日本語版

3 V/5 V、4/8チャンネル
高性能アナログ・マルチプレクサ
ADG608/ ADG609
機能ブロック図
特長
電源: +3 V、+5 V、±5 V
アナログ信号範囲: VSS~VDD
小さいオン抵抗(最大 30 Ω)
高速なスイッチング時間
tON =最大 75 ns
tOFF =最大 45 ns
低消費電力(最大 1.5 μW)
ブレーク・ビフォ・メーク構成
軍用規格 3015.7 に準拠: ESD > 5000 V
TTL/CMOS 互換入力
アプリケーション
自動テスト装置
データ・アクイジション・システム
通信システム
アビオニクス・システムおよび軍用システム
マイクロプロセッサ制御のアナログ・システム
医療計装機器
バッテリ駆動の計装機器
リモート給電を受ける装置
AD7840/8、AD7870/1/2/4/5/6/8 などの±5 V の
DAC および ADC と互換
ADG608 と ADG609 は+3 V、+5 V の単電源または± 5 V の両電源で
動作するため、バッテリ駆動の計装機器での使用やアナログ・デバ
イセズの新世代の DAC および ADC との使用に最適です。5 V 電源
の使用と動作電流の削減により、± 15 V 電源で動作するデバイスよ
り低消費電力が大幅に削減されています。
製品のハイライト
概要
1.
ADG608 と ADG609 は、それぞれ 8 チャンネルと差動 4 チャンネル
で構成されたモノリシック CMOS アナログ・マルチプレクサで、± 5 V、
+5 V、+3 V の電源で仕様が規定されています。ADG608 は、3 ビッ
トのバイナリ・アドレス・ライン A0、A1、A2 による指定に基づき、
8 入力の内の 1 つを共通出力に接続します。ADG609 は、2 ビットの
バイナリ・アドレス・ライン A0 と A1 による指定に基づき、4 差動
入力の内の1つを共通差動出力に接続します。
両デバイスの EN 入力は、デバイスをイネーブルまたはディスエー
ブルするときに使います。ディスエーブルされると、すべてのチャ
ンネルはスイッチ・オフされます。すべてのアドレス入力とイネー
ブル入力は、規定動作温度範囲で TTL 互換のため、データ・アク
イジション・システム、プロセス制御、アビオニクス、ATE などの
バス制御されるシステムでの使用に適しています。TTL 互換アドレ
ス入力は、デジタル・インターフェース・デザインを簡素化し、ボ
ード面積を削減します。
ADG608/ADG609 は、低消費電力、高速度スイッチング、低いオン
抵抗を提供する強化された LC2MOS プロセスを採用してデザイン
されています。各チャンネルはオンのとき等しく両方向に導通し、
電源までの入力信号範囲を持っています。OFF 状態では、電源電圧
までの信号レベルを阻止します。すべてのチャンネルはブレーク・
ビフォ・メーク・スイッチング動作を行うため、チャンネル切り替
え時に瞬時的な短絡は発生しません。小さいチャージ・インジェ
クションはデザインに固有で、デジタル入力のスイッチング時の過
渡電圧は小さくなっています。
Rev. A
2.
3.
4.
5.
6.
