s8552 s8553 kspd1050j

Siフォトダイオード
S8552, S8553
真空紫外 (VUV)モニタ用フォトダイオード
S8552・S8553は真空紫外域に感度をもつフォトダイオードです。特にエキシマレーザ (ArF: 193 nm, KrF: 248 nm)のモニタに
適しています。VUV領域での使用に適した設計により、従来品と比較しVUV光照射に対する感度の安定性が向上しています。
特長
用途
エキシマレーザ (ArF: 193 nm, KrF: 248 nm)に対する信頼性が向上
真空紫外モニタ
大受光面サイズ
S8552: 10 × 10 mm
S8553: 18 × 18 mm
エキシマレーザモニタ
窓なしパッケージを採用
S8552: 16.5 × 15.0 mmセラミックパッケージ
S8553: 25.5 × 25.5 mmセラミックパッケージ
絶対最大定格 (Ta=25 °C)
項目
記号
VR max
Topr
Tstg
逆電圧
動作温度*
保存温度*
定格値
5
-20 ~ +60
-55 ~ +80
単位
V
°C
°C
* 結露なきこと
高湿環境においては、製品とその周囲で温度差があると製品表面が結露しやすく、特性や信頼性に影響が及ぶことがあります。
注) 絶対最大定格を一瞬でも超えると、製品の品質を損なう恐れがあります。必ず絶対最大定格の範囲内で使用してください。
電気的および光学的特性 (Ta=25 °C)
項目
記号
受光感度
暗電流
端子間容量
S
ID
Ct
上昇時間
tr
条件
λ=193 nm
VR=10 mV
VR=0 V, f=10 kHz
VR=0 V, RL=1 kΩ
10~90%
Min.
45
-
S8552
Typ.
60
0.05
4.0
Max.
1.0
-
Min.
45
-
S8553
Typ.
60
0.1
8.0
Max.
5.0
-
mA/W
nA
nF
-
9
-
-
18
-
μs
浜松ホトニクス株式会社
単位
1
S8552, S8553
Siフォトダイオード
VUV照射による感度変動
分光感度特性
(Typ. Ta=25 ˚C)
120
0.5
100
0.4
80
௖చۜഽ (%)
਋࢕ۜഽ (A/W)
0.6
0.3
0.2
[Typ. Ta=25 ˚C, ArF ΀΅ΏζτȜΎ, 0.1 mJ/cm2/ΩσΑ, f=100 Hz,
λ=193 nm, ΩσΑ໙=15 ns (FWHM)]
S8552, S8553
60
40
S1227/S1337ΏςȜΒ (ྚ໑গ຦)
20
0.1
0
100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 1100
෨ಿ (nm)
0
1 × 106
5 × 106
1 × 107
ΏοΛΠତ
KSPDB0357JA
KSPDB0359JA
(Typ. Ta=25 ˚C)
0.20
0.18
0.16
਋࢕ۜഽ (A/W)
0.14
0.12
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0
150
200
250
300
350
400
෨ಿ (nm)
KSPDB0358JA
2
Siフォトダイオード
S8552, S8553
外形寸法図 (単位: mm)
S8552
S8553
+0
16.5 ± 0.2
25.5 -0.6
਋࢕໐
18 × 18
2.15 ± 0.1
10.5
ϕ0.5
ςȜΡ
ฒΓρηΛ·
1.75
15.1 ± 0.3
5.0
12.5 ± 0.2
13.7 ± 0.3
ͺΦȜΡ
౤ঊζȜ·
ϕ0.45
ςȜΡ
10
2.54
਋࢕࿂
1.1
0.75
0.3
਋࢕࿂
+0
18.0
਋࢕໐
10 × 10
25.5 -0.6
18.0
15.0 ± 0.15
3.4
KSPDA0144JA
KSPDA0143JA
3
Siフォトダイオード
S8552, S8553
使用上の注意
S8552・S8553は窓のないパッケージを採用しており、フォトダイオードチップを保護するものがありません。
・クリーンルーム内で取り扱ってください。
・フォトダイオードチップ表面、ワイヤ部には絶対に触れないでください。
・防塵手袋・防塵マスクを着用してください。
・表面異物・付着物の除去はエアブローで吹き飛ばしてください。
・洗浄はできません。
紫外線照射時の注意
・紫外線照射により、製品の紫外感度の低下、暗電流の増加といった特性の劣化が生じることがあります。この現象は、照射量・照射
強度・使用時間・使用環境によって異なり、製品種によっても違います。製品を採用する前に、使用する紫外線環境下で耐性確認を
することを推奨します。
関連情報
www.hamamatsu.com/sp/ssd/doc_ja.html
注意事項
・ 製品に関する注意事項とお願い
・ メタル・セラミック・プラスチックパッケージ製品/使用上の注意
技術情報 ・ Siフォトダイオード/技術資料
・ Siフォトダイオード/用語の説明
・ Siフォトダイオード/信頼性
・ Siフォトダイオード/応用回路例
本資料の記載内容は、平成27年10月現在のものです。
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Cat. No. KSPD1050J04 Oct. 2015 DN
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