3/5/±5V、4/8 チャンネル CMOS アナログ・マルチプレクサ ADG658/ADG659 特長 機能ブロック図 両電源: ±2 V∼±6 V 単電源: 2∼12 V 車載温度範囲: −40°C∼+125°C リーク電流: 0.1 nA 以下 フル信号範囲でのオン抵抗: 45 Ω レール to レールのスイッチング動作 8:1 マルチプレクサ: ADG658 4:1 差動マルチプレクサ: ADG659 16 ピン LFCSP/TSSOP/QSOP パッケージを採用 消費電力: 0.1 µW(typ)以下 TTL/CMOS 互換入力 74HC4051/74HC4052 および MAX4051/MAX4052/ MAX4581/MAX4582 へのパッケージ・アップグレード ADG659 ADG658 S1 S1A DA S4A D S1B DB S8 S4B A0 A1 A2 1 OF 4 DECODER A0 EN A1 SWITCHES SHOWN FOR A LOGIC 1 INPUT アプリケーション EN 03273-0-001 1 OF 8 DECODER 図 1. 車載アプリケーション 自動テスト装置 データ･アクイジション･システム バッテリ駆動のシステム 通信システム オーディオ信号やビデオ信号のルーティング リレーの置き換え サンプル・アンド・ホールド・システム 工業用制御システム 概要 ADG658とADG659は、それぞれ8個のシングル・チャ ンネルと4個の差動チャンネルで構成されたCMOSアナ ログ・マルチプレクサです。ADG658は、3ビットのバ イナリ・アドレス・ラインA0、A1、A2による指定に 基づき、8入力(S1∼S8)の内の1つを共通出力に接続し ます。ADG659は、2ビットのバイナリ・アドレス・ラ インA0とA1による指定に基づき、4差動入力の内の１ つを共通差動出力に接続します。 両デバイスのEN入力は、デバイスをイネーブルまたは ディスエーブルするときに使います。ディスエーブル されると、すべてのチャンネルはスイッチ・オフされ ます。 これらのデバイスは、低消費電力で高速スイッチング を提供する強化された製造プロセスを採用してデザイ ンされています。これらのデバイスは、マルチプレクサ またはディマルチプレクサとして動作することができ、 電源電圧までの入力範囲を持っています。すべてのチ ャンネルはブレーク・ビフォ・メーク・スイッチング 動作を行うため、チャンネル切り替え時に瞬時的な短 絡は発生しません。すべてのデジタル入力は、0.8 V∼ Rev. B 2.4 Vのロジック・スレッショールドを持っているため、 +5 V単電源または±5 V両電源を使うTTL/CMOSロジッ クと互換性があります。 ADG658とADG659は、16ピンTSSOP/ QSOPパッケージ または16ピン4 mm × 4 mm LFCSPパッケージを採用し ています。 製品のハイライト 1. 2. 3. 4. 単電源動作と両電源動作が可能です。ADG658 と ADG659 は高性能を提供し、±5 V、+5 V、+3 V の 各電源レールに対して仕様が規定され保証されて います。 車載温度範囲は−40°C∼+125°C です。 低消費電力: 0.1 µW (typ)以下 16 ピン 4 mm × 4 mm LFCSP パッケージ、16 ピン TSSOP パッケージまたは 16 ピン QSOP パッケージ を採用しています。 アナログ・デバイセズ社は、提供する情報が正確で信頼できるものであることを期していますが、その情報の 利用に関して、あるいは利用によって生じる第三者の特許やその他の権利の侵害に関して一切の責任を負いま せん。また、アナログ・デバイセズ社の特許または特許の権利の使用を明示的または暗示的に許諾するもので もありません。仕様は、予告なく変更される場合があります。本紙記載の商標および登録商標は、各社の所有 に属します。 ※日本語データシートは REVISION が古い場合があります。最新の内容については、英語版をご参照くださ い。 ©2004-2009 Analog Devices, Inc. All rights reserved. 社／〒105-6891 東京都港区海岸 1-16-1 ニューピア竹芝サウスタワービル 電話 03（5402）8200 大阪営業所／〒532-0003 大阪府大阪市淀川区宮原 3-5-36 新大阪トラストタワー 電話 06（6350）6868 本 ADG658/ADG659 目次 特長 .......................................................................................... 1 絶対最大定格 .......................................................................... 9 アプリケーション .................................................................. 1 ESD の注意 .......................................................................... 9 機能ブロック図 ...................................................................... 1 ピン配置およびピン機能説明 ............................................. 11 概要 .......................................................................................... 1 代表的な性能特性................................................................. 13 製品のハイライト .................................................................. 