x04C11DB7 (IEEE 802.3) です。16 ビット多項式は完全にプログラム可
能です。
ECRC モジュールには以下の特徴があります。
プログラム可能な
16 ビット多項式と 1 個の固定 32 ビット多項式をサポート。
CRC
入力に対するバイト・レベルでのビット反転。
CRC
入力に対するワードのバイト順序の変更。
CRC
結果に対するワードまたは 1/2 ワードのビット反転。
単一のレジスタへの書き込み動作を設定しシードする機能。
32
ビット、16 ビット、または 8 ビットのブロックに対するシングルサイクルの並列(ループ展開)
CRC 計算をサポート。
1
周辺回路バス (APB) クロックにつき、データの CRC 32 ビットに対応。
自動
APB バス・スヌープ。
ファームウェア・リクエスト・モードを使用した
DMA 書き込みをサポート。
4.5.5. エンコーダ / デコーダ (ENCDEC0)
エンコーダ / デコーダ・モジュールは、ファームウェアまたは DMA のいずれかからの操作によるマンチェスタお
よび Three-out-of-Six エンコーディングとデコーディングをサポートしています。
このモジュールには以下の特徴があります。
マンチェスタおよび
Three-out-of-Six エンコーディングとデコーディングをサポート。
レジスタへの入力データの書き込みまたは出力データの読み取り時にフラッグを自動解除。
入力データをレジスタに書き込むと、エンコード
/ デコード操作を自動的に初期化。
相補形式による出力(オプション)
。
デコード操作中の、無効入力データに対するハードウェアのエラー検出。これにより、消費電力とパ
ケットのターンアラウンド時間を低減。
入力データまたは出力データの、柔軟性のあるバイト・スワップ機能。
44
改訂 1.0
SiM3L1xx
4.6. カウンタ / タイマ
4.6.1. 32 ビット・タイマ (TIMER0、TIMER1、TIMER2)
各タイマ・モジュールは独立型で、以下の機能が含まれます。
1
個の 32 ビットまたは 2 つの独立型 16 ビットのタイマとして動作する。
クロック、8 ビット・プリスケーラでスケーリングされた APB ク
ロック、外部オシレータ、または外部入力ピンの立ち下がりエッジが含まれる(APB クロックに同期)。
クロッキング・オプションには、APB
32
ビットおよび 16 ビット、両モードでの自動リロード機能。
TIMER0 および TIMER1 の特徴は、以下のとおりです。
外部入力ピンで制御されるアップ
/ ダウンカウント機能。
立ち上がりエッジおよび立ち下がりエッジ・キャプチャ・モード。
低パルス・キャプチャ・モードまたは高パルス・キャプチャ・モード。
周期およびデューティ・サイクル・キャプチャ・モード。
50
% のデューティ・サイクルで指定されたレートで外部ピンをトグルすることが可能な方形波出力モー
ド。
32 ビットまたは 16 ビットのパルス幅変調モード。
TTIMER2 は、TIMER0 と TIMER1 の標準入力 / 出力機能をサポートしていません。TIMER2 EX 信号は PVTOSC0
オシレータの出力に内部的に接続されています。TIMER2 は入力として EX を使用するカウント・モードのいずれ
かを使用でき、それらにはアップ / ダウン・モード、エッジ・キャプチャ・モード、パルス・キャプチャ・モード
などが含まれます。TIMER2 CT 信号は接続されていません。
4.6.2. 拡張型プログラム可能カウンタ配列 (EPCA0)
拡張プログラマブル・カウンタ・アレイ (EPCA) モジュールは、複雑なタイミングや波形を生成できるタイマ / カ
ウンタ・システムです。複数のモジュールを同じメイン・カウンタから実行するため、同期した出力波形を生成
できます。
このモジュールには以下の特徴があります。
相補波形を生成できる
3 つのチャンネル・ペア・セット(合計 6 チャンネル)。
中心と端部を揃えた波形生成。
チャンネル・ペアが同時にアクティブにならないようにする、プログラム可能なデッド・タイム。
プログラム可能なクロック除数と、クロックの送信元を選択するための複数のオプション。
波形更新のスケジュール機能。
コアがアクティブでない間の機能のオプション。
複数の同期トリガ。
パルス幅変調
(PWM) 波形の生成。
改訂 1.0
45
SiM3L1xx
4.6.3. リアルタイム・クロック (RTC0)
32.768 kHz 時計用クリスタルオシレータで使用される場合、RTC モジュールには 32 ビット・タイマが含まれ、
最高 36 時間まで独立した時間管理ができます。RTC はクロック欠落イベントに加えて 、SiM3L1xx デバイスで
割り込み、リセット、ウェイクアップのソースとしても機能する 3 つのアラーム・イベントを提供します。
RTC モジュールには 16 個のディスクリート・レベルにプログラム可能な内部負荷コンデンサが含まれ、広い範
囲のクリスタルオシレータとの互換性を維持します。
RTC タイマ・クロックは、コアが超低消費電力のダウン・モード時に、他のデバイスに正確で低周波数のクロッ
クを提供するために、ポート・バンク・ピンにバッファされ、ルートされます。また、このモジュールには、低
消費電力モード時に電流を低減し、他のモジュールをクロック・ソースとして使用できる低消費電力の内部低周
波オシレータが含まれます。
RTC モジュールには以下の特徴があります。
3
つの独立したアラーム付き 32 ビット · タイマ(36 時間までサポート)。
自動的に
RTC タイマをリセットする 1 つのアラーム用オプション。
クロック欠落検出器。
または外部 32.768 kHz クリスタルオシレータで使用できる (追加のレジスタ
がない、 コンデンサが不要)。
プログラム可能な内部負荷コンデンサは、広範囲の外部 32.768 kHz クリスタルオシレータをサポートする。
内部低周波オシレータ、
RTC
タイマ・クロック (RTC0CLK) は、コアが超低消費電力のダウン・モード時に、他のデバイスに正
確で低周波数のクロックを提供するために、I/O ピンにバッファされ、ルートされる。
RTC
モジュールは PM8 であっても、 超低消費電力を実現するために低消費電力モード ・ チャージ ・
ポンプから電力を供給できる。
4.6.4. 低消費電力タイマ (LPTIMER0)
低消費電力タイマ (LPTIMER) モジュールは、RTC タイマ・クロック (RTC0CLK) から実行され、AHB クロック
と APB クロックが無効の場合でも、LPTIMER を動作させることができます。LPTIMER カウンタは、次の 2 つの
クロック・ソースのいずれかを使用してカウントを進めることができます:RTC0 モジュールで選択したクロッ
ク、または外部信号の立ち上がりエッジまたは立ち下がりエッジ。
低消費電力タイマには、以下の特徴があります。
低周波数
RTC タイマ・クロック (RTC0TCLK) で実行。
LPTIMER
カウンタは、次の 2 つのクロック・ソースのいずれかを使用してカウントを進めることができ
る:RTC0TCLK、または外部信号の立ち上がりエッジまたは立ち下がりエッジ。
オーバーフローおよびしきい値一致の検出。
しきい値一致でタイマをリセットすると、可変出力周波数の方形波を生成できる。
期間とデューティ・サイクルを設定可能な
PWM をサポート。
LPTIMER
モジュールは、PM8 の間に消費電力を可能な限り下げるために、低消費電力モードのチャー
ジ・ポンプから電力を供給できる。
4.6.5. ウオッチドッグタイマ (WDTIMER0)
WDTIMER モジュールには、16 ビットのタイマ、プログラム可能な早期警告割り込み、およびプログラム可能な
リセット期間が含まれています。タイマ・レジスタは、独立ロックとキー・インタフェースにより不注意なアク
セスから保護されています。
ウオッチドッグタイマは、低周波オシレータ (LFOSC0) から実行されます。
ウオッチドッグタイマには、以下の機能があります。
プログラム可能なタイムアウト間隔。
ウオッチドッグタイマはリセット・トリップ値に近づくと警告する割り込み(オプション)
。
システムがリセットされるまで、変更を防止するロックアウト機能。
46
改訂 1.0
SiM3L1xx
4.6.6. 低消費電力モード高度キャプチャ・カウンタ (ACCTR0)
SiM3L1xx デバイスには、RTC0 クロック・ドメインから実行し、デジタル入力、スイッチ・トポロジ回路(リー
ド・スイッチ)、または LC 共振回路とともに使用できる低消費電力の高度キャプチャ・カウンタ・モジュールが
含まれています。スイッチ・トポロジ回路では、このモジュールは内部プルアップ抵抗にパルスを送信し、リー
ド・スイッチが開いているか閉じているかを検出することにより、1 本または 2 本の外部配線をチャージします。
LC 共振回路では、一定時間間隔で入力電圧が印加され、減衰した正弦波を生成し、設定可能な弁別器回路がその
結果の減衰時定数を検出します。
この高度キャプチャ・カウンタには、以下の特徴があります。
単一入力または差分入力で、動作のシングル・モード、デュアル・モード、および直交モードをサポート。
さまざまな割り込みソースと
PM8 ウェイク・アップ・ソース。
方向履歴、現在と過去の状態、および条件フラッグをフィードバックする機能。
この高度キャプチャ・カウンタには、スイッチ回路トポロジ用の以下の機能があります。
超低消費電力の入力コンパレータ。
セルフ校正エンジンによる、広範囲のプルアップ抵抗値をサポート。
ローパス・フィルターおよびスイッチ・デバウンス用の非対称インテグレータ。
2
個の 24 ビット・カウンタおよび 2 個の 24 ビット・デジタルしきい値コンパレータ。
スイッチのフラッタ検出をサポート。
LC 共振回路トポロジでは、この高度なキャプチャ・カウンタには、以下の機能があります。
別々の最小カウント・レジスタと最大カウント・レジスタ、および極性、パルス、トグルの各制御。
タイミングをゾーンベースでプログラム可能。
VIO
を 2 で割ったプラス側入力バイアスをサポートする 2 個の入力コンパレータ。
40 MHz
LC
オシレータとタイマーまたは外部デジタル停止信号に基づく設定可能な励起幅パルスをサポート。
共振ピーク数を検出するためにフル・スケールで飽和する、2 個の 8 ビット・ピーク・カウンタ。
しきい値をプログラム可能な
2 個の弁別器。
ホイートストン・ブリッジ用のサンプル・モードとホールド・モードをサポート。
SiM3L1xx ファミリのすべてのデバイスには低消費電力モードの高度キャプチャ・カウンタ (ACCTR0) が搭載され
ています。表 4.2 は、パッケージごとにサポート対象入出力を一覧にしたものです。
Table 4.2. SiM3L1xx Supported Advanced Capture Counter Inputs and Outputs
Input/Output
SiM3L1x7
SiM3L1x6
SiM3L1x4
ACCTR0_IN0



