日本語版

高電圧、双方向の
電流シャント・モニタ
AD8210
機能ブロック図
特長
±4000V HBM ESD
高い同相電圧範囲
−2∼＋65V（動作電圧）
−5∼＋68V（許容電圧）
バッファされた出力電圧
5mAの出力駆動能力
広い動作温度範囲：−40∼＋125℃
レシオメトリックなハーフスケール出力オフセット
優れたACおよびDC性能
代表的なオフセット・ドリフト：1µV/℃
代表的なゲイン・ドリフト：10ppm/℃
代表的なCMRR：120dB（＠DC）
代表的なCMRR：80dB（＠100kHZ）
8ピンSOICパッケージ
V SUPPLY
IS
RS
+IN
–IN
V+
VS
AD8210
負荷
V REF 1
G = +20
VOUT
アプリケーション
電流検出
モータ制御
伝送制御
ディーゼル噴射制御
エンジン管理
サスペンション制御
車両ダイナミック制御
DC/DCコンバータ
V REF 2
05147-001
GND
図1
概要
AD8210は、高い同相電圧条件下で小さい差動電圧を増幅する
場合に最適な単電源のディファレンス・アンプ です。入力同相
電圧範囲は−2∼＋65V、電源電圧は5V（typ）です。
AD8210 は SOIC パッケージを採用しており、動作温度範囲は
−40∼＋125℃です。
全温度範囲にわたって優れたACおよびDC性能があるため、測
定ループでの誤差を最小に抑えることができます。オフセッ
ト・ドリフトとゲイン・ドリフトは、それぞれ最大 8µV/ ℃、
20ppm/℃です。
REV. A
アナログ・デバイセズ株式会社
出力オフセットは、V REF1 ピンとV REF2 ピンを使用し、5V 電源
で0.05∼4.9Vまで調整できます。VREF1ピンをV+ピンに接続し、
VREF2ピンをGNDピンに接続すれば、出力設定がハーフスケー
ルになります。V REF1 ピンとV REF2 ピンの両方をGND に接続す
ると、出力はグラウンド近くからユニポーラになります。
VREF1とVREF2の両方をV+に接続すると、出力はV+近くからユ
ニポーラになります。その他のオフセットの場合は、外部電圧
をVREF1とVREF2に印加します。
アナログ・デバイセズ社は、提供する情報が正確で信頼できるものであることを期していますが、その情報の
利用に関して、あるいは利用によって生じる第三者の特許やその他の権利の侵害に関して一切の責任を負いま
せん。また、アナログ・デバイセズ社の特許または特許の権利の使用を明示的または暗示的に許諾するもので
もありません。仕様は、予告なく変更される場合があります。本紙記載の商標および登録商標は、各社の所有
に属します。
※日本語データシートはREVISIONが古い場合があります。最新の内容については、英語版をご参照ください。
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AD8210
目次
動作モード . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
一方向動作. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
双方向動作. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
入力フィルタリング . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
アプリケーション . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
ローサイド・スイッチ構成のハイサイド電流検出回路. . . 14
ハイサイド・スイッチ構成のハイサイド電流検出回路. . . 14
Hブリッジ・モータ制御 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
外形寸法 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
オーダー・ガイド. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
特長 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
アプリケーション . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
機能ブロック図 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
概要 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
改訂履歴 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
仕様 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
絶対最大定格 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
ESDに関する注意 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
ピン配置と機能の説明 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
代表的な性能特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