1 テスト回路 ............................................................................ 16 改訂履歴 .................................................................................. 2 外形寸法 ................................................................................ 19 仕様 .......................................................................................... 3 オーダー・ガイド................................................................. 20 両電源 .................................................................................. 3 5 V 単電源 ............................................................................ 5 2.7 V∼3.6 V の単電源 ........................................................ 7 改訂履歴 2/09—Rev. A to Rev. B Changes to Ordering Guide .................................................... 20 7/04—Rev. 0 to Rev. A Updated Format ........................................................... Universal Added QSOP Package Outline ............................................... 20 Changes to Ordering Guide .................................................... 20 3/03—Rev. 0: Initial Version Rev. B − 2/20 − ADG658/ADG659 仕様 両電源 特に指定がない限り、VDD = +5 V ± 10%、VSS = −5 V ± 10%、GND = 0 V。 表 1. Parameter ANALOG SWITCH Analog Signal Range On Resistance (RON) On Resistance Match between Channels (∆RON) On Resistance Flatness (RFLAT(ON)) LEAKAGE CURRENTS Source OFF Leakage IS (OFF) Drain OFF Leakage ID (OFF) ADG658 ADG659 Channel ON Leakage ID, IS (ON) ADG658 ADG659 DIGITAL INPUTS Input High Voltage, VINH Input Low Voltage, VINL Input Current IINL or IINH CIN, Digital Input Capacitance DYNAMIC CHARACTERISTICS1 tTRANSITION tON (EN) tOFF (EN) +25°C B Version Y Version −40°C −40°C to +85°C to+125°C VSS to VDD 45 75 1.3 3 10 16 90 100 3.2 3.5 17 18 ±0.005 ±0.2 ±0.005 ±0.2 ±0.1 ±0.005 ±0.2 ±0.1 Unit Test Conditions/Comments V Ω typ Ω max Ω typ Ω max Ω typ Ω max VDD = +4.5 V, VSS = −4.5 V VS = ±4.5 V, IS = 1 mA; see Figure 21 ±5 ±2.5 nA typ nA max nA typ nA max nA max nA typ nA max nA max 2.4 0.8 V min V max µA typ µA max pF typ VIN = VINL or VINH ±1 ±5 ±5 ±2.5 0.005 2 VD = VS = ±4.5 V; see Figure 24 140 165 ns typ ns max RL = 300 Ω, CL = 35 pF VS = 3 V; see Figure 25 80 115 140 165 ns typ ns max RL = 300 Ω, CL = 35 pF VS = 3 V; see Figure 27 50 55 RL = 300 Ω, CL = 35 pF VS = 3 V; see Figure 27 RL = 300 Ω, CL = 35 pF VS1 = VS2 = 3 V; see Figure 26 VS = 0 V, RS = 0 Ω, CL = 1 nF; see Figure 28 RL = 50 Ω, CL = 5 pF, f = 1 MHz; see Figure 29 RL = 600 Ω, 2 V p-p, f = 20 Hz to 20 kHz RL = 50 Ω, CL = 5 pF, f = 1 MHz; see Figure 31 Charge Injection 2 4 30 45 50 Off Isolation Total Harmonic Distortion, THD + N Channel-to-Channel Crosstalk (ADG659) −3 dB Bandwidth −90 0.025 dB typ % typ −90 dB