複合素子 K11908-010K 波長域の異なる2つのInGaAs PINフォトダイオードを 上下に配置し、広い感度波長範囲を実現 K11908-010Kは、カットオフ波長 1.7 μm・2.55 μmの2つのInGaAs PINフォトダイオードを同一光軸上に配置した複合素 子です。広い感度波長範囲 (0.9～2.55 μm)とともに低ノイズを実現しています。 特長 用途 カットオフ波長 1.7 μm・2.55 μmの2つのInGaAs PINフォト ダイオードを同一光軸上に配置 放射温度計 広い感度波長範囲: 0.9～2.55 μm 低ノイズ、低暗電流 光計測機器 分光測光 構成 項目 窓材 パッケージ 受光面サイズ 記号 - 条件 InGaAs (λc=1.7 μm) InGaAs (λc=2.55 μm) 仕様 硼珪酸ガラス 4ピン TO-5 2.4 × 2.4 φ1.0 単位 - 定格値 2 1 -40 ～ +70 -55 ～ +85 単位 mm 絶対最大定格 項目 逆電圧 動作温度 保存温度 記号 条件 InGaAs (λc=1.7 μm), Ta=25 °C VR max InGaAs (λc=2.55 μm), Ta=25 °C Topr Tstg V °C °C 注) 絶対最大定格を一瞬でも超えると、製品の品質を損なう恐れがあります。必ず絶対最大定格の範囲内で使用してください。 電気的および光学的特性 (Ta=25 ℃) 項目 記号 感度波長範囲 λ 最大感度波長 λp 受光感度 S 暗電流 ID 遮断周波数 fc 端子間容量 並列抵抗 比検出能力 Ct Rsh D* 条件 InGaAs (λc=1.7 μm) InGaAs (λc=2.55 μm) InGaAs (λc=1.7 μm) InGaAs (λc=2.55 μm) InGaAs (λc=1.7 μm), λ=λp InGaAs (λc=2.55 μm), λ=λp InGaAs (λc=1.7 μm), VR=1 V InGaAs (λc=2.55 μm), VR=0.5 V InGaAs (λc=1.7 μm), -3 dB VR=0 V, RL=50 Ω InGaAs (λc=2.55 μm), -3 dB VR=0 V, RL=50 Ω InGaAs (λc=1.7 μm), VR=0 V f=1 MHz InGaAs (λc=2.55 μm), VR=0 V f=1 MHz InGaAs (λc=1.7 μm), VR=10 mV InGaAs (λc=2.55 μm), VR=10 mV InGaAs (λc=1.7 μm), λ=λp InGaAs (λc=2.55 μm), λ=λp Min. 0.85 0.7 - Typ. 0.9 ～ 1.7 1.7 ～ 2.55 1.55 2.1 0.95 1.0 5 3 Max. 40 30 1 2 - 2 6 - - 1.5 2.5 - 0.5 1 1 2.8 1 × 1012 2 × 1010 10 14 5 × 1012 7 × 1010 - 単位 μm μm A/W nA μA MHz nF 浜松ホトニクス株式会社 MΩ kΩ cmăHz1/2/W 1 K11908-010K 複合素子 感度の温度特性 分光感度特性 (Typ. Ta=25 °C) 1.2 1.5 1.0 InGaAs (λc=1.7 µm) ۜഽ͈أഽ߸ତ (%/°C) ۜഽ (A/W) (Typ. VR=0 V, Ta=15∼65 °C) 2.0 0.8 InGaAs (λc=2.55 µm) 0.6 InGaAs (λc=1.7 µm) 0.4 0.2 1.0 0.5 0 -0.5 InGaAs (λc=2.55 µm) -1.0 -1.5 0 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9 2.0 2.1 2.2 2.3 2.4 2.5 2.6 -2.0 0.9 IJįı IJįIJ IJįij 1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9 2.0 2.1 2.2 2.3 2.4 2.5 2.6 ෨ಿ (µm) ෨ಿ (µm) KIRDB0495JB KIRDB0479JB 直線性 暗電流－逆電圧 (Typ. Ta=25 °C, λ=1.3 µm, RL=2 Ω, VR=0 V) 102 InGaAs (λc=1.7 µm) 100 µA 10 µA 98 ճഩၠ చۜഽ (%) 100 96 (Typ. Ta=25 °C) 1 mA InGaAs (λc=2.55 µm) 1 µA 100 nA InGaAs (λc=1.7 µm) 94 10 nA 92 90 1 nA InGaAs (λc=2.55 µm) 0 2 4 6 8 10 12 14 16 වৣၾ (mW) 100 pA 0.01 0.1 1 10 ݙഩգ (V) KIRDB0496JA KIRDB0480JA 2 K11908-010K 複合素子 端子間容量－逆電圧 並列抵抗－素子温度 (Typ. Ta=25 °C, f=1 MHz) 10 nF (Typ. VR=10 mV) 10 GΩ 1 GΩ InGaAs (λc=1.7 µm) InGaAs (λc=1.7 µm) 100 MΩ 10 MΩ Ⴅࢯ ঊۼယၾ 1 nF 100 pF 1 MΩ 100 kΩ 10 kΩ InGaAs (λc=2.55 µm) 1 kΩ InGaAs (λc=2.55 µm) 100 Ω 10 pF 0.001 0.01 0.1 1 10 10 Ω -40 -20 0 20 40 60 80 ளঊأഽ (°C) ݙഩգ (V) KIRDB0481JA KIRDB0482JA 外形寸法図 (単位: mm) වৣௗ ȁ6.3 ± 0.1 8.3 ± 0.2 ȁ0.43 ςȜΡ 30 min. 3.1 ± 0.3 InGaAs (λc=2.55 µm) 4.3 ± 0.3 6.5 ± 0.3 InGaAs (λc=1.7 µm) 0.3 max. 9.1 ± 0.3 5.1 ± 0.2 InGaAs InGaAs InGaAs InGaAs (λc=1.7 µm) ΕȜΡ (λc=1.7 µm) ͺΦȜΡ (λc=2.55 µm) ΕȜΡ (λc=2.55 µm) ͺΦȜΡ KIRDA0218JA 3 K11908-010K 複合素子 関連情報 www.hamamatsu.com/sp/ssd/doc_ja.html 注意事項 ・ 注意事項とお願い ・ メタル・セラミック・プラスチックパッケージ製品／使用上の注意 技術情報 ・ 赤外線検出素子／技術資料 ・ 赤外線検出素子／用語の解説 本資料の記載内容は、平成24年5月現在のものです。 ୋ͈ॽအ͉Ȃ٨ၻ͈̹̈́̓͛ထ̩࣬̈́་ࢵ̳̭̦̜̳ͥ͂ͤ͘ȃུၳ͉ୃ̹̳͛ͥܢͬږਹͅै଼̯̹͈̳̦ͦ́͜Ȃͦ͘ͅࢋܱ̈́̓ͥ͢ͅࢋ̦ͤ ̜ͥાࣣ̦̜̳ͤ͘ȃུୋͬঀဥ̳ͥष͉ͅȂຈ̴ොවॽအ̮ͬဥྵ͈ષȂड૧͈ॽအ̮̞̯̺̩ͬږȃ ොවॽအ̹͉͘ϋίσ̞̤̀ͅރȂ߿ྴ͈ྎͅॻॽအͬփྙ̳ͥĩřĪȂٳอॽအͬփྙ̳ͥĩśĪ̦ັ̩ાࣣ̦̜̳ͤ͘ȃ ུୋ͈༗બ͉ȂොවࢃIJාոඤ̦ͅอࡉ̯ͦḀ̑̾২̯̹ͦͅાࣣȂུୋ͈ਘၑ̹͉͘య͈ොවͬࡠഽ̱̳͂͘ȃ̹̺̱Ȃ༗બۼܢඤ̜́̽̀͜Ȃ ഛब̤͍͢ະഐ୨̈́ঀဥ֦̳ܳͥͅఅ͉̞̀̾ͅٺȂ২̷͉͈ୣ̵̞ͬͭ͘ȃ ུၳ͈ܱशඤယ̞̾̀ͅȂ২͈ݺౄ̱̈́ͅഢश̹͉͘ໝୋ̳̭̲̳ͥ͂ͬ͘ȃ ŸŸŸįũŢŮŢŮŢŵŴŶįŤŰŮ ୵రުאਫ਼ ಆ෨ުאਫ਼ ުאނਫ਼ ಎ໐ުאਫ਼ ఱिުאਫ਼ ୌུުאਫ਼ ɧĺĹıĮııIJIJ ɧĴıĶĮıĹIJĸ ɧIJıĶĮıııIJ ɧĵĴıĮĹĶĹĸ ɧĶĵIJĮııĶij ɧĹIJijĮııIJĴ ୵రঌဩߊષIJĮķĮIJIJġĩུྵ୵ర࢙൚రΫσijٴĪ ֟ઽࡇ̩̾͊ঌࡄڠݪŅķߊځĹْ౷ġĩࡄڠݪΑ·;ͿͺΫσĸٴĪ ނസࢽߊࡵΦĴĮĹĮijIJġĩࡵΦĴĴ૩ΫσĶٴĪ ຩઐঌಎߊग५ĴijĶĮķġĩུྵຩઐפஜΫσĵٴĪ ఱिঌಎ؇ߊհാijĮĴĮIJĴġĩఱि࣭षΫσIJıٴĪ ؖঌฎఉߊฎఉפIJĮIJĴĮķġĩಅ५ฎఉΫσĶٴĪ ŕņōġĩıijijĪġijķĸĮıIJijIJġġŇłřġĩıijijĪġijķĸĮıIJĴĶ ŕņōġĩıijĺĪġĹĵĹĮĶıĹıġġŇłřġĩıijĺĪġĹĶĶĮIJIJĴĶ ŕņōġĩıĴĪġĴĵĴķĮıĵĺIJġġŇłřġĩıĴĪġĴĵĴĴĮķĺĺĸ ŕņōġĩıĶĴĪġĵĶĺĮIJIJIJijġġŇłřġĩıĶĴĪġĵĶĺĮIJIJIJĵ ŕņōġĩıķĪġķijĸIJĮıĵĵIJġġŇłřġĩıķĪġķijĸIJĮıĵĶı ŕņōġĩıĺijĪġĵĹijĮıĴĺıġġŇłřġĩıĺijĪġĵĹijĮıĶĶı ࡥఘުאଔૺ໐ȁɧĵĴĶĮĹĶĶĹȁຩઐঌߊঌIJIJijķĮIJȁŕņōġĩıĶĴĪġĵĴĵĮĴĴIJIJȁŇłřġĩıĶĴĪġĵĴĵĮĶIJĹĵ Cat. No. KIRD1116J02 May 2012 DN 4