動作原理 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
改訂履歴
―Rev. 0 to Rev. A
4/07―
Changes to Features . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Changes to Input Section . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
Updated Outline Dimensions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
―Revision 0: Initial Version
4/06―
―2―
REV. A
AD8210
仕様
特に指定のない限り、TA＝動作温度範囲、VS＝5V。
表1
パラメータ
AD8210 SOIC1
Min
Typ
Max
単位
条件
V/V
%
%
ppm/℃
25℃、VO≧0.1V dc
TA
ゲイン
20
初期
精度
±0.5
全温度範囲での精度
±0.7
ゲイン・ドリフト
20
電圧オフセット
オフセット電圧（RTI）
±1.0
全温度範囲（RTI）
±1.8
オフセット・ドリフト
±8.0
mV
mV
µV/℃
25℃
TA
入力
入力インピーダンス
2
5
1.5
差動
同相
同相入力電圧範囲
−2
差動入力電圧範囲
同相ノイズ除去比
100
80
＋65
250
120
95
80
80
kΩ
MΩ
kΩ
V
mV
dB
dB
dB
dB
同相電圧＞5V
同相電圧＜5V
同相、連続
差動2
TA、f＝dc、VCM＞5V
TA、f＝dc∼100kHz3、VCM＜5V
TA、f＝100kHz3、VCM＞5V
TA、f＝40kHz3、VCM＞5V
出力
出力電圧範囲
0.05
出力インピーダンス
2
4.9
V
Ω
450
3
kHz
V/µs
7
70
µV p-p
nV/ Hz
RL＝25 kΩ
ダイナミック応答
小信号−3dB帯域幅
スルーレート
ノイズ
0.1∼10Hz（RTI）
スペクトル密度、1KHz（RTI）
オフセット調整
レシオメトリック精度4
0.499
精度（RTO）
出力オフセット調整範囲
VREF入力電圧範囲
VREF分圧器抵抗値
0.501 V/V
mV/V
4.9
V
VS
V
40
kΩ
±0.6
0.05
0.0
24
32
4.5
5.0
分圧器は電源に接続
並列接続したVREF1とVREF2に電圧を入力
VS＝5V
電源（Vs）
動作範囲
全温度範囲での無負荷時静止電流
電源電圧変動除去比
80
5.5
2
V
mA
dB
VCM＞5V5
温度範囲
規定性能
1
2
3
4
5
−40
＋125 ℃
TMIN∼TMAX＝−40∼＋125℃
差動入力電圧範囲＝±125mV（ハーフスケール出力オフセット）
信号源インピーダンス＜2Ω
オフセット調整は、VREF1とVREF2を電源の分圧器として使用するときに電源電圧に対してレシオメトリックになります。
入力同相電圧が5V未満のときに、電源電流が増大します。これは次式で計算できます。IS＝−0.7（VCM）＋4.2（図21を参照）
REV. A
―3―
AD8210
絶対最大定格
表2
パラメータ
定格
電源電圧
12.5V
連続入力電圧（VCM）
−5∼＋68V
逆電源電圧
0.3V
左記の絶対最大定格を超えるストレスを加えると、デバイスに
恒久的な損傷を与えることがあります。この規定はストレス定
格のみを指定するものであり、この仕様の動作セクションに記
載する規定値以上でのデバイス動作を定めたものではありませ
ん。デバイスを長時間絶対最大定格状態に置くと、デバイスの
信頼性に影響を与えることがあります。
ESDに関する注意
ESD定格
HBM（人体モデル）
±4000V
ESD（静電放電）の影響を受けやすいデバイス
CDM（デバイス帯電モデル） ±1000V
です。電荷を帯びたデバイスや回路ボードは、
検知されないまま放電することがあります。本
製品は当社独自の特許技術であるESD保護回路
を内蔵してはいますが、デバイスが高エネル
ギーの静電放電を被った場合、損傷を生じる可
能性があります。したがって、性能劣化や機能
低下を防止するため、ESDに対する適切な予防
措置を講じることをお勧めします。
動作温度範囲
−40∼＋125℃
保存温度範囲
−65∼＋150℃
出力短絡時間
無限
―4―
REV. A
AD8210
ピン配置と機能の説明
8
+IN
AD8210
7
V REF 1
上面図
6
V+
（実寸ではありません）
5
OUT
1
V REF 2 3
NC 4
NC＝接続なし
図2.
8
1
7
2
05147-003
–IN
GND 2
ピン配置
6
ピン機能の説明
ピン番号
記号
X
Y
1
−IN
−443
＋584
2
GND
−479
＋428
3
VREF2
−466
−469
4
NC
5
OUT
＋466
−537
6
V+
＋501
−95
7
VREF1
＋475
＋477
8
＋IN
＋443
＋584
3
REV. A
5
図3.
―5―
金属被覆図
05147-002
表3.
AD8210
2000
1600
1200
ゲイン誤差（PPM）
800
400
0
–400
–800
–1200
–1600
–30
–20
–10
図4.
0
10
20
40
60
80
100
120
30
50
70
90
110
温度（℃）
–2000
–40
–30
–20
–10
0
図7.
