elm32d548a

单 N 沟道 MOSFET
ELM32D548A-S
■概要
■特点
ELM32D548A-S 是 N 沟道低输入电容，低工作
·Vds=30V
电压，低导通电阻的大电流 MOSFET。
·Id=85A
·Rds(on) < 4.6mΩ (Vgs=10V)
·Rds(on) < 7.2mΩ (Vgs=4.5V)
■绝对最大额定值
项目
漏极 - 源极电压
记号
Vds
栅极 - 源极电压
Vgs
Ta=25℃
漏极电流（定常）
漏极电流（脉冲）
崩溃电流
L=0.1mH
Tc=25℃
Tc=100℃
容许功耗
±20
85
Id
Ta=100℃
崩溃能量
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
备注
30
V
54
A
4
3
Idm
Ias
170
38
A
A
Eas
72
59
23
mJ
- 55 ~ 150
℃
Pd
结合部温度及保存温度范围
V
Tj, Tstg
W
■热特性
项目
最大结合部 - 封装热阻
记号
Rθjc
Rθja
最大结合部 - 环境热阻
■引脚配置图
典型值
最大值
单位
2.1
62.5
℃/W
℃/W
■电路图
D
TO-252-3(俯视图)
TAB
2
1
3
引脚编号
1
引脚名称
GATE
2
DRAIN
3
SOURCE
4-1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
G
S
备注
单 N 沟道 MOSFET
ELM32D548A-S
■电特性
项目
记号
条件
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位 备注
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
栅极漏电电流
Igss
栅极阈值电压
漏极 - 源极导通电阻
正向跨导
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
动态特性
30
V
Vds=24V,Vgs=0V
1
Vds=20V,Vgs=0V, Ta=125℃
10
Vds=0V, Vgs=±20V
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Vgs=10V, Id=20A
Rds(on)
Vgs=4.5V, Id=15A
Gfs Vds=5V, Id=20A
Vsd If=20A, Vgs=0V
1.50
μA
±100
nA
1.75
3.8
2.35
4.6
V
4.5
70
7.2
Is
mΩ
1
1.3
S
V
1
1
85
A
4
输入电容
Ciss
2320
pF
输出电容
反馈电容
栅极电阻
Coss Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz
Crss
Rg Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
346
285
0.9
pF
pF
Ω
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
栅极 - 漏极电荷
Qg
Qgs
54.0
7.5
nC
nC
2
2
17.3
24
nC
ns
2
2
16
63
24
ns
ns
ns
2
2
2
23
10
ns
nC
Vgs=10V, Vds=15V, Id=20A
导通延迟时间
Qgd
td(on)
导通上升时间
关闭延迟时间
关闭下降时间
tr
Vgs=10V, Vds=15V , Id=20A
td(off) Rgen=6Ω
tf
寄生二极管反向恢复时间
寄生二极管反向恢复电荷
trr
Qrr
If=20A, dIf/dt=100A/μs
备注：
1．脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒，
占空比≤2%。
2. 独立于工作温度。
3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。
4. 连续电流是基于最大允许结合部温度来计算的，封装限制电流为40A。
4-2
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单 N 沟道 MOSFET
NIKO-SEM
PD548BA
N-Channel
Enhancement Mode
ELM32D548A-S
Field Effect Transistor
TO-252
Halogen-Free & Lead-Free
■标准特性和热特性曲线
Output Characteristics
Transfer Characteristics
40
40
32
ID, Drain-To-Source Current(A)
ID, Drain-To-Source Current(A)
VGS=3V
VGS=10V
VGS=9V
VGS=8V
VGS=7V
VGS=6V
VGS=5V
VGS=4.5V
VGS=3.5V
24
16
VGS=2.5V
8
0
0
1
2
3
4
5
6
32
24
16
25�
-20�
8
125�
0
0
3
4
5
Capacitance Characteristic
On-Resistance VS Temperature
2.0
3000
1.8
2500
C , Capacitance(pF)
Normalized Drain to Source
ON-Resistance
2
VGS, Gate-To-Source Voltage(V)
VDS, Drain-To-Source Voltage(V)
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
VGS=10V
ID=20A
0.6
0.4
1
-50
-25
0
25
50
75
100
125
CISS
2000
1500
1000
500
COSS
CRSS
0
150
0
5
10
15
20
25
30
VDS, Drain-To-Source Voltage(V)
TJ , Junction Temperature(C)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Gate charge Characteristics
100
VDS=15V
ID=20A
8
IS , Source Current(A)
VGS , Gate-To-Source Voltage(V)
10
6
4
2
0
0
10
20
30
40
50
10
150�
0.1
60
25�
1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
VSD, Source-To-Drain Voltage(V)
Qg , Total Gate Charge(nC)
D-06-3
REV 1.0
3
4-3
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单 N 沟道 MOSFET
NIKO-SEM
TO-252
Halogen-Free & Lead-Free
Safe Operating Area
Single Pulse Maximum Power Dissipation
400
1000
Operation in This
Area is Limited by
RDS(ON)
Single Pulse
R�JC = 2.1 C/W
TC=25C
320
100
Power(W)
ID , Drain Current(A)
PD548BA
N-Channel
Enhancement Mode
ELM32D548A-S
Field Effect Transistor
1ms
10
0.1
160
10ms
NOTE :
1.VGS= 10V
2.TC=25C
3.R�JC = 2.1 C/W
4.Single Pulse
1
240
80
100ms
DC
1
10
0
0.001
100
0.01
VDS, Drain-To-Source Voltage(V)
0.1
1
10
100
Single Pulse Time(s)
Transient Thermal Response Curve
Transient Thermal Resistance
r(t) , Normalized Effective
10
Duty cycle=0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1
Notes
0.1
1.Duty cycle, D= t1 / t2
2.RthJC = 2.1 �/W
3.TJ-TC = P*RthJC(t)
4.RthJC(t) = r(t)*RthJC
single pulse
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
T1 , Square Wave Pulse Duration[sec]
D-06-3
REV 1.0
4
4-4
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