250mA出力の 単電源低価格アンプ AD8531/AD8532/AD8534 ピン配置 特長 単電源動作: 2.7 V～6 V OUT A 1 高出力電流: ±250 mA AD8531 5 V+ 4 –IN A 広い帯域幅: 3 MHz +IN A 3 スルーレート: 5 V/µs 位相反転なし 01099-001 V– 2 低電源電流:アンプ 1 個あたり 750 µA 図 1.5 ピン SC70 と 5 ピン SOT-23 (KS と RJ サフィックス) 低入力電流 ユニティ・ゲイン安定 AD8531 NC 1 アプリケーション マルチメディア・オーディオ LCD ドライバ 8 NC –IN A 2 7 V+ +IN A 3 6 OUT A V– 4 5 NC NC = NO CONNECT ASIC 入力アンプまたは出力アンプ ヘッドフォン・ドライバ 01099-002 レール to レールの入力および出力 図 2.8 ピン SOIC (R サフィックス) AD853x は、入力バイアス電流が非常に小さいため、積分器、ダ イオード増幅、低入力バイアス電流を必要とするその他のアプ リケーションで使うことができます。アンプ 1 個あたりの電源電 流は、5 V でわずか 750 µA であるため、小電流アプリケーショ ンで大電流負荷を制御することができます。 アプリケーションとしては、コンピュータ、サウンド・ポート、 サウンド・カード、セット・トップ・ボックスのオーディオ増 幅などがあります。AD853x ファミリーは非常に安定であるため、 LCD ドライバなどのような重い容量負荷を駆動することができ ます。 入力と出力でレール to レールの振幅能力を持っているため、単 電源システムで CMOS DAC、ASIC、その他の大きな出力振幅 デバイスに対するバッファとして使うことができます。 AD8531/ AD8532/ AD8534 の仕様は、拡張工業温度範囲(–40°C～ +85°C)で規定されています。 AD8531 は、8 ピン SOIC、5 ピン SC70、または 5 ピン SOT-23 のパッケージを採用しています。 AD8532 は、8 ピン SOIC、8 ピン MSOP、または 8 ピン TSSOP の 表面実装パッケージを採用しています。AD8534 は、ナロー14 ピン SOIC または 14 ピン TSSOP 表面実装パッケージを採用して います。 Rev. F OUT A 1 8 V+ –IN A 2 7 OUT B +IN A 3 6 –IN B V– 4 5 +IN B AD8532 図 3.8 ピン SOIC、8 ピン TSSOP、8 ピン MSOP (R、RU、RM サフィックス) OUT A 1 14 OUT D –IN A 2 13 –IN D +IN A 3 12 +IN D V+ 4 AD8534 11 V– +IN B 5 10 +IN C –IN B 6 9 –IN C OUT B 7 8 OUT C 01099-004 AD8531、AD8532、AD8534 は、それぞれシングル、デュアル、 クワッドのレール to レール入力/出力単電源アンプであり、出力 駆動電流は 250 mA です。これらのアンプは出力電流が大きいた め、抵抗負荷または容量負荷の駆動に優れています。3 MHz の帯 域幅、5 V/µs のスルーレート、低歪みであるため AC 性能は非常 に優れています。これら全デバイスは、3 V と 5 V の単電源動作 が保証されています。 01099-003 概要 図 4.14 ピン SOIC と 14 ピン TSSOP (R と RU サフィックス) アナログ・デバイセズ社は、提供する情報が正確で信頼できるものであることを期していますが、その情報の 利用に関して、あるいは利用によって生じる第三者の特許やその他の権利の侵害に関して一切の責任を負いま せん。また、アナログ・デバイセズ社の特許または特許の権利の使用を明示的または暗示的に許諾するもので もありません。仕様は、予告なく変更される場合があります。本紙記載の商標および登録商標は、各社の所有 に属します。 ※日本語データシートは REVISION が古い場合があります。最新の内容については、英語版をご参照くださ い。 ©1996–2008 Analog Devices, Inc. All rights reserved. 本 社／〒105-6891 東京都港区海岸 1-16-1 ニューピア竹芝サウスタワービル 電話 03（5402）8200 大阪営業所／〒532-0003 大阪府大阪市淀川区宮原 3-5-36 新大阪トラストタワー 電話 06（6350）6868 AD8531/AD8532/AD8534 目次 特長 ..................................................................................................... 1 周囲温度とケース温度の測定から消費電力を計算する方法 .12 アプリケーション.............................................................................. 1 電源電流の測定から消費電力を計算する方法.........................12 概要 ..................................................................................................... 1 入力過電圧保護機能 ....................................................................12 ピン配置.............................................................................................. 1 出力位相の反転 ............................................................................13 改訂履歴.............................................................................................. 2 容量負荷の駆動 ............................................................................13 仕様 ..................................................................................................... 3 電気的特性...................................................................................... 3 絶対最大定格...................................................................................... 5 熱抵抗.............................................................................................. 5 ESDの注意 ...................................................................................... 5 代表的な性能特性.............................................................................. 6 動作原理............................................................................................ 11 短絡保護機能................................................................................ 