ACCTR0_IN1



ACCTR0_LCIN0


ACCTR0_LCIN1



ACCTR0_STOP0



ACCTR0_STOP1



ACCTR0_LCPUL0


ACCTR0_LCPUL1


ACCTR0_LCBIAS0


ACCTR0_LCBIAS1


ACCTR0_DBG0


ACCTR0_DBG1


改訂 1.0
47
SiM3L1xx
4.7. 通信用周辺回路
4.7.1. USART (USART0)
USART は、外部デバイスでシリアル通信する 2 つの信号(TX と RX)を使用します。これらの信号に加えて、
USART モジュールは、オプションで、クロック (UCLK) またはハードウェア・ハンドシェイク(RTS と CTS)を
使用することもできます。
USART モジュールは、以下の機能を提供します。
個別の
16 ビット・ボー・レート・ジェネレータ付き独立型トランスミッタとレシーバの構成。
同期または非同期の送信と受信。
プログラム可能な極性とエッジ制御によるクロック・マスターまたはスレーブの動作。
5 Mbaud(同期または非同期、TX または RX、マスタまたはスレーブ)または最大 1 Mbaud スマー
トカード(TX または RX)
。
最大
開始、停止、およびアイドルの状態時に生成されるクロックを個別に可能にする。
フラッシュ機能とバイト、ハーフワード、ワードの読み取りと書き込みのサポート付き、内部送受信
5
FIFO。
~ 9 ビットのデータ・ビット長。~
プログラム可能なパケット間送信遅延。
LIN
SYNC バイトのサポート付き自動ボー検出。
自動パリティの生成(イネーブル付き)
。
生成の自動開始および停止(別々のイネーブル付き)
。
ハードウェア・フロー制御の送受信。
TX、RX、RTS、および
CTS 信号に対する独立した反転補正。
プログラム可能なパルス幅付き
スマートカード
IrDA 変調と復調。
ACK / NACK のサポート。
パリティ・エラー、フレーム・エラー、オーバーラン、アンダーラン検出。
マルチ・マスタおよび半二重通信をサポート。
複数のループ・バック・モードをサポート。
マルチ・プロセッサ通信をサポート。
4.7.2. UART (UART0)
低消費電力の UART は、外部デバイスでシリアル通信する 2 つの信号(TX と RX)を使用します。
UART0 のモジュールは、 RTC0 タイム ・ クロック (RTC0TCLK) から直接クロックを受け取り、 低消費電力モー
ド ・ チャージ ・ ポンプから実行することで、 PM8 モードで動作できます。 これにより、 UART トラフィック
を送信または受信している間、 システムは電力を節約できます。 UART は、 この低消費電力モードでは標準
ボー ・ レート 9600、 4800、 2400、 および 1200 をサポートしています。
UART0 のモジュールは、以下の機能を提供します。
個別の
16 ビット・ボー・レート・ジェネレータ付き独立型トランスミッタとレシーバの構成。
非同期送受信。
最大
5 Mbaud(TX または RX)。
フラッシュ機能とバイト、ハーフワード、ワードの読み取りと書き込みのサポート付き、内部送受信
FIFO。
5
~ 9 ビットのデータ・ビット長。
プログラム可能なパケット間送信遅延。
LIN
SYNC バイトのサポート付き自動ボー検出。
自動パリティの生成(イネーブル付き)
。
生成の自動開始および停止(別々のイネーブル付き)
。
TX
48
と RX 信号に対する独立した反転補正。
改訂 1.0
SiM3L1xx
パリティ・エラー、フレーム・エラー、オーバーラン、アンダーラン検出。
半二重通信をサポート。
複数のループ・バック・モードをサポート。
マルチ・プロセッサ通信をサポート。
電力モード
8 では、9600 ボー、4800 ボー、2400 ボー、または 1200 ボーで動作。
4.7.3. SPI (SPI0, SPI1)
SPI は 3 または 4 ワイヤの通信インターフェースで、クロック、入力データ、出力データ、およびオプションの
選択信号が含まれます。
SPI0 と SPI1 のモジュールには以下の機能が含まれます。
3
または 4 ワイヤのマスター・モードまたはスレーブ・モードをサポートする。
マスタ・モードでは最高
10 MHz クロックを、スレーブ · モードでは 5 MHz のクロックをサポートする。
すべてのクロックの位相とスレーブ・セレクト
16
(NSS) の極性モードをサポート。
ビットのプログラム可能なクロック・レート。
プログラム可能な
MSB ファーストまたは LSB ファーストのシフト。
高速転送をサポートするための送信と受信、両方のデータ・パスの
8 バイト FIFO バッファ。
同じデータ・ライン上での複数のマスタをサポートする。
また、SPI モジュールには自律 DMA 転送をサポートするいくつかの機能が含まれています。
ハードウェア
NSS コントロール。
プログラム可能な
設定可能な
MISO
FIFO しきい値レベル。
FIFO のデータ幅。
と MOSI 信号用のマスタまたはスレーブ・ハードウェア・フロー制御。
SPI1 は固定されたピンの上にあり、固定入力 (SPI1CTS) を使用して、追加のフロー制御オプションをサポートし
ています。クロスバーには SPI1 もフロー制御入力もありません。
4.7.4. I2C (I2C0)
I2C インターフェイスは、2 線式の双方向シリアル・バスです。クロック信号とデータ信号は、外部プルアップに
よりオープン・ドレイン・モードで動作し、自動バス・アービトレーションをサポートします。
インターフェイスとの読み取り、書き込みはバイト方向に行われ、I2C インターフェイスはデータのシリアル転送を
自律的に制御します。データはマスタまたはスレーブとして、最高で APB クロックの 1/8 番目で転送できます。こ
のため、使用するクロックの送信元にも依存しますが、I2C の仕様で許容される速度よりも速くなる場合がありま
す。異なる速度を持つデバイスを同じバスで対応するために、クロックのロー期間を延長する方法を利用できます。
I2C インターフェイスは、マスタおよび / またはスレーブとして動作し、複数のマスタを持つ 1 つのバス上で機能
します。I2C には、SDA(シリアルデータ)の制御、SCL(シリアルクロック)生成、および同期、アービトレー
ション・ロジック、および開始 / 停止制御と生成の機能があります。
I2C0 モジュールには以下の特徴があります。
転送速度は標準(最大
APB
100 kbps)と高速 (400 kbps)。
クロックを 32768 で割った最低速度、または APB クロックを 8 で割った最高速度で動作できます。
マスタ、スレーブ、および複数マスタ・モードをサポート。
複数マスタ・モード用のハードウェア同期とアービトレーション。
高速マスタと通信するためのクロック・ロー延長(クロック・ストレッチング)
。
7
ビット・スレーブおよび一般的な呼び出しアドレス認識に対するハードウェア・サポート。
10
ビット・スレーブ・アドレス・デコーディングに対するファームウェア・サポート。
すべてのスレーブ状態を無効にする機能。
クロックのハイとローの期間をプログラム可能。
データ設定
APB
/ ホールド時間をプログラム可能。
期間の最大 2 倍までスパイクを抑制。
改訂 1.0
49
SiM3L1xx
4.8. アナログ
4.8.1. 12 ビット・アナログ・デジタル・コンバータ (SARADC0)
SiM3L1xx デバイスの SARADC0 モジュールは、逐次比較レジスタ (SAR) ADC アーキテクチャを搭載していま
す。モジュールの主な特徴は以下のとおりです。
シングル・エンド
12 ビットおよび 10 ビット・モード。
12
ビット・モードで 250 k サンプル / 秒の、10 ビット・モードで 1 M サンプル / 秒の出力更新速度をサ
ポート。
低変換速度で低消費電力モードで動作。
ハードウェア・チャンネルを選択する選択可能な非同期ハードウェア変換トリガ。
DC オフセット・キャンセレーション。
複数のプログラム可能なしきい値での自動結果通知。
プログラム可能なパワー・オン整定およびトラッキング時間で、変換開始トリガにつき一連の蓄積デー
タを生成する、バースト・モードをサポートします。
バースト・モード以外の動作でも複数の変換が自動的に蓄積されますが、変換ごとに、変換を開始する
必要があります。
変換完了、複数変換完了、FIFO オーバーフローおよびアンダーフローのフラグ、割り込みがサポートさ
れます。
柔軟な出力データ形式。
シーケンサによって、最大 8 つのソースがソフトウェアの介入なしで、4 つのチャンネル特性プロファイ
ルのいずれかを使用して自動的にスキャンされます。
DMA 動作のための 8 ワード変換データ FIFO。
2
つの内部基準(1.65 V 高速整定、1.2/2.4 V 精度)を含み、外部基準をサポートし、外部信号グラウン
ドをサポートします。
4.8.2. 10 ビット・デジタル・アナログ・コンバータ (IDAC0)
IDAC モジュールは入力としてデジタル値を受け入れ、特定のピンの比例した定電流を出力します。IDAC モジュー
