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故障保護機能付き−0.4 pC QINJの
8:1／デュアル4:1マルチプレクサ
ADG5208F/ADG5209F
データシート
機能ブロック図
特長
過電圧保護 : −55 V/+55 V まで
パワーオフ保護: −55 V/+55 V まで
ソース・ピンでの過電圧検出
小さいチャージ・インジェクション(QINJ): -0.4 pC
小さいオン容量
ADG5208F: 20 pF
ADG5209F: 14 pF
ラッチアップなし
デジタル入力なしでも既知状態
アナログ信号範囲: VSS～VDD
両電源動作: ±5 V～±22 V
単電源動作: 8 V～44 V
仕様を±15 V、±20 V、+12 V、+36 V 電源で規定
ADG5208F
S1
D
S8
13035-001
1-OF-8
DECODER
A0 A1 A2 EN
図 1. ADG5208F の機能ブロック図
アプリケーション
ADG5209F
アナログ入力／出力モジュール
プロセス制御システム／分散型制御システム
データ・アクイジション
計装機器
航空電子機器
自動テスト装置
通信システム
リレーの置き換え
S1A
DA
S4A
S1B
DB
S4B
A0
A1
EN
13035-002
1-OF-4
DECODER
図 2. ADG5209F の機能ブロック図
概要
ADG5208F と ADG5209F は、それぞれ 8:1 アナログ・マルチプ
レ ク サ と デ ュ ア ル 4:1 ア ナ ロ グ ・ マ ル チ プ レ ク サ で す 。
ADG5208F は 8 個の入力内の 1 つを共通の出力へ、 ADG5209F
は 4 個の差動入力内の 1 つを共通の差動出力へ、それぞれ切り替
えます。両デバイスの EN 入力は、デバイスをイネーブルまた
はディスエーブルするときに使います。各チャンネルはオンの
とき等しく両方向に導通し、各チャンネルの入力信号範囲は電
源電圧まで延びています。デジタル入力は、全動作電源範囲で
3 V ロジック入力と互換です。
これらのスイッチの容量とチャージ・インジェクションは小さ
いため、低グリッチ・スイッチングと高速なセトリング・タイ
ムを必要とするデータ・アクイジションとサンプル・アンド・
ホールドのアプリケーションに最適なソリューションになって
います。
電源入力がないとき、チャンネルはオフ状態を維持し、スイッ
チ入力は高インピーダンスになります。通常動作状態では、い
ずれかのSxピンのアナログ入力信号レベルがVDDまたはVSSを閾
値電圧(VT)だけ上回ると、チャンネルがオフになって、ドレイ
ン・ピンは(越された側の)電源電圧に設定されます。電源入力あ
りの状態および電源入力なしの状態で、グラウンドに対して-55 V
または+55 Vまでの入力信号レベルが阻止されます。
2.
製品のハイライト
1.
3.
4.
5.
電源レールより高い最大−55 V および+55 V までの電圧に対
してソース・ピンを保護しています。
電源入力なしの状態で、−55 V～+55 V の電圧に対してソー
ス・ピンを保護しています。
トレンチ・アイソレーションによりラッチアップから保護し
ます。
小さいチャージ・インジェクションとオン容量について最
適化されています。
ADG5208F/ADG5209F は、±5 V～±22 V の両電源または 8 V
～44 V の単電源で動作することができます。
アナログ・デバイセズ社は、提供する情報が正確で信頼できるものであることを期していますが、その情報の利用に関して、あるいは利用によって
生じる第三者の特許やその他の権利の侵害に関して一切の責任を負いません。また、アナログ・デバイセズ社の特許または特許の権利の使用を明示
的または暗示的に許諾するものでもありません。仕様は、予告なく変更される場合があります。本紙記載の商標および登録商標は、それぞれの所有
者の財産です。※日本語版資料は REVISION が古い場合があります。最新の内容については、英語版をご参照ください。
Rev. 0
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本
社／〒105-6891 東京都港区海岸 1-16-1 ニューピア竹芝サウスタワービル
電話 03（5402）8200
大阪営業所／〒532-0003 大阪府大阪市淀川区宮原 3-5-36 新大阪トラストタワー
電話 06（6350）6868
ADG5208F/ADG5209F
データシート
目次
特長 ..................................................................................................... 1
テスト回路 ....................................................................................... 20
アプリケーション ............................................................................. 1
用語 ................................................................................................... 23
機能ブロック図 ................................................................................. 1
動作原理 ........................................................................................... 24
概要 ..................................................................................................... 1
スイッチ・アーキテクチャ ....................................................... 24
製品のハイライト ............................................................................. 1
故障保護機能 ............................................................................... 25
改訂履歴 ............................................................................................. 2
アプリケーション情報 ................................................................... 26
仕様 ..................................................................................................... 3
電源レール ................................................................................... 26
±15 V 両電源 .................................................................................. 3
電源シーケンシング保護 ........................................................... 26
±20 V 両電源 .................................................................................. 5
信号範囲 ....................................................................................... 26
12 V 単電源 .................................................................................... 7
電源の推奨事項 ........................................................................... 26
36 V 単電源 .................................................................................... 9
高電圧サージ除去 ....................................................................... 26
チャンネルあたりの連続電流、Sx、D または Dx ................... 11
高電圧、高周波の信号 ............................................................... 26
絶対最大定格 ................................................................................... 12
外形寸法 ........................................................................................... 27
ESD の注意 .................................................................................. 12
オーダー・ガイド ....................................................................... 27
ピン配置およびピン機能説明 ....................................................... 13
代表的な性能特性 ........................................................................... 15
改訂履歴
4/15—Revision 0: Initial Version
Rev. 0
－ 2/27 －
ADG5208F/ADG5209F
データシート
仕様
±15 V 両電源
特に指定がない限り、VDD = 15 V ± 10%、VSS = −15 V ± 10%、GND = 0 V、CDECOUPLING = 0.1 µF。
表 1.
Parameter
+25°C
−40°C to
+85°C
−40°C to
+125°C
Unit
Analog Signal Range
On Resistance, RON
VDD to VSS
335
395
Ω max
335
395
Ω max
Ω typ
250
270
Ω typ
2.5
6
12
13
6
12
13
Ω max
9
9
Ω max
4
4
Ω typ
6.5
8
Ω typ
1.5
3.5
Threshold Voltage, VT
VS = ±9 V, IS = −1 mA
VS = ±10 V, IS = −1 mA
VS = ±9 V, IS = −1 mA
VS = ±10 V, IS = −1 mA
VS = ±9 V, IS = −1 mA
Ω max
0.7
V typ
Source Off Leakage, IS (Off)
±0.1
nA typ
Drain Off Leakage, ID (Off)
±0.1
See Figure 28
VDD = +16.5 V, VSS = −16.5 V
LEAKAGE CURRENTS
±1
±1
Channel On Leakage, ID (On), IS (On)
VS = ±10 V, IS = −1 mA
Ω max
Ω typ
2.5
On-Resistance Flatness, RFLAT(ON)
V
Ω typ
250
270
On-Resistance Match Between Channels,
∆RON
Test Conditions/Comments
VDD = +13.5 V, VSS = −13.5 V, see Figure 36
ANALOG SWITCH
±2
±5
nA max
±5
±10
nA max
±20
±25
nA max
nA typ
±0.3
±1.5
nA typ
VS = ±10 V, VD = ∓10 V, see Figure 34
VS = ±10 V, VD = ∓10 V, see Figure 34
VS = VD = ±10 V, see Figure 35
FAULT
Source Leakage Current, IS
With Overvoltage
±66
±78
µA typ
VDD = +16.5 V, VSS = −16.5 V, GND = 0 V, VS = ±55 V,
see Figure 33
Power Supplies Grounded or Floating
±25
±40
µA typ
VDD = 0 V or floating, VSS = 0 V or floating, GND = 0 V,
Ax = 0 V or floating, VS = ±55 V, see Figure 32
nA typ
VDD = +16.5 V, VSS = −16.5 V, GND = 0 V, VS = ±55 V,
see Figure 33
Drain Leakage Current, ID
With Overvoltage
±10