typ 10 ADG658 210 ADG659 400 Rev. B VD = ±4.5 V, VS = m 4.5 V; see Figure 23 80 115 ns typ ns max ns typ ns min pC typ pC max Break-Before-Make Time Delay, tBBM VS = 3.5 V, IS = 1 mA VDD = +5 V, VSS = −5 V; VS = ±3 V, IS = 1 mA VDD = +5.5 V, VSS = −5.5 V VD = ±4.5 V, VS = m 4.5 V; see Figure 22 MHz typ MHz typ − 3/20 − RL = 50 Ω, CL = 5 pF; see Figure 30 ADG658/ADG659 Parameter CS (OFF) CD (OFF) ADG658 ADG659 CD, CS (ON) ADG658 ADG659 POWER REQUIREMENTS IDD +25°C 4 B Version Y Version −40°C −40°C to +85°C to+125°C Unit pF typ Test Conditions/Comments f = 1 MHz 23 12 pF typ pF typ f = 1 MHz f = 1 MHz 28 16 pF typ pF typ f = 1 MHz f = 1 MHz VDD = +5.5 V, VSS = −5.5 V Digital Inputs = 0 V or 5.5 V 0.01 1 ISS 0.01 1 1 設計上保証しますが、出荷テストは行いません。 Rev. B − 4/20 − µA typ µA max µA typ µA max Digital Inputs = 0 V or 5.5 V ADG658/ADG659 5 V 単電源 特に指定がない限り、VDD = 5 V ± 10%、VSS = 0 V、GND = 0 V。 表 2. Parameter ANALOG SWITCH Analog Signal Range On Resistance (RON) On Resistance Match between Channels (∆RON) On Resistance Flatness (RFLAT(ON)) LEAKAGE CURRENTS Source OFF Leakage IS (OFF) Drain OFF Leakage ID (OFF) ADG658 ADG659 Channel ON Leakage ID, IS (ON) ADG658 ADG659 DIGITAL INPUTS Input High Voltage, VINH Input Low Voltage, VINL Input Current IINL or IINH CIN, Digital Input Capacitance DYNAMIC CHARACTERISTICS1 tTRANSITION +25°C B Version −40°C to +85°C Y Version −40°C to +125°C 0 to VDD 85 150 4.5 8 13 160 200 9 14 10 16 ±0.005 ±0.2 ±0.005 ±0.2 ±0.1 ±0.005 ±0.2 ±0.1 Unit Test Conditions/Comments V Ω typ Ω max Ω typ Ω max Ω typ VDD = 4.5 V, VSS = 0 V VS = 0 V to 4.5 V, IS = 1 mA; see Figure 21 VS = 3.5 V, IS = 1 mA VDD = 5 V, VSS = 0 V, VS = 1.5 V to 4 V, IS = 1 mA VDD = 5.5 V VS = 1 V/4.5 V, VD = 4.5 V/1 V; see Figure 22 ±5 ±2.5 nA typ nA max nA typ nA max nA max nA typ nA max nA max 2.4 0.8 V min V max µA typ µA max pF typ VIN = VINL or VINH ±1 270 300 ns typ ns max ns typ RL = 300 Ω, CL = 35 pF VS = 3 V; see Figure 25 RL = 300 Ω, CL = 35 pF ±5 ±5 ±2.5 0.005 2 VS = 1 V/4.5 V, VD = 4.5 V/1 V; see Figure 23 VS = VD = 1 V or 4.5 V, see Figure 24 tON (EN) 120 200 120 245 280 tOFF (EN) 190 35 ns max ns typ VS = 3 V; see Figure 27 RL = 300 Ω, CL = 35 pF 50 100 60 70 ns max ns typ VS = 3 V; see Figure 27 RL = 300 Ω, CL = 35 pF 10 0.5 1 −90 −90 ns min pC typ pC max dB typ dB typ VS1 = VS2 = 3 V; see Figure 26 VS = 2.5 V, RS = 0 Ω, CL = 1 nF; see Figure 28 180 330 5 MHz typ MHz typ pF typ RL = 50 Ω, CL = 5 pF; see Figure 30 29 15 pF typ pF typ f = 1 MHz f = 1 MHz Break-Before-Make Time Delay, tBBM Charge Injection Off Isolation Channel-to-Channel Crosstalk (ADG659) −3 dB Bandwidth ADG658 ADG659 CS (OFF) CD (OFF) ADG658 ADG659 Rev. B − 5/20 − RL = 50 Ω, CL = 5 pF, f = 1 MHz; see Figure 29 RL = 50 Ω, CL = 5 pF; f = 1 MHz; see Figure 31 f = 1 MHz ADG658/ADG659 Parameter CD, CS (ON) ADG658 ADG659 POWER REQUIREMENTS IDD +25°C B Version −40°C to +85°C Y Version −40°C to +125°C Unit Test Conditions/Comments 30 16 pF typ pF typ 0.01 µA typ µA max f = 1 MHz f = 1 MHz VDD = 5.5 V Digital Inputs = 0 V or 5.5 V 1 1 設計上保証しますが、出荷テストは行いません。 