11 消費電力........................................................................................ 11 アプリケーション情報 ....................................................................14 高出力電流のバッファ付きリファレンス電圧/レギュレータ 14 単電源の平衡ライン・ドライバ.................................................14 単電源ヘッドフォン・アンプ ....................................................15 単電源の 2 ウエイ・ラウドスピーカ・クロスオーバ回路 .....15 電話回線インターフェース用のダイレクト・アクセス .........16 外形寸法............................................................................................17 オーダー・ガイド ........................................................................20 変動する負荷または未知の負荷での消費電力の計算............. 12 改訂履歴 1/08—Rev. E to Rev. F Changes to Layout................................................................................ 5 Changes to Figure 12 and Figure 13..................................................... 7 Changes to Figure 38 ......................................................................... 11 Changes to Input Overvoltage Protection Section .............................. 12 Changes to Figure 43 ......................................................................... 14 Updated Outline Dimensions ............................................................. 17 Changes to Ordering Guide................................................................ 20 4/05—Rev. D to Rev. E Updated Format.......................................................................Universal Changes to Pin Configurations............................................................. 1 Changes to Table 4............................................................................... 5 Updated Outline Dimensions ............................................................. 18 Changes to Ordering Guide................................................................ 19 10/02—Rev. C to Rev. D Deleted 8-Lead PDIP (N-8)..................................................... Universal Deleted 14-Lead PDIP (N-14)................................................. Universal Edits to Figure 34 ................................................................................. 9 Updated Outline Dimensions ............................................................. 15 8/96—Revision 0: Initial Version Rev. F － 2/20 － AD8531/AD8532/AD8534 仕様 電気的特性 特に指定がない限り、VS = 3.0 V、VCM = 1.5 V、TA = 25°C。 表 1. Parameter Symbol INPUT CHARACTERISTICS Offset Voltage VOS Conditions Min Typ −40°C ≤ TA ≤ +85°C Input Bias Current IB 5 −40°C ≤ TA ≤ +85°C Input Offset Current IOS 1 −40°C ≤ TA ≤ +85°C Input Voltage Range Common-Mode Rejection Ratio Large Signal Voltage Gain Offset Voltage Drift Bias Current Drift Offset Current Drift OUTPUT CHARACTERISTICS Output Voltage High CMRR AVO ΔVOS/ΔT ΔIB/ΔT ΔIOS/ΔT VCM = 0 V to 3 V RL = 2 kΩ, VO = 0.5 V to 2.5 V VOH IL = 10 mA −40°C ≤ TA ≤ +85°C IL = 10 mA −40°C ≤ TA ≤ +85°C Output Voltage Low VOL Output Current Closed-Loop Output Impedance IOUT ZOUT f = 1 MHz, AV = 1 PSRR ISY VS = 3 V to 6 V VO = 0 V POWER SUPPLY Power Supply Rejection Ratio Supply Current/Amplifier 0 38 2.85 2.8 SR tS GBP фo CS RL = 2 kΩ To 0.01% NOISE PERFORMANCE Voltage Noise Density en Current Noise Density Rev. F in Unit 25 30 50 60 25 30 3 mV mV pA pA pA pA V dB V/mV µV/°C fA/°C fA/°C 45 25 20 50 20 2.92 60 100 125 ±250 60 45 55 0.70 −40°C ≤ TA ≤ +85°C DYNAMIC PERFORMANCE Slew Rate Settling Time Gain Bandwidth Product Phase Margin Channel Separation Max V V mV mV mA Ω 1 dB mA 1.25 mA f = 1 kHz, RL = 2 kΩ 3.5 1.6 2.2 70 65 V/µs µs MHz Degrees dB f = 1 kHz f = 10 kHz f = 1 kHz 45 30 0.05 nV/√Hz nV/√Hz pA/√Hz － 3/20 － AD8531/AD8532/AD8534 特に指定がない限り、VS = 5.0 V、VCM = 2.5 V、TA = 25°C。 