代表的なオフセット・ドリフト
140
30
25
130
20
10
20
40
60
80
100
120
30
50
70
90
110
温度（℃）
05147-033
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
–20
–40
–60
–80
–100
–120
–140
–160
–180
–200
–40
05147-030
V O SI ( µ V )
代表的な性能特性
代表的なゲイン・ドリフト
15
120
10
ゲイン（dB）
CNRR（dB）
5
110
+125°C
+25°C
100
90
–40°C
0
–5
–10
–15
–20
–25
80
–30
60
100
–45
–50
10
1k
10k
100k
周波数（Hz）
05147-032
–40
100
1k
10k
100k
1M
10M
周波数（Hz）
図5. CMRRの周波数／温度特性（同相電圧＜5V）
図8.
05147-014
–35
70
代表的な小信号帯域幅（VOUT＝200mVp-p）
140
100mV/DIV
130
+25°C
500mV/DIV
110
–40°C
+125°C
100
90
80
60
100
1k
10k
100k
周波数（Hz）
400ns/DIV
図6. CMRRの周波数／温度特性（同相電圧＞5V）
図9.
―6―
05147-017
70
05147-031
CNRR（dB）
120
立下がり時間
REV. A
AD8210
4V/DIV
100mV/DIV
0.02%/DIV
図10.
4µs/DIV
図13.
立上がり時間
05147-024
400ns/DIV
05147-018
500mV/DIV
セトリング時間（立下がり）
200mV/DIV
4V/DIV
0.02%/DIV
図11.
4µs/DIV
図14.
差動過負荷状態からの回復（立下がり）
05147-025
1µs/DIV
05147-016
2V/DIV
セトリング時間（立上がり）
50V/DIV
200mV/DIV
2V/DIV
図12.
REV. A
1µs/DIV
図15.
差動過負荷状態からの回復（立上がり）
―7―
同相応答（立下がり）
05147-019
1µs/DIV
05147-015
100mV/DIV
AD8210
5.0
4.9
4.8
4.7
50V/DIV
出力電圧範囲（V）
4.6
100mV/DIV
4.5
4.4
4.3
4.2
4.1
4.0
3.9
3.8
3.7
1µs/DIV
0
図19.
同相応答（立上がり）
8
1.4
7
1.2
6
5
4
3
2
図17.
20
40
60
80
100
120
140
0.8
0.6
0.4
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
出力シンク電流（mA）
図20.
出力シンク電流の温度特性
11
6.0
10
5.5
9
5.0
8
出力シンク電流 対 GNDからの出力電圧
範囲
電源電流（mA）
4.5
7
6
5
4
4.0
3.5
3.0
2
2.0
1
1.5
–20
0
20
40
60
80
100
120
温度（℃）
図18.
140
1.0
–2
0
2
4
6
同相電圧（V）
図21.
出力ソース電流の温度特性
―8―
8
65
05147-027
2.5
3
05147-026
最大出力ソース電流（mA）
1.0
05147-038
0
05147-022
–20
温度（℃）
0
–40
出力ソース電流 対 出力電圧範囲
0.2
1
0
–40
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0 6.5
出力ソース電流（mA）
GND からの出力電圧範囲（V）
最大出力シンク電流（mA）
図16.
3.5
05147-023
05147-020
3.6
同相電圧 対 電源電流
REV. A
AD8210
2100
+125°C
+25°C
–40°C
4000
1800
1500
カウント
カウント
3000
1200
900
2000
600
1000
–6
–3
0
3
9 10
6
VOS ドリフト（µV/℃）
図22.
0
–2.0
05147-034
0
–10 –9
–1.0
–0.5
0
0.5
1.0
1.5
2.0
VOS（mV）
オフセット・ドリフト分布（µV/℃）
（SOIC、温度範囲＝−40∼＋125℃）
図24.
3500
4000
3000
3500
オフセット分布（µV）
（SOIC、VCM＝5V）
+125°C
+25°C
–40°C
3000
カウント
2500
カウント
–1.5
05147-036
300
2000
1500
2500
2000
1500
1000
1000
500
0
3
6
9
12
15
18
20
ゲイン・ドリフト（PPM/℃）
図23.
REV. A
0
–2.0
05147-035
0
–1.5
–1.0
–0.5
0
0.5
1.0
1.5
2.0
VOS（mV）
ゲイン・ドリフト分布（PPM/℃）
（SOIC、
温度範囲＝−40∼＋125℃）
図25.