ADG608/ADG609 は強化された LC2MOS プロセスで製造され
るため、電源レールまでの広い信号範囲を提供。
低消費電力。
低 RON
高速なスイッチング時間
ブレーク・ビフォ・メーク・スイッチが、入力信号の瞬時短絡
を防止するブレーク・ビフォ・メーク動作を保証。
単電源/両電源動作。
オーダー・ガイド
Model
Temperature Range
Package Option*
ADG608BN
ADG608BR
ADG608BRU
ADG608TRU
ADG609BN
ADG609BR
ADG609BRU
–40°C to +85°C
–40°C to +85°C
–40°C to +85°C
–55°C to +125°C
–40°C to +85°C
–40°C to +85°C
–40°C to +85°C
N-16
R-16A
RU-16
RU-16
N-16
R-16A
RU-16
* N =プラスチック DIP; RU =薄型シュリンク・スモール・アウトラ
イン・パッケージ(TSSOP);
R = 0.15 インチ・スモール・アウトライン IC (SOIC)。
アナログ・デバイセズ社は、提供する情報が正確で信頼できるものであることを期していますが、その情報の利用に関
して、あるいは利用によって生じる第三者の特許やその他の権利の侵害に関して一切の責任を負いません。また、アナ
ログ・デバイセズ社の特許または特許の権利の使用を明示的または暗示的に許諾するものでもありません。仕様は、予
告なく変更される場合があります。本紙記載の商標および登録商標は、各社の所有に属します。
※日本語データシートは REVISION が古い場合があります。最新の内容については、英語版をご参照ください。
©1995 Analog Devices, Inc. All rights reserved.
本
社/〒105-6891 東京都港区海岸 1-16-1 ニューピア竹芝サウスタワービル
電話 03(5402)8200
大阪営業所/〒532-0003 大阪府大阪市淀川区宮原 3-5-36 新大阪トラストタワー
電話 06(6350)6868
ADG608/ADG609
ADG608/ADG609の仕様
両電源 1 (特に指定がない限り、VDD = +5 V ± 10%、VSS = –5 V ± 10%、GND = 0 V)
Parameter
ANALOG SWITCH
Analog Signal Range
RON
B Version
+25°C
–40°C to
+85°C
T Version
+25°C –55°C to
+125°C
VSS to VDD
22
Units
VSS to VDD
V
Ω typ
22
30
35
30
40
Ω max
ΔRON
5
6
5
6
Ω max
RON Match
2
3
2
3
Ω max
LEAKAGE CURRENTS
Source OFF Leakage IS (OFF)
Drain OFF Leakage ID (OFF)
ADG608
ADG609
Channel ON Leakage ID, IS (ON)
ADG608
ADG609
DIGITAL INPUTS
Input High Voltage, VINH
Input Low Voltage, VINL
Input Current
IINL or IINH
CIN, Digital Input Capacitance
DYNAMIC CHARACTERISTICS2
tTRANSITION
± 0.05
± 0.5
± 0.05
± 0.5
± 0.5
± 0.05
± 0.5
± 0.5
±2
±2
±1
±3
± 1.5
± 0.05
± 0.5
± 0.05
± 0.5
± 0.5
± 0.05
± 0.5
± 0.5
2.4
0.8
±1
5
50
75
50
75
± 20
± 10
2.4
0.8
V min
V max
±1
µA max
pF typ
VIN = 0 or VDD
ns typ
ns max
RL = 300 Ω, CL = 35 pF;
VS1 = ± 3.5 V, VS8 = +3.5 V;
Test Circuit 5
RL = 300 Ω, CL = 35 pF;
VS = +3.5 V; Test Circuit 6
RL = 300 Ω, CL = 35 pF;
VS = +3.5 V; Test Circuit 7
RL = 300 Ω, CL = 35 pF;
VS = +3.5 V; Test Circuit 7
VS = 0 V, RS = 0 Ω, CL = 1 nF;
Test Circuit 8
RL = 1 kΩ, CL = 15 pF, f = 100 kHz;
VS = 3 V rms; Test Circuit 9
RL = 1 kΩ, CL = 15 pF, f = 100 kHz;
Test Circuit 10
± 10
±5
100
tOPEN
10
tON (EN)
Charge Injection
50
75
30
45
6
OFF Isolation
85
85
dB typ