表 2. Parameter Symbol INPUT CHARACTERISTICS Offset Voltage VOS Conditions Min Typ −40°C ≤ TA ≤ +85°C Input Bias Current IB 5 −40°C ≤ TA ≤ +85°C Input Offset Current IOS 1 −40°C ≤ TA ≤ +85°C Input Voltage Range Common-Mode Rejection Ratio Large Signal Voltage Gain Offset Voltage Drift Bias Current Drift Offset Current Drift OUTPUT CHARACTERISTICS Output Voltage High CMRR AVO ΔVOS/ΔT ΔIB/ΔT ΔIOS/ΔT VCM = 0 V to 5 V RL = 2 kΩ, VO = 0.5 V to 4.5 V −40°C ≤ TA ≤ +85°C VOH IL = 10 mA −40°C ≤ TA ≤ +85°C IL = 10 mA −40°C ≤ TA ≤ +85°C Output Voltage Low VOL Output Current Closed-Loop Output Impedance IOUT ZOUT PSRR ISY VS = 3 V to 6 V VO = 0 V −40°C ≤ TA ≤ +85°C DYNAMIC PERFORMANCE Slew Rate Full-Power Bandwidth Settling Time Gain Bandwidth Product Phase Margin Channel Separation SR BWp tS GBP фo CS RL = 2 kΩ 1% distortion To 0.01% NOISE PERFORMANCE Voltage Noise Density en Rev. F in 4.9 4.85 Unit 25 30 50 60 25 30 5 mV mV pA pA pA pA V dB V/mV µV/°C fA/°C fA/°C 47 80 20 50 20 4.94 50 100 125 ±250 40 f = 1 MHz, AV = 1 POWER SUPPLY Power Supply Rejection Ratio Supply Current/Amplifier Current Noise Density 0 38 15 Max 45 55 0.75 1.25 1.75 V V mV mV mA Ω dB mA mA f = 1 kHz, RL = 2 kΩ 5 350 1.4 3 70 65 V/µs kHz µs MHz Degrees dB f = 1 kHz f = 10 kHz f = 1 kHz 45 30 0.05 nV/√Hz nV/√Hz pA/√Hz － 4/20 － AD8531/AD8532/AD8534 絶対最大定格 表 3. 2.5 Rating Supply Voltage (VS) Input Voltage Differential Input Voltage1 Storage Temperature Range Operating Temperature Range Junction Temperature Range Lead Temperature (Soldering, 60 sec) 7V GND to VS ±6 V −65°C to +150°C −40°C to +85°C −65°C to +150°C 300°C +VOH 2.0 1.5 1.0 6 V より低い電源では、差動入力電圧は±VS に等しくなります。 上記の絶対最大定格を超えるストレスを加えるとデバイスに恒 久的な損傷を与えることがあります。この規定はストレス定格 の規定のみを目的とするものであり、この仕様の動作セクショ ンに記載する規定値以上でのデバイス動作を定めたものではあ りません。デバイスを長時間絶対最大定格状態に置くとデバイ スの信頼性に影響を与えます。 0.5 0 01099-005 1 –VOL ±VOUT Parameter 0 20 40 60 80 100 120 RLOAD (Ω) 140 160 180 200 図 5.負荷対出力電圧 VS = ±2.5 V、RLOAD は GND (0 V)に接続 熱抵抗 θJA はワーストケース条件で規定。すなわち表面実装パッケージ の場合、デバイスを回路ボードにハンダ付けした状態で規定。 ESDの注意 ESD（静電放電）の影響を受けやすいデバイ スです。電荷を帯びたデバイスや回路ボード は、検知されないまま放電することがありま す。本製品は当社独自の特許技術である ESD 保護回路を内蔵してはいますが、デバイスが 高エネルギーの静電放電を被った場合、損傷 を生じる可能性があります。したがって、性 能劣化や機能低下を防止するため、ESD に対 する適切な予防措置を講じることをお勧めし ます。 表 4. Package Type θJA θJC Unit 5-Lead SC70 (KS) 5-Lead SOT-23 (RJ) 8-Lead SOIC (R) 8-Lead MSOP (RM) 8-Lead TSSOP (RU) 14-Lead SOIC (R) 14-Lead TSSOP (RU) 376 230 158 210 240 120 240 126 146 43 45 43 36 43 °C/W °C/W °C/W °C/W °C/W °C/W °C/W Rev. F － 5/20 － AD8531/AD8532/AD8534 代表的な性能特性 VS = 2.7V VCM = 1.35V TA = 25°C INPUT BIAS CURRENT (pA) 400 300 200 100 –10 –8 –6 –4 –2 0 INPUT OFFSET VOLTAGE (mV) 2 7 6 5 4 3 2 01099-006 –12 –35 4 図 6.入力オフセット電圧の分布 5 25 45 TEMPERATURE (°C) 65 85 VS = 5V TA = 25°C 8 INPUT BIAS CURRENT (pA) QUANTITY (Amplifiers) –15 図 9.入力バイアス電流の温度特性 VS = 5V VCM = 2.5V TA = 25°C 500 VS = 5V, 3V VCM = VS/2 01099-009 QUANTITY (Amplifiers) 500 8 400 300 200 6 5 4 3 –10 –8 –6 –4 –2 0 INPUT OFFSET VOLTAGE (mV) 2 4 0 図 7.入力オフセット電圧の分布 5 INPUT OFFSET CURRENT (pA) INPUT OFFSET VOLTAGE (mV) 6 –3 –4 –5 –6 –7 –15 5 25 45 TEMPERATURE (°C) 65 4 3 2 1 0 –2 85 図 8.入力オフセット電圧の温度特性 Rev. F VS = 5V, 3V VCM = VS/2 –1 01099-008 –8 –35 5 図 10.同相モード電圧対入力バイアス電流 VS = 5V VCM = 2.5V –2 1 2 3 4 COMMON-MODE VOLTAGE (V) 01099-011 –12 01099-010 2 01099-007 100 7 –35 –15 5 25 45 TEMPERATURE (°C) 65 図 11.入力オフセット電流の温度特性 － 6/20 － 85 AD8531/AD8532/AD8534 VS = 2.7V TA = 25°C 100 VS = 5V RL = NO LOAD TA = 25°C 80 SOURCE GAIN (dB) SINK 10 1 60 45 40 90 20 135 0 180 PHASE SHIFT (Degrees) ΔOUTPUT VOLTAGE (mV) 1000 01099-012 0.01 0.1 1 LOAD CURRENT (mA) 10 1k 100 5 VS = 5V TA = 25°C 4 OUTPUT SWING (V p-p) ΔOUTPUT VOLTAGE (mV) 100 10 SOURCE SINK 1 01099-013 0.01 0.1 1 LOAD CURRENT (mA) 10 100M VS = 2.7V TA = 25°C RL = 2kΩ VIN = 2.5V p-p 3 2 0 1k 100 10k 100k FREQUENCY (Hz) 1M 10M 図 16.クローズド・ループ出力振幅の周波数特性 図 13.負荷電流対電源レールまで近づく出力電圧 5 VS = 2.7V RL = NO LOAD TA = 25°C VS = 5V TA = 25°C RL = 2kΩ VIN = 4.9V p-p 45 40 90 20 135 0 180 PHASE SHIFT (Degrees) 60 OUTPUT SWING (V p-p) 4 80 GAIN (dB) 10M 1 0.1 0.01 0.001 100k 1M FREQUENCY (Hz) 図 15.オープン・ループ・ゲインおよび位相シフトの周波数特性 図 12.負荷電流対電源レールまで近づく出力電圧 1000 10k 01099-016 0.01 0.001 01099-015 0.1 3 2 10k 100k 1M FREQUENCY (Hz) 10M 100M 0 1k 01099-014 1k 図 14.オープン・ループ・ゲインおよび位相シフトの周波数特性 Rev. F 01099-017 1 10k 100k FREQUENCY (Hz) 1M 図 17.クローズド・ループ出力振幅の周波数特性 － 7/20 － 10M AD8531/AD8532/AD8534 1 160 IMPEDANCE (Ω) 140 120 100 80 AV = 10 60 AV = 1 01099-018 40 20 0 1k 10k 100k 1M LOAD CURRENT (mA) 10M VS = 5V TA = 25°C 0.1 01099-021 CURRENT NOISE DENSITY (pA/√Hz) VS = 5V TA = 25°C 180 0.01 10 100M 100 図 18.クローズド・ループ出力インピーダンスの周波数特性 COMMON-MODE REJECTION (dB) 10 100 VS = 5V TA = 25°C 90 80 70 60 50 01099-019 0% 40 1k MARKER 41µV/√Hz 10k 図 19.電圧ノイズ密度の周波数特性(1 kHz) VS = 5V AV = 1000 TA = 25°C FREQUENCY = 10kHz 140 120 200µV/DIV 90 10 01099-020 0% 1M 10M VS = 2.7V TA = 25°C 100 80 60 PSSR– 40 20 PSSR+ 0 –20 –40 MARKER 25.9µV/√Hz –60 100 1k 10k 100k FREQUENCY (Hz) 図 23.電源除去比の周波数特性 図 20.電圧ノイズ密度の周波数特性(10 kHz) Rev. F 100k FREQUENCY (Hz) 図 22.同相モード除去比の周波数特性 POWER SUPPLY REJECTION (dB) 100 100k 01099-022 100µV/DIV 100 90 10k 図 21.電流ノイズ密度の周波数特性 110 VS = 5V AV = 1000 TA = 25°C FREQUENCY = 1kHz 1k FREQUENCY (Hz) 01099-023 200 － 8/20 － 1M 10M AD8531/AD8532/AD8534 50 100 80 PSSR– 60 PSSR+ 20 0 –20 –60 100 1k 10k 100k FREQUENCY (Hz) 1M 30 –OS 20 10 0 10 10M 図 24.電源除去比の周波数特性 50 VS = 2.7V TA = 25°C RL = 2kΩ SMALL SIGNAL OVERSHOOT (%) 40 30 –OS 20 +OS 10 0 10 100 1000 CAPACITANCE (pF) 30 20 –OS 10 +OS 0 10 10000 SUPPLY CURRENT/AMPLIFIER (mA) –OS 30 +OS 20 10 100 1000 CAPACITANCE (pF) 0.85 0.80 0.75 0.70 VS = 5V 0.65 0.60 VS = 3V 0.55 0.50 –40 10000 図 26.負荷容量対小信号オーバーシュート Rev. F 10000 0.90 VS = 5V TA = 25°C RL = 2kΩ 40 0 10 100 1000 CAPACITANCE (pF) 図 28.負荷容量対小信号オーバーシュート 01099-026 SMALL SIGNAL OVERSHOOT (%) 50 10000 VS = 2.7V TA = 25°C RL = 600Ω 40 図 25.負荷容量対小信号オーバーシュート 60 100 1000 CAPACITANCE (pF) 図 27.負荷容量対小信号オーバーシュート 01099-025 SMALL SIGNAL OVERSHOOT (%) 50 +OS 01099-028 –40 40 01099-029 40 VS = 5V TA = 25°C RL = 600Ω 01099-027 VS = 5V TA = 25°C 01099-024 POWER SUPPLY REJECTION (dB) 120 SMALL SIGNAL OVERSHOOT (%) 140 –20 0 20 40 TEMPERATURE (°C) 60 図 29.アンプ 1 個あたりの電源電流の温度特性 － 9/20 － 80 AD8531/AD8532/AD8534 TA = 25°C VS = ±2.5V AV = 1 RL = 2kΩ TA = 25°C 100 0.7 90 0.6 0.5 0.4 0.3 10 0.2 0.1 0 0.75 1.00 1.50 2.00 SUPPLY VOLTAGE (±V) 2.50 500mV 3.00 図 30.電源電圧対アンプ 1 個あたりの電源電流 図 33.大信号過渡応答 VS = 1.35V VIN = 50mV AV = 1Ω RL = 2kΩ CL = 300pF TA = 25°C 20mV/DIV 500ns 01099-033 0% 01099-030 SUPPLY CURRENT/AMPLIFIER (mA) 0.8 VS = ±1.35V AV = 1 RL = 2kΩ TA = 25°C 100 90 0V 10 500mV 500ns 500 ns/DIV 01099-034 01099-031 0% 図 34.大信号過渡応答 図 31.小信号過渡応答 1V 10µs 100 VS = 2.5V VIN = 50mV AV = 1Ω RL = 2kΩ CL = 300pF TA = 25°C 10 0% 01099-035 0V 1V 01099-032 20mV/DIV 90 500ns/DIV 図 35.位相反転なし 図 32.小信号過渡応答 Rev. F － 10/20 － AD8531/AD8532/AD8534 動作原理 AD8531/ AD8532/ AD8534 はすべて、高出力電流駆動、レール to レール入力/出力の CMOS オペアンプです。AD8531/ AD8532/ AD8534 は、重い容量負荷で安定な高電流駆動が可能であるため、 LCD パネルの駆動アンプとして優れた選択肢です。 短絡保護機能 AD8531/AD8532/ AD8534 デザインでは、レールtoレール出力振 幅を実現するため、相補共通ソース出力ステージ(M15 とM16)を 採用していますが、出力電圧振幅は負荷電流に直接依存します。 これは、出力電圧と電源との差がAD8531/ AD8532/ AD8534 出力 トランジスタのオン・チャンネル抵抗により決定されるためで す(図 12 と 図 13 参照)。また、出力ステージは共通ソース・ア ンプを使っているため電圧ゲインも持っています。このため、 出力ステージの電圧ゲイン (したがってデバイスのオープン・ル ープ・ゲイン)は、AD8531/ AD8532/AD8534 出力の総合負荷抵 抗に強く依存します。 V+ 20µA 100µA M11 M1 M3 1.5 M4 M2 M15 OUT M6 VB3 M16 M9 M14 20µA M7 M10 V– M13 01099-036 50µA TJ MAX = 150°C FREE AIR NO HEAT SINK M8 IN– IN+ AD8531/ AD8532/ AD8534 は最大 250 mAの負荷電流を供給でき ますが、有効負荷電流駆動能力はデバイスのパッケージに許容 される最大消費電力に制限されます。すべてのアプリケーショ ンで、AD8531/ AD8532/ AD8534 の絶対最大ジャンクション温度 は 150°Cです。デバイスが故障することがあるので、最大ジャ ンクション温度を超えないようにしてください。集積回路の消 費電力の精確な測定は、常に簡単ではありません。図 38 は、安 全な出力電流駆動レベルの設定またはAD8531/ AD8532/ AD8534 に使用可能なパッケージ・オプションに対するヒート・シンク の選択の際に役立ちます。 M12 M5 VB2 消費電力 SOIC 1.0 θJA = 158°C/W MSOP θJA = 210°C/W SOT-23 θJA = 230°C/W SC70 0.5 θ = 376°C/W JA TSSOP θJA = 240°C/W 図 36.