±50
Power Supplies Grounded
Power Supplies Floating
±70
±90
±500
nA max
nA typ
±700
±700
±700
nA max
±50
±50
±50
µA typ
VDD = 0 V, VSS = 0 V, GND = 0 V, VS = ±55 V, Ax = 0 V,
see Figure 32
VDD = floating, VSS = floating, GND = 0 V,
VS = ±55 V, Ax = 0 V, see Figure 32
DIGITAL INPUTS
Input Voltage
High, VINH
2.0
V min
Low, VINL
0.8
V max
±1.2
µA max
Input Current, IINL or IINH
±0.7
±1.1
Digital Input Capacitance, CIN
Rev. 0
µA typ
5.0
pF typ
－ 3/27 －
VIN = VGND or VDD
ADG5208F/ADG5209F
データシート
Parameter
+25°C
−40°C to
+85°C
−40°C to
+125°C
245
260
Unit
Test Conditions/Comments
ns typ
RL = 1 kΩ, CL = 35 pF
DYNAMIC CHARACTERISTICS 1
Transition Time, tTRANSITION
180
230
tON (EN)
180
235
tOFF (EN)
125
Break-Before-Make Time Delay, tD
250
260
95
145
145
130
90
Overvoltage Response Time, tRESPONSE
90
115
Overvoltage Recovery Time, tRECOVERY
130
130
965
970
745
945
ns max
VS = 8 V, see Figure 45
ns typ
RL = 1 kΩ, CL = 35 pF
ns max
VS = 10 V, see Figure 44
ns typ
RL = 1 kΩ, CL = 35 pF
ns max
VS = 10 V, see Figure 44
ns typ
RL = 1 kΩ, CL = 35 pF
ns min
VS = 10 V, see Figure 43
ns typ
RL = 1 kΩ, CL = 5 pF, see Figure 41
ns max
ns typ
RL = 1 kΩ, CL = 5 pF, see Figure 42
ns max
Charge Injection, QINJ
−0.4
pC typ
VS = 0 V, RS = 0 Ω, CL = 1 nF, see Figure 46
Off Isolation
−76
dB typ
RL = 50 Ω, CL = 5 pF, f = 1 MHz, see Figure 38
−75
dB typ
RL = 50 Ω, CL = 5 pF, f = 1 MHz, see Figure 40
Channel-to-Channel Crosstalk
Adjacent Channels
Nonadjacent Channels
Total Harmonic Distortion Plus Noise, THD
+N
−88
dB typ
0.005
% typ
190
MHz typ
−3 dB Bandwidth
ADG5208F
RL = 10 kΩ, VS = 15 V p-p, f = 20 Hz to 20 kHz, see
Figure 37
RL = 50 Ω, CL = 5 pF, see Figure 39
ADG5209F
290
MHz typ
Insertion Loss
10.5
dB typ
RL = 50 Ω, CL = 5 pF, f = 1 MHz, see Figure 39
CS (Off)
4
pF typ
VS = 0 V, f = 1 MHz
ADG5208F
13
pF typ
ADG5209F
8
pF typ
ADG5208F
20
pF typ
ADG5209F
14
pF typ
CD (Off)
VS = 0 V, f = 1 MHz
CD (On), CS (On)
VS = 0 V, f = 1 MHz
VDD = +16.5 V; VSS = −16.5 V; GND = 0 V; digital
inputs = 0 V, 5 V, or VDD
POWER REQUIREMENTS
Normal Mode
IDD
1.3
2
IGND
0.75
1.25
ISS
mA typ
2
mA typ
1.25
0.65
0.8
mA max
mA max
mA typ
0.85
mA max
Fault Mode
VS = ±55 V
IDD
1.6
IGND
0.9
ISS
0.65
2.2
1.6
1.0
VDD/VSS
1
mA typ
2.3
1.7
mA max
mA typ
1.1
mA max
±5
V min
GND = 0 V
±22
V max
GND = 0 V
設計上保証しますが、出荷テストは行いません。
Rev. 0
mA max
mA typ
－ 4/27 －
ADG5208F/ADG5209F
データシート
±20 V 両電源
特に指定がない限り、VDD = 20 V ± 10%、VSS = -20 V ± 10%、GND = 0 V、CDECOUPLING = 0.1 µF。
表 2.
Parameter
+25°C
−40°C to
+85°C
−40°C to
+125°C
Unit
VDD to VSS
V
345
405
Ω max
335
395
Analog Signal Range
On Resistance, RON
Ω typ
260
280
Ω typ
250
270
On-Resistance Match Between Channels,
∆RON
6
12
13
6
12
13
Ω max
15
15
Ω max
4
4
Ω typ
Ω typ
1.5
3.5
Threshold Voltage, VT
0.7
V typ
±0.1
nA typ
±2
±5
nA max
±5
±10
nA max
±20
±25
nA max
±0.1
±1
Channel On Leakage, ID (On), IS (On)
VS = ±13.5 V, IS = −1 mA
VS = ±15 V, IS = −1 mA
VS = ±13.5 V, IS = −1 mA
See Figure 28
VDD = +22 V, VSS = −22 V
±1
Drain Off Leakage, ID (Off)
VS = ±15 V, IS = −1 mA
Ω max
LEAKAGE CURRENTS
Source Off Leakage, IS (Off)
VS = ±13.5 V, IS = −1 mA
Ω max
Ω typ
12.5
14
VS = ±15 V, IS = −1 mA
Ω max
Ω typ
2.5
2.5
On-Resistance Flatness, RFLAT(ON)
Test Conditions/Comments
VDD = +18 V, VSS = −18 V, see Figure 36
ANALOG SWITCH
nA typ
±0.3
±1.5
nA typ
VS = ±15 V, VD = ∓15 V, see Figure 34
VS = ±15 V, VD = ∓15 V, see Figure 34
VS = VD = ±15 V, see Figure 35
FAULT
Source Leakage Current, IS
With Overvoltage
±66
µA typ
VDD = +22 V, VSS = −22 V, GND = 0 V, VS = ±55 V,
see Figure 33
Power Supplies Grounded or Floating
±25
µA typ
VDD = 0 V or floating, VSS = 0 V or floating, GND = 0 V,
Ax = 0 V or floating, VS = ±55 V, see Figure 32
With Overvoltage
±10
nA typ
VDD = +22 V, VSS = −22 V, GND = 0 V, VS = ±55 V,
see Figure 33
Power Supplies Grounded
±500
±700
±700
±700
nA max
Power Supplies Floating
±50
±50
±50
µA typ
2.0
V min
0.8
V max
±1.2
µA max
Drain Leakage Current, ID
±2
±2
±2
µA max
nA typ
VDD = 0 V, VSS = 0 V, GND = 0 V, VS = ±55 V, Ax =
0 V, see Figure 32
VDD = floating, VSS = floating, GND = 0 V, VS = ±55 V,
Ax = 0 V, see Figure 32
DIGITAL INPUTS
Input Voltage
High, VINH
Low, VINL
Input Current, IINL or IINH
±0.7
±1.1
Digital Input Capacitance, CIN
Rev. 0
µA typ
5.0
pF typ
－ 5/27 －
VIN = VGND or VDD
ADG5208F/ADG5209F
データシート
Parameter
+25°C
−40°C to
+85°C
−40°C to
+125°C
Unit
ns typ
RL = 1 kΩ, CL = 35 pF
270
285
ns max
VS = 10 V, see Figure 45
ns typ
RL = 1 kΩ, CL = 35 pF
270
280
ns max
VS = 10 V, see Figure 44
ns typ
RL = 1 kΩ, CL = 35 pF
145
145
ns max
VS = 10 V, see Figure 44
ns typ
RL = 1 kΩ, CL = 35 pF
90
ns min
VS = 10 V, see Figure 43
ns typ
RL = 1 kΩ, CL = 5 pF, see Figure 41
105
105
ns max
1250
1400
ns max
Test Conditions/Comments
DYNAMIC CHARACTERISTICS 1
Transition Time, tTRANSITION
190
245
tON (EN)
185
250
tOFF (EN)
95
120
Break-Before-Make Time Delay, tD
Overvoltage Response Time, tRESPONSE
140
75
105
Overvoltage Recovery Time, tRECOVERY
820
1100
ns typ
RL = 1 kΩ, CL = 5 pF, see Figure 42
Charge Injection, QINJ
−0.8
pC typ
VS = 0 V, RS = 0 Ω, CL = 1 nF, see Figure 46
Off Isolation
−76
dB typ
RL = 50 Ω, CL = 5 pF, f = 1 MHz, see Figure 38
−75
dB typ
RL = 50 Ω, CL = 5 pF, f = 1 MHz, see Figure 40
Channel-to-Channel Crosstalk
Adjacent Channels
Nonadjacent Channels
Total Harmonic Distortion Plus Noise,
THD + N
−88
dB typ
0.005
% typ
190
MHz typ
−3 dB Bandwidth
ADG5208F
RL = 10 kΩ, VS = 20 V p-p, f = 20 Hz to 20 kHz,
see Figure 37
RL = 50 Ω, CL = 5 pF, see Figure 39
ADG5209F
290
MHz typ
Insertion Loss
10.5
dB typ
RL = 50 Ω, CL = 5 pF, f = 1 MHz, see Figure 39
CS (Off)
4
pF typ
VS = 0 V, f = 1 MHz
CD (Off)
VS = 0 V, f = 1 MHz
ADG5208F
12
pF typ
ADG5209F
8
pF typ
ADG5208F
19
pF typ
ADG5209F
14
pF typ
CD (On), CS (On)
VS = 0 V, f = 1 MHz
VDD = +22 V; VSS = −22 V; GND = 0 V; digital inputs
= 0 V, 5 V, or VDD
POWER REQUIREMENTS
Normal Mode
IDD
1.3
2
IGND
mA max
1.25
mA max
0.75
1.25
ISS
mA typ
2
mA typ
0.65
0.8
mA typ
0.85
mA max
Fault Mode
VS = ±55 V
IDD
1.6
IGND
0.9
ISS
0.65
2.2
1.6
1.0
VDD/VSS
1
mA typ
2.3
1.7
mA max
mA typ
1.1
mA max
±5
V min
GND = 0 V
±22
V max
GND = 0 V
設計上保証しますが、出荷テストは行いません。
Rev. 0
mA max
mA typ
－ 6/27 －
ADG5208F/ADG5209F
データシート
12 V 単電源
特に指定がない限り、VDD = 12 V ± 10%、VSS = 0 V、GND = 0 V、CDECOUPLING = 0.1 µF。
表 3.
