3 V/5 V、4/8チャンネル 高性能アナログ・マルチプレクサ ADG608/ ADG609 機能ブロック図 特長 電源: +3 V、+5 V、±5 V アナログ信号範囲: VSS~VDD 小さいオン抵抗(最大 30 Ω) 高速なスイッチング時間 tON =最大 75 ns tOFF =最大 45 ns 低消費電力(最大 1.5 μW) ブレーク・ビフォ・メーク構成 軍用規格 3015.7 に準拠: ESD > 5000 V TTL/CMOS 互換入力 アプリケーション 自動テスト装置 データ・アクイジション・システム 通信システム アビオニクス・システムおよび軍用システム マイクロプロセッサ制御のアナログ・システム 医療計装機器 バッテリ駆動の計装機器 リモート給電を受ける装置 AD7840/8、AD7870/1/2/4/5/6/8 などの±5 V の DAC および ADC と互換 ADG608 と ADG609 は+3 V、+5 V の単電源または± 5 V の両電源で 動作するため、バッテリ駆動の計装機器での使用やアナログ・デバ イセズの新世代の DAC および ADC との使用に最適です。5 V 電源 の使用と動作電流の削減により、± 15 V 電源で動作するデバイスよ り低消費電力が大幅に削減されています。 製品のハイライト 概要 1. ADG608 と ADG609 は、それぞれ 8 チャンネルと差動 4 チャンネル で構成されたモノリシック CMOS アナログ・マルチプレクサで、± 5 V、 +5 V、+3 V の電源で仕様が規定されています。ADG608 は、3 ビッ トのバイナリ・アドレス・ライン A0、A1、A2 による指定に基づき、 8 入力の内の 1 つを共通出力に接続します。ADG609 は、2 ビットの バイナリ・アドレス・ライン A0 と A1 による指定に基づき、4 差動 入力の内の1つを共通差動出力に接続します。 両デバイスの EN 入力は、デバイスをイネーブルまたはディスエー ブルするときに使います。ディスエーブルされると、すべてのチャ ンネルはスイッチ・オフされます。すべてのアドレス入力とイネー ブル入力は、規定動作温度範囲で TTL 互換のため、データ・アク イジション・システム、プロセス制御、アビオニクス、ATE などの バス制御されるシステムでの使用に適しています。TTL 互換アドレ ス入力は、デジタル・インターフェース・デザインを簡素化し、ボ ード面積を削減します。 ADG608/ADG609 は、低消費電力、高速度スイッチング、低いオン 抵抗を提供する強化された LC2MOS プロセスを採用してデザイン されています。各チャンネルはオンのとき等しく両方向に導通し、 電源までの入力信号範囲を持っています。OFF 状態では、電源電圧 までの信号レベルを阻止します。すべてのチャンネルはブレーク・ ビフォ・メーク・スイッチング動作を行うため、チャンネル切り替 え時に瞬時的な短絡は発生しません。小さいチャージ・インジェ クションはデザインに固有で、デジタル入力のスイッチング時の過 渡電圧は小さくなっています。 Rev. A 2. 3. 4. 5. 6. ADG608/ADG609 は強化された LC2MOS プロセスで製造され るため、電源レールまでの広い信号範囲を提供。 低消費電力。 低 RON 高速なスイッチング時間 ブレーク・ビフォ・メーク・スイッチが、入力信号の瞬時短絡 を防止するブレーク・ビフォ・メーク動作を保証。 単電源/両電源動作。 オーダー・ガイド Model Temperature Range Package Option* ADG608BN ADG608BR ADG608BRU ADG608TRU ADG609BN ADG609BR ADG609BRU –40°C to +85°C –40°C to +85°C –40°C to +85°C –55°C to +125°C –40°C to +85°C –40°C to +85°C –40°C to +85°C N-16 R-16A RU-16 RU-16 N-16 R-16A RU-16 * N =プラスチック DIP; RU =薄型シュリンク・スモール・アウトラ イン・パッケージ(TSSOP); R = 0.15 インチ・スモール・アウトライン IC (SOIC)。 アナログ・デバイセズ社は、提供する情報が正確で信頼できるものであることを期していますが、その情報の利用に関 して、あるいは利用によって生じる第三者の特許やその他の権利の侵害に関して一切の責任を負いません。また、アナ ログ・デバイセズ社の特許または特許の権利の使用を明示的または暗示的に許諾するものでもありません。仕様は、予 告なく変更される場合があります。本紙記載の商標および登録商標は、各社の所有に属します。 ※日本語データシートは REVISION が古い場合があります。最新の内容については、英語版をご参照ください。 ©1995 Analog Devices, Inc. All rights reserved. 