Channel-to-Channel Crosstalk
85
85
dB typ
9
9
pF typ
40
20
40
20
pF typ
pF typ
54
34
54
34
pF typ
pF typ
tOFF (EN)
CS (OFF)
CD (OFF)
ADG608
ADG609
CD (ON)
ADG608
ADG609
POWER REQUIREMENTS
IDD
ISS
0.05
0.2
0.01
0.1
10
90
60
0.2
2
0.1
1
50
75
30
45
6
0.05
0.2
0.01
0.1
ns min
100
75
0.2
2
0.1
1
注
1
温度範囲: B バージョンが–40°C~+85°C、T バージョンが–55°C~+125°C。
2
出荷テストは行いませんがデザインで保証します。
仕様は予告なく変更されることがあります。
Rev. A
–3.5 V ≤ VS≤+3.5 V, IS = –1 mA;
VDD = +4.5 V, VSS = –4.5 V;
Test Circuit 1
–3 V ≤ VS ≤ +3 V, IDS = –1 mA;
VDD = +5 V, VSS = –5 V
VS = 0 V, IDS = –1 mA;
VDD = +5 V, VSS = –5 V
VDD = +5.5 V, VSS = –5.5 V
VD = ± 4.5 V, VS = +4.5V
Test Circuit 2
VD = ± 4.5 V, VS = +4.5 V;
Test Circuit 3
nA typ
nA max
nA typ
nA max
nA max
nA typ
nA max
nA max
± 10
5
90
Test conditions/
Comments
- 2/11 -
ns typ
ns max
ns typ
ns max
pC typ
µA typ
µA max
µA typ
µA max
VS = VD = ± 4.5 V;
Test Circuit 4
VIN = 0 V or VDD
ADG608/ADG609
単電源 1 (特に指定がない限り、VDD = +5 V ± 10%、VSS = 0 V、GND = 0 V)
Parameter
ANALOG SWITCH
Analog Signal Range
RON
ΔRON
RON Match
LEAKAGE CURRENTS
Source OFF Leakage IS (OFF)
Drain OFF Leakage ID (OFF)
ADG608
ADG609
Channel ON Leakage ID, IS (ON)
ADG608
ADG609
DIGITAL INPUTS
Input High Voltage, VINH
Input Low Voltage, VINL
Input Current
IINL or IINH
CIN, Digital Input Capacitance
DYNAMIC CHARACTERISTICS2
tTRANSITION
B Version
+25°C
–40°C to
+85°C
T Version
+25°C –55°Cto
+125°C
0 to VDD
40
50
5
2
± 0.05
± 0.5
± 0.05
± 0.5
± 0.5
± 0.05
± 0.5
± 0.5
60
40
50
70
V
Ω typ
Ω max
6
3
5
2
6
3
Ω max
Ω max
±2
±2
±1
±3
± 1.5
0 to VDD
± 0.05
± 0.5
± 0.05
± 0.5
± 0.5
± 0.05
± 0.5
± 0.5
2.4
0.8
±1
5
80
100
Units
80
100
± 20
± 10
2.4
0.8
V min
V max
±1
µA max
pF typ
VIN = 0 or VDD
ns typ
ns max
RL = 300 Ω, CL = 35 pF;
VS1 = 3.5 V/0 V, VS8 = 0 V/3.5 V;
Test Circuit 5
RL = 300 Ω, CL = 35 pF;
VS = +3.5 V; Test Circuit 6
RL = 300 Ω, CL = 35 pF;
VS = +3.5 V; Test Circuit 7
RL = 300 Ω, CL = 35 pF;
VS = +3.5 V; Test Circuit 7
VS = 0 V, RS = 0 Ω, CL = 1 nF;
Test Circuit 8
RL = 1 kΩ, CL = 15 pF, f = 100 kHz;
VS = 1.5 V rms; Test Circuit 9
RL = 1 kΩ, CL = 15 pF, f = 100 kHz;
Test Circuit 10
± 10
±5
150
tOPEN
10
tON (EN)
OFF Isolation
80
100
40
50
0.5
3
85
Channel-to-Channel Crosstalk
85
85
dB typ
CS (OFF)
CD (OFF)
ADG608
ADG609
CD (ON)
ADG608
ADG609