Rev. B − 6/20 − ADG658/ADG659 2.7 V∼3.6 V の単電源 特に指定がない限り、VDD = 2.7∼3.6 V、VSS = 0 V、GND = 0 V。 表 3. Parameter ANALOG SWITCH Analog Signal Range On Resistance (RON) On Resistance Match between Channels (∆RON) LEAKAGE CURRENTS Source OFF Leakage IS (OFF) Drain OFF Leakage ID (OFF) ADG658 ADG659 Channel ON Leakage ID, IS (ON) ADG658 ADG659 DIGITAL INPUTS Input High Voltage, VINH Input Low Voltage, VINL Input Current IINL or IINH CIN, Digital Input Capacitance DYNAMIC CHARACTERISTICS1 tTRANSITION +25°C B Version −40°C to +85°C Y Version −40°C to +125°C 0 to VDD 185 300 2 4.5 350 400 6 7 ±0.005 ±0.2 ±0.005 ±0.2 ±0.1 ±0.005 ±0.2 ±0.1 Unit Test Conditions/Comments V Ω typ Ω max Ω typ Ω max VDD = 2.7 V, VSS = 0 V VS = 0 V to 2.7 V, IS = 0.1 mA; see Figure 21 VS = 1.5 V, IS = 0.1 mA VDD = 3.3 V VS = 1 V/3 V, VD = 3 V/1 V; see Figure 22 ±5 ±2.5 nA typ nA max nA typ nA max nA max nA typ nA max nA max 2.0 0.5 V min V max µA typ µA max pF typ VIN = VINL or VINH ±1 440 490 ns typ ns max ns typ RL = 300 Ω, CL = 35 pF VS = 1.5 V; see Figure 25 RL = 300 Ω, CL = 35 pF ±5 ±5 ±2.5 0.005 2 VS = 1 V/3 V, VD = 3 V/1 V; see Figure 23 VS = VD = 1 V or 3 V, see Figure 24 tON (EN) 200 370 230 370 50 440 490 tOFF (EN) ns max ns typ VS = 1.5 V; see Figure 27 RL = 300 Ω, CL = 35 pF 80 200 90 110 ns max ns typ VS = 1.5 V; see Figure 27 RL = 300 Ω, CL = 35 pF 10 ns min pC typ pC max dB typ VS1 = VS2 = 1.5 V; see Figure 26 VS = 1.5 V, RS = 0 Ω, CL = 1 nF; see Figure 28 Off Isolation 1 2 −90 Channel-to-Channel Crosstalk −90 dB typ 160 300 5 MHz typ MHz typ pF typ RL = 50 Ω, CL = 5 pF; see Figure 30 29 15 pF typ pF typ f = 1 MHz f = 1 MHz Break-Before-Make Time Delay, tBBM Charge Injection (ADG659) −3 dB Bandwidth ADG658 ADG659 CS (OFF) CD (OFF) ADG658 ADG659 Rev. B − 7/20 − RL = 50 Ω, CL = 5 pF, f = 1 MHz; see Figure 29 RL = 50 Ω, CL = 5 pF; f = 1 MHz; see Figure 31 f = 1 MHz ADG658/ADG659 Parameter CD, CS (ON) ADG658 ADG659 POWER REQUIREMENTS IDD +25°C B Version −40°C to +85°C Y Version −40°C to +125°C 30 16 0.01 1 1 設計上保証しますが、出荷テストは行いません。 Rev. B − 8/20 − Unit Test Conditions/Comments pF typ pF typ f = 1 MHz f = 1 MHz VDD = 3.6 V Digital Inputs = 0 V or 3.6 V µA typ µA max ADG658/ADG659 絶対最大定格 特に指定のない限り、TA = 25℃。 上記の絶対最大定格を超えるストレスを加えるとデバ イスに恒久的な損傷を与えることがあります。この規 定はストレス定格の規定のみを目的とするものであり、 この仕様の動作のセクションに記載する規定値以上で のデバイス動作を定めたものではありません。