簡略化した等価回路 0 0 25 50 TEMPERATURE (°C) 01099-038 100µA 図 37.出力短絡保護機能 POWER DISSIPATION (W) 50µA 01099-037 AD8531/ AD8532/ AD8534 では最大負荷電流能力を持つように出 力ステージをデザインしているため、内部短絡保護回路があり ません。単電源アプリケーションでAD8531/ AD8532/ AD8534 出 図 36 に、AD8531/ AD8532/ AD8534 の簡略化した等価回路を示し 力を正電源に直結すると、デバイスが破壊されます。保護機能 ます。多くのレールtoレール入力アンプ構成と同様に、Nチャン は必要であるが、出力電圧ヘッドルームの減少を許容できない ネル(M1 とM2)とPチャンネル(M3 とM4)の 2 つの差動対から構成 アプリケーションでは、小さい値の抵抗を出力に直列に接続す されています。これらの差動対は 50 µAの電流源でバイアスされ、 ることができます(図 37 参照)。アンプの帰還ループ内に接続さ 各々のコンプライアンス限界は両電源電圧レールから約 0.5 Vで れた抵抗は、最大有効出力電圧振幅を制限する以外に、アンプ す。差動入力電圧は、その後一対の差動出力電流に変換されま 性能にほとんど影響を与えません。5 V単電源アプリケーション す。次に、これらの差動出力電流は、複合フォールディド・カ では、20 Ωより小さい抵抗の使用は推奨されません。 スケード構成の 2 番目のゲイン・ステージ(M5 とM9)に入力され 5V ます。2 番目のゲイン・ステージ出力(M8 とM9)は、レールtoレ RX VIN ール出力ステージのゲート電圧を駆動します。出力ステージに 20Ω VOUT AD8532 対するその他の信号電流の再結合は、M11 とM14 を使って行わ れます。 75 図 38.周囲温度対最大消費電力 Rev. F － 11/20 － 85 100 AD8531/AD8532/AD8534 これらの熱抵抗カーブは、各パッケージと 150°C の最大ジャン クション温度に対する AD8531/ AD8532/ AD8534 の熱抵抗デー タから求めたものです。すべてのアプリケーションで、AD8531/ AD8532/ AD8534 の内部ジャンクション温度を計算するときは、 次式を使うことができます。 TJ = PDISS × θJA + TA TJ = TC + PDISS θJA ここで、 TC はケース温度。 θJA と θJC はデータシートの値。 2 つの式を P(消費電力)について解くことができます。 TA + PDISS θJA = TC + PθJC ここで、 TJはジャンクション温度。 PDISSはデバイスの消費電力。 θJAはパッケージのジャンクション―ケース間の熱抵抗。 TAは回路の周囲温度。 PDISS = (TA − TC)/(θJC − θJA) 消費電力を求めた後、ジャンクション温度を再計算して、温度 を超えていないことを確認する必要があります。 AD8531/AD8532/ AD8534 の消費電力を計算するときは、次式を 使います。 PDISS = Iload × (VS − VOUT) ここで、 Iloadは出力負荷電流。 VSは電源電圧。 VOUTは出力電圧。 温度は、パッケージに触れずに近くで直接測定する必要があり ます。パッケージの測定は困難なことがあります。非常に小型 のバイメタル接点をパッケージに装着するか、あるいはスポッ ト・サイズが小さい場合には赤外線検出デバイスを使うことが できます。 電源電流の測定から消費電力を計算する方法 電源電圧と電源電流が既知の場合は、消費電力を直接計算する ことができますが、電源電流には DC 成分と容量負荷に流れる 括弧内の値は、出力トランジスタで発生する最大電圧です。 パルスが存在することがあり、このために rms 電流の計算が非 AD8531/ AD8532/ AD8534 の有効負荷電流の計算を支援するため、 常に困難になります。この困難は、電源ピンを持ち上げて rms 電 図 5 に、AD8531/ AD8532/ AD8534 出力電圧を負荷抵抗の関数と 流計を回路に接続することにより解決されます。この方法が機 して示します。 能するためには、測定しようとしている電源ピンから電流が供 給されていることを確認する必要があります。これは単電源シ 変動する負荷または未知の負荷での消費電力の計 ステムでは良い方法ですが、両電源システムの場合には、両電 源のモニタが必要になります。 算 デバイスが安全な範囲で動作しているか否かを見極めるための 集積回路の消費電力の計算は、見掛けほど簡単ではありません。 多くの場合、消費電力は直接測定できません。これは、不規則な 出力波形または負荷変動が原因になっています。このため消費 電力の間接的な測定方法が必要になります。 集積回路の消費電力の計算には 2 つの方法があります。1 つ目は パッケージ温度とボード温度を測定することにより行われ、2 つ目は回路の電源電流を直接測定することにより行われます。 周囲温度とケース温度の測定から消費電力を計算 する方法 入力過電圧保護機能 すべての半導体デバイスと同様に、入力がいずれかの電源電圧 を超える場合があるときは、デバイスの入力過電圧特性を考慮 する必要があります。過電圧が発生すると、加わる電圧の大き さと故障電流の大きさに応じて、アンプが壊れることがありま す。ここでは示してありませんが、入力電圧がいずれかの電源 より 0.6 V以上高くなると、AD8531/ AD8532/ AD8534 内部のpn 接合がエネルギを得て、入力から電源へ電流が流れるようにな ります。簡略化した等価入力回路(図 36)に示すように、AD8531/ AD8532/ AD8534 には電流制限抵抗が内蔵されていないため、故 障電流が急速に大きくなって損傷レベルに達します。 ジャンクション温度を計算する 2 つの式は次のようになります。 この入力電流は 5 mA 以下に抑えられているかぎり、デバイスに TJ = TA + PDISS θJA 損傷を与えるものではありません。AD8531/AD8532/ AD8534 の 場合、入力電圧が電源電圧より 0.6 V 以上高くなると、入力電流 ここで、 は急速に 5 mA を超えます。この状態が継続する場合は、直列抵 TJはジャンクション温度。 抗を外部に接続する必要があります。抵抗の値は、最大過電圧 TAは周囲温度。 を 5 mA で除算して計算されます。例えば、入力電圧が 10 V に θJAは、ジャンクション-周囲間の熱抵抗。 なる場合、外部抵抗は(10 V/5 mA) = 2 kΩ.になります。 この抵抗は、一方または両方の入力に過電圧状態が発生する場 合これらに直列に接続する必要があります。 Rev. F － 12/20 － AD8531/AD8532/AD8534 出力位相の反転 01099-040 5V 単電源動作用にデザインされたオペアンプでは、有効同相モード 範囲を超えて入力が駆動された場合、出力電圧で位相反転が生 VOUT じることがあります。AD8531/ AD8532/AD8534 には、電源電圧 AD8532 RS レールを超えない入力電圧を加えるかぎり、入力電圧範囲の制 VIN 5Ω 100mV p-p 約はありません。デバイスの出力には位相変化がありませんが、 CS CL 1µF 47nF 大きな電流が内部ジャンクションを経由して電源レールへ流れ ることがあります。これについては既に 入力過電圧保護機能の 図 40.スナバ回路による容量負荷の補償 セクションで説明しました。制限がないため、これらの故障電流 は容易にアンプに損傷を与えます。このため、入力電圧が電源 最初のステップでは、RSの抵抗値を決定します。初期値 100 Ωか 電圧を超える可能性があるアプリケーションに対して、入力過 ら始めて、小信号過渡応答が最適化されるまでこの値を減少させ 電圧保護機能のセクションで推奨した技術を使用する必要があ ます。次に、CSを求めます。10 µFから開始します。この値を性 ります。 能が許容できる最小値(一般に 1 µF)まで減少させます。AD8531/ AD8532/ AD8534 に 47 nFの負荷コンデンサを使用する場合、最 容量負荷の駆動 適スナバ回路は 5 Ωと 1 µFの直列接続になります。この効果は AD8531/ AD8532/ AD8534 は、優れた容量負荷駆動能力を持って 直ちに確認できます(図 41 参照)。上のカーブは 47 nFの負荷で、 います。