elm34406aa

单 N 沟道 MOSFET
ELM34406AA-N
■概要
■特点
ELM34406AA-N 是 N 沟道低输入电容,低工作电压,
·Vds=40V
低导通电阻的大电流 MOSFET。
·Id=7.5A
·Rds(on) < 28mΩ (Vgs=10V)
·Rds(on) < 42mΩ (Vgs=4.5V)
■绝对最大额定值
项目
记号
Vds
Vgs
漏极 - 源极电压
栅极 - 源极电压
Ta=25℃
Ta=100℃
漏极电流(定常)
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
备注
40
V
±20
V
7.5
6.5
Id
漏极电流(脉冲)
Idm
Tc=25℃
容许功耗
20
2.5
Pd
Tc=100℃
结合部温度及保存温度范围
Tj, Tstg
A
A
3
W
1.3
- 55 ~ 150
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
稳定状态
记号
Rθja
■引脚配置图
典型值
最大值
50
单位
℃/W
备注
■电路图
SOP-8(俯视图)
1
8
2
7
3
6
4
5
引脚编号
引脚名称
1
2
SOURCE
SOURCE
3
4
5
SOURCE
GATE
DRAIN
6
7
DRAIN
DRAIN
8
DRAIN
4-1
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D
G
S
单 N 沟道 MOSFET
ELM34406AA-N
■电特性
项目
记号
条件
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位 备注
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
栅极漏电电流
Igss
40
V
Vds=32V,Vgs=0V
1
Vds=30V,Vgs=0V, Ta=125℃
10
Vds=0V, Vgs=±20V
栅极阈值电压
导通时漏极电流
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Id(on) Vgs=10V, Vds=10V
漏极 - 源极导通电阻
Rds(on)
1.0
20
Vgs=10V, Id=7.5A
Vgs=4.5V, Id=6.5A
Vds=10V, Id=7.5A
1.5
21
30
19
μA
±250
nA
2.5
V
A
1
mΩ
1
S
1
1
1.3
V
A
1
2.6
A
3
28
42
正向跨导
Gfs
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
Vsd
Is
二极管脉冲电流
Ism
动态特性
输入电容
输出电容
Ciss
Coss Vgs=0V, Vds=10V, f=1MHz
790
175
pF
pF
Crss
65
pF
Qg
16.0
nC
2
2.5
2.1
nC
nC
2
2
反馈电容
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
导通上升时间
关闭延迟时间
关闭下降时间
寄生二极管反向恢复时间
寄生二极管反向恢复电荷
Qgs
Qgd
If=Is, Vgs=0V
Vgs=10V, Vds=20V, Id=7.5A
td(on)
tr
Vgs=10V, Vds=20V , Id=1A
td(off) Rgen=6Ω
tf
trr
Qrr
If=5A, dlf/dt=100A/μs
If=5A, dlf/dt=100A/μs
备注:
1.脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒,
占空比≤2%。
2. 独立于工作温度。
3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。
4. 占空比≤1%。
4-2
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2.2
7.5
11.8
4.4
15.0
21.3
ns
ns
ns
2
2
2
3.7
15.5
7.9
7.4
ns
ns
nC
2
NIKO-SEM
N-Channel Logic Level Enhancement
P2804BVG
SOP-8
Lead-Free
Field Effect
Transistor
单Mode
N 沟道
MOSFET
ELM34406AA-N
■标准特性和热特性曲线
Body Diode Forward Voltage Variation with Source Current and Temperature
100
V GS = 0V
T A = 125° C
Is - Reverse Drain Current(A)
10
25° C
1
-55° C
0.1
0.01
0.001
0
0.4
0.2
0.6
0.8
1.0
VSD - Body Diode Forward Voltage(V)
4-3
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1.2
1.4
NIKO-SEM
N-Channel
LogicMOSFET
Level Enhancement
单 N 沟道
Mode
Field Effect Transistor
ELM34406AA-N
4-4
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P2804BVG
SOP-8
Lead-Free