本 社/〒105-6891 東京都港区海岸 1-16-1 ニューピア竹芝サウスタワービル 電話 03(5402)8200 大阪営業所/〒532-0003 大阪府大阪市淀川区宮原 3-5-36 新大阪トラストタワー 電話 06(6350)6868 ADG608/ADG609 ADG608/ADG609の仕様 両電源 1 (特に指定がない限り、VDD = +5 V ± 10%、VSS = –5 V ± 10%、GND = 0 V) Parameter ANALOG SWITCH Analog Signal Range RON B Version +25°C –40°C to +85°C T Version +25°C –55°C to +125°C VSS to VDD 22 Units VSS to VDD V Ω typ 22 30 35 30 40 Ω max ΔRON 5 6 5 6 Ω max RON Match 2 3 2 3 Ω max LEAKAGE CURRENTS Source OFF Leakage IS (OFF) Drain OFF Leakage ID (OFF) ADG608 ADG609 Channel ON Leakage ID, IS (ON) ADG608 ADG609 DIGITAL INPUTS Input High Voltage, VINH Input Low Voltage, VINL Input Current IINL or IINH CIN, Digital Input Capacitance DYNAMIC CHARACTERISTICS2 tTRANSITION ± 0.05 ± 0.5 ± 0.05 ± 0.5 ± 0.5 ± 0.05 ± 0.5 ± 0.5 ±2 ±2 ±1 ±3 ± 1.5 ± 0.05 ± 0.5 ± 0.05 ± 0.5 ± 0.5 ± 0.05 ± 0.5 ± 0.5 2.4 0.8 ±1 5 50 75 50 75 ± 20 ± 10 2.4 0.8 V min V max ±1 µA max pF typ VIN = 0 or VDD ns typ ns max RL = 300 Ω, CL = 35 pF; VS1 = ± 3.5 V, VS8 = +3.5 V; Test Circuit 5 RL = 300 Ω, CL = 35 pF; VS = +3.5 V; Test Circuit 6 RL = 300 Ω, CL = 35 pF; VS = +3.5 V; Test Circuit 7 RL = 300 Ω, CL = 35 pF; VS = +3.5 V; Test Circuit 7 VS = 0 V, RS = 0 Ω, CL = 1 nF; Test Circuit 8 RL = 1 kΩ, CL = 15 pF, f = 100 kHz; VS = 3 V rms; Test Circuit 9 RL = 1 kΩ, CL = 15 pF, f = 100 kHz; Test Circuit 10 ± 10 ±5 100 tOPEN 10 tON (EN) Charge Injection 50 75 30 45 6 OFF Isolation 85 85 dB typ Channel-to-Channel Crosstalk 85 85 dB typ 9 9 pF typ 40 20 40 20 pF typ pF typ 54 34 54 34 pF typ pF typ tOFF (EN) CS (OFF) CD (OFF) ADG608 ADG609 CD (ON) ADG608 ADG609 POWER REQUIREMENTS IDD ISS 0.05 0.2 0.01 0.1 10 90 60 0.2 2 0.1 1 50 75 30 45 6 0.05 0.2 0.01 0.1 ns min 100 75 0.2 2 0.1 1 注 1 温度範囲: B バージョンが–40°C~+85°C、T バージョンが–55°C~+125°C。 2 出荷テストは行いませんがデザインで保証します。 仕様は予告なく変更されることがあります。 Rev. A –3.5 V ≤ VS≤+3.5 V, IS = –1 mA; VDD = +4.5 V, VSS = –4.5 V; Test Circuit 1 –3 V ≤ VS ≤ +3 V, IDS = –1 mA; VDD = +5 V, VSS = –5 V VS = 0 V, IDS = –1 mA; VDD = +5 V, VSS = –5 V VDD = +5.5 V, VSS = –5.5 V VD = ± 4.5 V, VS = +4.5V Test Circuit 2 VD = ± 4.5 V, VS = +4.5 V; Test Circuit 3 nA typ nA max nA typ nA max nA max nA typ nA max nA max ± 10 5 90 Test conditions/ Comments - 2/11 - ns typ ns max ns typ ns max pC typ µA typ µA max µA typ µA max VS = VD = ± 4.5 V; Test Circuit 4 VIN = 0 V or VDD ADG608/ADG609 単電源 1 (特に指定がない限り、VDD = +5 V ± 10%、VSS = 0 V、GND = 0 V) Parameter ANALOG SWITCH Analog Signal Range RON ΔRON RON Match LEAKAGE CURRENTS Source OFF Leakage IS (OFF) Drain OFF Leakage ID (OFF) ADG608 ADG609 Channel ON Leakage ID, IS (ON) ADG608 ADG609 DIGITAL INPUTS Input High Voltage, VINH Input Low Voltage, VINL Input Current IINL or IINH CIN, Digital Input Capacitance DYNAMIC CHARACTERISTICS2 tTRANSITION B Version +25°C –40°C to +85°C T Version +25°C –55°Cto +125°C 0 to