図 25～図 28 に示すように、最大 10 nFを直接駆動する 下のカーブは 5 Ωと 1 µFの直列接続スナバ回路を使用して、そ ことができますが、デバイスが安定であっても、容量負荷の場 れぞれ取得しました。オーバーシュートとリンギングは大幅に減 合帯域幅が犠牲になります。図 39 に示すように、10 nFより大き 少しています。表 5 に、大きな負荷コンデンサに対するサンプ い負荷に対して、帯域幅は 1 MHz以下に減少します。出力のスナ ル・スナバ回路を示します。 バ・ネットワークは帯域幅を広げませんが、与えられた容量負 表 5.大きな容量負荷に対するスナバ回路 荷に対してオーバーシュートを大幅に削減します。スナバは直 列RC回路(RS、CS)で構成され、図 40 に示すようにデバイス出力 Load Capacitance (CL) Snubber Network (RS, CS) とグラウンドとの間に接続されます。この回路は負荷コンデン 0.47 nF 300 Ω, 0.1 µF サCLと並列に動作して、位相遅れ補償を提供します。抵抗とコ 4.7 nF 30 Ω, 1 µF ンデンサの実際の値は実験的に決定されます。 47 nF 5 Ω, 1 µF 4.0 VS = ±2.5V RL = 1kΩ TA = 25°C 3.5 50mV 100 BANDWIDITH (MHz) 3.0 47nF LOAD 90 ONLY 2.5 2.0 1.5 1.0 0.1 1 CAPACITIVE LOAD (nF) 10 SNUBBER 10 IN CIRCUIT 0% 100 50mV 図 41.47 nF 負荷に並列にスナバ回路を接続して オーバーシュートとリンギングを削減 図 39.容量負荷対ユニティ・ゲイン帯域幅 Rev. F 10µs － 13/20 － 01099-041 0 0.01 01099-039 0.5 AD8531/AD8532/AD8534 VOUT2 を別の(さらに高い)出力レベルにするときは、オプション の抵抗R3 (図 42 で点線表示)を追加して、新しいVOUT1 になるよ うします。 アプリケーション情報 高出力電流のバッファ付きリファレンス電圧/レ ギュレータ R2 VOUT1 VOUT2 1 R3 多くのアプリケーションで、非安定化入力電源に比較的近い値 の安定な電圧出力が必要とされます。このロー・ドロップアウ ト・タイプのリファレンス/レギュレータは、レールtoレール出 力 オ ペ ア ン プ を 使 っ て 容 易 に 実 現 で き る た め 、 AD8531/ AD8532/ AD8534 のような高電流デバイスを使うときに特に便利 です。代表的な例は、5 Vのシステム電源から発生する 3.3 Vまた は 4.5 Vのリファレンス電圧.です。これらの電圧の発生には、低 消費電力で出力 30 mA以下の REF196 (3.3 V)や REF194 (4.5 V)の ような 3 端子リファレンスが必要です。大きな電流および/また は電圧レベルに対してAD8531/ AD8532/ AD8534 バッファを使っ てこのようなリファレンス電圧を供給する方法、および負荷に 対するシンク/ソース能力を 図 42 に示します。 U2 AD8531 C1 0.1µF VOUT1 = 3.3V @ 100mA R2 10kΩ 1% R1 10kΩ 1% VC ON/OFF CONTROL INPUT CMOS HI (OR OPEN) = ON LO = OFF 2 3 U1 REF196 4 C2 0.1µF R3 (See Text) C5 100µF/16V TANTALUM 6 VOUT2 = 3.3V R5 0.2Ω C4 1µF R3 10kΩ R4 3.3kΩ VS COMMON 図 43 に示す回路は、業務用オーディオ・アプリケーションで使 用されるユニークなライン・ドライバ回路です。車載とマルチ メディア・オーディオのアプリケーション向けに変更されてい ます。5 V単電源でのこのライン・ドライバの歪みは、20 Hz～ 15 kHzの 600 Ω負荷(表示していません)で、かつ入力信号レベル 4 V p-pで、0.7%以下です。実際、AD8531/ AD8532/ AD8534 の 出力駆動能力は、下側 32 Ωまでの負荷に対してこのレベルを維 持します。1 V p-p以下の入力信号の場合、負荷に無関係にTHD は 0.1%以下になります。このデザインはトランスを使用しない 平衡伝送システムです。このようなシステムではノイズの出力 同相モード除去比が重要です。トランスを採用したシステムの 場合と同様に、不平衡ライン・ドライバ・アプリケーションでは、 回路ゲイン= 1 を変更することなく、一方の出力をグラウンドに 接続することができます。その他の回路ゲインは図に示す式を使 って設定することができます。これにより、デザインを容易に反 転動作、非反転動作、または差動動作に構成することができます。 VOUT COMMON 3 R2 10kΩ 図 42.高出力電流リファレンス/レギュレータ この回路のロー・ドロップアウト性能は、ステージ U2 により 提供されます。このステージ U2 は、U1 により発生される基本 リファレンス電圧のフォロワ/バッファとして接続された AD8531 から構成されています。AD8531/ AD8532/ AD8534 の低 電圧飽和特性により、説明で使用した回路(優れた DC 精度を持 つ 5 V から 3.3 V へのコンバータ)で最大 100 mA の負荷電流が可 能になります。実際、100 mA の負荷電流変化に対する DC 出力 電圧変化は 1 mV 以下と測定されています。これは 0.01 Ω 以下 の等価出力インピーダンスに相当します。このアプリケーショ ンでは、U1 からの安定な 3.3 V がノイズ・フィルタ(R1 と C1)を 介して U2 に加えられます。U2 は数 mV 以内で U1 電圧を再生 し、電圧 VOUT1 で大きな電流を出力し、大部分の IC リファレン ス電圧とは異なり、出力電流のシンクとソースの両能力を持っ ています。U2 の帰還パスにある R2 と C2 は、追加ノイズ・フィ ルタ機能を提供します。 A2 C1 22µF VIN 3 R3 R2 C3 47µF VOUT1 R6 10kΩ 5V 12V 2 6 1 7 R1 10kΩ R11 R12 10kΩ 10kΩ A1 A1, A2 = 1/2 AD8532 GAIN = 1 R7 10kΩ 5V R10 10kΩ SET: R7, R10, R11 = R2 6 5 A2 R8 100kΩ A1 5 7 R13 10kΩ R9 100kΩ R14 50Ω RL 600Ω C2 1µF C4 47µF VOUT2 SET: R6, R12, R13 = R3 図 43.マルチメディアおよび車載アプリケーション向けの 単電源平衡ライン・ドライバ 負荷電流の 100 mA ステップ変化に対するリファレンス/レギュ レータの過渡性能も非常に優れており、主に R5 と C5 の出力回 路により決定されています。図示の値で、過渡電圧は約 20 mV ピークで、両極性に対して 10 µs 以内に 2 mV 以内に安定します。 過渡応答の最適化に余裕がありますが、R5 と C5 の回路に対す る変更は、コンデンサ・タイプによってリンギングが大きくな らないことを実験により確認する必要があります。 Rev. F R5 50Ω 2 01099-042 C3 0.1µF 単電源の平衡ライン・ドライバ － 14/20 － 01099-043 VS 5V この回路は図示のように、5 V 対 3.3 V のリファレンス/レギュレ ータとして、またはオン/オフ制御付きとして使うことができま す。U1 のピン 3 をロジック制御信号で駆動すると、出力をオン/ オフ切り替えすることができます。オン/オフ制御を使う場合は、 R4 と U1 を組み合わせて使ってオン/オフ切り替えを高速化する 必要があることに注意してください。 AD8531/AD8532/AD8534 C1 0.01µF 単電源ヘッドフォン・アンプ AD8531/ AD8532/AD8534 は、高速で出力駆動能力が大きいため、 図 44 に示すような優れたヘッドフォン・ドライバに適していま す。低消費電力動作とレールtoレールの入力/出力により、5 V単 電源で最大の信号変化を可能にします。ヘッドフォンの駆動で 最大の信号振幅を保証するため、アンプ入力はV+/2(このケース では 2.5 V)にバイアスされています。正電源へ接続された 100 kΩの抵抗は 2 本の 50 kΩ抵抗に分割され、共通ポイントを 10 µF でバイパスして、電源ノイズがオーディオ信号へ混入するのを 防止しています。 