9
9
pF typ
40
20
40
20
pF typ
pF typ
54
34
54
34
pF typ
pF typ
tOFF (EN)
Charge Injection
POWER REQUIREMENTS
IDD
0.05
0.2
10
130
60
0.2
2
80
100
40
50
0.5
3
85
0.05
0.2
ns min
150
75
0.2
2
注
1
温度範囲: B バージョンが–40°C~+85°C、T バージョンが–55°C~+125°C。
2
出荷テストは行いませんがデザインで保証します。
仕様は予告なく変更されることがあります。
Rev. A
VS = +3.5 V, IS = –1 mA;
VDD = +4.5 V;
Test Circuit 1
+1 V ≤ VS ≤ +3 V, IDS = –1 mA; VDD = +5 V
VS = 0 V, IDS = –1 mA; VDD = +5 V
VDD = +5.5 V
VD = 4.5 V/0.1 V, VS = 0.1 V/4.5 V;
Test Circuit 2
VD = 4.5 V/0.1 V, VS = 0.1 V/4.5 V;
Test Circuit 3
nA typ
nA max
nA typ
nA max
nA max
nA typ
nA max
nA max
± 10
5
130
Test Conditions/
Comments
- 3/11 -
ns typ
ns max
ns typ
ns max
pC typ
pC max
dB typ
µA typ
µA max
VS = VD = 4.5 V/0.1 V;
Test Circuit 4
VIN = 0 V or VDD
ADG608/ADG609
ADG608/ADG609 の仕様
単電源 1 (特に指定がない限り、VDD = +3.3 V ± 10%、VSS = 0 V、GND = 0 V)
Parameter
ANALOG SWITCH
Analog Signal Range
RON
RON Match
LEAKAGE CURRENTS
Source OFF Leakage IS (OFF)
Drain OFF Leakage ID (OFF)
ADG608
ADG609
Channel ON Leakage ID, IS (ON)
ADG608
ADG609
DIGITAL INPUTS
Input High Voltage, VINH
Input Low Voltage, VINL
Input Current
IINL or IINH
CIN, Digital Input Capacitance
DYNAMIC CHARACTERISTICS2
tTRANSITION
B Version
+25°C
–40°C to
+85°C
T Version
+25°C
–55°C to
+125°C
0 to VDD
60
90
3
± 0.05
± 0.5
± 0.05
± 0.5
± 0.5
± 0.05
± 0.5
± 0.5
100
3
±2
±2
±1
±3
± 1.5
0 to VDD
60
90
3
120
3
± 0.05
± 0.5
± 0.05
± 0.5
± 0.5
± 0.05
± 0.5
± 0.5
2.4
0.8
±1
5
120
170
120
170
Test Conditions/
Comments
V
Ω typ
Ω max
Ω max
VS = +1.5 V, IS = –1 mA;
VDD = +3 V; Test Circuit 1
VS = 0 V, IDS = –1 mA, VDD = +3.3 V
± 20
± 10
2.4
0.8
V min
V max
±1
µA max
pF typ
VIN = 0 or VDD
ns typ
ns max
RL = 300 Ω, CL = 35 pF;
VS1 = 1.5 V/0 V, VS8 = 0 V/1.5 V;
Test Circuit 5
RL = 300 Ω, CL = 35 pF;
VS = +1.5 V; Test Circuit 6
RL = 300 Ω, CL = 35 pF;
VS = +1.5 V; Test Circuit 7
RL = 300 Ω, CL = 35 pF;
VS = +1.5 V; Test Circuit 7
VS = 0 V, RS = 0 Ω, CL = 1 nF;
Test Circuit 8
RL = 1 kΩ, CL = 15 pF, f = 100 kHz;
VS = 1 V rms; Test Circuit 9
RL = 1 kΩ, CL = 15 pF, f = 100 kHz;
Test Circuit 10
± 10
± 10
±5
250
tOPEN
10
tON (EN)
OFF Isolation
120
170
40
60
0.5
3
85
Channel-to-Channel Crosstalk
85
85
dB typ
CS (OFF)
CD (OFF)
ADG608
ADG609
CD (ON)
ADG608
ADG609
9
9
pF typ