デバイ スを長時間絶対最大定格状態に置くとデバイスの信頼 性に影響を与えます。 表 4. Parameter VDD to VSS VDD to GND VSS to GND Analog Inputs1 Digital Inputs1 Peak Current, S or D (Pulsed at 1 ms, 10% duty cycle max) Continuous Current, S or D Operating Temperature Range Automotive (Y Version) Industrial (B Version) Storage Temperature Range Junction Temperature θJA Thermal Impedance 16-Lead QSOP 16-Lead TSSOP 16-Lead LFCSP (4-Layer Board) Lead Temperature, Soldering Vapor Phase (60 sec) Infrared (15 sec) ESD 1 Rating 13 V −0.3 V to +13 V +0.3 V to −6.5 V VSS − 0.3 V to VDD + 0.3 V GND − 0.3 V to VDD + 0.3 V or 10 mA, whichever occurs first 40 mA ESD の注意 ESD（静電放電）の影響を受けやすいデバイ スです。電荷を帯びたデバイスや回路ボード は、検知されないまま放電することがありま す。本製品は当社独自の特許技術である ESD 保護回路を内蔵してはいますが、デバイスが 高エネルギーの静電放電を被った場合、損傷 を生じる可能性があります。したがって、性 能劣化や機能低下を防止するため、ESD に対 する適切な予防措置を講じることをお勧めし ます。 20 mA −40°C to +125°C −40°C to +85°C −65°C to +150°C 150°C 104°C/W 150.4°C/W 70°C/W 215°C 220°C 5.5 kV AX、 EN、S、または D の過電圧は内部ダイオードでクランプされま す。 電流は最大定格に制限する必要があります。 Rev. B − 9/20 − ADG658/ADG659 表 5.ADG658 の真理値表 A2 A1 A0 1 1 1 X 0 0 0 0 1 1 1 1 1 X 0 0 1 1 0 0 1 1 X 0 1 0 1 0 1 0 1 EN Switch Condition 1 0 0 0 0 0 0 0 0 None 1 2 3 4 5 6 7 8 X = Don’t Care 表 6.ADG659 の真理値表 A1 A0 EN On Switch Pair X1 0 0 1 1 X1 0 1 0 1 1 0 0 0 0 None 1 2 3 4 1 X = Don’t Care Rev. B − 10/20 − ADG658/ADG659 ピン配置およびピン機能説明 S5 1 16 VDD S1B 1 16 VDD S7 15 S3 S3B 15 S3A 14 S2 14 S2A 13 S1 D 3 S8 4 ADG658 TOP VIEW S6 5 (Not to Scale) 12 S4 2 DB 3 ADG659 DA TOP VIEW S2B 5 (Not to Scale) 12 S1A S4B 4 13 EN 6 11 A0 EN 6 11 S4A VSS 7 10 A1 VSS 7 10 A0 GND 8 9 A2 GND 8 9 A1 03273-0-002 2 6 VSS 7 DB 1 S4B 2 10 S4 S2B 3 9 A0 EN 4 8 A2 A1 5 GND EN 4 11 S1 ADG659 TOP VIEW (Not to Scale) 5 6 7 12 S2A 11 DA 10 S1A 9 S4A 8 EXPOSED PAD FLOATING 03273-A-003 TOP VIEW (Not to Scale) A1 A0 S6 3 12 S2 ADG658 VSS D 1 S8 2 16 15 14 13 GND 16 15 14 13 S3A S3B S1B VDD S3 S7 S5 VDD 図 2.16 ピン TSSOP/QSOP のピン配置 図 3.16 ピン 4 mm × 4 mm LFCSP のピン配置 表 7.ピン機能の説明 パラメータ 説明 VDD 最も正側の電源電位。 VSS 最も負側の電源電位。 IDD 正の電源電流。 ISS 負の電源電流。 GND グラウンド・リファレンス(0 V)。 S ソース・ピン。入力または出力。 D ドレイン・ピン。入力または出力。 AX ロジック・コントロール入力。 アクティブ・ローのデジタル入力。ハイ・レベルのとき、デバイスがディスエーブルされて、すべて EN のチャンネルはスイッチ・オフされます。ロー・レベルのとき、AX ロジック入力により ON スイッチ が指定されます。 VD (VS) D、S ピンのアナログ電圧。 RON D-S 間の抵抗。 ∆RON 任意の 2 チャンネル間のオン抵抗のマッチング、すなわち RONmax – RONmin。 RFLAT(ON) 平坦性は、仕様で規定されたアナログ信号範囲におけるオン抵抗の最大値と最小値の差として定義さ れます。 IS (OFF) スイッチ・オフ時のソース・リーク電流。 ID (OFF) スイッチ・オフ時のドレイン・リーク電流。 ID, IS (ON) スイッチ・オン時のチャンネル・リーク電流。 VINL ロジック 0 の最大入力電圧 VINH ロジック 1 の最小入力電圧 IINL (IINH) デジタル入力の入力電流 CS (OFF) スイッチ・オフ時のソース容量。グラウンドを基準に測定。 CD (OFF) スイッチ・オフ時のドレイン容量。グラウンドを基準に測定。 CD, CS (ON) オン時のスイッチ容量。グラウンドを基準に測定。 CIN デジタル入力容量。 Rev. B − 11/20 − ADG658/ADG659 パラメータ tON tOFF tBBM チャージ・イン ジェクション オフ時アイソレ ーション クロストーク 帯域幅 オン応答 挿入損失 Rev. B 説明 デジタル・コントロールの入力から出力スイッチ・オンまでの遅延。