ルには以下の特徴があります。
4
つのタイマ、最大 7 つの外部 I/O、およびオンデマンド出力更新トリガをサポートする 10 ビット電流
DAC。
I/O トリガ ・ ソースについて、 立ち上がり、 立ち下がり、 または両方のエッジでの更新
機能。
600 k サンプル / 秒以上の出力更新速度をサポート。
すべての外部
次の
3 つのフルスケール出力モード(0.5 mA、1.0 mA、および 2.0 mA)をサポート。
高速の波形生成または
各
DMA 相互作用を支援するための 4 ワード FIFO。
FIFO オーバーラン、アンダーラン、および空の割り込みステータス・ソース。
10 ビット・サンプル / ワード、デュアル 10 ビット・サンプル /
ワード、または 4 つの 8 ビット・サンプル / ワードなど)をサポート。
複数のデータ・パッキング形式(シングル
左詰めおよび右詰めデータをサポート。
4.8.3. 低電流コンパレータ (CMP0、CMP1)
コンパレータは 2 つのアナログ入力電圧を取り入れ、これらの電圧の関係性(小さいか大きいか)をデジタル信
号形式で出力します。低消費電力のコンパレータモジュールには以下の特徴があります。
VBAT、VREF、8
2
I/O ピンなど、正負入力のための複数のソース。
つの出力(デジタル同期ラッチ出力とデジタル非同期生出力)が使用可能。
プログラム可能なヒステリシスと応答時間。
コンパレータ出力での立ち上がりエッジまたは立ち下がりエッジ割り込みオプション。
6
50
ビットのプログラム可能な基準分周器。
改訂 1.0
SiM3L1xx
4.9. リセット・ソース
リセット回路により、コントローラを簡単に所定のデフォルト状態にできます。このリセット状態になると、以
下のイベントが発生します。
コアがプログラム実行を停止する。
ビットがパワー・オン・リセットでリセットされない限り、モジュールのレジスタは所定のリセット値
に初期化される。
外部ポート・ピンは、既知の状態に強制的に設定される。
割り込みとタイマーが無効になる。
フラッシュと
RAM への AHB 周辺クロックが有効になる。
ウオッチドッグタイマと
DMAXBAR 以外のすべての APB 周辺クロックが無効になる。
ビットがパワー・オン・リセットでリセットされない限り、すべてのレジスタは、レジスタの説明に記載されて
いる所定の値にリセットされます。RAM のデータはリセット時に影響を受けません。電源が失われない限り、以
前に格納されたデータは保持されます。
オープン・ドレイン・モードでは、ポート I/O ラッチは 1 にリセットされます。弱プルアップはリセット時とリ
セット後に有効になります。VBAT 電源モニタとパワー・オン・リセットについては、リセット・ピンは、デバイ
スがリセット状態を終了するまで、低電力で駆動されます。
リセット状態からの終了時に、プログラム · カウンタ (PC) はリセットされ、システム・クロックは内部低消費電
力オシレータにデフォルト設定されます。ウオッチドッグタイマは、そのクロック・ソースとして低周波オシレー
タを使って有効になります。プログラムの実行は、アドレス 0x00000000 から始まります。
すべての RSTSRC0 レジスタは LOCK0_PERIPHLOCK0 レジスタの CLKRSTL ビットを 1 に設定することによ
り、書き込みができないようにロックすることができます。
リセット・ソースでも、オプションで、低消費電力モードのチャージ・ポンプ、UART0、LCD0、高度キャプチャ・
カウンタ (ACCTR0)、RTC0 などのモジュールを個別でリセットできます。
Reset Sources
RESET
Supply Monitor
Missing Clock
Detector
Watchdog Timer
Software Reset
system or module reset
Comparator 0
Comparator 1
Low Power Charge
Pump Monitor
RTC0 Event
(Alarm or Osc Fail)
Core Reset
Figure 4.4. SiM3L1xx Reset Sources Block Diagram
改訂 1.0
51
SiM3L1xx
4.10. セキュリティ
SiM3L1xx デバイスの周辺回路には、ファームウェアから周辺回路の望ましくないアクセスを防ぐレジスタ・ロッ
クとキー・メカニズムがあります。PERIPHLOCKx レジスタの各ビットは、一連の周辺回路を制御します。キー・
シーケンスは PERIPHLOCKx 内のビットを変更するキー・レジスタに書き込まれる必要があります。キーを介し
て再びロックが解除されるまで、キーへの後続のすべての書き込みは、PERIPHLOCKx のアクセスを禁止します。
キー・レジスタを読み取ると、PERIPHLOCKx ロック状態の現在のステータスがわかります
周辺回路のレジスタがロックされている場合は、すべての書き込みが無視されます。周辺回路のロックの状態に
関係なく、レジスタを読み取ることができます。
Peripheral Lock and Key
USART0,
UART0
SPI0/1
I2C0
EPCA0
PERIPHLOCK0
KEY
PERIPHLOCK1
TIMER0/1
SARADC0
CMP0/1
Figure 4.5. SiM3L1xx Security Block Diagram
4.11. オンチップ・デバッグ機能
SiM3L1xx デバイスには、JTAG およびシリアル・ワイヤのプログラミング・インターフェイスとデバッグ・イン
ターフェイス、および命令トレース用の ETM が含まれています。JTAG インターフェイスは SiM3L1x7 デバイス
のみでサポートされており、バウンダリスキャン機能は含まれていません。ETM インターフェイスは SiM3L1x7
でサポートされており、SiM3L1x6 デバイスのみです。JTAG インターフェイスと ETM インターフェイスは、い
くつかのポート I/O ピンを使用する必要がありますが、オプションでデバッグ時の可視性を高めることができま
す。さらに、コアが JTAG 用ではなく、シリアル・ワイヤ (SW) モード用に設定されている場合、シリアル・ワ
イヤ・ビューワ (SWV) を使用して、単一のピンに TPIU メッセージを送信させることができます。シリアル・ワ
イヤ・ビューワはすべての SiM3Lxxx デバイスでサポートされています。
SiM3L1xx デバイスの大半の周辺回路には、コアがデバッグ・モードで停止する場合に機能を停止または続行させ
るオプションがあります。
52
改訂 1.0
SiM3L1xx
5. 注文情報
Si M3 L 1 4 4 – B – GM
Temperature Grade and Package Type
Revision
Pin Count – 4 (40 pin), 6 (64 pin), 7 (80 pin)
Flash Size – 3 (32 kB), 4 (64 kB), 5 (128 kB), 6 (256 kB)
Feature Set – varies by family
Family – L (Low Power)
Core – M3 (Cortex M3)
Silicon Labs
Figure 5.1. SiM3L1xx Part Numbering
SiM3L1xx ファミリのすべてのデバイスには以下の特徴があります。
コア: 最大動作周波数
50 MHz の ARM Cortex-M3。
PLL。
10
チャンネル DMA コントローラ。
128/192/256
16/32
ビット AES。
ビット CRC。
エンコーダ
DC-DC
/ デコーダ。
バック・コンバータ。
タイマ: 3
x 32 ビット(6 x 16 ビット)
リアルタイム・クロック。
低消費電力タイマ。
PCA: 1
x 6 チャンネル(拡張)
ADC: 12
ビット 250 ksps(10 ビット 1 Msps)SAR。
DAC: 10
ビット IDAC。
温度センサー。
内部
VREF。
コンパレータ: 2
x 低電流。
シリアル・バス: 2
x USART、2 x SPI、1 x I2C
さらに、SiM3L1xx ファミリのすべてのデバイスには、低消費電力モードの高度キャプチャ・カウンタ (ACCTR0)
が搭載されています。ただし、サイズの小さいパッケージ (SiM3L1x4) では、一部の外部入出力のみがサポートさ
れます。
改訂 1.0
53
SiM3L1xx
Digital Port I/Os
Digital Port I/Os on the Crossbar
Number of SARADC0 Channels
Number of PMU Pin Wake Sources
Number of ACCTR0 Inputs and Outputs
JTAG Debugging Interface
ETM Debugging Interface
Serial Wire Debugging Interface
Lead-free (RoHS Compliant)
Package
160 (4x40)
62
38
24 15/15 14
12




