elm57801ga

双 P 沟道 MOSFET
ELM57801GA-S
■概要
■特点
ELM57801GA-S 是 P 沟道低输入电容、低工作
·Vds=-20V
电压、低导通电阻的大电流 MOSFET，内藏有两
·Id=-1.4A
·Rds(on) < 600mΩ (Vgs=-4.5V)
个 MOSFET。
·Rds(on) < 800mΩ (Vgs=-2.5V)
·Rds(on) < 1600mΩ (Vgs=-1.8V)
■绝对最大额定值
项目
漏极 - 源极电压
记号
Vds
栅极 - 源极电压
Vgs
Ta=25℃
漏极电流（定常）
Tc=25℃
结合部温度及保存温度范围
2
W
℃
■电路图
SC-70-6(俯视图)
1
A
0.2
-55 ～ 150
Tj, Tstg
■引脚配置图
A
0.3
Pd
Tc=70℃
V
-1.0
-6
Idm
容许功耗
5
±12
-1.4
Id
Ta=70℃
漏极电流（脉冲）
6
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
-20
V
4
3
引脚编号
引脚名称
1
2
3
SOURCE1
GATE1
DRAIN2
4
5
SOURCE2
GATE2
6
DRAIN1
D2
D1
G2
G1
5-1
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S1
S2
双 P 沟道 MOSFET
ELM57801GA-S
■电特性
项目
记号
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位
条件
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
Vds=-20V, Vgs=0V
栅极漏电电流
Igss
Vds=0V, Vgs=±12V
-20
-1
Ta=85℃
-5
±100
栅极阈值电压
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
-0.4
导通时漏极电流
Id(on) Vgs=-4.5V, Vds=-5V
-0.7
漏极 - 源极导通电阻
Vgs=-4.5V, Id=-0.6A
Rds(on) Vgs=-2.5V, Id=-0.5A
Vgs=-1.8V, Id=-0.4A
正向跨导
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
Gfs
Vsd
Is
动态特性
输入电容
输出电容
Ciss
Coss
反馈电容
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
导通上升时间
关闭延迟时间
关闭下降时间
Vds=-10V, Id=-0.4A
Is=-0.15A, Vgs=0V
Vgs=0V, Vds=-10V, f=1MHz
Crss
Qg
Qgs
Qgd
td(on)
V
-1.0
Vgs=-4.5V, Vds=-10V
tr
RL=30Ω, Id=-0.2A
td(off)
Rgen=10Ω
tf
5-2
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nA
V
A
460
680
1200
1
-0.65
70
20
600
800
1600
-1.20
-1
100
10
Vgs=-4.5V, Vds=-10V
Id=-0.25A
μA
1.0
mΩ
S
V
A
pF
pF
pF
1.3
nC
0.1
0.3
10
15
nC
nC
ns
10
40
15
60
ns
ns
30
50
ns
AFP1913
Alfa-MOS
20V P-Channel
Technology双 P 沟道 MOSFET
Enhancement Mode MOSFET
ELM57801GA-S
Typical
Characteristics
■标准特性和热特性曲线
©Alfa-MOS Technology Corp.
Rev.A July 2011
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Technology双 P 沟道 MOSFET
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20V P-Channel
Technology双 P 沟道 MOSFET
Enhancement Mode MOSFET
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■试验电路图和测试波形图
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