テスト回路 7 参照。 デジタル・コントロールの入力から出力スイッチ・オフまでの遅延。 オン時間。あるアドレス状態から別のアドレス状態へ切り替わるときの両スイッチの 80%ポイント間 で測定したオフ時間。 スイッチング時にデジタル入力からアナログ出力へ伝達されるグリッチ・インパルスの大きさ。 オフ状態のスイッチを通過する不要信号の大きさ。 寄生容量に起因して 1 つのチャンネルから別のチャンネルに混入する不要信号の大きさ。 出力が 3 dB 減衰する周波数。 オン状態にあるスイッチの周波数応答。 スイッチのオン抵抗に起因する損失。 − 12/20 − ADG658/ADG659 代表的な性能特性 100 TA = 25°C 140 90 +125°C VDD, VSS = ±2.7V 80 120 +85°C ON RESISTANCE (Ω) 60 VDD, VSS = ±3V 50 40 VDD, VSS = ±5.5V 30 VDD, VSS = ±4.5V –1.5 0.5 VD, VS (V) 2.5 4.5 VDD = 2.7V ON RESISTANCE (Ω) VDD = 3V VDD = 3.3V 100 VDD = 4.5V VDD = 5.5V 2.0 2.5 3.0 VD, VS (V) 4.0 3.5 4.5 5.0 +85°C VDD = 5V +125°C 200 150 +25°C 100 –40°C 50 0 2 4 6 VD, VS (V) 8 10 12 VDD = 3V VSS = 0V 0 0 0.5 1.5 100 90 2.0 VDD = 5V VSS = –5V VD = ±4V VS = ±4V 1.0 +125°C 70 1.5 VD, VS (V) 2.5 3.0 図 8.さまざまな温度でのオン抵抗対 VD (VS)、単電源 図 5.オン抵抗対 VD (VS)、単電源 80 1.0 03273-0-010 VDD = 10V VDD = 12V 03273-0-007 ON RESISTANCE (Ω) 1.5 250 200 IS (OFF) 0.5 +85°C 60 CURRENT (nA) ON RESISTANCE (Ω) 1.0 0.5 300 TA = 25°C 50 0 図 7.さまざまな温度でのオン抵抗対 VD (VS)、単電源 250 150 VDD = 5V VSS = 0V 0 図 4.オン抵抗対 VD (VS)、両電源 +25°C 50 40 –40°C 30 0 ID (OFF) –0.5 –1.0 IS, ID (ON) –1.5 20 –4 –3 –2 0 –1 1 VD, VS (V) 2 3 4 5 03273-0-008 –2.0 VDD = +5V VSS = –5V –5 –2.5 0 20 40 60 80 TEMPERATURE (°C) 100 図 9.リーク電流の温度特性、両電源 図 6.さまざまな温度でのオン抵抗対 VD (VS)、両電源 Rev. B –40°C 40 03273-0-009 –3.5 03273-0-006 0 –5.5 0 +25°C 60 20 10 10 80 VDD, VSS = ±5V 20 0 100 − 13/20 − 120 03273-0-011 ON RESISTANCE (Ω) 70 ADG658/ADG659 1.5 350 VDD = +5V VSS = 0V VD = ±4V VS = 1V 1.0 VSS = 0V IS (OFF) ± 0.5 250 0 TIME (ns) ID (OFF) –0.5 –1.0 40 60 80 TEMPERATURE (°C) 100 120 tOFF 0 –40 14 0 20 40 60 80 100 TEMPERATURE (°C) 120 図 13. tON/tOFF 時間の温度特性、単電源 0 TA = 25°C –1 12 –2 –3 10 –4 –5 8 –6 6 dB 4 –7 –8 –9 2 –10 VDD = +5V VSS = –5V –11 0 –12 –13 VDD = +5V VSS = 0V –4 –5 –4 –3 –2 –1 0 VS (V) 1 3 2 –14 5 4 –15 03273-0-013 –2 図 11.チャージ・インジェクション対ソース電圧 140 100k 1M 10M FREQUENCY (Hz) 100M 図 14.オン応答の周波数特性(ADG658) 0 VDD = +5V VSS = –5V –2 120 –4 100 –6 tON –8 –10 dB 80 60 –12 –14 tOFF –16 40 –18 –20 20 –20 0 20 40 60 TEMPERATURE (°C) 80 100 120 03273-0-014 –22 0 –40 VDD = +5V VSS = –5V TA = 25°C 03273-0-016 QINJ (PC) –20 VDD = 5V 03273-0-015 20 03273-0-012 ± 0 VDD = 3V 50 図 10.リーク電流の温度特性、単電源 TIME (ns) tON 150 100 VDD = +3V VSS = 0V VD = ±2.4V VS = 1V –2.0 VDD = +5V VSS = –5V TA = 25°C –24 100k 1M 10M FREQUENCY (Hz) 100M 図 15.オン応答の周波数特性(ADG659) 図 12. tON/tOFF 時間の温度特性、両電源 Rev. B VDD = 5V IS, ID (ON) –1.5 –2.5 200 − 14/20 − 03273-0-017 CURRENT (nA) VDD = 3V 300 ADG658/ADG659 0 10000 VDD = +5V VSS = –5V TA = 25°C –20 1000 VDD = 12V 100 –60 –80 1 –100 0.1 100k 1M 10M FREQUENCY (Hz) 100M VDD = 3V 0.01 03273-0-018 –120 VDD = 5V 10 0 0 LOGIC THRESHOLD VOLTAGE (V) –30 –40 –50 –60 dB 6 V(EN) (V) 8 10 12 3.0 VDD = –5V VSS = +5V TA = 25°C –20 4 図 19.VDD 電流対ロジック・レベル 図 16.