TQFP-80
SiM3L167-C-GL 256
32
160 (4x40)
62
38
24 15/15 14
12




TFBGA-80
SiM3L166-C-GM 256
32
128 (4x32)
51
34
23 14/12 11
12



QFN-64
SiM3L166-C-GQ 256
32
128 (4x32)
51
34
23 14/12 11
12



TQFP-64
SiM3L164-C-GM 256
32
28
26
20
11
5


QFN-40
SiM3L157-C-GQ 128
32
160 (4x40)
62
38
24 15/15 14
12




TQFP-80
SiM3L157-C-GL 128
32
160 (4x40)
62
38
24 15/15 14
12




TFBGA-80
SiM3L156-C-GM 128
32
128 (4x32)
51
34
23 14/12 11
12



QFN-64
SiM3L156-C-GQ 128
32
128 (4x32)
51
34
23 14/12 11
12



TQFP-64
SiM3L154-C-GM 128
32
28
26
20
11
5


QFN-40
SiM3L146-C-GM
64
16
128 (4x32)
51
34
23 14/12 11
12



QFN-64
SiM3L146-C-GQ
64
16
128 (4x32)
51
34
23 14/12 11
12



TQFP-64
SiM3L144-C-GM
64
16
28
26
20
11
5


QFN-40
SiM3L136-C-GM
32
8
128 (4x32)
51
34
23 14/12 11
12



QFN-64
SiM3L136-C-GQ
32
8
128 (4x32)
51
34
23 14/12 11
12



TQFP-64
SiM3L134-C-GM
32
8
28
26
20
5


QFN-40
54
改訂 1.0
Number of Comparator 0/1 Inputs (+/-)
LCD Segments
32
Flash Memory (kB)
SiM3L167-C-GQ 256
Ordering Part Number
RAM (kB)
Table 5.1. Product Selection Guide
9/10
9/10
9/10
9/10
11
SiM3L1xx
6. ピンの定義
PB0.4
PB0.5
PB0.6
PB0.7
PB0.8
PB0.9
PB0.10
PB0.11 / TDO / SWV
RESET
VSS
RTC1
RTC2
VIO
VLCD
PB1.0
PB1.1
PB1.2
PB1.3
PB1.4
PB1.5
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
6.1. SiM3L1x7 ピンの定義
PB0.3
PB0.2
PB0.1
1
60
2
59
3
58
PB0.0
TMS / SWDIO
4
57
5
56
TCK / SWCLK
VIO
VIORF
VDRV
VBAT / VBATDC
IND
VSS / VSSDC
VDC
6
55
7
54
8
53
9
52
10
51
80-Pin TQFP
11
50
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
PB4.0
VIO
VSS
PB3.15
PB3.14
PB3.13
PB3.12
PB3.11
PB3.10
PB3.9
PB3.8
PB3.7
41
27
20
PB4.1
42
PB4.2
43
19
26
18
25
44
PB4.3
PB4.12 / ETM2
PB4.11 / ETM3
PB4.10
PB4.9
PB4.4
45
17
24
46
16
PB4.5
15
23
47
PB4.6
PB4.15 / TRACECLK
PB4.14 / ETM0
PB4.13 / ETM1
PB4.7
48
14
22
13
21
49
PB4.8
12
PB1.6 / TDI
PB1.7
PB1.8
PB1.9
PB1.10
PB1.11
PB2.0
PB2.1
VSS
PB2.4
PB2.5
PB2.6
PB2.7
PB3.0
PB3.1
PB3.2
PB3.3
PB3.4
PB3.5
PB3.6
Figure 6.1. SiM3L1x7-GQ Pinout
改訂 1.0
55
SiM3L1xx
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
PB0.3
PB0.5
PB0.7
PB0.9
PB0.11 /
TDO / SWV
VLCD
PB1.1
PB1.3
PB1.5
PB1.6 / TDI
PB0.2
PB0.4
PB0.6
PB0.8
PB0.10
PB1.0
PB1.2
PB1.4
PB1.7
PB1.8
VIORF
PB0.1
RESET
RTC1
RTC2
VSS
PB1.9
PB1.10
VDRV
PB0.0
VIO
VIO
PB1.11
PB2.0
VBAT /
VBATDC
TCK /
SWCLK
VSS
PB2.5
PB2.1
PB2.4
IND
TMS /
SWDIO
PB4.15 /
TRACECLK
PB2.6
PB3.1
PB2.7
VDC
PB4.14 /
ETM0
VSS / VSSDC
PB3.0
PB3.3
PB3.2
PB4.13 /
ETM1
PB4.11 /
ETM3
PB3.5
PB3.4
PB4.12 /
ETM2
PB4.9
PB4.10
PB4.8
A
B
C
D
E
80 pin TFBGA
(Top View)
F
G
PB4.5
VSS
PB4.0
VIO
PB4.7
PB4.4
PB4.2
PB3.14
PB3.12
PB3.10
PB3.7
PB3.6
PB4.6
PB4.3
PB4.1
PB3.15
PB3.13
PB3.11
PB3.9
PB3.8
H
J
K
Figure 6.2. SiM3L1x7-GL Pinout
56
改訂 1.0
SiM3L1xx
12
G3
VIO
Power (I/O)
7
30
68
D3
D8
H7
VIORF
Power (RF I/O)
8
C1
VBAT/
VBATDC
10
E1
VDRV
9
D1
VDC
13
G1
67
A6
DC-DC Inductor 11
F1
VLCD
IND
Power (LCD
Charge Pump)
RESET
Active-low
Reset
72
C4
TCK/
SWCLK
JTAG / Serial
Wire
6
E2
TMS/
SWDIO
JTAG / Serial
Wire
5
F2
RTC1
RTC Oscillator
Input
70
C5
RTC2
RTC Oscillator
Output
69
C6
改訂 1.0
Analog Functions
Ground (DCDC)
Digital Functions
VSSDC
External Trigger Inputs /
C7
E3
G3
H5
Output Toggle Logic
12
31
52
71
LCD Interface
Ground
Port Match
Pin Numbers (TFBGA-80)
VSS
Crossbar Capability
Type
I/O Voltage Domain
Pin Name
Pin Numbers (TQFP-80)
Table 6.1. Pin Definitions and Alternate Functions for SiM3L1x7
57
SiM3L1xx
VIO



INT0.0
WAKE.0
ADC0.20
VREF
CMP0P.0
PB0.1
Standard I/O
3
C2
VIO



INT0.1
WAKE.1
ADC0.21
VREFGND
CMP0N.0
PB0.2
Standard I/O
2
B1
VIO



INT0.2
WAKE.2
ADC0.22
CMP1P.0
XTAL2
PB0.3
Standard I/O
1
A1
VIO



INT0.3
WAKE.3
ADC0.23
CMP1N.0
XTAL1
PB0.4
Standard I/O
80
B2
VIO



INT0.4
WAKE.4
ADC0.0
CMP0P.1
IDAC0
PB0.5
Standard I/O
79
A2
VIO



INT0.5
WAKE.5
ACCTR0_STOP0
ACCTR0_IN0
PB0.6
Standard I/O
78
B3
VIO



INT0.6
WAKE.6
ACCTR0_STOP1
ACCTR0_IN1
PB0.7
Standard I/O
77
A3
VIO



INT0.7
WAKE.7
ACCTR0_LCIN0
PB0.8
Standard I/O
76
B4
VIO



LPT0T0
LPT0OUT0
INT0.8
WAKE.8
ACCTR0_LCIN1
58
改訂 1.0
Analog Functions
D2
Digital Functions
Port Match
4
External Trigger Inputs /
Crossbar Capability
Standard I/O
Output Toggle Logic
Pin Numbers (TFBGA-80)
PB0.0
LCD Interface
Type
I/O Voltage Domain
Pin Name
Pin Numbers (TQFP-80)
Table 6.1. Pin Definitions and Alternate Functions for SiM3L1x7 (Continued)
SiM3L1xx
VIO



LPT0T1
INT0.9
WAKE.9
ACCTR0_LCPUL0
ADC0.1
CMP0N.1
PB0.10
Standard I/O
74
B5
VIO



LPT0T2
INT0.10
WAKE.10
ACCTR0_LCPUL1
ADC0.2
CMP1P.1
PB0.11/
TDO/SWV
Standard I/O /
JTAG / Serial
Wire Viewer
73
A5
VIO



LPT0T3
LPT0OUT1
INT0.11
WAKE.11
ADC0.3
CMP1N.1
PB1.0
Standard I/O
66
B6
VIO


LCD0.39
LPT0T4
INT0.12
ACCTR0_LCBIAS0
CMP0P.2
PB1.1
Standard I/O
65
A7
VIO


LCD0.38
LPT0T5
INT0.13
ACCTR0_LCBIAS1
CMP0N.2
PB1.2
Standard I/O
64
B7
VIO


LCD0.37
LPT0T6
INT0.14
UART0_TX
CMP1P.2
PB1.3
Standard I/O
63
A8
VIO


LCD0.36
LPT0T7
INT0.15
UART0_RX
CMP1N.2
PB1.4
Standard I/O
62
B8
VIO


LCD0.35
ACCTR0_DBG0
ADC0.4
PB1.5
Standard I/O
61
A9
VIO


LCD0.34
ACCTR0_DBG1
ADC0.5
PB1.6/TDI
Standard I/O /
JTAG
60
A10
VIO


LCD0.33
PB1.7
Standard I/O
59
B9
VIO


LCD0.32
改訂 1.0
Analog Functions
A4
Digital Functions
Port Match
75
External Trigger Inputs /
Crossbar Capability
Standard I/O
Output Toggle Logic
Pin Numbers (TFBGA-80)
PB0.9
LCD Interface
Type
I/O Voltage Domain
Pin Name
Pin Numbers (TQFP-80)
Table 6.1. Pin Definitions and Alternate Functions for SiM3L1x7 (Continued)
ADC0.6
RTC0TCLK_OUT
ADC0.7
59
SiM3L1xx
LCD Interface
B10
VIO