Parameter
+25°C
−40°C to
+85°C
−40°C to
+125°C
Unit
0 V to VDD
V
730
Ω max
ANALOG SWITCH
VDD = 10.8 V, VSS = 0 V, see Figure 36
Analog Signal Range
On Resistance, RON
Ω typ
630
690
710
Ω typ
270
290
On-Resistance Match Between Channels,
∆RON
355
410
19
19
11
12
6.5
440
460
460
27
Threshold Voltage, VT
28
28
0.7
V typ
±0.1
nA typ
±2
±5
±0.1
±1
Channel On Leakage, ID (On), IS (On)
VS = 3.5 V to 8.5 V, IS = −1 mA
See Figure 28
VDD = 13.2 V, VSS = 0 V
±1
Drain Off Leakage, ID (Off)
VS = 0 V to 10 V, IS = −1 mA
Ω max
LEAKAGE CURRENTS
Source Off Leakage, IS (Off)
VS = 3.5 V to 8.5 V, IS = −1 mA
Ω max
Ω typ
25
VS = 0 V to 10 V, IS = −1 mA
Ω max
Ω typ
380
VS = 3.5 V to 8.5 V, IS = −1 mA
Ω max
Ω typ
3
VS = 0 V to 10 V, IS = −1 mA
Ω max
Ω typ
6
17
On-Resistance Flatness, RFLAT(ON)
Test Conditions/Comments
nA typ
±5
±10
±0.3
±1.5
±25
VS = 1 V/10 V, VD = 10 V/1 V, see Figure 34
nA max
nA typ
±20
VS = 1 V/10 V, VD = 10 V/1 V, see Figure 34
nA max
VS = VD = 1 V/10 V, see Figure 35
nA max
FAULT
Source Leakage Current, IS
With Overvoltage
±63
µA typ
VDD = 13.2 V, VSS = 0 V, GND = 0 V, VS = ±55 V,
see Figure 33
Power Supplies Grounded or Floating
±25
µA typ
VDD = 0 V or floating, VSS = 0 V or floating, GND = 0
V, Ax = 0 V or floating, VS = ±55 V, see Figure 32
±10
nA typ
VDD = 13.2 V, VSS = 0 V, GND = 0 V, VS = ±55 V,
see Figure 33
Drain Leakage Current, ID
With Overvoltage
±50
Power Supplies Grounded
Power Supplies Floating
±70
±90
±500
nA max
nA typ
±700
±700
±700
nA max
±50
±50
±50
µA typ
2.0
V min
0.8
V max
VDD = 0 V, VSS = 0 V, GND = 0 V, VS = ±55 V, Ax =
0 V, see Figure 32
VDD = floating, VSS = floating, GND = 0 V, VS =
±55 V, Ax = 0 V, see Figure 32
DIGITAL INPUTS
Input Voltage
High, VINH
Low, VINL
Input Current, IINL or IINH
±0.7
±1.1
Digital Input Capacitance, CIN
Rev. 0
µA typ
±1.2
5.0
µA max
pF typ
－ 7/27 －
VIN = VGND or VDD
ADG5208F/ADG5209F
データシート
Parameter
+25°C
−40°C to
+85°C
−40°C to
+125°C
Unit
ns typ
RL = 1 kΩ, CL = 35 pF
215
230
ns max
VS = 8 V, see Figure 45
ns typ
RL = 1 kΩ, CL = 35 pF
220
235
ns max
VS = 8 V, see Figure 44
ns typ
RL = 1 kΩ, CL = 35 pF
160
160
ns max
VS = 8 V, see Figure 44
Test Conditions/Comments
DYNAMIC CHARACTERISTICS 1
Transition Time, tTRANSITION
160
200
tON (EN)
160
200
tOFF (EN)
130
155
Break-Before-Make Time Delay, tD
95
65
Overvoltage Response Time, tRESPONSE
110
145
Overvoltage Recovery Time, tRECOVERY
145
145
720
765
500
655
ns typ
RL = 1 kΩ, CL = 35 pF
ns min
VS = 8 V, see Figure 43
ns typ
RL = 1 kΩ, CL = 5 pF, see Figure 41
ns max
ns typ
RL = 1 kΩ, CL = 5 pF, see Figure 42
ns max
Charge Injection, QINJ
0.9
pC typ
VS = 6 V, RS = 0 Ω, CL = 1 nF, see Figure 46
Off Isolation
−74
dB typ
RL = 50 Ω, CL = 5 pF, f = 1 MHz, see Figure 38
−75
dB typ
RL = 50 Ω, CL = 5 pF, f = 1 MHz, see Figure 40
Channel-to-Channel Crosstalk
Adjacent Channels
Nonadjacent Channels
Total Harmonic Distortion Plus Noise,
THD + N
−88
dB typ
0.044
% typ
175
MHz typ
−3 dB Bandwidth
ADG5208F
RL = 10 kΩ, VS = 6 V p-p, f = 20 Hz to 20 kHz,
see Figure 37
RL = 50 Ω, CL = 5 pF, see Figure 39
ADG5209F
270
MHz typ
Insertion Loss
10.5
dB typ
RL = 50 Ω, CL = 5 pF, f = 1 MHz, see Figure 39
CS (Off)
4
pF typ
VS = 6 V, f = 1 MHz
ADG5208F
14
pF typ
ADG5209F
8
pF typ
ADG5208F
21
pF typ
ADG5209F
14
pF typ
CD (Off)
VS = 6 V, f = 1 MHz
CD (On), CS (On)
VS = 6 V, f = 1 MHz
POWER REQUIREMENTS
VDD = 13.2 V; VSS = 0 V; GND = 0 V; digital inputs
= 0 V, 5 V, or VDD
Normal Mode
IDD
1.3
2
IGND
mA max
1.4
mA max
0.7
mA max
0.75
1.4
ISS
mA typ
2
mA typ
0.5
0.65
mA typ
Fault Mode
IDD
VS = ±55 V
1.6
2.2
IGND
1
1.7
1.1
mA max
mA typ
Digital inputs = 5 V
mA max
VS = ±55 V, VD = 0 V
8
V min
GND = 0 V
44
V max
GND = 0 V
設計上保証しますが、出荷テストは行いません。
Rev. 0
mA max
mA typ
0.65
1.0
VDD
2.3
0.9
1.6
ISS
mA typ
－ 8/27 －
ADG5208F/ADG5209F
データシート
36 V 単電源
特に指定がない限り、VDD = 36 V ± 10%、VSS = 0 V、GND = 0 V、CDECOUPLING = 0.1 µF。
表 4.
