Siフォトダイオード S10355-01 S10356-01 CSP構造を採用した裏面入射型フォトダイオード CSP (chip size package)構造を採用することで、素子端のデッドスペースが最小になるように設計された裏面入射型フォ トダイオードです。複数の素子をタイル状に並べて使用することが可能です。 特長 用途 複数の素子をタイル状に並べて使用することが可能 フォトダイオード間のデッドエリアを最小にすることが できると同時に、大きなエリアをカバーします。 一般工業計測 X線検査装置 信号取り出し用端子にパターン電極を採用 基板裏面からの信号取り出し用端子として、リード、 はんだボールにも対応可能です。 詳細はお問い合わせください。 シンチレータとのカップリングが容易 ワイヤが受光部になく、シンチレータとの光学的結合 効率を最大にできるため、X線非破壊検査装置などの検出 部に適しています。 構成 S10355-01 7.52 × 7.52 7.37 × 7.37 6.97 × 6.97 項目 パッケージサイズ チップサイズ 受光面サイズ S10356-01 3×3 2.8 × 2.8 2.5 × 2.5 単位 mm mm mm 絶対最大定格 項目 最大逆電圧 動作温度 保存温度 リフローはんだ付け条件* 記号 VR max Topr Tstg Tsol 条件 Ta=25 °C 定格値 10 -20 ～ +60 -20 ～ +80 ピーク温度 240 °C (P.3参照) 単位 V °C °C - 注 ) 絶対最大定格を一瞬でも超えると、製品の品質を損なう恐れがあります。必ず絶対最大定格の範囲内で使用してください。 * JEDEC level 5a 電気的および光学的特性 (Ta=25 °C) 項目 記号 感度波長範囲 最大感度波長 λ λp 受光感度 S 短絡電流 暗電流 Isc ID 上昇時間 tr 端子間容量 Ct 条件 λ=960 nm λ=540 nm 100 lx, 2856 K VR=10 mV VR=0 V, RL=1 kΩ λ=650 nm VR=0 V, f=10 kHz Min. 0.55 0.35 30 - S10355-01 Typ. Max. 400 ～ 1100 960 0.59 0.37 40 0.1 1 Min. 0.55 0.35 4 - S10356-01 Typ. Max. 400 ～ 1100 960 0.59 0.37 5 0.01 0.3 単位 nm nm A/W A/W μA nA - 20 - - 15 - μs - 500 700 - 60 90 pF 浜松ホトニクス株式会社 1 S10355-01, S10356-01 Si フォトダイオード 感度のユニフォミティ (S10356-01) 分光感度特性 (Ta=25 °C, λ=690 nm, ΑεΛΠͼΒ 20 µm, VR=0 V) 0.7 100 0.6 80 చۜഽ (%) 0.4 0.3 60 40 0.2 20 0.1 0 400 0 500 600 700 800 900 1000 1100 0 1000 ෨ಿ (nm) 2000 ࿂ષ͈պ౾ (µm) KSPDB0288JD KSPDB0294JA 外形寸法図 (単位: mm) S10355-01 7.52 ± 0.1 ΄ρΑε΅Ώ (0.25) 1.0 ± 0.2 0.15 ࿂ 7.52 ± 0.1 ໐ (7.37) (7.37) (0.1) P3.085 × 2=6.17 P3.085 × 2=6.17 ۜഽ (A/W) 0.5 ΕȜΡ ͺΦȜΡ (8 ×) 1.0 (AuΩΗȜϋ) KSPDA0206JA 2 S10355-01, S10356-01 