―9―
オフセット分布（µV）
（SOIC、VCM＝0V）
05147-037
500
AD8210
動作原理
Q1とQ2を流れる差動電流は、R3とR4によって差動電圧に変換
されます。A2は計装アンプとして構成されています。差動電圧
は、A2によってシングルエンド出力電圧に変換されます。ゲイ
ンは、レーザトリムされた 高精度薄膜抵抗によって20V/Vに内
AD8210は、通常、シャント抵抗を通る負荷電流によって生成
した小さな差動入力電圧を増幅するために使用します。高い同
相電圧（最大65V）を除去し、A/Dコンバータ（ADC）に接続
するグラウンド基準のバッファ出力を提供します。図 26 に、
AD8210の簡略回路図を示します。
部的に設定されます。
出力リファレンス電圧は、VREF1ピンとVREF2ピンで簡単に調整
できます。一般的な構成では、VREF1はVCCに接続され、VREF2
は GND に接続されます。この場合、入力信号が 0V のときに、
出力はVCC/2を中心とします。
AD8210は、差動アンプと計装アンプの2つの主要ブロックで構
成されています。入力端子の電圧は、外付けのシャント抵抗を
通る負荷電流によって生成します。入力端子は、抵抗R1 とR2
を介して差動アンプ（A1）に接続されています。A1は、トラ
ンジスタ Q1、Q2で抵抗R1、R2を通る電流を調整してその入
力端子にかかる電圧を除去します。AD8210への入力信号が0V
の場合は、R1とR2の電流が等しくなります。差動信号が0V以
外の場合は、2 つの抵抗を流れる一方の電流が大きくなり、も
う一方の電流が小さくなります。その電流差は入力信号の極性
と大きさに比例します。
ISHUNT
RSHUNT
R1
R2
VS
AD8210
A1
Q1
Q2
V REF 1
V OUT ＝（I SHUNT ×R SHUNT ）×20
A2
R3
R4
V REF 2
05147-004
GND
図26.
簡略回路図
― 10 ―
REV. A
AD8210
動作モード
V+基準出力
AD8210は、一方向または双方向動作に対応します。
一方向動作
一方向動作では、抵抗シャントを通る一方向の電流を測定でき
ます。一方向動作の基本モードは、グラウンド基準出力モード
とV+基準出力モードです。
このモードは、両方のリファレンス・ピンが正の電源に接続さ
れているときに設定されます。このモードが通常使用されるの
は、診断方式において、電源を負荷に供給する前にアンプと配
線の検出が必要になる場合です（図28、表5を参照）。
RS
一方向動作では、差動入力が0Vのときに出力を負のレール（グ
ラウンド近く）または正のレール（ V+ の近く）に設定できま
す。正しい極性の差動電圧が入力されると、出力が反対側の
レールに移動します。この場合、フルスケールは約250 mVで
す。差動入力で必要な極性は、出力電圧の設定によって異なり
ます。出力がグラウンドに設定されている場合は、極性をプラ
スにして出力を上げる必要があります（表5を参照）。出力が正
のレールに設定されている場合は、入力の極性をマイナスにし
て出力を下げる必要があります（表6を参照）。
+IN
–IN
VS
AD8210
0.1µF
V REF 1
グラウンド基準出力
このモードでAD8210を使用するときは、両方のリファレンス
出力
G = +20
入力がグラウンドに接続されます。そのため、出力は差動入力
電圧がゼロのときに負のレールに設定されます（図27、表4を
参照）。
V REF 2
RS
GND
–IN
VS
05147-006
+IN
0.1µF
図28.
V+基準出力
AD8210
表5.
V+＝5V
VIN（−INを基準）
V REF 1
出力
VO
0V
4.9V
−250mV
0.05V
G = +20
双方向動作
V REF 2
05147-005
GND
図27.
表4.
グラウンド基準の出力
双方向動作では、抵抗シャントを通る双方向の電流を測定でき
ます。出力オフセットは、出力範囲内のどこにでも設定できま
す。通常はハーフスケールに設定し、双方向で同じ測定範囲に
します。ただし、双方向の電流が非対称な場合は、ハーフス
ケール以外の電圧に設定します。
表6.