Parameter
+25°C
−40°C to
+85°C
−40°C to
+125°C
Unit
0 V to VDD
V
415
480
Ω max
335
395
Ω max
ANALOG SWITCH
VDD = 32.4 V, VSS = 0 V, see Figure 36
Analog Signal Range
On Resistance, RON
Ω typ
310
335
Ω typ
250
270
On-Resistance Match Between Channels,
∆RON
Ω typ
3
7
16
18
Ω max
11
12
Ω max
85
100
Ω max
4
4
Ω max
Ω typ
3
6.5
On-Resistance Flatness, RFLAT(ON)
Ω typ
62
70
Ω typ
1.5
3.5
Threshold Voltage, VT
0.7
V typ
±0.1
nA typ
LEAKAGE CURRENTS
Source Off Leakage, IS (Off)
±2
±5
±0.1
±1
Channel On Leakage, ID (On), IS (On)
VS = 0 V to 30 V, IS = −1 mA
VS = 4.5 V to 28 V, IS = −1 mA
VS = 0 V to 30 V, IS = −1 mA
VS = 4.5 V to 28 V, IS = −1 mA
VS = 0 V to 30 V, IS = −1 mA
VS = 4.5 V to 28 V, IS = −1 mA
See Figure 28
VDD = 39.6 V, VSS = 0 V
±1
Drain Off Leakage, ID (Off)
Test Conditions/Comments
±10
±20
±25
±0.3
±1.5
nA max
nA typ
±5
VS = 1 V/ 30 V, VD = 30 V/1 V, see Figure 34
VS = 1 V/ 30 V, VD = 30 V/1 V, see Figure 34
nA max
nA typ
VS = VD = 1 V/30 V, see Figure 35
nA max
FAULT
Source Leakage Current, IS
With Overvoltage
±58
µA typ
VDD = +39.6 V, VSS = 0 V, GND = 0 V, VS = +55 V,
−40 V, see Figure 33
Power Supplies Grounded or Floating
±25
µA typ
VDD = 0 V or floating, VSS = 0 V or floating, GND = 0
V, Ax = 0 V or floating, VS = ±55 V, see Figure 32
±10
nA typ
VDD = 39.6 V, VSS = 0 V, GND = 0 V, VS = ±55 V, see
Figure 33
Drain Leakage Current, ID
With Overvoltage
±50
Power Supplies Grounded
Power Supplies Floating
±70
±90
±500
nA max
nA typ
±700
±700
±700
nA max
±50
±50
±50
µA typ
VDD = 0 V, VSS = 0 V, GND = 0 V, VS = +55 V, −40 V,
Ax = 0 V, see Figure 32
VDD = floating, VSS = floating, GND = 0 V, VS = ±55 V,
Ax = 0 V, see Figure 32
DIGITAL INPUTS
Input Voltage
High, VINH
2.0
V min
Low, VINL
0.8
V max
±1.2
µA max
Input Current, IINL or IINH
±0.7
±1.1
Digital Input Capacitance, CIN
Rev. 0
µA typ
5.0
pF typ
－ 9/27 －
VIN = VGND or VDD
ADG5208F/ADG5209F
データシート
Parameter
+25°C
−40°C to
+85°C
−40°C to
+125°C
Unit
ns typ
RL = 1 kΩ, CL = 35 pF
245
255
ns max
VS = 18 V, see Figure 45
ns typ
RL = 1 kΩ, CL = 35 pF
245
260
ns max
VS = 18 V, see Figure 44
ns typ
RL = 1 kΩ, CL = 35 pF
150
150
ns max
VS = 18 V, see Figure 44
ns typ
RL = 1 kΩ, CL = 35 pF
65
ns min
VS = 18 V, see Figure 43
ns typ
RL = 1 kΩ, CL = 5 pF, see Figure 41
Test Conditions/Comments
DYNAMIC CHARACTERISTICS 1
Transition Time, tTRANSITION
180
230
tON (EN)
175
225
tOFF (EN)
105
135
Break-Before-Make Time Delay, tD
Overvoltage Response Time, tRESPONSE
105
60
80
Overvoltage Recovery Time, tRECOVERY
85
85
ns max
2100
2200
ns max
1400
1900
ns typ
RL = 1 kΩ, CL = 5 pF, see Figure 42
Charge Injection, QINJ
−0.9
pC typ
VS = 18 V, RS = 0 Ω, CL = 1 nF, see Figure 46
Off Isolation
−75
dB typ
RL = 50 Ω, CL = 5 pF, f = 1 MHz, see Figure 38
−75
dB typ
RL = 50 Ω, CL = 5 pF, f = 1 MHz, see Figure 40
Channel-to-Channel Crosstalk
Adjacent Channels
Nonadjacent Channels
Total Harmonic Distortion Plus Noise, THD +
N
−88
dB typ
0.007
% typ
200
MHz typ
−3 dB Bandwidth
ADG5208F
RL = 10 kΩ, VS = 18 V p-p, f = 20 Hz to 20 kHz, see
Figure 37
RL = 50 Ω, CL = 5 pF, see Figure 39
ADG5209F
300
MHz typ
Insertion Loss
10.5
dB typ
CS (Off)
3
pF typ
CD (Off)
RL = 50 Ω, CL = 5 pF, f = 1 MHz, see Figure 39
VS = 18 V, f = 1 MHz
VS = 18 V, f = 1 MHz
ADG5208F
12
pF typ
ADG5209F
7
pF typ
ADG5208F
19
pF typ
ADG5209F
12
pF typ
CD (On), CS (On)
VS = 18 V, f = 1 MHz
POWER REQUIREMENTS
VDD = 39.6 V; VSS = 0 V; GND = 0 V; digital inputs =
0 V, 5 V, or VDD
Normal Mode
IDD
1.3
2
IGND
0.75
1.4
ISS
mA typ
2
mA typ
1.4
mA max
0.7
mA max
0.5
0.65
mA max
mA typ
VS = +55 V, −40 V
Fault Mode
IDD
1.6
2.2
IGND
1
1.7
mA max
mA typ
1.1
mA max
8
V min
GND = 0 V
44
V max
GND = 0 V
設計上保証しますが、出荷テストは行いません。
Rev. 0
mA max
mA typ
0.65
1.0
VDD
2.3
0.9
1.6
ISS
mA typ
－ 10/27 －
ADG5208F/ADG5209F
データシート
チャンネルあたりの連続電流、Sx、D または Dx
表 5.
Parameter
25°C
85°C
125°C
Unit
Test Conditions/Comments
ADG5208F, θJA = 112.6°C/W
27
16
8
mA max
VS = VSS to VDD − 4.5 V
16
11
7
mA max
VS = VSS to VDD
20
13
8
mA max
VS = VSS to VDD − 4.5 V
12
8
6
mA max
VS = VSS to VDD
ADG5209F, θJA = 112.6°C/W
Rev. 0
－ 11/27 －
ADG5208F/ADG5209F
データシート
絶対最大定格
特に指定のない限り、TA = 25 °C。
表 6.
Parameter
Rating
VDD to VSS
VDD to GND
VSS to GND
Sx Pins
Sx to VDD or VSS
VS to VD
D or Dx Pins1
48 V
−0.3 V to +48 V
−48 V to +0.3 V
−55 V to +55 V
80 V
80 V
VSS − 0.7 V to VDD + 0.7 V or
30 mA, whichever occurs first
GND − 0.7 V to 48 V or 30 mA,
whichever occurs first
72.5 mA (pulsed at 1 ms, 10%
duty cycle maximum)
Data3 + 15%
1 mA
Digital Inputs2
Peak Current, Sx, D, or Dx Pins
Continuous Current, Sx, D, or Dx Pins
D or Dx Pins, Overvoltage State, Load
Current
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
Junction Temperature
Thermal Impedance, θJA (4-Layer Board)
Reflow Soldering Peak Temperature,
Pb-Free
同時に複数の絶対最大定格条件を適用することはできません。
ESD の注意
−40°C to +125°C
−65°C to +150°C
150°C
112.6°C/W
As per JEDEC J-STD-020
1
D ピンと Dx ピンの過電圧は内部ダイオードでクランプされます。電流は、
規定された最大定格に制限してください。
2
デジタル入力は EN ピンと Ax ピンです。
3
表 5 を参照してください。
Rev. 0
上記の絶対最大定格を超えるストレスを加えるとデバイスに恒