VDD 40 50 5 2 ± 0.05 ± 0.5 ± 0.05 ± 0.5 ± 0.5 ± 0.05 ± 0.5 ± 0.5 60 40 50 70 V Ω typ Ω max 6 3 5 2 6 3 Ω max Ω max ±2 ±2 ±1 ±3 ± 1.5 0 to VDD ± 0.05 ± 0.5 ± 0.05 ± 0.5 ± 0.5 ± 0.05 ± 0.5 ± 0.5 2.4 0.8 ±1 5 80 100 Units 80 100 ± 20 ± 10 2.4 0.8 V min V max ±1 µA max pF typ VIN = 0 or VDD ns typ ns max RL = 300 Ω, CL = 35 pF; VS1 = 3.5 V/0 V, VS8 = 0 V/3.5 V; Test Circuit 5 RL = 300 Ω, CL = 35 pF; VS = +3.5 V; Test Circuit 6 RL = 300 Ω, CL = 35 pF; VS = +3.5 V; Test Circuit 7 RL = 300 Ω, CL = 35 pF; VS = +3.5 V; Test Circuit 7 VS = 0 V, RS = 0 Ω, CL = 1 nF; Test Circuit 8 RL = 1 kΩ, CL = 15 pF, f = 100 kHz; VS = 1.5 V rms; Test Circuit 9 RL = 1 kΩ, CL = 15 pF, f = 100 kHz; Test Circuit 10 ± 10 ±5 150 tOPEN 10 tON (EN) OFF Isolation 80 100 40 50 0.5 3 85 Channel-to-Channel Crosstalk 85 85 dB typ CS (OFF) CD (OFF) ADG608 ADG609 CD (ON) ADG608 ADG609 9 9 pF typ 40 20 40 20 pF typ pF typ 54 34 54 34 pF typ pF typ tOFF (EN) Charge Injection POWER REQUIREMENTS IDD 0.05 0.2 10 130 60 0.2 2 80 100 40 50 0.5 3 85 0.05 0.2 ns min 150 75 0.2 2 注 1 温度範囲: B バージョンが–40°C~+85°C、T バージョンが–55°C~+125°C。 2 出荷テストは行いませんがデザインで保証します。 仕様は予告なく変更されることがあります。 Rev. A VS = +3.5 V, IS = –1 mA; VDD = +4.5 V; Test Circuit 1 +1 V ≤ VS ≤ +3 V, IDS = –1 mA; VDD = +5 V VS = 0 V, IDS = –1 mA; VDD = +5 V VDD = +5.5 V VD = 4.5 V/0.1 V, VS = 0.1 V/4.5 V; Test Circuit 2 VD = 4.5 V/0.1 V, VS = 0.1 V/4.5 V; Test Circuit 3 nA typ nA max nA typ nA max nA max nA typ nA max nA max ± 10 5 130 Test Conditions/ Comments - 3/11 - ns typ ns max ns typ ns max pC typ pC max dB typ µA typ µA max VS = VD = 4.5 V/0.1 V; Test Circuit 4 VIN = 0 V or VDD ADG608/ADG609 ADG608/ADG609 の仕様 単電源 1 (特に指定がない限り、VDD = +3.3 V ± 10%、VSS = 0 V、GND = 0 V) Parameter ANALOG SWITCH Analog Signal Range RON RON Match LEAKAGE CURRENTS Source OFF Leakage IS (OFF) Drain OFF Leakage ID (OFF) ADG608 ADG609 Channel ON Leakage ID, IS (ON) ADG608 ADG609 DIGITAL INPUTS Input High Voltage, VINH Input Low Voltage, VINL Input Current IINL or IINH CIN, Digital Input Capacitance DYNAMIC CHARACTERISTICS2 tTRANSITION B Version +25°C –40°C to +85°C T Version +25°C –55°C to +125°C 0 to VDD 60 90 3 ± 0.05 ± 0.5 ± 0.05 ± 0.5 ± 0.5 ± 0.05 ± 0.5 ± 0.5 100 3 ±2 ±2 ±1 ±3 ± 1.5 0 to VDD 60 90 3 120 3 ± 0.05 ± 0.5 ± 0.05 ± 0.5 ± 0.5 ± 0.05 ± 0.5 ± 0.5 2.4 0.8 ±1 5 120 170 120 170 Test Conditions/ Comments V Ω typ Ω max Ω max VS = +1.5 V, IS = –1 mA; VDD = +3 V; Test Circuit 1 VS = 0 V, IDS = –1 mA, VDD = +3.3 V ± 20 ± 10 2.4 0.8 V min V max ±1 µA max pF typ VIN = 0 or VDD ns typ ns max RL = 300 Ω, CL = 35 pF; VS1 = 1.5 V/0 V, VS8 = 0 V/1.5 V; Test Circuit 5 RL = 300 Ω, CL = 35 pF; VS = +1.5 V; Test Circuit 6 RL = 300 Ω, CL = 35 pF; VS = +1.5 V; Test Circuit 7 RL = 300 Ω, CL = 35 pF; VS = +1.5 V; Test Circuit 7 VS = 0 V, RS = 0 Ω, CL = 1 nF; Test Circuit 8 RL = 1 kΩ, CL = 15 pF, f = 100 kHz; VS = 1 V rms; Test Circuit 9 RL = 1 kΩ, CL = 15 pF, f = 100 kHz; Test Circuit 10 ± 10 ± 10 ±5 250 tOPEN 10 tON (EN) OFF Isolation 120 170 40 60 0.5 3 85 Channel-to-Channel Crosstalk 85 85 dB typ CS (OFF) CD (OFF) ADG608 ADG609 CD (ON) ADG608 ADG609 9 9 pF typ 40 20 40 20 pF typ pF typ 54 34 54 34 pF typ pF typ tOFF (EN) Charge Injection POWER REQUIREMENTS IDD 0.05 0.2 10 225 75 0.2 2 ns min 120 170 40 60 0.5 3 85 0.05 0.2 250 90 0.2 2 注 1 温度範囲: B バージョンが–40°C~+85°C、T バージョンが–55°C~+125°C。 2 出荷テストは行いませんがデザインで保証します。 仕様は予告なく変更されることがあります。 Rev. A VDD = +3.6 V VD = 2.6 V/0.1 V, VS = 0.1 V/2.6 V; Test Circuit 2 VD = 2.6 V/0.1 V, VS = 0.1 V/2.6 V; Test Circuit 3 nA typ nA max nA typ nA max nA max nA typ nA max nA max 5 225 Units - 4/11 - ns typ ns max ns typ ns max pC typ pC max dB typ µA typ µA max VS = VD = 2.6 V/0.1 V; Test Circuit 4 VIN = 0 V or VDD ADG608/ADG609 絶対最大定格 1 (特に指定がない限り、TA = +25°C ) VDD~VSS 間 ..................................................................... +13 V GND を基準とする VDD ...................................... -0.3 V~+6.5 V GND を基準とする VSS ....................................... +0.3 V~-6.5 V アナログ、デジタル入力 2 ........................ -0.3 V~VDD + 2 V または 20 mA のいずれか早い方 連続電流、S または D.................................................... 20 mA ピーク電流、S または D(1 ms のパルス、10%の 最大デューティ・サイクル) ............... 40 mA 動作温度範囲 工業用(B バージョン) ......................................... -40°C~+85°C 拡張範囲(T バージョン) ................................... -55°C~+125°C 保存温度範囲 ......................................................... -65°C~+150°C ジャンクション温度 .......................................................... +150°C プラスチック DIP パッケージ θJA 熱抵抗 .................................................................. 117°C/W ピン温度(ハンダ処理、10 sec)................................. +260°C 表 I. ADG608 の真理値表 SOIC パッケージ θJA 熱抵抗 ................................................................... 77°C/W ピン温度、ハンダ処理 蒸着(60sec) .............................................................. +215°C 赤外線(15sec) ........................................................ +220°C TSSOP パッケージ θJA 熱抵抗 ................................................................. 