V+＝5V
V+＝5V、VO＝2.5V、VIN＝0V
VIN（−INを基準）
VO
VO
＋125mV
4.9V
0V
0.05V
−125mV
0.05V
250mV
4.9V
VIN（−INを基準）
リファレンス入力に電圧を加えて出力を調整することもできま
す。
REV. A
― 11 ―
AD8210
外部基準出力
RS
差動入力が存在しないときに、両方のVREFピンを外部リファレ
ンスに接続すると、リファレンス電圧で出力オフセットが生成
されます（図29を参照）。−INピンを基準にして入力が負の場
合は、出力がリファレンス電圧より下がります。−INピンを基
準にして入力が正の場合は、出力が大きくなります。
+IN
–IN
VS
0.1µF
AD8210
RS
+IN
–IN
V REF 1
VS
V REF
0.1µF
0V ≦V REF ≦V S
G = +20
AD8210
出力
V REF
V REF 2
0V≦ V REF ≦V S
V REF 1
GND
05147-008
出力
G = +20
図30.
外部リファレンスの分割
V REF 2
電源分割
05147-007
GND
図29.
外部リファレンス出力
外部リファレンスの分割
この場合は、一方のVREFピンをグラウンドに接続し、もう一方
のVREFピンをリファレンス電圧に接続して外部リファレンスを
約0.2%の精度で2分割します（図30を参照）。
VREF1ピンとVREF2ピンは高精度の内部抵抗に接続しており、抵
抗は内部オフセット・ノードに接続しています。これらのピン
に動作の違いはありません。
差動入力が存在しないときに、1本のリファレンス・ピンをV+
に接続し、もう1本をGNDピンに接続すると、出力は中間電源
に設定されます（図31を参照）。このモードは、外部リファレ
ンスを使用しなくても双方向電流の測定のために出力をオフ
セットできるので便利です。電源電圧に対してレシオメトリッ
クなミッドスケール・オフセットを生成できるため、電源電圧
が増大または減少しても出力はハーフスケールのままです。た
とえば、電源電圧が5.0Vの場合、出力はハーフスケール、すな
わち2.5Vになります。電源電圧が10%増大して5.5Vになると、
出力も10%増大して2.75Vになります。
RS
+IN
–IN
正しい動作を得るために、AD8210の出力オフセットを抵抗分
圧器で設定しないでください。外部抵抗を追加すると、ゲイン
誤差が生じます。 AD8210 の出力オフセットを設定するには、
低インピーダンスの電圧源を使用する必要があります。
VS
AD8210
0.1µF
V REF 1
G = +20
出力
V REF 2
05147-009
GND
図31.
― 12 ―
スプリット電源
REV. A
AD8210
入力フィルタリング
モータ、ソレノイド電流検出などの代表的なアプリケーション
では、 AD8210 の入力フィルタを使って、差動ノイズのほか、
入力シャント抵抗を流れるトランジェントや電流リップルも低
減できます。入力ローパス・フィルタは図32のように実装でき
ます。
RFILTERやCFILTERなどの外部コンポーネントを追加すると、新た
なシステム誤差が発生します。こうした誤差を最小限に抑える
ために、 10Ω 以内の R FILTER の使用を推奨します。 R FILTER を
AD8210の2kΩの内部入力抵抗と直列に接続すると、ゲイン誤
差が生じます。これは、次式を使って計算できます。
このフィルタの3dB周波数は次式で計算できます。
2kΩ
2kΩ−RFILTER
ゲイン誤差（%）＝100− 100×
f_3dB＝
1
（1）
2π×RFILTER×CFILTER
R SHUNT < RFILTER
RFILTER ≦10Ω
RFILTER ≦10Ω
CFILTER
+IN
–IN
VS
0.1µF
AD8210
V REF
V REF 1
0V ≦V REF ≦V S
出力
G = +20
V REF 2
05147-013
GND
図32.
REV. A
入力ローパス・フィルタ
― 13 ―
（2 ）
AD8210
アプリケーション
AD8210は、ハイサイドまたはローサイドの電流検出に最適で
す。3相／Hブリッジ・モータ制御、ソレノイド制御、電源電流
モニタなどのアプリケーションにおいて、AD8210の精度と性
5V
0.1µF
スイッチ
能が大きな利点になります。
ソレノイド制御の場合は、ローサイド・スイッチ構成のハイサ
イド電流検出回路、ハイサイド・スイッチ構成のハイサイド電
流検出回路の2つの代表的な回路構成を使用できます。
0.1µF
–IN
GND
V REF 2
NC
05147-011
NC＝接続なし
図34.