LCD0.31
CMP0P.3
PB1.9
Standard I/O
57
C9
VIO


LCD0.30
CMP0N.3
PB1.10
Standard I/O
56 C10
VIO


LCD0.29
CMP1P.3
PB1.11
Standard I/O
55
VIO


LCD0.28
CMP1N.3
PB2.0
Standard I/O
54 D10 VIORF


LPT0T8
INT1.0
WAKE.12
SPI1_CTS
ADC0.8
CMP0P.4
PB2.1
Standard I/O
53
E9
VIORF


LPT0T9
INT1.1
WAKE.13
VIORFCLK
ADC0.9
CMP0N.4
PB2.4
Standard I/O
51
E10 VIORF


LPT0T12
INT1.4
SPI1_SCLK
ADC0.10
CMP0P.5
PB2.5
Standard I/O
50
E8
VIORF


LPT0T13
INT1.5
SPI1_MISO
ADC0.11
CMP0N.5
PB2.6
Standard I/O
49
F8
VIORF


LPT0T14
INT1.6
SPI1_MOSI
ADC0.12
CMP1P.5
PB2.7
Standard I/O
48
F10 VIORF


INT1.7
SPI1_NSS
ADC0.13
CMP1N.5
PB3.0
Standard I/O
47
G8
VIO


LCD0.27
INT1.8
ADC0.14
PB3.1
Standard I/O
46
F9
VIO


LCD0.26
INT1.9
ADC0.15
PB3.2
Standard I/O
45 G10
VIO


LCD0.25
INT1.10
ADC0.16
60
D9
改訂 1.0
Analog Functions
Port Match
58
Digital Functions
Crossbar Capability
Standard I/O
External Trigger Inputs /
Pin Numbers (TFBGA-80)
PB1.8
Output Toggle Logic
Type
I/O Voltage Domain
Pin Name
Pin Numbers (TQFP-80)
Table 6.1. Pin Definitions and Alternate Functions for SiM3L1x7 (Continued)
SiM3L1xx
LCD Interface
G9
VIO


LCD0.24
INT1.11
ADC0.17
PB3.4
Standard I/O
43 H10
VIO


LCD0.23
INT1.12
CMP0P.6
PB3.5
Standard I/O
42
H9
VIO


LCD0.22
INT1.13
CMP0N.6
PB3.6
Standard I/O
41
J10
VIO


LCD0.21
INT1.14
CMP1P.6
PB3.7
Standard I/O
40
J9
VIO


LCD0.20
INT1.15
CMP1N.6
PB3.8
Standard I/O
39
K10
VIO

LCD0.19
CMP0P.7
PB3.9
Standard I/O
38
K9
VIO

LCD0.18
CMP0N.7
PB3.10
Standard I/O
37
J8
VIO

LCD0.17
CMP1P.7
PB3.11
Standard I/O
36
K8
VIO

LCD0.16
CMP1N.7
PB3.12
Standard I/O
35
J7
VIO

LCD0.15
ADC0.18
PB3.13
Standard I/O
34
K7
VIO

LCD0.14
ADC0.19
PB3.14
Standard I/O
33
J6
VIO

COM0.3
PB3.15
Standard I/O
32
K6
VIO

COM0.2
PB4.0
Standard I/O
29
H6
VIO

COM0.1
PB4.1
Standard I/O
28
K5
VIO

COM0.0
PB4.2
Standard I/O
27
J5
VIO

LCD0.13
PB4.3
Standard I/O
26
K4
VIO

LCD0.12
PB4.4
Standard I/O
25
J4
VIO

LCD0.11
PB4.5
Standard I/O
24
H4
VIO

LCD0.10
PB4.6
Standard I/O
23
K3
VIO

LCD0.9
改訂 1.0
Analog Functions
Port Match
44
Digital Functions
Crossbar Capability
Standard I/O
External Trigger Inputs /
Pin Numbers (TFBGA-80)
PB3.3
Output Toggle Logic
Type
I/O Voltage Domain
Pin Name
Pin Numbers (TQFP-80)
Table 6.1. Pin Definitions and Alternate Functions for SiM3L1x7 (Continued)
PMU_Asleep
61
SiM3L1xx
VIO

LCD0.8
PB4.8
Standard I/O
21
K2
VIO

LCD0.7
PB4.9
Standard I/O
20
J2
VIO

LCD0.6
PB4.10
Standard I/O
19
K1
VIO

LCD0.5
PB4.11/
ETM3
Standard I/O /
ETM
18
H2
VIO

LCD0.4
PB4.12/
ETM2
Standard I/O /
ETM
17
J1
VIO

LCD0.3
PB4.13/
ETM1
Standard I/O /
ETM
16
H1
VIO

LCD0.2
PB4.14/
ETM0
Standard I/O /
ETM
15
G2
VIO

LCD0.1
PB4.15/
TRACECL
K
Standard I/O /
ETM
14
F3
VIO

LCD0.0
62
改訂 1.0
Analog Functions
J3
Digital Functions
LCD Interface
22
External Trigger Inputs /
Port Match
Standard I/O
Output Toggle Logic
Pin Numbers (TFBGA-80)
PB4.7
Crossbar Capability
Type
I/O Voltage Domain
Pin Name
Pin Numbers (TQFP-80)
Table 6.1. Pin Definitions and Alternate Functions for SiM3L1x7 (Continued)
SiM3L1xx
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
1
48
2
47
3
46
4
45
5
44
6
43
7
42
8
41
64 Pin TQFP
9
40
PB2.0
VSS
PB2.4
PB2.5
PB2.6
PB2.7
PB3.0
PB3.1
PB3.2
PB3.3
32
31
30
29
28
33
27
34
16
26
15
25
35
24
14
23
36
22
13
21
37
20
38
12
19
11
18
39
17
10
PB1.5
PB1.6
PB1.7
PB1.8
PB1.9
PB1.10
PB4.7
PB4.6
PB4.5
PB4.4
PB4.3
PB4.2
PB4.1
PB4.0
PB3.11
PB3.10
PB3.9
PB3.8
PB3.7
PB3.6
PB3.5
PB3.4
PB0.2
PB0.1
PB0.0
SWDIO
SWCLK
VIO
VIORF / VDRV
VBAT / VBATDC
IND
VSS / VSSDC
VDC
PB4.12 / TRACECLK
PB4.11 / ETM0
PB4.10 / ETM1
PB4.9 / ETM2
PB4.8 / ETM3
63
64
PB0.3
PB0.4
PB0.5
PB0.6
PB0.7
PB0.8
PB0.9 / SWV
RESET
RTC1
RTC2
VLCD
PB1.0
PB1.1
PB1.2
PB1.3
PB1.4
6.2. SiM3L1x6 ピンの定義
Figure 6.3. SiM3L1x6-GQ Pinout
改訂 1.0
63
PB0.3
PB0.4
PB0.5
PB0.6
PB0.7
PB0.8
PB0.9 / SWV
RESET
RTC1
RTC2
VLCD
PB1.0
PB1.1
PB1.2
PB1.3
PB1.4
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
SiM3L1xx
PB0.2
1
48
PB1.5
PB0.1
2
47
PB1.6
PB0.0
3
46
PB1.7
SWDIO
4
45
PB1.8
SWCLK
5
44
PB1.9
VIO
6
43
PB1.10
VIORF / VDRV
7
42
PB2.0
VBAT / VBATDC
8
64 pin QFN
41
VSS
IND
9
(TopView)
40
PB2.4
VSS / VSSDC
10
39
PB2.5
VDC
11
38
PB2.6
PB4.12 / TRACECLK
12
37
PB2.7
PB4.11 / ETM0
13
36
PB3.0
PB4.10 / ETM1
14
35
PB3.1
PB4.9 / ETM2
15
34
PB3.2
PB4.8 / ETM3
16
33
PB3.3
25
26
27
28
29
30
31
32
PB3.10
PB3.9
PB3.8
PB3.7
PB3.6
PB3.5
PB3.4
22
PB4.2
PB3.11
21
PB4.3
24
20
PB4.4
PB4.0
19
PB4.5
23
18
PB4.6
PB4.1
17
PB4.7
VSS
Figure 6.4. SiM3L1x6-GM Pinout
64
改訂 1.0
SiM3L1xx
VSSDC
Analog Functions
Digital Functions
External Trigger Inputs /
Output Toggle Logic
10
41
Ground (DC-DC) 10
VIO
Power (I/O)
6
VIORF /
VDRV
Power (RF I/O)
7
VBAT /
VBATDC
8
VDC
11
VLCD
Power (LCD
Charge Pump)
54
IND
DC-DC Inductor
9
RESET
LCD Interface
Ground
Port Match
VSS
Crossbar Capability
Type
I/O Voltage Domain
Pin Name
Pin Numbers
Table 6.2. Pin Definitions and Alternate Functions for SiM3L1x6
Active-low Reset 57
SWCLK
Serial Wire
5
SWDIO
Serial Wire
4
RTC1
RTC Oscillator
Input
56
RTC2
RTC Oscillator
Output
55
PB0.0
Standard I/O
3
VIO
XBR
0


INT0.0
WAKE.0
ADC0.20
VREF
CMP0P.0
PB0.1
Standard I/O
2
VIO
XBR
0


INT0.1
WAKE.2
ADC0.22
CMP0N.0
CMP1P.0
XTAL2
改訂 1.0
65
SiM3L1xx
Analog Functions
Digital Functions
External Trigger Inputs /
Output Toggle Logic
LCD Interface
Crossbar Capability
Type
PB0.2
Standard I/O
1
VIO
XBR
0