オフ時アイソレーションの周波数特性 –10 2 03273-0-021 IDD (µA) –40 dB VSS = 0V –70 –80 –90 –100 –110 2.5 2.0 1.5 1.0 0.5 –130 100k 1M 10M FREQUENCY (Hz) 100M 0 600Ω IN AND OUT VDD = +5V VSS = –5V TA = 25°C THD + N (%) 10 1 0.01 50 100 200 500 1k 2k FREQUENCY (Hz) 5k 10k 20k 03273-0-020 0.1 20 図 18.THD +ノイズ Rev. B 2 4 6 VDD (V) 8 10 図 20.ロジック・スレッショールド電圧対電源電圧 図 17.クロストークの周波数特性 100 0 − 15/20 − 12 03273-0-022 03273-0-019 –120 ADG658/ADG659 テスト回路 IDS V1 VDD VSS VDD VSS S1 D D S2 RON = V1/I DS VO VS GND VDD VSS VDD VSS VDD VSS VDD VSS S1 S1 D S8 VD LOGIC 1 EN GND 03273-0-024 S8 VIN 50Ω VSS VDD A2 VSS 図 24.ID (ON) ADDRESS DRIVE (VIN) VS1 ADG658* S8 VS8 VOUT D EN GND 50% RL 300Ω CL 35pF VS1 90% VOUT 90% VS8 * SIMILAR CONNECTION FOR ADG659 tTRANSITION 図 25.マルチプレクサのスイッチング時間 tTRANSITION Rev. B 50% 0V S2–S7 A0 VD GND 3V S1 A1 A EN VS 図 22.IS (OFF) VDD ID (ON) 03273-0-026 D S2 VS LOGIC 1 − 16/20 − tTRANSITION 03273-0-027 A EN 図 23.ID (OFF) 図 21.オン抵抗 IS (OFF) A S8 03273-0-023 VS ID (OFF) 03273-0-025 S ADG658/ADG659 VSS VDD A2 VSS VS S1 A1 50Ω 3V ADDRESS DRIVE (VIN) 0V S2–S7 A0 S8 ADG658* VOUT D EN RL 300Ω GND CL 35pF 80% VOUT 80% 03273-0-028 VIN VDD tBBM * SIMILAR CONNECTION FOR ADG659 図 26.ブレーク・ビフォ・メーク時間遅延 tBBM VDD VSS VDD VSS A2 3V S1 A1 ENABLE DRIVE (VIN) VS S2–S8 tOFF (EN) ADG658* VO VOUT RL 300Ω GND CL 35pF 0.9VO 0.9VO OUTPUT 03273-0-029 D EN 50Ω 50% 0V A0 VIN 50% 0V tON (EN) * SIMILAR CONNECTION FOR ADG659 図 27.イネーブル遅延、tON (EN)、tOFF (EN) VDD A2 VDD VSS VSS 3V A1 LOGIC INPUT (VIN) A0 ADG658* S VS D EN VIN 0V VOUT CL 1nF GND VOUT * SIMILAR CONNECTION FOR ADG659 図 28.チャージ・インジェクション Rev. B − 17/20 − QINJ = CL × ∆VOUT ∆VOUT 03273-0-030 RS ADG658/ADG659 VDD A1 A0 NETWORK ANALYZER VSS A1 S 50Ω A0 VS D LOGIC 1 VSS EN RL 50Ω GND VSS 50Ω S VS D VOUT OFF ISOLATION = 20 LOG 0.1µF VDD A2 50Ω VOUT EN RL 50Ω GND VOUT VS 03273-0-031 A2 VDD 0.1µF 0.1µ F INSERTION LOSS = 20 LOG 図 30.帯域幅 図 29.オフ時アイソレーション VDD VSS 0.1µ F A1 0.1µ F VDD VSS A0 NETWORK ANALYZER 50Ω VS EN ADG659 50Ω S1A DA S1B DB DB DA NETWORK ANALYZER RL 50Ω GND CHANNEL-TO-CHANNEL CROSSTALK = 20 LOG 図 31.チャンネル間クロストーク Rev. B VOUT − 18/20 − VOUT VS VOUT WITH SWITCH VOUT WITHOUT SWITCH 03273-0-032 VSS 03273-0-033 VDD 0.1µ F ADG658/ADG659 外形寸法 5.10 5.00 4.90 16 9 4.50 4.40 4.30 6.40 BSC 1 8 PIN 1 1.20 MAX 0.15 0.05 0.30 0.19 0.65 BSC COPLANARITY 0.10 0.20 0.09 0.75 0.60 0.45 8° 0° SEATING PLANE COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MO-153AB 図 32.16 ピン薄型シュリンク・スモール・アウトライン・パッケージ[TSSOP] (RU-16) 寸法: mm 4.0 BSC SQ PIN 1 INDICATOR 12° MAX 1.00 0.85 0.80 0.60 MAX PIN 1 INDICATOR 