久的な損傷を与えることがあります。この規定はストレス定格
の規定のみを目的とするものであり、この仕様の動作のセク
ションに記載する規定値以上での製品動作を定めたものではあ
りません。製品を長時間絶対最大定格状態に置くと製品の信頼
性に影響を与えます。
－ 12/27 －
ESD（静電放電）の影響を受けやすいデバイスで
す。電荷を帯びたデバイスや回路ボードは、検知さ
れないまま放電することがあります。本製品は当社
独自の特許技術である ESD 保護回路を内蔵してはい
ますが、デバイスが高エネルギーの静電放電を被っ
た場合、損傷を生じる可能性があります。したがっ
て、性能劣化や機能低下を防止するため、ESD に対
する適切な予防措置を講じることをお勧めします。
ADG5208F/ADG5209F
データシート
ピン配置およびピン機能説明
A0 1
16
A1
EN 2
15
A2
14
GND
S1 4
S2 5
ADG5208F
13 VDD
TOP VIEW
(Not to Scale) 12 S5
S3 6
11
S6
S4 7
10
S7
D 8
9
S8
13035-003
VSS 3
図 3. ADG5208F のピン配置
表 7. ADG5208F のピン機能説明
ピン番号 記号
説明
1
A0
ロジック・コントロール入力。
2
EN
アクティブ・ハイのデジタル入力。このピンがロー・レベルのとき、デバイスはディスエーブルされるため、すべての
スイッチがオフになります。このピンがハイ・レベルのとき、Ax ロジック入力によりオンになるスイッチが指定されま
す。
3
VSS
負電源電位。
4
S1
過電圧保護されたソース・ピン 1。このピンは、入力または出力に設定することができます。
5
S2
過電圧保護されたソース・ピン 2。このピンは、入力または出力に設定することができます。
6
S3
過電圧保護されたソース・ピン 3。このピンは、入力または出力に設定することができます。
7
S4
過電圧保護されたソース・ピン 4。このピンは、入力または出力に設定することができます。
8
D
ドレイン・ピン。このピンは、入力または出力に設定することができます。
9
S8
過電圧保護されたソース・ピン 8。このピンは、入力または出力に設定することができます。
10
S7
過電圧保護されたソース・ピン 7。このピンは、入力または出力に設定することができます。
11
S6
過電圧保護されたソース・ピン 6。このピンは、入力または出力に設定することができます。
12
S5
過電圧保護されたソース・ピン 5。このピンは、入力または出力に設定することができます。
13
VDD
正電源電位。
14
GND
グラウンド・リファレンス(0 V)。
15
A2
ロジック・コントロール入力。
16
A1
ロジック・コントロール入力。
表 8. ADG5208F の真理値表
A2
X1
A1
X1
A0
X1
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
1
0
1
0
1
0
1
1
EN
On Switch
0
1
1
1
1
1
1
1
1
None
S1
S2
S3
S4
S5
S6
S7
S8
X は don’t care。
Rev. 0
－ 13/27 －
ADG5208F/ADG5209F
データシート
A0
1
16
A1
EN
2
15
GND
VSS
3
14
VDD
S1A
4
S2A
5
S3A
6
11
S3B
S4A
7
10
S4B
DA
8
9
DB
ADG5209F
13035-005
13 S1B
TOP VIEW
(Not to Scale) 12 S2B
図 4. ADG5209F のピン配置
表 9. ADG5209F のピン機能説明
ピン番号 記号
説明
1
A0
ロジック・コントロール入力。
2
EN
アクティブ・ハイのデジタル入力。このピンがロー・レベルのとき、デバイスはディスエーブルされるため、すべての
スイッチがオフになります。このピンがハイ・レベルのとき、Ax ロジック入力によりオンになるスイッチが指定されま
す。
3
VSS
負電源電位。
4
S1A
過電圧保護されたソース・ピン 1A。このピンは、入力または出力に設定することができます。
5
S2A
過電圧保護されたソース・ピン 2A。このピンは、入力または出力に設定することができます。
6
S3A
過電圧保護されたソース・ピン 3A。このピンは、入力または出力に設定することができます。
7
S4A
過電圧保護されたソース・ピン 4A。このピンは、入力または出力に設定することができます。
8
DA
ドレイン・ピン A。入力または出力に設定することができます。
9
DB
ドレイン・ピン B。入力または出力に設定することができます。
10
S4B
過電圧保護されたソース・ピン 4B。このピンは、入力または出力に設定することができます。
11
S3B
過電圧保護されたソース・ピン 3B。このピンは、入力または出力に設定することができます。
12
S2B
過電圧保護されたソース・ピン 2B。このピンは、入力または出力に設定することができます。
13
S1B
過電圧保護されたソース・ピン 1B。このピンは、入力または出力に設定することができます。
14
VDD
正電源電位。
15
GND
グラウンド・リファレンス(0 V)。
16
A1
ロジック・コントロール入力。
表 10. ADG5209F の真理値表
A1
A0
EN
On Switch Pair
X1
0
0
1
1
X1
0
1
0
1
0
1
1
1
1
None
S1x
S2x
S3x
S4x
1
X は don’t care。
Rev. 0
－ 14/27 －
ADG5208F/ADG5209F
データシート
代表的な性能特性
1200
1400
TA = 25°C
±22V
±20V
±18V
±16.5V
±15.0V
±13.5V
800
1200
ON RESISTANCE (Ω)
600
400
200
600
400
–10
–5
0
5
10
15
20
25
0
–15
–9
–6
–3
0
3
6
9
12
15
VS, VD (V)
図 5. VS、VD の関数としての RON、両電源
図 8. 様々な温度での VS、VD の関数としての RON
±15 V 両電源
1200
1400
TA = 25°C
13.2V
12.0V
10.8V
VDD = +20V
VSS = –20V
+125°C
+85°C
+25°C
–40°C
1200
ON RESISTANCE (Ω)
1000
–12
13035-108
–15
13035-105
–20
VS, VD (V)
ON RESISTANCE (Ω)
800
200
0
–25
800
600
400
200
1000
800
600
400
200
0
2
4
6
8
10
12
14
VS, VD (V)
0
–20
13035-106
0
–10
–5
0
5
10
15
20
図 9. 様々な温度での VS、VD の関数としての RON
±20 V 両電源
1200
1400
TA = 25°C
39.6V
36.0V
32.4V
VDD = 12V
VSS = 0V
+125°C
+85°C
+25°C
–40°C
1200
ON RESISTANCE (Ω)
1000
–15
VS, VD (V)
図 6. VS、VD、12 V の関数としての RON、単電源
ON RESISTANCE (Ω)
1000
13035-109
ON RESISTANCE (Ω)
1000
VDD = +15V
VSS = –15V
+125°C
+85°C
+25°C
–40°C
800
600
400
1000
800
600
400
200
0
5
10
15
20
25
30
35
40
VS, VD (V)
0
13035-107
0
0
4
6
8
10
12
VS, VD (V)
図 7. VS、VD、36 V の関数としての RON、単電源
Rev. 0
2
図 10. 様々な温度での VS、VD の関数としての RON
12 V 単電源
－ 15/27 －
13035-110
200
ADG5208F/ADG5209F
データシート
1400
1.5
1000
1.0
LEAKAGE CURRENT (nA)
1200
ON RESISTANCE (Ω)
VDD = 12V
VSS = 0V
VBIAS = 1V, 10V
VDD = 36V
VSS = 0V
+125°C
+85°C
+25°C
–40°C
800
600
400
0.5
0
–0.5
IS (OFF) + –
IS (OFF) – +
IS, ID (ON) + +
0
4
8
12
16
20
24
28
32
36
VS, VD (V)
–1.0
13035-111
0
0
20
60
40
80
100
120
TEMPERATURE (°C)
図 11. 様々な温度での VS、VD の関数としての RON
36 V 単電源
図 14. リーク電流の温度特性、12 V 単電源
3
2.5
VDD = +15V
VSS = –15V
VBIAS = ±10V
2.0
VDD = 36V
VSS = 0V
VBIAS = 1V, 30V
2
1.5
LEAKAGE CURRENT (nA)
LEAKAGE CURRENT (nA)
ID (OFF) + –
ID (OFF) – +
IS, ID (ON) – –
13035-114
200
1.0
0.5
0
–0.5
1
0
–1
–2
–1.0
20
40
60
80
100
120
TEMPERATURE (°C)
0
40
60
80
100
120
図 15. リーク電流の温度特性、36 V 単電源
6
3
VDD = +15V
VSS = –15V
VDD = +20V
VSS = –20V
VBIAS = ±15V
5
1
0
–1
–3
0
20
40
60
3
2
VS = –30V
VS = +30V
VS = –55V
VS = +55V
1
ID (OFF) + –
ID (OFF) – +
IS, ID (ON) – –
IS (OFF) + –
IS (OFF) – +
IS, ID (ON) + +
80
100
TEMPERATURE (°C)
120
0
13035-113
–2
4
0
20
40
60
80
100
120
TEMPERATURE (°C)
図 16. 過電圧リーク電流の温度特性、±15 V 両電源
図 13. リーク電流の温度特性、±20 V 両電源
－ 16/27 －
13035-116
LEAKAGE CURRENT (nA)
2
LEAKAGE CURRENT (nA)
20
TEMPERATURE (°C)
図 12. リーク電流の温度特性、±15 V 両電源
Rev. 0
ID (OFF) + –
ID (OFF) – +
IS, ID (ON) – –
–4
13035-112
–2.0
0
IS (OFF) + –
IS (OFF) – +
IS, ID (ON) + +
–3
13035-115
ID (OFF) + –
ID (OFF) – +
IS, ID (ON) – –
IS (OFF) + –
IS (OFF) – +
IS, ID (ON) + +
–1.5
ADG5208F/ADG5209F
データシート
0
6
VDD = +20V
VSS = –20V
OFF ISOLATION (dB)
5
4
3
2
VS = –30V
