s11499 series kpin1082j

赤外高感度 Si PINフォトダイオード
S11499シリーズ
大面積、
近赤外高感度、
MEMS構造を応用
当社は、フォトダイオードの裏面にMEMS構造を形成することによって、近赤外域で高感度を実現したSi検出器を開発しました。
S11499シリーズは、900 nm以上の近赤外域の感度を大幅に向上させたSi PINフォトダイオードです。YAGレーザ (1.06 μm)に対し
て、当社従来品に比べ、約3倍の高感度化を実現しています。なお、950 nm以上における感度の温度特性も改善しています。
特長
用途
高感度: 0.6 A/W (λ=1060 nm)
YAGレーザモニタ
大受光面サイズ: φ5.0 mm (S11499-01)
高信頼性パッケージ: TO-5/TO-8メタルパッケージ
構成
S11499
TO-5
項目
パッケージ
窓材
受光面サイズ
有効受光面積
S11499-01
TO-8
単位
mm
mm2
硼珪酸ガラス
φ3.0
7.0
φ5.0
19.6
絶対最大定格
項目
逆電圧
動作温度
保存温度
S11499
条件
記号
VR max. Ta=25 °C
Topr
Tstg
S11499-01
単位
V
°C
°C
30
-40 ~ +100
-55 ~ +125
注) 絶対最大定格を一瞬でも超えると、製品の品質を損なう恐れがあります。必ず絶対最大定格の範囲内で使用してください。
電気的および光学的特性 (Ta=25 °C)
項目
記号
感度波長範囲
最大感度波長
受光感度
短絡電流
暗電流
λ
λp
S
Isc
ID
遮断周波数
fc
端子間容量
Ct
条件
λ=1060 nm
100 lx
VR=20 V
VR=20 V, -3 dB,
RL=50 Ω, λ=830 nm
VR=20 V, f=1 MHz
Min.
0.54
6.0
-
S11499
Typ.
360 ~ 1140
1000
0.6
7.8
0.05
Max.
5
Min.
0.54
15
-
-
30
-
-
15
-
MHz
-
13
-
-
33
-
pF
浜松ホトニクス株式会社
S11499-01
Typ.
Max.
360 ~ 1140
1000
0.6
21
0.1
10
単位
nm
nm
A/W
μA
nA
1
S11499シリーズ
Si PINフォトダイオード
分光感度特性
感度の温度特性
(Typ. Ta=25 °C)
0.8
QE=100%
1.0
‫أ‬ഽ߸ତ (%/°C)
0.6
਋࢕ۜഽ (A/W)
(Typ.)
1.5
0.4
ਲြΗͼί
0.2
ਲြΗͼί
0.5
0
S11499ΏςȜΒ
-0.5
S11499ΏςȜΒ
0
300 400 500 600 700 800 900 1000 1100 1200
-1.0
600
700
800
900
1000
1100
෨ಿ (nm)
෨ಿ (nm)
KPINB0368JB
KPINB0369JB
暗電流ー逆電圧
端子間容量ー逆電圧
(Typ. Ta=25 °C)
10 nA
(Typ. Ta=25 °C, f=1 MHz)
1 nF
1 nA
S11499-01
౤ঊ‫ۼ‬ယၾ
ճഩၠ
100 pF
S11499-01
100 pA
S11499
S11499
10 pF
10 pA
1 pA
0.01
0.1
1
10
100
1 pF
0.1
1
10
100
‫ݙ‬ഩգ (V)
‫ݙ‬ഩգ (V)
KPINB0370JA
KPINB0371JA
2
S11499シリーズ
Si PINフォトダイオード
外形寸法図 (単位: mm)
S11499-01
S11499
਋࢕໐
3.0
13.9 ± 0.2
10.5 ± 0.1
X
9.1 ± 0.2
X
12.35 ± 0.1
5.9 ± 0.1
8.1 ± 0.1
Y
Y
਋࢕໐
5.0
਋࢕࿂
5.0 ± 0.2
΄ρΑ
0.45
ġςȜΡ
5.08 ± 0.25
7.5 ± 0.2
(15)
0.5 max.
0.45
ςȜΡ
(20)
0.4 max.
2.8
2.5
΄ρΑ
4.2 ± 0.2
਋࢕࿂
ͼϋΟΛ·ΑζȜ·
1.4
1.5 max.
਋࢕໐ಎ૤̥ͣ΅λΛί
ಎ૤͈́͘଱༹
-0.3ɅXɅ+0.3
-0.3ɅYɅ+0.3
1.0 max.
ΉȜΑ
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डఱ0.15 mmେͤષ̦ͥાࣣ̦
̜̳ͤ͘ȃ
KPINA0116JA
਋࢕໐ಎ૤̥ͣ΅λΛί
ಎ૤͈́͘଱༹
-0.4ɅXɅ+0.4
-0.4ɅYɅ+0.4
ΉȜΑ
΄ρΑௗ͉Ȃ΅λΛίષ࿂ͤ͢
डఱ0.2 mmେͤષ̦ͥાࣣ̦
̜̳ͤ͘ȃ
KPINA0117JA
本資料の記載内容は、平成28年6月現在のものです。
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Cat. No.KPIN1082J04 Jun. 2016 DN
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