INT0.2
WAKE.3
ADC0.23
CMP1N.0
XTAL1
PB0.3
Standard I/O
64
VIO
XBR
0


INT0.3
WAKE.4
ADC0.0
CMP0P.1
IDAC0
PB0.4
Standard I/O
63
VIO
XBR
0


INT0.4
WAKE.5
ACCTR0_STOP0
ACCTR0_IN0
PB0.5
Standard I/O
62
VIO
XBR
0


INT0.5
WAKE.6
ACCTR0_STOP1
ACCTR0_IN1
PB0.6
Standard I/O
61
VIO
XBR
0


INT0.6
WAKE.7
ACCTR0_LCIN0
PB0.7
Standard I/O
60
VIO
XBR
0


LPT0T0
LPT0OUT0
INT0.7
WAKE.8
ACCTR0_LCIN1
PB0.8
Standard I/O
59
VIO
XBR
0


LPT0T1
INT0.8
WAKE.9
ACCTR0_LCPUL0
ADC0.1
CMP0N.1
PB0.9/SWV
Standard I/O
/Serial Wire
Viewer
58
VIO
XBR
0


LPT0T2
INT0.9
WAKE.10
LPT0OUT1
ACCTR0_LCPUL1
ADC0.2
CMP1P.1
PB1.0
Standard I/O
53
VIO
XBR
0

LPT0T4
INT0.12
ACCTR0_LCBIAS0
CMP0P.2
66
Port Match
Pin Name
Pin Numbers
I/O Voltage Domain
Table 6.2. Pin Definitions and Alternate Functions for SiM3L1x6 (Continued)
LCD0.31
改訂 1.0
SiM3L1xx
Analog Functions
Digital Functions
External Trigger Inputs /
LCD Interface
Output Toggle Logic
Type
Port Match
Crossbar Capability
Pin Name
Pin Numbers
I/O Voltage Domain
Table 6.2. Pin Definitions and Alternate Functions for SiM3L1x6 (Continued)
PB1.1
Standard I/O
52
VIO
XBR
0

LCD0.30
LPT0T5
INT0.13
ACCTR0_LCBIAS1
CMP0N.2
PB1.2
Standard I/O
51
VIO
XBR
0

LCD0.29
LPT0T6
INT0.14
UART0_TX
CMP1P.2
PB1.3
Standard I/O
50
VIO
XBR
0

LCD0.28
LPT0T7
INT0.15
UART0_RX
CMP1N.2
PB1.4
Standard I/O
49
VIO
XBR
0

LCD0.27
ACCTR0_DBG0
ADC0.3
PB1.5
Standard I/O
48
VIO
XBR
0

LCD0.26
ACCTR0_DBG1
ADC0.4
PB1.6
Standard I/O
47
VIO
XBR
0

LCD0.25
RTC0TCLK_OUT
ADC0.5
PB1.7
Standard I/O
46
VIO
XBR
0

LCD0.24
CMP0P.3
PB1.8
Standard I/O
45
VIO
XBR
0

LCD0.23
CMP0N.3
PB1.9
Standard I/O
44
VIO
XBR
0

LCD0.22
CMP1P.3
PB1.10
Standard I/O
43
VIO
XBR
0

LCD0.21
CMP1N.3
PB2.0
Standard I/O
42
VIOR
F
XBR
0

LPT0T8
INT1.0
WAKE.12
SPI1_CTS
ADC0.6
CMP0P.4
PB2.4
Standard I/O
40
VIOR
F
XBR
0

LPT0T12
INT1.4
SPI1_SCLK
ADC0.7
CMP0P.5
改訂 1.0
67
SiM3L1xx
Standard I/O
39
VIOR
F
XBR
0

LPT0T13
INT1.5
SPI1_MISO
ADC0.8
CMP0N.5
PB2.6
Standard I/O
38
VIOR
F
XBR
0

LPT0T14
INT1.6
SPI1_MOSI
ADC0.9
CMP1P.5
PB2.7
Standard I/O
37
VIOR
F
XBR
0

INT1.7
SPI1_NSS
ADC0.10
CMP1N.5
PB3.0
Standard I/O
36
VIO
XBR
0

LCD0.20
INT1.8
ADC0.11
PB3.1
Standard I/O
35
VIO
XBR
0

LCD0.19
INT1.9
ADC0.12
PB3.2
Standard I/O
34
VIO
XBR
0

LCD0.18
INT1.10
CMP0P.6
PB3.3
Standard I/O
33
VIO
XBR
0

LCD0.17
INT1.11
CMP0N.6
PB3.4
Standard I/O
32
VIO
XBR
0

LCD0.16
INT1.12
CMP0P.7
PB3.5
Standard I/O
31
VIO
XBR
0

LCD0.15
INT1.13
CMP0N.7
PB3.6
Standard I/O
30
VIO
XBR
0

LCD0.14
INT1.14
CMP1P.7
PB3.7
Standard I/O
29
VIO
XBR
0

LCD0.13
INT1.15
CMP1N.7
PB3.8
Standard I/O
28
VIO

LCD0.12
ADC0.13
PB3.9
Standard I/O
27
VIO

LCD0.11
ADC0.14
PB3.10
Standard I/O
26
VIO

COM0.3
PB3.11
Standard I/O
25
VIO

COM0.2
68
改訂 1.0
Digital Functions
Analog Functions
Crossbar Capability
External Trigger Inputs /
I/O Voltage Domain
PB2.5
LCD Interface
Type
Port Match
Pin Name
Pin Numbers
Output Toggle Logic
Table 6.2. Pin Definitions and Alternate Functions for SiM3L1x6 (Continued)
SiM3L1xx
VIO

COM0.1
PB4.1
Standard I/O
23
VIO

COM0.0
PB4.2
Standard I/O
22
VIO

LCD0.10
PB4.3
Standard I/O
21
VIO

LCD0.9
PB4.4
Standard I/O
20
VIO

LCD0.8
PB4.5
Standard I/O
19
VIO

LCD0.7
PB4.6
Standard I/O
18
VIO

LCD0.6
PB4.7
Standard I/O
17
VIO

LCD0.5
PB4.8/ETM3
Standard I/O /
ETM
16
VIO

LCD0.4
PB4.9/ETM2
Standard I/O /
ETM
15
VIO

LCD0.3
PB4.10/
ETM1
Standard I/O /
ETM
14
VIO

LCD0.2
PB4.11/
ETM0
Standard I/O /
ETM
13
VIO

LCD0.1
PB4.12/
TRACECLK
Standard I/O /
ETM
12
VIO

LCD0.0
改訂 1.0
Analog Functions
24
Digital Functions
Standard I/O
External Trigger Inputs /
LCD Interface
PB4.0
Output Toggle Logic
Type
Port Match
Crossbar Capability
Pin Name
Pin Numbers
I/O Voltage Domain
Table 6.2. Pin Definitions and Alternate Functions for SiM3L1x6 (Continued)
ADC0.19
PMU_Asleep
69
SiM3L1xx
PB0.2
PB0.3
PB0.4
PB0.5
PB0.6 / SWV
RESET
RTC1
RTC2
PB0.7
PB0.8
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
6.3. SiM3L1x4 ピンの定義
PB0.1
1
30
PB0.9
PB0.0
2
29
PB2.0
SWDIO
3
28
PB2.1
SWCLK
4
27
PB2.2
VIO
5
26
PB2.3
VIORF / VDRV
6
25
VSS
VBAT / VBATDC
7
24
PB2.4
IND
8
23
PB2.5
VSS / VSSDC
9
22
PB2.6
21
PB2.7
40 pin QFN
(Top View)
VSS
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
PB3.8
PB3.7
PB3.6
PB3.5
PB3.4
PB3.3
PB3.2
PB3.1
PB3.0
10
PB3.9
VDC
Figure 6.5. SiM3L1x4-GM Pinout
70
改訂 1.0
SiM3L1xx
Output Toggle Logic
33
PB0.0
Standard I/O
2
VIO
XBR0


INT0.0
WAKE.0
ADC0.20
VREF
CMP0P.0
PB0.1
Standard I/O
1
VIO
XBR0


INT0.1
WAKE.2
ADC0.22
CMP0N.0
CMP1P.0
XTAL2
VSS
Ground
9
25
VSSDC
Ground (DC-DC)
9
VIO
Power (I/O)
5
VIORF /
VDRV
Power (RF I/O)
6
VBAT /
VBATDC
7
VDC
10
IND
DC-DC Inductor
8
RESET
Active-low Reset
35
SWCLK
Serial Wire
4
SWDIO
Serial Wire
3
RTC1
Digital Functions
Type
Analog Functions
Port Match
RTC Oscillator
Output
Pin Name
I/O Voltage Domain
RTC2
Pin Numbers
Crossbar Capability
External Trigger Inputs /
Table 6.3. Pin Definitions and Alternate Functions for SiM3L1x4
RTC Oscillator Input 34
改訂 1.0
71
SiM3L1xx
Crossbar Capability
Port Match
Output Toggle Logic
PB0.2
Standard I/O
40
VIO
XBR0


INT0.2
WAKE.3
ADC0.23
CMP0N.1
CMP1N.0
XTAL1
PB0.3
Standard I/O
39
VIO
XBR0


INT0.3
WAKE.4
ADC0.0
CMP0P.1
IDAC0
PB0.4
Standard I/O
38
VIO
XBR0


INT0.4
WAKE.5
ACCTR0_IN0
PB0.5
Standard I/O
37
VIO
XBR0


INT0.5
WAKE.6
ACCTR0_IN1
PB0.6/SWV
Standard I/O
/Serial Wire Viewer
36
VIO
XBR0


LPT0T0
LPT0OUT0
INT0.6
WAKE.8
PB0.7
Standard I/O
32
VIO
XBR0


LPT0T6
INT0.7
UART0_TX
CMP1P.2
PB0.8
Standard I/O
31
VIO
XBR0


LPT0T7
INT0.8
UART0_RX
CMP1N.2
PB0.9
Standard I/O
30
VIO
XBR0


LPT0T1
INT0.9
RTC0TCLK_OUT
ADC0.1
PB2.0
Standard I/O
29 VIORF XBR0

LPT0T8
INT1.0
WAKE.12
SPI1_CTS
ADC0.2
CMP0P.4
72
改訂 1.0
Digital Functions
Analog Functions
Type
I/O Voltage Domain
Pin Name
Pin Numbers
External Trigger Inputs /
Table 6.3. Pin Definitions and Alternate Functions for SiM3L1x4 (Continued)
SiM3L1xx
Analog Functions
Digital Functions
External Trigger Inputs /
Output Toggle Logic
Port Match
Crossbar Capability
I/O Voltage Domain
Pin Numbers
Table 6.3. Pin Definitions and Alternate Functions for SiM3L1x4 (Continued)
Pin Name
Type
PB2.1
Standard I/O
28 VIORF XBR0