40
20
40
20
pF typ
pF typ
54
34
54
34
pF typ
pF typ
tOFF (EN)
Charge Injection
POWER REQUIREMENTS
IDD
0.05
0.2
10
225
75
0.2
2
ns min
120
170
40
60
0.5
3
85
0.05
0.2
250
90
0.2
2
注
1
温度範囲: B バージョンが–40°C~+85°C、T バージョンが–55°C~+125°C。
2
出荷テストは行いませんがデザインで保証します。
仕様は予告なく変更されることがあります。
Rev. A
VDD = +3.6 V
VD = 2.6 V/0.1 V, VS = 0.1 V/2.6 V;
Test Circuit 2
VD = 2.6 V/0.1 V, VS = 0.1 V/2.6 V;
Test Circuit 3
nA typ
nA max
nA typ
nA max
nA max
nA typ
nA max
nA max
5
225
Units
- 4/11 -
ns typ
ns max
ns typ
ns max
pC typ
pC max
dB typ
µA typ
µA max
VS = VD = 2.6 V/0.1 V;
Test Circuit 4
VIN = 0 V or VDD
ADG608/ADG609
絶対最大定格 1
(特に指定がない限り、TA = +25°C )
VDD~VSS 間 ..................................................................... +13 V
GND を基準とする VDD ...................................... -0.3 V~+6.5 V
GND を基準とする VSS ....................................... +0.3 V~-6.5 V
アナログ、デジタル入力 2 ........................ -0.3 V~VDD + 2 V
または 20 mA のいずれか早い方
連続電流、S または D.................................................... 20 mA
ピーク電流、S または D(1 ms のパルス、10%の
最大デューティ・サイクル) ............... 40 mA
動作温度範囲
工業用(B バージョン) ......................................... -40°C~+85°C
拡張範囲(T バージョン) ................................... -55°C~+125°C
保存温度範囲 ......................................................... -65°C~+150°C
ジャンクション温度 .......................................................... +150°C
プラスチック DIP パッケージ
θJA 熱抵抗 .................................................................. 117°C/W
ピン温度(ハンダ処理、10 sec)................................. +260°C
表 I. ADG608 の真理値表
SOIC パッケージ
θJA 熱抵抗 ................................................................... 77°C/W
ピン温度、ハンダ処理
蒸着(60sec) .............................................................. +215°C
赤外線(15sec) ........................................................ +220°C
TSSOP パッケージ
θJA 熱抵抗 ................................................................. 158°C/W
ピン温度、ハンダ処理
蒸着(60sec) .............................................................. +215°C
赤外線(15sec) .......................................................... +220°C
ESD 定格....................................................................... >5000 V
注
1
上記の絶対最大定格を超えるストレスを加えるとデバイスに恒久的な損傷
を与えることがあります。この規定はストレス定格の規定のみを目的とす