V 5V 10µF 1/2 AD8532 1µF/0.1µF 16Ω 270µF LEFT HEADPHONE 50kΩ 10µF 100kΩ 1 RIN 100kΩ CIN 10µF 10µF 1/2 AD8532 16Ω 270µF RIGHT HEADPHONE 50kΩ 100kΩ 01099-044 10µF 図 44.単電源のステレオ・ヘッドフォン・ドライバ 単電源の 2 ウエイ・ラウドスピーカ・クロスオー バ回路 アクティブ・フィルタは、小型、寄生の影響が比較的ない、低/ 高チャンネル駆動の制御が容易、専用アンプによるドライバ制 動制御などの理由により、ラウドスピーカ・クロスオーバー回 路で役立ちます。Sallen-Key (SK)フィルタと多重帰還(MFB)フィ ルタのアーキテクチャは、アクティブ・クロスオーバー回路の 実現に有効です。図 45 に示す回路は、両フィルタ回路の利点を 組み合わせた単電源 2 ウエイ・アクティブ・クロスオーバー回 路です。 R5 31.6kΩ R6 31.6kΩ C4 0.02µF 100kΩ 100kΩ R4 49.9Ω DC – 500Hz 270µF + C3 0.01µF R7 15.8kΩ VS LO 100kΩ 6 7 5 U1B 10µF VS AD8532 5V 0.1µF 100µF/25V TO U1 COM 500 Hzのクロスオーバー例周波数は、抵抗またはコンデンサに よる周波数スケーリングにより上下にシフトさせることができ ます。回路を他の周波数に設定するときは、相補LP/HP動作を セクション間で維持し、セクション内の部品値は同じ比に維持 する必要があります。表 6 に、変更のデザイン支援と他の周波 数に対する推奨標準部品値を示します。 Crossover Frequency (Hz) R1/C1 (U1A)2, R5/C3 (U1B)3 100 200 319 500 1k 2k 5k 10 k 160 kΩ/0.01 µF 80.6 kΩ/0.01 µF 49.9 kΩ/0.01 µF 31.6 kΩ/0.01 µF 16 kΩ/0.01 µF 8.06 kΩ/0.01 µF 3.16 kΩ/0.01 µF 1.6 kΩ/0.01 µF 1 2 3 フィルタ A = 2 に使用可能。 Sallen-Key ステージ U1A 用: R1 = R2、C1 = C2 など。 多重帰還ステージ U1B 用: R6 = R5、R7 = R5/2、C4 = 2C3。 このアクティブ・クロスオーバーの THD+N は、汎用ユニティ・ ゲイン HP/LP ステージを使用した 1.4 V rms の出力レベルで 0.4% 以下です。 この 2 ウエイの例では、LO 信号は DC～500 Hz の LP ウーハ出力 で、HI 信号は HP (>500 Hz)ツィータ出力です。U1B は 500 Hz で LP セクションを構成し、U1A は 500 Hz 以上の周波数をカバー する HP セクションを構成しています。 Rev. F 4 表 6.様々なクロスオーバ周波数に対する RC 部品値1 50kΩ 50kΩ 2 R2 31.6kΩ アクティブ・フィルタとアクティブ・クロスオーバー回路の詳細 については、レールtoレール高出力電流デュアル・オペアンプ OP279 のデータ・シートを参照してください。 V RIGHT INPUT AD8532 図 45.単電源 2 ウエイ・アクティブ・クロスオーバ 50kΩ LEFT INPUT 100kΩ U1A 3 V 5V 50kΩ HI VS C2 0.01µF VIN 500Hz AND UP 01099-045 次にオーディオ信号は、10 µF のコンデンサを介して各入力へ AC 結合されます。 20 Hz のオーディオ情報を阻止しないために、 大きな値が必要です。入力に適切な DC バイアスが既にある場 合は、AC 結合とバイアス抵抗は不要です。アンプとヘッドフォ ンを接続するために、出力に 270 µF のコンデンサを使用してい ます。この値は入力で使用した値より大きくなっています。こ れはヘッドフォンのインピーダンスが小さいためです(32 Ω～600 Ω の範囲)。出力コンデンサと直列に 16 Ω の抵抗を追加してコン デンサの放電電流を制限することにより、オペアンプの出力ステ ージを保護します。48 Ω の負荷を駆動する場合、この回路の THD+N は 4 V p-p の出力駆動レベルで 0.3%以下です。 R3 49.9Ω 270µF + R1 31.6kΩ － 15/20 － AD8531/AD8532/AD8534 電話回線インターフェース用のダイレクト・アク セス P1 Tx GAIN ADJUST TO TELEPHONE LINE 1:1 2kΩ R3 360Ω 1 2 A1 R5 10kΩ 6.2V ZO 600Ω R2 9.09kΩ C1 R1 10kΩ 0.1µF 3 6.2V 5V DC T1 MIDCOM 671-8005 R6 10kΩ 6 7 A2 R7 10kΩ 5 R8 10kΩ 10µF R10 10kΩ R9 10kΩ R11 10kΩ A1, A2 = 1/2 AD8532 A3, A4 = 1/2 AD8532 R12 10kΩ 2 3 A3 1 R13 R14 10kΩ 14.3kΩ 2kΩ 6 5 P2 Rx GAIN ADJUST A4 7 C2 0.1µF 図 46.モデム用の単電源ダイレクト・アクセス Rev. F TRANSMIT TxA － 16/20 － RECEIVE RxA 01099-046 図 46 に、600 Ω 伝送システムに対する 5 V 専用の送信/受信電話 回線インターフェースを示します。この回路では、トランス結 合 600 Ω 回線で差動による信号の全二重伝送が可能です。A1 は、 モデム出力駆動条件に合わせて調整できるゲインを提供します。 A1 と A2 は、単電源でトランスに最大限の信号を供給するよう に設定されます。AD8531/ AD8532/ AD8534 は高出力電流駆動と ロー・ドロップアウト電圧を持つため、5 V 単電源で可能な最大 信号は 600 Ω 伝送システムで約 4.5 V p-p です。A3 は、送信信号 から受信信号への干渉を防止するためと、送信回線から受信信 号を取り出して A4 で増幅するための 2 つの理由からディファレ ンス・アンプに構成されます。A4 のゲインは、A1 の場合と同 じ方法で、モデムの入力信号条件に合わせて調節することがで きます。標準抵抗値であるため、シングル・インライン・パッ ケージ(SIP)フォーマットの抵抗アレイの使用が可能です。 AD8531/AD8532/AD8534 外形寸法 2.20 2.00 1.80 1.35 1.25 1.15 5 2.40 2.10 1.80 4 1 2 3 PIN 1 0.65 BSC 1.00 0.90 0.70 1.10 0.80 0.30 0.15 0.10 MAX 0.40 0.10 0.46 0.36 0.26 0.22 0.08 SEATING PLANE 0.10 COPLANARITY COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MO-203-AA 図 47.5 ピン薄型シュリンク・スモール・アウトライン・トランジスタ・パッケージ[SC70] (KS-5) 寸法: mm 2.90 BSC 5 4 2.80 BSC 1.60 BSC 1 2 3 PIN 1 0.95 BSC 1.90 BSC 1.30 1.15 0.90 1.45 MAX 0.15 MAX 0.50 0.30 0.22 0.08 10° 5° 0° SEATING PLANE 0.60 0.45 0.30 COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MO-178-A A 図 48.5 ピン・スモール・アウトライン・トランジスタ・パッケージ[SOT-23] (RJ-5) 寸法: mm 5.00 (0.1968) 4.80 (0.1890) 8 1 5 4 1.27 (0.0500) BSC 0.25 (0.0098) 0.10 (0.0040) COPLANARITY 0.10 SEATING PLANE 6.20 (0.2441) 5.80 (0.2284) 1.75 (0.0688) 1.35 (0.0532) 0.51 (0.0201) 0.31 (0.0122) 0.50 (0.0196) 0.25 (0.0099) 45° 8° 0° 0.25 (0.0098) 0.17 (0.0067) 1.27 (0.0500) 0.40 (0.0157) COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MS-012-A A CONTROLLING DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS; INCH DIMENSIONS (IN PARENTHESES) ARE ROUNDED-OFF MILLIMETER EQUIVALENTS FOR REFERENCE ONLY AND ARE NOT APPROPRIATE FOR USE IN DESIGN. 