LPT0T9
INT1.1
WAKE.13
VIORFCLK
ADC0.3
CMP0N.4
PB2.2
Standard I/O
27 VIORF XBR0

LPT0T10
INT1.2
WAKE.14
ADC0.4
CMP1P.4
PB2.3
Standard I/O
26 VIORF XBR0

LPT0T11
INT1.3
WAKE.15
ADC0.5
CMP1N.4
PB2.4
Standard I/O
24 VIORF XBR0

LPT0T12
INT1.4
SPI1_SCLK
ADC0.6
CMP0P.5
PB2.5
Standard I/O
23 VIORF XBR0

LPT0T13
INT1.5
SPI1_MISO
ADC0.7
CMP0N.5
PB2.6
Standard I/O
22 VIORF XBR0

LPT0T14
INT1.6
SPI1_MOSI
ADC0.8
CMP1P.5
PB2.7
Standard I/O
21 VIORF XBR0

INT1.7
SPI1_NSS
ADC0.9
CMP1N.5
PB3.0
Standard I/O
20
VIO
XBR0

INT1.8
CMP0N.7
PB3.1
Standard I/O
19
VIO
XBR0

INT1.9
CMP1P.7
PB3.2
Standard I/O
18
VIO
XBR0

INT1.10
CMP1N.7
PB3.3
Standard I/O
17
VIO
XBR0

INT1.11
ADC0.10
PB3.4
Standard I/O
16
VIO
XBR0

INT1.12
ADC0.11
PB3.5
Standard I/O
15
VIO
XBR0

INT1.13
ADC0.12
改訂 1.0
73
SiM3L1xx
74
Port Match
PB3.6
Standard I/O
14
VIO
XBR0

INT1.14
ADC0.13
PB3.7
Standard I/O
13
VIO
XBR0

INT1.15
ADC0.14
PB3.8
Standard I/O
12
VIO

ADC0.15
PB3.9
Standard I/O
11
VIO

ADC0.16
改訂 1.0
Digital Functions
Analog Functions
Crossbar Capability
External Trigger Inputs /
Type
I/O Voltage Domain
Pin Name
Pin Numbers
Output Toggle Logic
Table 6.3. Pin Definitions and Alternate Functions for SiM3L1x4 (Continued)
SiM3L1xx
6.4. TQFP-80 パッケージの仕様
Figure 6.6. TQFP-80 Package Drawing
改訂 1.0
75
SiM3L1xx
Table 6.4. TQFP-80 Package Dimensions
Dimension
Min
Nominal
Max
A
—
—
1.20
A1
0.05
—
0.15
A2
0.95
1.00
1.05
b
0.17
0.20
0.27
c
0.09
—
0.20
D
14.00 BSC
D1
12.00 BSC
e
0.50 BSC
E
14.00 BSC
E1
12.00 BSC
L
0.45
0.60
L1

0.75
1.00 Ref
0°
3.5°
aaa
0.20
bbb
0.20
ccc
0.08
ddd
0.08
eee
0.05
7°
Notes:
1. All dimensions shown are in millimeters (mm) unless otherwise noted.
2. Dimensioning and Tolerancing per ANSI Y14.5M-1994.
3. This package outline conforms to JEDEC MS-026, variant ADD.
4. Recommended card reflow profile is per the JEDEC/IPC J-STD-020
specification for Small Body Components.
76
改訂 1.0
SiM3L1xx
Figure 6.7. TQFP-80 Landing Diagram
Table 6.5. TQFP-80 Landing Diagram Dimensions
Dimension
Min
Max
C1
13.30
13.40
C2
13.30
13.40
E
0.50 BSC
X
0.20
0.30
Y
1.40
1.50
Notes:
1. All dimensions shown are in millimeters (mm) unless otherwise
noted.
2. This land pattern design is based on the IPC-7351 guidelines.
改訂 1.0
77
SiM3L1xx
6.4.1. TQFP-80 はんだマスクの設計
メタル・パッドはすべて非はんだマスク定義 (NSMD) です。はんだマスクとメタル・パッドの隙間は、パッドの
全周囲に 60µm 以上必要です。
6.4.2. TQFP-80 ステンシルの設計
1. 台形壁へのステンレス鋼、 レーザーカット、 電解研磨のステンシルは、 はんだペーストの版離れ性を
良くするために使用します。
2. ステンシルの厚さは 0.125mm(5 ミル)です。
3. ステンシル開口部とランド・パッドのサイズの比率は、全パッドで 1:1 としてください。
6.4.3. TQFP-80 カード・アセンブリ
1. 無洗浄のタイプ 3 はんだペーストが推奨されます。
2. 推奨カード・リフロー・プロファイルは、小型ボディ・コンポーネントの JEDEC/IPC J-STD-020 規格に
従っています。
78
改訂 1.0
SiM3L1xx
6.5. TFBGA-80 パッケージの仕様
D
A2
A
c
E
A1
D1
e
Øb
E1
Figure 6.8. TFBGA-80 Package Drawing
改訂 1.0
79
SiM3L1xx
Table 6.6. TFBGA-80 Package Dimensions
Dimension
Min
Nominal
Max
A
—
—
1.20
A1
0.16
0.21
0.26
A2
0.84
0.89
0.94
b
0.25
0.30
0.35
c
0.32
0.36
0.40
D
5.40
5.50
5.60
E
5.40
5.50
5.60
E1
—
4.50
—
D1
—
4.50
—
e
—
0.50
—
aaa
0.15
bbb
0.10
ddd
0.08
eee
0.15
fff
0.05
Notes:
1. All dimensions shown are in millimeters (mm) unless otherwise noted.
2. Dimensioning and Tolerancing per ANSI Y14.5M-1994.
3. Recommended card reflow profile is per the JEDEC/IPC J-STD-020
specification for Small Body Components.
80
改訂 1.0
SiM3L1xx
e1
C1
X
C2
Figure 6.9. TFBGA-80 Landing Diagram
Table 6.7. TFBGA-80 Landing Diagram Dimensions
Dimension
Min
Nom
Max
X
0.25
0.30
0.35
C1
4.50
C2
4.50
E1
0.50
Notes:
1. All dimensions shown are in millimeters (mm) unless otherwise noted.
2. Dimensioning and Tolerancing is per the ANSI Y14.5M-1994 specification.
3. This land pattern design is based on the IPC-7351 guidelines.
改訂 1.0
81
SiM3L1xx
6.5.1. TFBGA-80 はんだマスクの設計
メタル・パッドはすべて非はんだマスク定義 (NSMD) です。はんだマスクとメタル・パッドの隙間は、パッドの
全周囲に 60µm 以上必要です。
6.5.2. TFBGA-80 ステンシルの設計
1. 台形壁へのステンレス鋼、 レーザーカット、 電解研磨のステンシルは、 はんだペーストの版離れ性を
良くするために使用します。
2. ステンシルの厚さは 0.125mm(5 ミル)です。
3. ステンシルの開口とランド・パッドのサイズの比は 1:1 とします。
6.5.3. TFBGA-80 カード・アセンブリ
1. 無洗浄のタイプ 3 はんだペーストが推奨されます。
2. 推奨カード・リフロー・プロファイルは、小型ボディ・コンポーネントの JEDEC/IPC J-STD-020 規格に
従っています。
82
改訂 1.0
SiM3L1xx
6.6. QFN-64 パッケージの仕様
Figure 6.10. QFN-64 Package Drawing
Table 6.8. QFN-64 Package Dimensions
Dimension
Min
Nominal
Max
A
0.80
0.85
0.90
A1
0.00
0.02
0.05
b
0.18
0.25
0.30
D
D2
9.00 BSC
3.95
4.10
e
0.50 BSC
E
9.00 BSC
4.25
E2
3.95
4.10
4.25
L
0.30
0.40
0.50
aaa
0.10
bbb
0.10
ccc
0.08
ddd
0.10
eee
0.05
Notes:
1. All dimensions shown are in millimeters (mm) unless otherwise noted.
2. Dimensioning and Tolerancing per ANSI Y14.5M-1994.
3. This package outline conforms to JEDEC MO-220.
4. Recommended card reflow profile is per the JEDEC/IPC J-STD-020
specification for Small Body Components.
改訂 1.0
83
SiM3L1xx
Figure 6.11. QFN-64 Landing Diagram
Table 6.9. QFN-64 Landing Diagram Dimensions
Dimension
mm
C1
8.90
C2
8.90
E
0.50
X1
0.30
Y1
0.85
X2
4.25
Y2
4.25
Notes:
1. All dimensions shown are in millimeters (mm).
2. This Land Pattern Design is based on the IPC-7351 guidelines.
3. All dimensions shown are at Maximum Material Condition (MMC).
Least Material Condition (LMC) is calculated based on a
Fabrication Allowance of 0.05 mm.
84
改訂 1.0
SiM3L1xx
6.6.1. QFN-64 はんだマスクの設計
メタル・パッドはすべて非はんだマスク定義 (NSMD) です。はんだマスクとメタル・パッドの隙間は、パッドの
全周囲に 60µm 以上必要です。
6.6.2. QFN-64 ステンシルの設計
1. 台形壁へのステンレス鋼、 レーザーカット、 電解研磨のステンシルは、 はんだペーストの版離れ性を
良くするために使用します。
2. ステンシルの厚さは 0.125mm(5 ミル)です。
3. ステンシル開口部とランド・パッドのサイズの比率は、全パッドで 1:1 としてください。
4. 1.5 mm ピッチの 1.0 mm x 1.0 mm 開口部の 3x3 配列は、 センター ・ グラウンド ・ パッドに使用する
必要があります。
6.6.3. QFN-64 カード・アセンブリ
1. 無洗浄のタイプ 3 はんだペーストが推奨されます。
2. 推奨カード・リフロー・プロファイルは、小型ボディ・コンポーネントの JEDEC/IPC J-STD-020 規格に
従っています。
改訂 1.0
85
SiM3L1xx
6.7. TQFP-64 パッケージの仕様
Figure 6.12. TQFP-64 Package Drawing
86
改訂 1.0
SiM3L1xx
Table 6.10. TQFP-64 Package Dimensions
Dimension
Min
Nominal
Max
A
—
—
1.20
A1
0.05
—
0.15
A2
0.95
1.00
1.05
b
0.17
0.22
0.27
c
0.09
—
0.20
D
12.00 BSC
D1
10.00 BSC
e
0.50 BSC
E
12.00 BSC
E1
10.00 BSC
L
0.45
0.60
0.75