るものであり、この仕様の動作セクションに記載する規定値以上でのデバ
イス動作を定めたものではありません。デバイスを長時間絶対最大定格状
態に置くとデバイスの信頼性に影響を与えます。同時に複数の絶対最大定
格条件を適用することはできません。
2
A、S、D または EN での過電圧は内部ダイオードでクランプされます。
電流は、規定された最大定格に制限してください。
表 II.ADG609 の真理値表
A2
A1
A0
EN
ON SWITCH
A1
A0
EN
ON SWITCH PAIR
X
0
0
0
0
1
1
1
1
X
0
0
1
1
0
0
1
1
X
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
1
1
1
1
1
1
1
NONE
1
2
3
4
5
6
7
8
X
0
0
1
1
X
0
1
0
1
0
1
1
1
1
NONE
1
2
3
4
X = Don’t Care
X = Don’t Care
ピン配置
Rev. A
- 5/11 -
ADG608/ADG609
ADG608/ADG609の代表的な性能特性
Rev. A
図 1 VD (VS)の関数としての RON:両電源
図 4 VD (VS)の関数としての RON:単電源
図 2.さまざまな温度での、VD (VS)の関数としての RON
図 5.さまざまな温度での、VD (VS)の関数としての RON
図 3.さまざまな温度での、VD (VS)の関数としての RON
図 6. VD (VS)の関数としてのリーク電流
- 6/11 -
ADG608/ADG609
Rev. A
図 7. VD (VS)の関数としてのリーク電流
図 10. VD (VS)の関数としてのリーク電流
図 8.正電源電流対スイッチング周波数
図 11.負電源電流対スイッチング周波数
図 9.チャージ・インジェクション対アナログ電圧 VS
図 12.クロストークとオフ時アイソレーションの周波数特性
- 7/11 -
ADG608/ADG609
テスト回路
テスト回路 1.オン抵抗
テスト回路 3. ID (OFF)
テスト回路 2. IS (OFF)
テスト回路 4. ID (ON)
テスト回路 5.マルチプレクサのスイッチング時間、tTRANSITION
Rev. A
- 8/11 -
ADG608/ADG609
テスト回路 6.ブレーク・ビフォ・メーク遅延、tOPEN
テスト回路 7.イネーブル遅延、tON (EN)、tOFF (EN)
テスト回路 8.チャージ・インジェクション
Rev. A
- 9/11 -
ADG608/ADG609
テスト回路 9.オフ時アイソレーション
テスト回路 10.チャンネル間クロストーク
用語集
VDD
VSS
GND
RON
ΔRON
RON の不一致
IS (OFF)
ID (OFF)
ID, IS (ON)
VD, VS
CS (OFF)
CD (OFF)
CD, CS (ON)
CIN
tON (EN)
tOFF (EN)
Rev. A
正電源電位。
両電源の正電位。単電源アプリケーション
では、グラウンドへ接続可能。
グラウンド(0 V)基準。
D-S 間の抵抗
一定負荷電流でのアナログ入力電圧変化に
起因する RON の変動。
任意の 2 チャンネル間での RON の差。
スイッチ・オフ時のソース・リーク電流。
スイッチ・オフ時のドレイン・リーク電流。
スイッチ・オン時のチャンネル・リーク電流。
D、S ピンのアナログ電圧
オフ状態のチャンネル入力容量。
オフ状態のチャンネル出力容量。
スイッチ・オン時の容量。
デジタル入力容量。
デジタル入力の 50%/90%ポイントとスイッチ・
オン状態との間の遅延時間。
デジタル入力の50%/90%ポイントとスイッ
チ・オン状態との間の遅延時間。
tTRANSITION
あるアドレス状態から別のアドレス状態へ
切り替わるときのデジタル入力の50%/90%
ポイントとスイッチ・オン状態との間の遅
延時間。
tOPEN
あるアドレス状態から別のアドレス状態へ
切り替わるときの両スイッチの80%ポイン
ト間で測定したオフ時間。
VINL
ロジック0の最大入力電圧。
VINH
ロジック1の最小入力電圧。
IINL (IINH)
デジタル入力の入力電流。
クロストーク
寄生容量に起因して1つのチャンネルから
別のチャンネルに伝達される不要信号の大
きさ。
オフ時アイソ
レーション
オフ状態のチャンネルを通過する不要信号
の大きさ。
チャージ・イ
ンジェクショ
ン
スイッチング時にデジタル入力からアナロ
グ出力へ伝達されるグリッチ・インパルス
の大きさ。
IDD
正電源電流。
ISS
負電源電流。
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ADG608/ADG609
外形寸法
寸法表示:インチ(mm)
C2021a–18–4/96-J
16 ピン・プラスチック(N-16)
16 ピン SOIC (R-16A)
16ピンTSSOP (RU-16)
Rev. A
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