ハイサイド・スイッチ
スイッチが閉じているときにハイサイドのスイッチを使用する
と、バッテリ電源が負荷に接続されます。その結果、同相電圧
はバッテリ電圧のレベルまで上昇します。この場合、スイッチ
を開くと、誘導負荷の電圧が反転し、クランプ・ダイオードに
よって同相電圧をグラウンドより１ダイオード降下分だけ低い
状態に維持します。
Hブリッジ・モータ制御
V REF 1
–IN
GND
+V S
もう一つの典型的なアプリケーションは、AD8210をHブリッ
ジ・モータ制御回路で使用するものです。この場合、AD8210
をHブリッジの中間に配置し、モータで使用できるシャントを
使って双方向の電流を正確に測定できるようにします（図35を
参照）。この構成は再循環電流の測定に最適で、制御ループ診
断をさらに強化できます。
OUT
AD8210
V REF 2
NC
NC＝接続なし
05147-010
スイッチ
5V
0.1µF
コントローラ
ローサイド・スイッチ
この回路構成では、スイッチを閉じると同相電圧が負のレール
まで下がります。スイッチを開くと、誘導負荷の電圧が反転し、
クランプ・ダイオードによって同相電圧をバッテリより１ダイ
オード降下分だけ高い状態に維持します。
モータ
+IN
V REF 1
+V S
OUT
AD8210
シャント
–IN
ハイサイド・スイッチ構成のハイサイド電流
検出回路
GND
V REF 2
NC
5V
2.5V
NC＝接続なし
この構成は、予想外のソレノイド起動や過度の腐食を最小限に
抑えます（図34を参照）。この場合、スイッチとシャントの両
方がハイサイドにあります。スイッチがオフのときはバッテリ
が負荷から切断されるため、グラウンドへの短絡に起因する損
傷を防ぐことができ、しかもこの状態で再循環電流を測定した
り、診断を実行したりできます。大部分の時間は負荷と電源を
切断することで、負荷とグラウンド間の差動電圧によって生じ
る腐食の影響を最小限に抑えることができます。
図35.
05147-012
+IN
シャント
図33.
OUT
誘導負荷
5V
バッテリ
+V S
AD8210
クランプ・
ダイオード
この場合、 PWM 制御スイッチはグラウンドを基準にします。
誘導負荷（ソレノイド）は電源に接続し、抵抗シャントはス
イッチと負荷の間に配置します（図33を参照）。シャントをハ
イサイドに配置する利点は、スイッチがオフのときもシャント
がループ内にあるため、再循環電流を含め電流全体を測定でき
ることです。また、グラウンドへの短絡回路をハイサイドの
シャントで検出できるため、診断機能を強化できます。
誘導負荷
V REF 1
シャント
ローサイド・スイッチ構成のハイサイド電流
検出回路
クランプ・
ダイオード
+IN
バッテリ
モータ制御アプリケーション
AD8210は、Hブリッジの切替えやモータの方向切替えに従い、
順方向または逆方向の電流を測定することができます。
AD8210の出力は、外部リファレンス双方向モードの構成にし
ます（「動作モード」を参照）。
― 14 ―
REV. A
AD8210
外形寸法
5.00 (0.1968)
4.80 (0.1890)
5
4
1.27 (0.0500)
BSC
0.25 (0.0098)
0.10 (0.0040)
平坦性
0.10
実装面
6.20 (0.2441)
5.80 (0.2284)
0.50 (0.0196)
×45°
0.25 (0.0099)
1.75 (0.0688)
1.35 (0.0532)
0.51 (0.0201)
0.31 (0.0122)
8°
0°
0.25 (0.0098)
0.17 (0.0067)
1.27 (0.0500)
0.40 (0.0157)
JEDEC規格MS-012-AAに準拠
管理寸法はミリメートルの単位で表記しています。
カッコ内に示すインチ単位の寸法は、ミリメートル値に基づく概数で、
参考のためにのみ記載しています。設計ではこの値を使用しないでください。
図36.
D05147-0-4/07(A)-J
1
012407-A
8
4.00 (0.1574)
3.80 (0.1497)
8ピン標準スモール・アウトライン・パッケージ［SOIC_N］
ナローボディ
(R-8)
寸法単位：mm（インチ）
オーダー・ガイド
モデル
AD8210YRZ1
AD8210YRZ-REEL
1
AD8210YRZ-REEL71
1
温度範囲
パッケージ
パッケージ・
オプション
−40∼＋125℃
8ピンSOIC_N
R-8
−40∼＋125℃
8ピンSOIC_N、13インチ・テープ＆リール
R-8
−40∼＋125℃
8ピンSOIC_N、7インチ・テープ＆リール
R-8
Z＝RoHS準拠製品
REV. A
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