0.60 MAX 0.65 BSC TOP VIEW 3.75 BSC SQ 0.75 0.60 0.50 13 12 16 1 EXPOSED PAD (BOTTOM VIEW) 9 4 8 2.25 2.10 SQ 1.95 5 0.25 MIN 1.95 BSC 0.80 MAX 0.65 TYP 0.05 MAX 0.02 NOM SEATING PLANE 0.35 0.28 0.25 0.20 REF COPLANARITY 0.08 COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MO-220-VGGC 図 33.16 ピン・リードフレーム・チップ・スケール・パッケージ[LFCSP] (CP-16-4) 寸法: mm Rev. B − 19/20 − ADG658/ADG659 0.193 BSC 9 16 0.154 BSC 1 0.236 BSC 8 PIN 1 0.010 0.025 0.004 BSC COPLANARITY 0.004 0.012 0.008 SEATING PLANE 0.010 0.006 8° 0° D03273-0-2/09(B)-J 0.069 0.053 0.065 0.049 0.050 0.016 COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MO-137AB 図 34.16 ピン・シュリンク・スモール・アウトライン・パッケージ[QSOP] (RQ-16) 寸法: mm オーダー・ガイド Model ADG658YRU ADG658YRU-REEL7 ADG658YRUZ1 ADG658YRUZ-REEL71 ADG658YCP ADG658YCP-REEL7 ADG658YCPZ1 ADG658YRQ ADG658YRQ-REEL ADG658YRQZ1 ADG658YRQZ-REEL71 ADG659YRU ADG659YRU-REEL7 ADG659YRUZ1 ADG659YRUZ-REEL71 ADG659WYRUZREEL71, 2 ADG659YCP ADG659YCPZ1 ADG659YCPZ-REEL71 ADG659YRQ ADG659YRQ-REEL ADG659YRQ-REEL7 ADG659YRQZ1 1 2 Temperature Range −40°C to +125°C −40°C to +125°C −40°C to +125°C −40°C to +125°C −40°C to +85°C −40°C to +85°C −40°C to +85°C −40°C to +125°C −40°C to +125°C −40°C to +125°C −40°C to +125°C −40°C to +125°C −40°C to +125°C −40°C to +125°C −40°C to +125°C −40°C to +125°C Package Description 16-Lead Thin Shrink Small Outline Package [TSSOP] 16-Lead Thin Shrink Small Outline Package [TSSOP] 16-Lead Thin Shrink Small Outline Package [TSSOP] 16-Lead Thin Shrink Small Outline Package [TSSOP] 16-Lead Lead Frame Chip Scale Package [LFCSP] 16-Lead Lead Frame Chip Scale Package [LFCSP] 16-Lead Lead Frame Chip Scale Package [LFCSP] 16-Lead Shrink Small Outline Package [QSOP] 16-Lead Shrink Small Outline Package [QSOP] 16-Lead Shrink Small Outline Package [QSOP] 16-Lead Shrink Small Outline Package [QSOP] 16-Lead Thin Shrink Small Outline Package [TSSOP] 16-Lead Thin Shrink Small Outline Package [TSSOP] 16-Lead Thin Shrink Small Outline Package [TSSOP] 16-Lead Thin Shrink Small Outline Package [TSSOP] 16-Lead Thin Shrink Small Outline Package [TSSOP] Package Option RU-16 RU-16 RU-16 RU-16 CP-16 CP-16 CP-16 RQ-16 RQ-16 RQ-16 RQ-16 RU-16 RU-16 RU-16 RU-16 RU-16 −40°C to +85°C −40°C to +85°C −40°C to +85°C −40°C to +125°C −40°C to +125°C −40°C to +125°C −40°C to +125°C 16-Lead Lead Frame Chip Scale Package [LFCSP] 16-Lead Lead Frame Chip Scale Package [LFCSP] 16-Lead Lead Frame Chip Scale Package [LFCSP] 16-Lead Shrink Small Outline Package [QSOP] 16-Lead Shrink Small Outline Package [QSOP] 16-Lead Shrink Small Outline Package [QSOP] 16-Lead Shrink Small Outline Package [QSOP] CP-16 CP-16 CP-16 RQ-16 RQ-16 RQ-16 RQ-16 Z = RoHS 準拠製品。 車載システム向けに認定済み。 Rev. B − 20/20 −