VS = +30V
VS = –55V
VS = +55V
20
–80
–100
40
60
80
100
120
TEMPERATURE (°C)
–140
1k
10k
0
100M
1G
ADJACENT CHANNELS
NONADJACENT CHANNELS, COMMON DRAIN
NONADJACENT CHANNELS, SEPARATE DRAIN
VDD = 12V
VSS = 0V
–20
5
VDD = +15V
VSS = –15V
TA = 25°C
–40
CROSSTALK (dB)
4
3
2
–60
–80
–100
VS = –30V
VS = +30V
VS = –55V
VS = +55V
–120
0
0
20
40
60
80
100
120
TEMPERATURE (°C)
–140
10k
100M
1G
6
VDD = 36V
VSS = 0V
4
CHARGE INJECTION (pC)
5
4
3
2
VS = –30V
VS = +40V
VS = –40V
VS = +55V
2
0
–2
–4
–6
TA = 25°C
–8
40
60
80
100
120
TEMPERATURE (°C)
VDD = 36V, VSS = 0V
VDD = 12V, VSS = 0V
–10
13035-119
0
20
10M
図 21. クロストークの周波数特性、±15 V 両電源
6
0
1M
FREQUENCY (Hz)
図 18. 過電圧リーク電流の温度特性、12 V 単電源
1
100k
13035-121
1
13035-118
LEAKAGE CURRENT (nA)
10M
図 20. オフ時アイソレーションの周波数特性、±15 V 両電源
6
LEAKAGE CURRENT (nA)
1M
FREQUENCY (Hz)
図 17. 過電圧リーク電流の温度特性、±20 V 両電源
0
5
10
15
20
VS (V)
図 19. 過電圧リーク電流の温度特性、36 V 単電源
Rev. 0
100k
13035-120
0
0
–60
–120
13035-117
1
–40
25
30
35
40
13035-122
LEAKAGE CURRENT (nA)
VDD = +15V
VSS = –15V
TA = 25°C
–20
図 22. 電源電圧(VS)対チャージ・インジェクション、単電源
－ 17/27 －
ADG5208F/ADG5209F
データシート
8
–9
6
–10
–11
4
CHARGE INJECTION (pC)
ADG5209F
ADG5208F
–12
BANDWIDTH (dB)
2
0
–2
–4
–13
–14
–15
–16
–17
–6
–18
VDD = +20V, VSS = –20V
–15
–10
–5
0
5
10
15
20
VS (V)
VDD = +15V
VSS = –15V
TA = 25°C
–20
10k
13035-123
–10
–20
–19
VDD = +15V, VSS = –15V
1G
FREQUENCY (Hz)
図 23. 電源電圧(VS)対チャージ・インジェクション、両電源
図 26. 帯域幅の周波数特性
0
220
VDD = +15V
VSS = –15V
TA = 25°C
–20
100M
10M
1M
100k
13035-126
TA = 25°C
–8
210
VDD
VDD
VDD
VDD
= +12V,
= +36V,
= +15V,
= +20V,
VSS
VSS
VSS
VSS
= 0V
= 0V
= –15V
= –20V
200
tTRANSITION (ns)
ACPSRR (dB)
–40
–60
–80
190
180
170
160
–100
100k
1M
10M
100M
1G
FREQUENCY (Hz)
140
–40
13035-124
–120
10k
–20
20
40
60
80
100
120
100
120
TEMPERATURE (°C)
図 24. ACPSRR の周波数特性、±15 V 両電源
0.06
0
13035-127
150
図 27. tTRANSITION の温度特性
0.9
LOAD = 10kΩ
TA = 25°C
0.8
THRESHOLD VOLTAGE, VT (V)
0.05
THD + N (%)
0.04
0.03
VDD
VDD
VDD
VDD
0.02
= +12V,
= +36V,
= +15V,
= +20V,
VSS
VSS
VSS
VSS
= 0V, VS = +6V p-p
= 0V, VS = +18V p-p
= –15V, VS = +15V p-p
= –20V, VS = +20V p-p
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.01
0
5
10
15
FREQUENCY (kHz)
20
0
–40
13035-125
0
0
20
40
60
80
TEMPERATURE (°C)
図 28. 閾値電圧 (VT)の温度特性
図 25. THD + N の周波数特性
Rev. 0
–20
－ 18/27 －
13035-128
0.1
ADG5208F/ADG5209F
データシート
TA = 25°C
VDD = +10V
VSS = –10V
T
20
SIGNAL VOLTAGE (V p-p)
VS
VDD
DRAIN
2
VSS
16
12
8
DISTORTIONLESS
OPERATING REGION
CH2 10V
CH4 10V
1µs
T
2.5GS/s A CH1
–10.0ns 100k POINTS
15.2V
0
1
10
FREQUENCY (MHz)
図 31. 大電圧信号トラッキングの周波数特性
図 29. 正の過電圧に対するドレイン出力応答
T
VDD
DRAIN
2
VSS
CH1 10V
CH3 10V
CH2 10V
CH4 10V
1µs
T
2.5GS/s A CH1
–10.0ns 100k POINTS
–15.6V
13035-130
VS
図 30. 負の過電圧に対するドレイン出力応答
Rev. 0
－ 19/27 －
100
13035-131
CH1 10V
CH3 10V
13035-129
4
ADG5208F/ADG5209F
データシート
テスト回路
VDD
VDD = VSS = GND = 0V
D/Dx
Sx
A
VSS
0.1µF
0.1µF
ID
IS
A
VDD
13035-040
RL
10kΩ
VS
NETWORK
ANALYZER
VSS
Sx
50Ω
50Ω
Ax
VS
D/Dx
図 32. 電源オフ時のスイッチ・リーク
VIN
RL
50Ω
GND
VOUT
ID
Sx
D/Dx
A
OFF ISOLATION = 20 log
VOUT
VS
13035-039
RL
10kΩ
|VS| > |VDD| OR |VSS|
13035-037
IS
A
図 38.オフ時アイソレーション
図 33. スイッチ過電圧リーク
VDD
VSS
0.1µF
0.1µF
IS (OFF)
ADG5208F*
S1
A
ID (OFF)
D
A
VDD
50Ω
Sx
S8
A
NETWORK
ANALYZER
VSS
Ax
*SIMILAR CONNECTION FOR ADG5209F.
13035-035
VD
VS
VS
D/Dx
VIN
RL
50Ω
GND
VOUT
INSERTION LOSS = 20 log
ADG5208F*
S1
NC
13035-041
図 34.オフ時リーク
VOUT WITH SWITCH
VOUT WITHOUT SWITCH
ID (ON)
D
A
図 39.帯域幅
S2
S8
A
VS
VDD
VD
VSS
0.1µF
NC = NO CONNECT
*SIMILAR CONNECTION FOR ADG5209F.
13035-036
0.1µF
VDD
VSS
NETWORK
ANALYZER
S1/S1x
図 35.オン時リーク
RL
50Ω
RL
50Ω
VOUT
D/Dx
S2/S2x
V
GND
D/Dx
CHANNEL-TO-CHANNEL CROSSTALK = 20 log
13035-034
IDS
VS
RON = V/IDS
図 40. チャンネル間クロストーク
図 36.オン抵抗
VDD
VSS
0.1µF
0.1µF
VDD
AUDIO
PRECISION
VSS
RS
Sx
VS
V p-p
Ax
D/Dx
GND
RL
10kΩ
VOUT
13035-042
VIN
図 37. THD + N
Rev. 0
VOUT
VS
－ 20/27 －
13035-038
Sx
VS
ADG5208F/ADG5209F
データシート
VDD
VSS
0.1µF
0.1µF
VDD + 0.5V
VDD
SOURCE
VOLTAGE
(VS)
VSS
Sx
VD
D/Dx
CL
5pF
VS
0V
tRESPONSE
ADG5208F/
ADG5209F
VDD
OTHER SOURCE/
DRAIN PINS
GND
OUTPUT × 0.5
OUTPUT
(VD)
RL
1kΩ
0V
13035-043
NOTES
1. THE OUTPUT PULLS TO VDD WITHOUT A 1kΩ RESISTOR (INTERNAL 40kΩ
PULL-UP RESISTOR TO THE SUPPLY RAIL DURING A FAULT).
図 41. 過電圧応答時間 tRESPONSE
VDD
VSS
0.1µF
0.1µF
VDD + 0.5V
VDD
SOURCE
VOLTAGE
(VS)
VSS
Sx
VD
D/Dx
CL
5pF
VS
0V
ADG5208F/
ADG5209F
tRECOVERY
OUTPUT
(VD)
RL
1kΩ
OTHER SOURCE/
DRAIN PINS
OUTPUT × 0.5
GND
13035-044
0V
NOTES
1. THE OUTPUT STARTS FROM THE VDD CLAMP LEVEL WITHOUT A 1kΩ RESISTOR
(INTERNAL 40kΩ PULL-UP RESISTOR TO THE SUPPLY RAIL DURING A FAULT).
図 42. 過電圧回復時間 tRECOVERY
VDD
VSS
0.1µF
0.1µF
3V
VDD
ADDRESS
DRIVE (VIN)
VSS
A0
S1
VS
A1
VIN
0V
S2 TO S7
A2
S8
80%
ADG5208F*
80%
OUTPUT
2.0V
OUTPUT
D
EN
GND
1kΩ
35pF
*SIMILAR CONNECTION FOR ADG5209F.
図 43. ブレーク・ビフォア・メーク時間遅延 tD
Rev. 0
－ 21/27 －
13035-045
tD
ADG5208F/ADG5209F
データシート
VSS
VDD
0.1µF
0.1µF
3V
VSS
VDD
ENABLE
DRIVE (VIN)
50%
A0
50%
S1
VS
A1
S2 TO S8
0V
A2
tON (EN)
ADG5208F*
tOFF (EN)
OUTPUT
0.9VOUT
D
EN
OUTPUT
VIN
35pF
1kΩ
GND
13035-046
0.1VOUT
*SIMILAR CONNECTION FOR ADG5209F.
