双 P 沟道 MOSFET ELM56801EA-S ■概要 ■特点 ELM56801EA-S 是 P 沟道低输入电容、低工作 ·Vds=-20V 电压、低导通电阻的大电流 MOSFET,内藏有两 ·Id=-3.2A, Rds(on)=100mΩ (Vgs=-4.5V) ·Id=-2.6A, Rds(on)=135mΩ (Vgs=-2.5V) 个 MOSFET。 ·Id=-1.5A, Rds(on)=190mΩ (Vgs=-1.8V) ■绝对最大额定值 项目 漏极 - 源极电压 记号 Vds 栅极 - 源极电压 Vgs Ta=25℃ Ta=70℃ 漏极电流(定常) 如没有特别注明时, Ta=25℃ 规格范围 单位 -20 V ±12 -3.2 -2.6 -20 Id 漏极电流(脉冲) Idm Tc=25℃ Tc=70℃ 容许功耗 A A 2.0 1.3 -55 ~ 150 Pd 结合部温度及保存温度范围 V Tj, Tstg W ℃ ■热特性 项目 最大结合部 - 环境热阻 记号 稳定状态 6 1 5 2 4 3 最大值 单位 120 ℃/W Rθja ■引脚配置图 SOT-26(俯视图) 典型值 ■电路图 引脚编号 引脚名称 1 2 3 GATE1 SOURCE2 GATE2 4 5 6 DRAIN2 SOURCE1 DRAIN1 D2 D1 G2 G1 5-1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 S1 S2 双 P 沟道 MOSFET ELM56801EA-S ■电特性 项目 记号 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 条件 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=-250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss Vds=-16V, Vgs=0V 栅极漏电电流 Igss Vds=0V, Vgs=±12V 栅极阈值电压 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA 导通时漏极电流 Id(on) 漏极 - 源极导通电阻 正向跨导 二极管正向压降 寄生二极管最大连续电流 动态特性 输入电容 -0.3 -3 Vgs=-1.8V, Id=-1.5A Vds=-5V, Id=-2.8A Is=-1.25A, Vgs=0V -0.7 Ciss Qg Qgs Qgd Vgs=0V, Vds=-6V, f=1MHz Vgs=-4.5V, Vds=-6V Id=-2.8A td(on) Vgs=-4.5V, Vds=-6V tr Id=-1.0A, RL=6Ω td(off) Rgen=6Ω tf 5-2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 μA nA V A 92 122 100 135 168 6.5 -0.75 190 Is 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 栅极 - 漏极电荷 关闭下降时间 -30 ±100 Vgs=-2.5V, Vds=-5V Vgs=-4.5V, Id=-3.2A Rds(on) Vgs=-2.5V, Id=-2.6A Coss Crss 关闭延迟时间 Ta=85℃ -6 Gfs Vsd V -1 Vgs=-4.5V, Vds=-5V 输出电容 反馈电容 开关特性 导通延迟时间 导通上升时间 -20 mΩ -1.30 S V -1.7 A 415 pF 223 87 pF pF 5.80 0.85 1.70 10.00 nC nC nC 13 36 25 60 ns ns 42 70 ns 34 60 ns AFP3981 Alfa-MOS 20V P-Channel Technology双 P 沟道 MOSFET Enhancement Mode MOSFET ELM56801EA-S ■标准特性和热特性曲线 Typical Characteristics ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.A Mar. 2011 www.alfa-mos.com Page 3 5-3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 AFP3981 Alfa-MOS 20V P-Channel Technology双 P 沟道 MOSFET Enhancement Mode MOSFET ELM56801EA-S Typical Characteristics ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.A Mar. 2011 www.alfa-mos.com Page 4 5-4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 AFP3981 Alfa-MOS 20V P-Channel Technology双 P 沟道 MOSFET Enhancement Mode MOSFET ELM56801EA-S Typical Characteristics ■试验电路图和测试波形图 ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.A Mar. 2011 www.alfa-mos.com Page 5 5-5 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。