elm32403la

单 P 沟道 MOSFET
ELM32403LA-S
■概要
■特点
ELM32403LA-S 是 P 沟道低输入电容，低工作电压，
低导通电阻的大电流 MOSFET。
·Vds=-40V
·Id=-8A
·Rds(on) < 55mΩ (Vgs=-10V)
·Rds(on) < 94mΩ (Vgs=-4.5V)
■绝对最大额定值
项目
记号
Vds
Vgs
漏极 - 源极电压
栅极 - 源极电压
Ta=25℃
Ta=70℃
漏极电流（定常）
漏极电流（脉冲）
Tc=25℃
容许功耗
Id
-8
-6
A
Idm
-32
A
28
Pd
Tc=70℃
结合部温度及保存温度范围
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
备注
-40
V
±20
V
W
18
Tj, Tstg
3
-55 ~ 150
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 封装热阻
最大结合部 - 环境热阻
稳定状态
记号
Rθjc
稳定状态
Rθja
■引脚配置图
典型值
最大值
3
单位
℃/W
75
℃/W
备注
■电路图
D
TO-252-3(俯视图)
TAB
2
1
引脚编号
引脚名称
1
2
GATE
DRAIN
3
SOURCE
3
4- 1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
G
S
单 P 沟道 MOSFET
ELM32403LA-S
■电特性
项目
记号
条件
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位 备注
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Vgs=0V, Id=-250μA
栅极接地时漏极电流
Idss
栅极漏电电流
Igss
-40
V
Vds=-32V, Vgs=0V
-1
Vds=-30V, Vgs=0V, Ta=125℃
-10
Vds=0V, Vgs=±20V
栅极阈值电压
导通时漏极电流
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V
漏极 - 源极导通电阻
Rds(on)
-1.0
-32
Vgs=-10V, Id=-8A
Vgs=-4.5V, Id=-6A
Vds=-10V, Id=-8A
-1.5
38
65
11
μA
±250
nA
-2.5
V
A
1
mΩ
1
S
1
-1
-1.3
V
A
1
-2.6
A
3
55
94
正向跨导
Gfs
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
Vsd
Is
二极管脉冲电流
Ism
动态特性
输入电容
输出电容
Ciss
Coss Vgs=0V, Vds=-10V, f=1MHz
690
310
pF
pF
Crss
75
pF
Qg
14.0
nC
2
2.2
1.9
nC
nC
2
2
反馈电容
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
导通上升时间
关闭延迟时间
关闭下降时间
寄生二极管反向恢复时间
寄生二极管反向恢复电荷
Qgs
Qgd
Is=If, Vgs=0V
Vgs=-10V, Vds=-20V, Id=-8A
td(on)
tr
Vgs=-10V, Vds=-20V
td(off) Id=-1A, RL=1Ω, Rgen=6Ω
tf
trr
Qrr
If=-5A, dIf/dt=100A/μs
If=-5A, dIf/dt=100A/μs
备注：
1．脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒，
占空比≤2%。
2. 独立于工作温度。
3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。
4. 占空比≤1%。
4- 2
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6.7
9.7
19.8
13.4
19.4
35.6
ns
ns
ns
2
2
2
12.3
15.5
7.9
22.2
ns
ns
nC
2
NIKO-SEM
P-Channel Logic Level Enhancement
Mode Field Effect Transistor
单 P 沟道 MOSFET
ELM32403LA-S
■标准特性和热特性曲线
4- 3
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P5504EDG
TO-252
Lead-Free
NIKO-SEM
P-Channel Logic Level Enhancement
Field MOSFET
Effect Transistor
单Mode
P 沟道
ELM32403LA-S
P5504EDG
TO-252
Lead-Free
4- 4
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AUG-19-2004