158°C/W ピン温度、ハンダ処理 蒸着(60sec) .............................................................. +215°C 赤外線(15sec) .......................................................... +220°C ESD 定格....................................................................... >5000 V 注 1 上記の絶対最大定格を超えるストレスを加えるとデバイスに恒久的な損傷 を与えることがあります。この規定はストレス定格の規定のみを目的とす るものであり、この仕様の動作セクションに記載する規定値以上でのデバ イス動作を定めたものではありません。デバイスを長時間絶対最大定格状 態に置くとデバイスの信頼性に影響を与えます。同時に複数の絶対最大定 格条件を適用することはできません。 2 A、S、D または EN での過電圧は内部ダイオードでクランプされます。 電流は、規定された最大定格に制限してください。 表 II.ADG609 の真理値表 A2 A1 A0 EN ON SWITCH A1 A0 EN ON SWITCH PAIR X 0 0 0 0 1 1 1 1 X 0 0 1 1 0 0 1 1 X 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 1 1 1 1 1 1 1 NONE 1 2 3 4 5 6 7 8 X 0 0 1 1 X 0 1 0 1 0 1 1 1 1 NONE 1 2 3 4 X = Don’t Care X = Don’t Care ピン配置 Rev. A - 5/11 - ADG608/ADG609 ADG608/ADG609の代表的な性能特性 Rev. A 図 1 VD (VS)の関数としての RON:両電源 図 4 VD (VS)の関数としての RON:単電源 図 2.さまざまな温度での、VD (VS)の関数としての RON 図 5.さまざまな温度での、VD (VS)の関数としての RON 図 3.さまざまな温度での、VD (VS)の関数としての RON 図 6. VD (VS)の関数としてのリーク電流 - 6/11 - ADG608/ADG609 Rev. A 図 7. VD (VS)の関数としてのリーク電流 図 10. VD (VS)の関数としてのリーク電流 図 8.正電源電流対スイッチング周波数 図 11.負電源電流対スイッチング周波数 図 9.チャージ・インジェクション対アナログ電圧 VS 図 12.クロストークとオフ時アイソレーションの周波数特性 - 7/11 - ADG608/ADG609 テスト回路 テスト回路 1.オン抵抗 テスト回路 3. ID (OFF) テスト回路 2. IS (OFF) テスト回路 4. ID (ON) テスト回路 5.マルチプレクサのスイッチング時間、tTRANSITION Rev. A - 8/11 - ADG608/ADG609 テスト回路 6.ブレーク・ビフォ・メーク遅延、tOPEN テスト回路 7.イネーブル遅延、tON (EN)、tOFF (EN) テスト回路 8.チャージ・インジェクション Rev. A - 9/11 - ADG608/ADG609 テスト回路 9.オフ時アイソレーション テスト回路 10.チャンネル間クロストーク 用語集 VDD VSS GND RON ΔRON RON の不一致 IS (OFF) ID (OFF) ID, IS (ON) VD, VS CS (OFF) CD (OFF) CD, CS (ON) CIN tON (EN) tOFF (EN) Rev. A 正電源電位。 両電源の正電位。単電源アプリケーション では、グラウンドへ接続可能。 グラウンド(0 V)基準。 D-S 間の抵抗 一定負荷電流でのアナログ入力電圧変化に 起因する RON の変動。 任意の 2 チャンネル間での RON の差。 スイッチ・オフ時のソース・リーク電流。 スイッチ・オフ時のドレイン・リーク電流。 スイッチ・オン時のチャンネル・リーク電流。 D、S ピンのアナログ電圧 オフ状態のチャンネル入力容量。 オフ状態のチャンネル出力容量。 スイッチ・オン時の容量。 デジタル入力容量。 デジタル入力の 50%/90%ポイントとスイッチ・ オン状態との間の遅延時間。 デジタル入力の50%/90%ポイントとスイッ チ・オン状態との間の遅延時間。 tTRANSITION あるアドレス状態から別のアドレス状態へ 切り替わるときのデジタル入力の50%/90% ポイントとスイッチ・オン状態との間の遅 延時間。 tOPEN あるアドレス状態から別のアドレス状態へ 切り替わるときの両スイッチの80%ポイン ト間で測定したオフ時間。 VINL ロジック0の最大入力電圧。 VINH ロジック1の最小入力電圧。 IINL (IINH) デジタル入力の入力電流。 クロストーク 寄生容量に起因して1つのチャンネルから 別のチャンネルに伝達される不要信号の大 きさ。 オフ時アイソ レーション オフ状態のチャンネルを通過する不要信号 の大きさ。 チャージ・イ ンジェクショ ン スイッチング時にデジタル入力からアナロ グ出力へ伝達されるグリッチ・インパルス の大きさ。 IDD 正電源電流。 ISS 負電源電流。 - 10/11 - ADG608/ADG609 外形寸法 寸法表示:インチ(mm) C2021a–18–4/96-J 16 ピン・プラスチック(N-16) 16 ピン SOIC (R-16A) 16ピンTSSOP (RU-16) Rev. A - 11/11 -