図 44. イネーブル遅延、tON (EN)、tOFF (EN)
VSS
VDD
0.1µF
3V
ADDRESS
DRIVE (VIN)
0.1µF
tr < 20ns
tf < 20ns
50%
VSS
VDD
50%
A0
S1
0V
VS1
A1
VIN
S2 TO S7
A2
tTRANSITION
tTRANSITION
VS8
S8
90%
ADG5208F*
2.0V
OUTPUT
OUTPUT
D
EN
GND
1kΩ
35pF
13035-047
90%
*SIMILAR CONNECTION FOR ADG5209F.
図 45. アドレス―出力間のスイッチング時間 tTRANSITION
VSS
VDD
0.1µF
0.1µF
VDD
3V
VSS
A0
A1
VIN
A2
ADG5208F*
VOUT
QINJ = CL × ΔVOUT
RS
ΔVOUT
S1
D
EN
GND
VS
VOUT
CL
1nF
*SIMILAR CONNECTION FOR ADG5209F.
図 46. チャージ・インジェクション QINJ
Rev. 0
－ 22/27 －
13035-048
VIN
ADG5208F/ADG5209F
データシート
用語
IDD
正の電源電流。
tTRANSITION
あるアドレス状態から別のアドレス状態へ切り替わるときのデ
ジタル入力の 50%/90%ポイントとスイッチ・オン状態との間の
遅延時間。
ISS
負の電源電流。
VD、VS
それぞれ D ピンまたは Dx ピンと Sx ピンのアナログ電圧。
tD
あるアドレス状態から別のアドレス状態へ切り替わるときの両
スイッチの 90%ポイント間で測定したオフ時間。
RON
D ピンまたは Dx ピンと Sx ピンの間の抵抗。
∆RON
任意の 2 チャンネル間の RON の差。
tRESPONSE
ソース電圧が電源電圧を 0.5 V 上回ってから、ドレイン電圧が
ピーク電圧の 50%を下回るまでの遅延。
RFLAT(ON)
仕様で規定されたアナログ信号範囲におけるオン抵抗の最大値
と最小値の差として定義される平坦性。
tRECOVERY
Sx ピンの過電圧が電源電圧 + 0.5 V を下回ってから、ドレイン
電圧が 0 V からピーク電圧の 50%を上回るまでの遅延。
IS (Off)
スイッチ・オフ時のソース・リーク電流。
オフ・アイソレーション
オフ状態のスイッチを通過する不要信号の大きさ。
ID (Off)
スイッチ・オフ時のドレイン・リーク電流。
チャージ・インジェクション
スイッチング時にデジタル入力からアナログ出力へ伝達される
グリッチ・インパルスの大きさ。
ID (On)、IS (On)
スイッチ・オン時のチャンネル・リーク電流。
チャンネル間クロストーク
寄生容量に起因して 1 つのチャンネルから別のチャンネルに混
入する不要信号の大きさ。
VINL
ロジック 0 の最大入力電圧。
挿入損失
スイッチのオン抵抗に起因する損失。
VINH
ロジック 1 の最小入力電圧。
−3 dB 帯域幅
出力が 3 dB 減衰する周波数。
IINL、IINH
デジタル入力のそれぞれロー・レベルおよびハイ・レベルでの
入力電流。
CD (Off)
スイッチ・オフ時のドレイン容量。グラウンドを基準として測
定。
CS (Off)
スイッチ・オフ時のソース容量。グラウンドを基準として測定。
CD (On)、CS (On)
スイッチ・オン時の容量。グラウンドを基準として測定。
CIN
デジタル入力容量。
tON (EN)
デジタル・コントロール入力から出力スイッチ・オンまでの遅
延(図 44 参照)。
AC 電源変動除去比(ACPSRR)
出力信号振幅の変調振幅に対する比。ACPSRR は、電源電圧ピ
ンに現れるノイズとスプリアス信号がスイッチ出力へ混入する
のを防止するデバイスの能力を表す。デバイスの DC 電圧が、
0.62 V p-p の正弦波で変調される。
オン応答
オン状態にあるスイッチの周波数応答。
VT
過電圧保護回路が機能を開始する電圧閾値(図 28 参照)。
全高調波歪み + ノイズ (THD + N)
高調波振幅と信号ノイズの和の基本波に対する比。
tOFF (EN)
デジタル・コントロール入力から出力スイッチ・オフまでの遅
延(図 44 参照)。
Rev. 0
－ 23/27 －
ADG5208F/ADG5209F
データシート
動作原理
スイッチ・アーキテクチャ
ADG5208F/ADG5209F の各チャンネルは、NDMOS トランジスタ
と PDMOS トランジスタの並列ペアから構成されています。この
構造は、全信号範囲で優れた性能を提供します。
ADG5208F/ADG5209F チャンネルは、VSS～VDD の電圧を持つ入
力信号を加えた場合、標準的なスイッチとして動作します。例
えば、オン抵抗が 250 Ω (typ)で、スイッチの開閉は該当するア
ドレス・ピンから制御されます。
追加の内部回路を使うと、ソース・ピンの電圧を VDD および
VSS と比較することにより、過電圧入力をスイッチに検出させる
ことができます。信号が電源電圧を電圧閾値 VT だけ上回ると信
号は過電圧と見なされます。閾値電圧は 0.7 V (typ)ですが、0.8
V (−40°C 動作)～0.6 V (+125°C 動作)の範囲を持つことができます。
VT の動作温度による変化については、図 28 を参照してくださ
い。
ソース入力に加えることができる電圧は+55 V～−55 V です。デ
バイスが 25 V 以上の単電源で動作する場合、80 V の最大定格に
準拠するため、最小信号レベルは VDD = +40 V で−55 V から−40
V へ増加します。製造プロセスで形成される構造により、チャ
ンネルはオープン時のスイッチ間電圧 80 V に耐えることができ
ます。これらの過電圧制限は、電源の有無によらず適用されま
す。
VDD
ESD
PROTECTION
過電圧状態では、ソース・ピンを流れるリーク電流は数十 μA
に制限されます。ソース・ピンが選択されない場合、ドレイ
ン・ピンに流れるリーク電流は数 nA になりますが、ソースが
選択されると、ピンは電源レール電圧で駆動されます。ドレイ
ン・ピンを電源レールで駆動するデバイスは、約 40 kΩ のイン
ピーダンスを持ちます。このため D ピンまたは Dx ピン電流は、
負荷短絡状態で約 1 mA に制限されます。また、この内部イン
ピーダンスは、故障時に必要とされる電圧レベルでドレイン・
ピンを駆動するために必要な最小外付け負荷抵抗も決定します。
過電圧イベントが発生した場合、過電圧入力の影響を受けない
チャンネルは、クロストークの増加なく通常動作を続けます。
ESD 性能
ドレイン・ピンにはレールに接続された ESD 保護ダイオードが
内蔵されており、これらのピンの電圧は電源電圧を超えること
はできません。ソース・ピンには特別な ESD 保護ダイオードが
内蔵されているため、これにより信号電圧が電源電圧レベルに
関係なく、±55 V に達することができます。スイッチ・チャン
ネル機能の概要については図 47 を参照してください。
トレンチ・アイソレーション
ADG5208F/ADG5209F では、各スイッチの NDMOS トランジス
タと PDMOS トランジスタの間に絶縁酸化物層(トレンチ)が設け
てあります。ジャンクションで絶縁されたスイッチ内の複数の
トランジスタ間に発生する寄生ジャンクションがなくなるため、
いかなる場合でもラッチアップのないスイッチが得られます。
ESD
Sx
NDMOS
PDMOS
P-WELL
N-WELL
D/Dx
ESD
Ax
SWITCH
DRIVER
LOGIC
BLOCK
VSS
13035-049
FAULT
DETECTOR
図 47. スイッチ・チャンネルと制御機能
過電圧に対する応答
Rev. 0
－ 24/27 －
TRENCH
BURIED OXIDE LAYER
HANDLE WAFER
図 48. トレンチ・アイソレーション
13035-050
ソース・ピンで過電圧状態が検出されると、デジタル・ロジッ
ク状態とは無関係に、スイッチは自動的にオープンします。
ソース・ピンは高インピーダンスになり、そのソース・ピンが選
択された場合、ドレイン・ピンは超過した電源電圧で駆動され
ます。例えば、ソース電圧が VDD を超える場合、ドレイン出力
は VDD で駆動されます。VSS の場合も同様です。図 29 では、ス
イッチが完全にオフになるまで、ドレイン・ピン電圧がソー
ス・ピン電圧に追従するように見えます。その後、ドレイン・
ピンは 1 kΩ 負荷抵抗により GND に駆動されます。そうでない
場合は VDD 電源で駆動されます。ドレインの最大電圧は内蔵
ESD ダイオードにより制限され、出力電圧が放電するレートは、
ピンの負荷に依存します。
ADG5208F/ADG5209F
データシート
故障保護機能
ソース入力での電圧が VDD または VSS を VT だけ上回ると、ス
イッチがオフになります。デバイスに電源が加わっていない場合
は、スイッチはオフ状態を維持します。スイッチ入力はデジタ
ル入力状態に無関係に高インピーダンスを維持し、選択される
とドレインは VDD または VSS で駆動されます。ソース・ピンと
電源ピンの間の 80 V 制限を満たすかぎり、電源入力ありおよび
電源入力なしの状態で、+55 V および-55 V までの信号レベルが
阻止されます。
これらの計算はすべてデバイスの仕様を満たしています。すな
わち、オン・ソース入力では 55 V の最大故障、オフ・スイッ