0°
3.5°
7°
aaa
—
—
0.20
bbb
—
—
0.20
ccc
—
—
0.08
ddd
—
—
0.08
Notes:
1. All dimensions shown are in millimeters (mm) unless otherwise noted.
2. Dimensioning and Tolerancing per ANSI Y14.5M-1994.
3. This package outline conforms to JEDEC MS-026, variant ACD.
4. Recommended card reflow profile is per the JEDEC/IPC J-STD-020
specification for Small Body Components.
改訂 1.0
87
SiM3L1xx
Figure 6.13. TQFP-64 Landing Diagram
Table 6.11. TQFP-64 Landing Diagram Dimensions
Dimension
Min
Max
C1
11.30
11.40
C2
11.30
11.40
E
0.50 BSC
X
0.20
0.30
Y
1.40
1.50
Notes:
1. All dimensions shown are in millimeters (mm) unless otherwise
noted.
2. This land pattern design is based on the IPC-7351 guidelines.
88
改訂 1.0
SiM3L1xx
6.7.1. TQFP-64 はんだマスクの設計
メタル・パッドはすべて非はんだマスク定義 (NSMD) です。はんだマスクとメタル・パッドの隙間は、パッドの
全周囲に 60µm 以上必要です。
6.7.2. TQFP-64 ステンシルの設計
1. 台形壁へのステンレス鋼、 レーザーカット、 電解研磨のステンシルは、 はんだペーストの版離れ性を
良くするために使用します。
2. ステンシルの厚さは 0.125 mm(5 ミル)です。
3. ステンシル開口部とランド・パッドのサイズの比率は、全パッドで 1:1 としてください。
6.7.3. TQFP-64 カード・アセンブリ
1. 無洗浄のタイプ 3 はんだペーストが推奨されます。
2. 推奨カード・リフロー・プロファイルは、小型ボディ・コンポーネントの JEDEC/IPC J-STD-020 規格に
従っています。
改訂 1.0
89
SiM3L1xx
6.8. QFN-40 パッケージの仕様
Figure 6.14. QFN-40 Package Drawing
Table 6.12. QFN-40 Package Dimensions
Dimension
Min
Nominal
Max
A
0.80
0.85
0.90
A1
0.00
0.02
0.05
b
0.18
0.25
0.30
D
D2
6.00 BSC
4.35
4.50
e
0.50 BSC
E
6.00 BSC
4.65
E2
4.35
4.5
4.65
L
0.30
0.40
0.50
aaa
0.10
bbb
0.10
ccc
0.08
ddd
0.10
eee
0.05
Notes:
1. All dimensions shown are in millimeters (mm) unless otherwise noted.
2. Dimensioning and Tolerancing per ANSI Y14.5M-1994.
3. This package outline conforms to JEDEC MO-220.
4. Recommended card reflow profile is per the JEDEC/IPC J-STD-020
specification for Small Body Components.
90
改訂 1.0
SiM3L1xx
Figure 6.15. QFN-40 Landing Diagram
Table 6.13. QFN-40 Landing Diagram Dimensions
Dimension
mm
C1
5.90
C2
5.90
E
0.50
X1
0.30
Y1
0.85
X2
4.65
Y2
4.65
Notes:
1. All dimensions shown are in millimeters (mm).
2. This Land Pattern Design is based on the IPC-7351 guidelines.
3. All dimensions shown are at Maximum Material Condition (MMC).
Least Material Condition (LMC) is calculated based on a
Fabrication Allowance of 0.05 mm.
改訂 1.0
91
SiM3L1xx
6.8.1. QFN-40 はんだマスクの設計
メタル・パッドはすべて非はんだマスク定義 (NSMD) です。はんだマスクとメタル・パッドの隙間は、パッドの
全周囲に 60µm 以上必要です。
6.8.2. QFN-40 ステンシルの設計
1. 台形壁へのステンレス鋼、 レーザーカット、 電解研磨のステンシルは、 はんだペーストの版離れ性を
良くするために使用します。
2. ステンシルの厚さは 0.125 mm(5 ミル)です。
3. ステンシル開口部とランド・パッドのサイズの比率は、全パッドで 1:1 としてください。
4. 1.6 mm ピッチの 1.1 mm x 1.1 mm 開口部の 3x3 配列は、 センター ・ グラウンド ・ パッドに使用する
必要があります。
6.8.3. QFN-40 カード・アセンブリ
1. 無洗浄のタイプ 3 はんだペーストが推奨されます。
2. 推奨カード・リフロー・プロファイルは、小型ボディ・コンポーネントの JEDEC/IPC J-STD-020 規格に
従っています。
92
改訂 1.0
SiM3L1xx
7. リビジョン特有の動作
この章では、リリースされたデバイスのリビジョン間の相違点について説明します。
7.1. リビジョンの識別
デバイス・パッケージ上面のロット ID コードは、復号デバイスのリビジョン情報を示します。図 7.1、7.2、およ
び 7.3 では、デバイス・パッケージ上面のロット ID コードを確認する方法が示されています。
また、ファームウェアは、DEVICEID レジスタを確認することにより、デバイスのリビジョンを判断できます。
SiM3L167
C-GQ
1221CCS701
e3
TW
These characters identify the
device revision
Figure 7.1. SiM3L1x7-GQ Revision Information
TQFP-64
QFN-64
SiM3L166
C-GQ
1221CCS701
e3
TW
SiM3L166
C-GM
1221CCS701
e3
TW
These characters identify the
device revision
Figure 7.2. SiM3L1x6-GM and SiM3L1x6-GQ Revision Information
改訂 1.0
93
SiM3L1xx
QFN-40
TFBGA-80
SiM3L
164
CCS701
1221
SiM3L
167
CCS701
1221
This character identifies the
device revision
Figure 7.3. SiM3L1x7-GL and SiM3L1x4-GM Revision Information
94
改訂 1.0
SiM3L1xx
文書変更リスト
改訂 0.5 から改訂 1.0

最新の特性デ ー タ と 生産 テ ス ト 限界で電気仕様表 を 更新。

欠落していた信号 ACCTR0_LCPUL1 を 65 ページの表 6.2 「Pin Definitions and Alternate Functions for
SiM3L1x6」に追加 。

71 ページの表 6.3 「Pin Definitions and Alternate Functions for SiM3L1x4」から ACCTR0_LCIN1 と
ACCTR0_STOP0/1 信号を削除。

79 ページの図 6.8 「TFBGA-80 Package Drawing」 を 更新。
改訂 1.0
95
SiM3L1xx
お問い合わせ
Silicon Laboratories Inc.
400 West Cesar Chavez
Austin, TX 78701
Silicon Labs Technical Support Web ページ(
https://www.silabs.com/support/pages/contacttechnicalsupport.aspx)
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わないものとします。Silicon Laboratories は、さらなる予告なしに変更を行う権利を留保します。Silicon Laboratories は、特定の目的
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一切の責任を負わず、法的責任を否認します。これには必然的または偶発的損害が含まれますが、それに限定されるものではありませ
ん。Silicon Laboratories の製品は、生命をサポートまたは維持することを意図した用途、あるいは Silicon Laboratories の製品の故障が
人身の傷害または死亡を発生させ得る状況を起こす可能性のあるその他の用途においての使用のために設計されたものでなく、それを意
図してもおらず、それが認可されてもいません。買い手がそのような意図していない、または認可されていない用途のために Silicon
Laboratories の製品を購入または使用する場合は、買い手はすべての賠償要求および損害に対して Silicon Laboratories に免責の保証を
与え、同社に損害を与えないものとします。
Silicon Laboratories および Silicon Labs は、Silicon Laboratories Inc. の商標です。
この文書中に示されている他の製品やブランド名は、それぞれの所有者の商標または登録商標です。
96
改訂 1.0
SiM3L1xx
改訂 1.0
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