図 49.8 ピン標準スモール・アウトライン・パッケージ[SOIC_N] ナロー・ボディ (R-8) 寸法: mm (インチ) Rev. F － 17/20 － 012407-A 4.00 (0.1574) 3.80 (0.1497) AD8531/AD8532/AD8534 3.20 3.00 2.80 8 3.20 3.00 2.80 5.15 4.90 4.65 5 1 4 PIN 1 0.65 BSC 0.95 0.85 0.75 1.10 MAX 0.15 0.00 0.38 0.22 8° 0° 0.23 0.08 0.80 0.60 0.40 SEATING PLANE COPLANARITY 0.10 COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MO-187-AA 図 50.8 ピン・ミニ・スモール・アウトライン・パッケージ[MSOP] (RM-8) 寸法: mm 3.10 3.00 2.90 8 5 4.50 4.40 4.30 1 6.40 BSC 4 PIN 1 0.65 BSC 0.15 0.05 1.20 MAX COPLANARITY 0.10 0.30 0.19 SEATING 0.20 PLANE 0.09 8° 0° 0.75 0.60 0.45 COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MO-153-AA 図 51.8 ピン薄型シュリンク・スモール・アウトライン・パッケージ[TSSOP] (RU-8) 寸法: mm 5.10 5.00 4.90 14 8 4.50 4.40 4.30 6.40 BSC 1 7 PIN 1 1.05 1.00 0.80 0.65 BSC 1.20 MAX 0.15 0.05 0.30 0.19 0.20 0.09 SEATING COPLANARITY PLANE 0.10 8° 0° 0.75 0.60 0.45 COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MO-153-AB-1 図 52.14 ピン薄型シュリンク・スモール・アウトライン・パッケージ[TSSOP] (RU-14) 寸法: mm Rev. F － 18/20 － AD8531/AD8532/AD8534 8.75 (0.3445) 8.55 (0.3366) 8 14 1 7 1.27 (0.0500) BSC 0.25 (0.0098) 0.10 (0.0039) COPLANARITY 0.10 0.51 (0.0201) 0.31 (0.0122) 6.20 (0.2441) 5.80 (0.2283) 0.50 (0.0197) 0.25 (0.0098) 1.75 (0.0689) 1.35 (0.0531) SEATING PLANE 8° 0° 0.25 (0.0098) 0.17 (0.0067) 1.27 (0.0500) 0.40 (0.0157) COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MS-012-AB CONTROLLING DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS; INCH DIMENSIONS (IN PARENTHESES) ARE ROUNDED-OFF MILLIMETER EQUIVALENTS FOR REFERENCE ONLY AND ARE NOT APPROPRIATE FOR USE IN DESIGN. 図 53.14 ピン標準スモール・アウトライン・パッケージ[SOIC_N] ナロー・ボディ (R-14) 寸法: mm (インチ) Rev. F 45° － 19/20 － 060606-A 4.00 (0.1575) 3.80 (0.1496) AD8531/AD8532/AD8534 オーダー・ガイド Model Temperature Range Package Description Package Option Branding AD8531AKS-R2 AD8531AKS-REEL7 AD8531AKSZ-R21 AD8531AKSZ-REEL71 AD8531ART-REEL AD8531ART-REEL7 AD8531ARTZ-REEL1 AD8531ARTZ-REEL71 AD8531AR AD8531AR-REEL AD8531ARZ1 −40°C to +85°C −40°C to +85°C −40°C to +85°C −40°C to +85°C −40°C to +85°C −40°C to +85°C −40°C to +85°C −40°C to +85°C −40°C to +85°C −40°C to +85°C −40°C to +85°C 5-Lead SC70 5-Lead SC70 5-Lead SC70 5-Lead SC70 5-Lead SOT-23 5-Lead SOT-23 5-Lead SOT-23 5-Lead SOT-23 8-Lead SOIC_N 8-Lead SOIC_N 8-Lead SOIC_N KS-5 KS-5 KS-5 KS-5 RJ-5 RJ-5 RJ-5 RJ-5 R-8 R-8 R-8 A7B A7B A0Q A0Q A7A A7A A0P A0P AD8531ARZ-REEL1 −40°C to +85°C 8-Lead SOIC_N R-8 AD8532AR AD8532AR-REEL AD8532AR-REEL7 AD8532ARZ1 AD8532ARZ-REEL1 AD8532ARZ-REEL71 AD8532ARM-R2 AD8532ARM-REEL AD8532ARMZ-R21 AD8532ARMZ-REEL1 AD8532ARU AD8532ARU-REEL AD8532ARUZ1 AD8532ARUZ-REEL1 −40°C to +85°C −40°C to +85°C −40°C to +85°C −40°C to +85°C −40°C to +85°C −40°C to +85°C −40°C to +85°C −40°C to +85°C −40°C to +85°C −40°C to +85°C −40°C to +85°C −40°C to +85°C −40°C to +85°C −40°C to +85°C 8-Lead SOIC_N 8-Lead SOIC_N 8-Lead SOIC_N 8-Lead SOIC_N 8-Lead SOIC_N 8-Lead SOIC_N 8-Lead MSOP 8-Lead MSOP 8-Lead MSOP 8-Lead MSOP 8-Lead TSSOP 8-Lead TSSOP 8-Lead TSSOP 8-Lead TSSOP R-8 R-8 R-8 R-8 R-8 R-8 RM-8 RM-8 RM-8 RM-8 RU-8 RU-8 RU-8 RU-8 AD8534AR AD8534AR-REEL AD8534ARZ1 AD8534ARZ-REEL1 AD8534ARU AD8534ARU-REEL AD8534ARUZ1 AD8534ARUZ-REEL1 −40°C to +85°C −40°C to +85°C −40°C to +85°C −40°C to +85°C −40°C to +85°C −40°C to +85°C −40°C to +85°C −40°C to +85°C 14-Lead SOIC_N 14-Lead SOIC_N 14-Lead SOIC_N 14-Lead SOIC_N 14-Lead TSSOP 14-Lead TSSOP 14-Lead TSSOP 14-Lead TSSOP R-14 R-14 R-14 R-14 RU-14 RU-14 RU-14 RU-14 1 Z = RoHS 準拠製品。 Rev. F － 20/20 － ARA ARA A0R A0R