チ・チャンネル間は最大 80 V です。
+22V
0V
–22V
VDD
GND
VSS
ADG5208F
+22V
‒55V
+55V
S1
S2
S3
D
パワーオン保護機能
スイッチがオン状態であるためには、次の3つの条件を満たす必
要があります。
1-OF-8
DECODER
VDD～VSS ≥ 8 V
VSS − VT < 入力信号 < VDD + VT
デジタル・ロジック制御入力はアクティブ
A0
スイッチは、VDD または VSS を閾値電圧 VT だけ上回るアナログ
入力に応答してオフします。絶対入力電圧制限値は−55 V およ
び +55 V で、ソース・ピンと電源レール間の 80 V 制限を維持し
ます。スイッチは、ソース・ピンの電圧が VDD～VSS の範囲に戻
るまでオフを維持します。
±15 V の両電源を使う場合の故障応答時間 (tRESPONSE)は 90 ns
(typ)で、故障回復時間 (tRECOVERY) は 745 ns です。これらは、電
源電圧と出力負荷条件により変わります。
いずれかのソース入力が±55 V を超えると、デバイスの ESD 保
護回路が損傷を受けることがあります。
スイッチ・チャンネル間の最大ストレスは 80 V です。このため、
故障状態ではこの制限に注意する必要があります。
例えば、デバイスが図 49 のようにセットアップされている場合、
VDD/VSS = ±22 V、S1 = +22 V、S1 を選択
S2 に−55 V 故障、S3 に+55 V 故障をそれぞれ設定。
S2―D 間電圧 = +22 V − (−55 V) = +77 V。
S3―D 間電圧= 55 V− 22 V = 33 V。
Rev. 0
A2
EN
0V
+5V
スイッチがオンになると、電源レールまでの信号レベルが通過
します。
•
•
•
•
A1
13035-051
•
•
•
S8
図 49. 過電圧状態の ADG5208F
パワーオフ保護機能
電源入力がないとき、スイッチはオフ状態を維持し、スイッチ
入力は高インピーダンスになります。この状態は、電流が生じ
ないようにして、スイッチまたはダウンストリーム回路に対す
る損傷を防止します。スイッチ出力は、仮想的な断線として機
能します。
VDDとVSS 電源が0 Vであるかフローティングであるかに無関係
に、スイッチはオフ状態を維持します。正しい動作のためには、
常にGND リファレンスが存在する必要があります。電源入力が
ない状態で、±55 Vまでの信号レベルが阻止されます。
デジタル入力保護機能
ADG5208F/ADG5209F は、電源入力なしでデバイスへ入力され
るデジタル信号に耐えることができます。デバイスに電源入力
がない場合、デジタル・ロジック信号の状態に無関係にスイッ
チはオフ状態を維持します。
デジタル入力は、最大 44 V の正側故障に対して保護されていま
すが、負側過電圧に対して保護されていません。GND に接続さ
れた ESD 保護ダイオードは、デジタル入力にあります。
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ADG5208F/ADG5209F
データシート
アプリケーション情報
電源レール
デバイスの正常動作を保証するためには、0.1 µF のデカップリ
ング・コンデンサが必要です。
ADG5208F/ADG5209F は、±5 V～±22 V の両電源で動作するこ
とができます。VDD と VSS の電源は対称である必要はありませ
んが、VDD と VSS の範囲は 44 V を超えることはできません。ま
た、ADG5208F/ADG5209F は VSS を GND に接続した 8 V～44 V
の単電源で動作することもできます。
電源の推奨事項
アナログ・デバイセズは、大部分の高性能シグナル・チェーン
の条件を満たす広範囲なパワーマネジメント製品を提供してい
ます。
両電源ソリューションの例を図 50 に示します。ADP7118 と
ADP7182 を使って、ADP5070 デュアル・スイッチング・レギュ
レータ出力からクリーンな正電源と負電源を生成することができ
ます。これらの電源を使って、代表的なシグナル・チェーン内
で ADG5208F/ ADG5209F アンプ、および／または高精度コン
バータに電源を供給することができます。
+16V
ADP7182
LDO
–15V
図 50. 両電源ソリューション
表 11. 推奨パワーマネジメント・デバイス
デバイスの電源入力がないとき、スイッチ・チャンネルはオー
プンを維持します。デバイスに損傷を与えることなく、−55 V～
+55 V の信号を加えることができます。電源が接続され、かつ
適切なデジタル制御信号がアドレス・ピンに入力され、さらに
信号が通常動作範囲内にある場合にのみ、スイッチ・チャンネ
ルが閉じます。外部コネクタと敏感な部品の間に ADG5208F/
ADG5209F を配置すると、電源電圧が使用可能になる前に信号
をソース・ピンに入力するシステムで保護機能を実現できます。
Product
Description
ADP5070
1 A/0.6 A, dc-to-dc switching regulator with independent
positive and negative outputs
20 V, 200 mA, low noise, CMOS LDO
40 V, 200 mA, low noise, CMOS LDO
−28 V, −200 mA, low noise, linear regulator
ADP7118
ADP7142
ADP7182
高電圧サージ除去
信号範囲
ADG5208F/ADG5209Fスイッチには入力に過電圧検出回路が内
蔵されています。この回路は、ソース・ピンの電圧レベルを
VDDおよびVSSと比較します。過電圧からダウンストリーム回路
を 保護 するとき は、 目的とし た信 号範囲に 一致 する電圧 で
ADG5208F/ADG5209Fの電源を供給してください。保護アーキ
テクチャの追加により、電源レールまでの信号が通過でき、電
源レールを閾値電圧だけ上回る信号は阻止されます。この信号
ブロックが、デバイスとダウンストリーム回路に対する保護を
提供します。
Rev. 0
+15V
ADP5070
–16V
これらのデバイスは、±15 V、±20 V、+12 V、+36 V の電源範囲
で仕様が規定されています。
電源シーケンシング保護
ADP7118
LDO
12V
INPUT
13035-052
スイッチとマルチプレクサの過電圧保護ファミリーは、計装用、
工業用、車載用、航空宇宙用、さらに過電圧信号が存在し、か
つその過電圧信号以後もシステムが動作を維持しなければなら
ないその他の厳しい環境に対して、強固なソリューションを提
供します。
ADG5208F/ADG5209Fは、非常に高い電圧でのアプリケーショ
ンを対象にしていません。トランジスタの最大動作電圧は80 V
です。入力にブレークダウン電圧を超える過電圧が印加される
可 能性 のあるア プリ ケーショ ンで は、過渡 電圧 サプレッ サ
(TVS)または同等品を使用してください。
高電圧、高周波の信号
図 31 に、ADG5208F/ADG5209F が対応できる電圧範囲と周波数
を示します。VSS～VDD のフル信号範囲を持つ信号に対しては、
周波数を 1 MHz より低く維持してください。所望周波数が 1
MHz を超える場合は、信号インテグリティを維持するため信号
範囲を適切に小さくしてください。
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ADG5208F/ADG5209F
データシート
外形寸法
5.10
5.00
4.90
16
9
4.50
4.40
4.30
6.40
BSC
8
1
PIN 1
1.20
MAX
0.15
0.05
0.20
0.09
0.65
BSC
0.30
0.19
COPLANARITY
0.10
SEATING
PLANE
8°
0°
0.75
0.60
0.45
COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MO-153-AB
図 51. 16 ピン薄型シュリンク・スモール・アウトライン・パッケージ[TSSOP]
(RU-16)
寸法: mm
オーダー・ガイド
Model 1
Temperature Range
Package Description
Package Option
ADG5208FBRUZ
ADG5208FBRUZ-RL7
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
16-Lead Thin Shrink Small Outline Package [TSSOP]
16-Lead Thin Shrink Small Outline Package [TSSOP]
RU-16
RU-16
ADG5209FBRUZ
ADG5209FBRUZ-RL7
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
16-Lead Thin Shrink Small Outline Package [TSSOP]
16-Lead Thin Shrink Small Outline Package [TSSOP]
RU-16
RU-16
1
Z = RoHS 準拠製品。
Rev. 0
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