Si フォトダイオード S10356-01 ໐ (0.25) 0.15 (2.8) (2.8) 3.0 ± 0.1 3.0 ± 0.1 0.5 ± 0.15 (0.1) ࿂ ΄ρΑε΅Ώ (8 ×) 0.6 P1.1 × 2 = 2.2 (8 ×) 0.6 (AuΩΗȜϋ) 0.1 P1.1 × 2 = 2.2 ΕȜΡ ͺΦȜΡ KSPDA0175JC 当社の実験用熱風リフロー炉を用いた温度プロファイルの実測値例 本製品は、鉛フリーはんだ付けに対応しています。梱包開封後は、温度30 °C以下、湿度 60%以下の環境で保管して、24時間以内に はんだ付けをしてください。 300 °C 240 °C max. 220 °C أഽ 190 °C 170 °C ထح 70ȡ90 s ུح 40 s max. শۼ KPICB0171JA 3 Si フォトダイオード S10355-01, S10356-01 関連情報 www.hamamatsu.com/sp/ssd/doc_ja.html 注意事項 ・ 注意事項とお願い ・ 表面実装型製品／使用上の注意 技術情報 ・ Siフォトダイオード／技術資料 ・ Siフォトダイオード／用語の説明 ・ Siフォトダイオード／信頼性 ・ Siフォトダイオード／応用回路例 本資料の記載内容は、平成25年12月現在のものです。 ୋ͈ॽအ͉Ȃ٨ၻ͈̹̈́̓͛ထ̩࣬̈́་ࢵ̳̭̦̜̳ͥ͂ͤ͘ȃུၳ͉ୃ̹̳͛ͥܢͬږਹͅै଼̯̹͈̳̦ͦ́͜Ȃͦ͘ͅࢋܱ̈́̓ͥ͢ͅࢋ̦ͤ ̜ͥાࣣ̦̜̳ͤ͘ȃུୋͬঀဥ̳ͥष͉ͅȂຈ̴ොවॽအ̮ͬဥྵ͈ષȂड૧͈ॽအ̮̞̯̺̩ͬږȃ ොවॽအ̹͉͘ϋίσ̞̤̀ͅރȂ߿ྴ͈ྎͅॻॽအͬփྙ̳ͥĩřĪȂٳอॽအͬփྙ̳ͥĩśĪ̦ັ̩ાࣣ̦̜̳ͤ͘ȃ ུୋ͈༗બ͉ȂොවࢃIJාոඤ̦ͅอࡉ̯ͦḀ̑̾২̯̹ͦͅાࣣȂུୋ͈ਘၑ̹͉͘య͈ොවͬࡠഽ̱̳͂͘ȃ̹̺̱Ȃ༗બۼܢඤ̜́̽̀͜Ȃ ഛब̤͍͢ະഐ୨̈́ঀဥ֦̳ܳͥͅఅ͉̞̀̾ͅٺȂ২̷͉͈ୣ̵̞ͬͭ͘ȃ ུၳ͈ܱशඤယ̞̾̀ͅȂ২͈ݺౄ̱̈́ͅഢश̹͉͘ໝୋ̳̭̲̳ͥ͂ͬ͘ȃ ŸŸŸįũŢŮŢŮŢŵŴŶįŤŰŮ ୵రުאਫ਼ ಆ෨ުאਫ਼ ުאނਫ਼ ಎ໐ުאਫ਼ ఱिުאਫ਼ ୌུުאਫ਼ ɧĺĹıĮııIJIJ ɧĴıĶĮıĹIJĸ ɧIJıĶĮıııIJ ɧĵĴıĮĹĶĹĸ ɧĶĵIJĮııĶij ɧĹIJijĮııIJĴ ୵రঌဩߊષIJĮķĮIJIJġĩུྵ୵ర࢙൚రΫσijٴĪ ֟ઽࡇ̩̾͊ঌࡄڠݪŅķߊځĹْ౷ġĩࡄڠݪΑ·;ͿͺΫσĸٴĪ ނസࢽߊࡵΦĴĮĹĮijIJġĩࡵΦĴĴ૩ΫσĶٴĪ ຩઐঌಎߊग५ĴijĶĮķġĩུྵຩઐפஜΫσĵٴĪ ఱिঌಎ؇ߊհാijĮĴĮIJĴġĩఱि࣭षΫσIJıٴĪ ؖঌฎఉߊฎఉפIJĮIJĴĮķġĩಅ५ฎఉΫσĶٴĪ ŕņōġĩıijijĪġijķĸĮıIJijIJġġŇłřġĩıijijĪġijķĸĮıIJĴĶ ŕņōġĩıijĺĪġĹĵĹĮĶıĹıġġŇłřġĩıijĺĪġĹĶĶĮIJIJĴĶ ŕņōġĩıĴĪġĴĵĴķĮıĵĺIJġġŇłřġĩıĴĪġĴĵĴĴĮķĺĺĸ ŕņōġĩıĶĴĪġĵĶĺĮIJIJIJijġġŇłřġĩıĶĴĪġĵĶĺĮIJIJIJĵ ŕņōġĩıķĪġķijĸIJĮıĵĵIJġġŇłřġĩıķĪġķijĸIJĮıĵĶı ŕņōġĩıĺijĪġĵĹijĮıĴĺıġġŇłřġĩıĺijĪġĵĹijĮıĶĶı ࡥఘުאଔૺ໐ȁɧĵĴĶĮĹĶĶĹȁຩઐঌߊঌIJIJijķĮIJȁŕņōġĩıĶĴĪġĵĴĵĮĴĴIJIJȁŇłřġĩıĶĴĪġĵĴĵĮĶIJĹĵ Cat. No. KSPD1075J09 Dec. 2013 DN 4