1pC電荷注入、100pAリーク、 CMOS±5V/＋5V/＋3VのクワッドSPSTスイッチ ADG611/ADG612/ADG613 特長 機能ブロック図 電荷注入：1pC 両電源動作：±2.7∼±5.5V 単電源動作：＋2.7∼＋5.5V ADG611 ADG612 S1 IN1 ADG613 IN1 IN1 車載温度範囲：−40∼＋125℃ D1 D1 リーク電流：25℃で最大100pA S2 S2 オン抵抗：85Ω レールtoレールのスイッチング動作 高速スイッチング時間 IN2 IN2 D2 S3 S3 IN3 D3 D3 消費電力：0.1μW（Typ）未満 S4 S4 TTL/CMOS互換入力 アプリケーション IN4 D4 S2 D2 S3 IN3 16ピンTSSOPパッケージ IN4 D1 IN2 D2 IN3 S1 S1 D3 S4 IN4 D4 D4 スイッチはロジック“1”入力に対して表示 自動テスト装置 データ・アクイジション・システム バッテリ駆動システム 通信システム サンプル／ホールド・システム オーディオ信号のルーティング リレーの置き換え 航空電子機器 概要 製品のハイライト ADG611/ADG612/ADG613は、独立して選択可能なスイッチを 4個内蔵するモノリシックCMOSデバイスです。全入力信号範 囲で、1pCという極めて小さい電荷注入と25℃で10pA（typ）の リーク電流を実現するスイッチです。 各製品は、±5V、＋5V、＋3Vの電源で仕様規定されており、 4個の独立したシングル・ポール／シングル・スロー（SPST） スイッチを内蔵しています。ADG611とADG612は、デジタル制 御ロジックが反転している点だけが異なります。ADG611のス イッチはコントロール入力のロジック・ローレベル入力に対し てオンになり、ADG612のスイッチはロジック・ハイレベル入 力に対してオンになります。ADG613は、ADG611と同じデジタ ル制御ロジックを持つスイッチが2個とロジックが反転してい る2個のスイッチを内蔵しています。 各スイッチはオンのときには等しく両方向に導通し、電源まで の入力信号範囲を持ちます。ADG613は、ブレイク・ビフォ ア・メイク・スイッチング動作を行います。ADG611/ADG612/ ADG613は小型の16ピンTSSOPパッケージを採用しています。 1. 極めて小さい電荷注入：1pC（typ） 2. 両電源動作：±2.7∼±5.5V または単電源動作：＋2.7∼＋5.5V 3. −40∼＋125℃の車載温度範囲 4. 小型16ピンTSSOPパッケージを採用 アナログ・デバイセズ社が提供する情報は正確で信頼できるものを期していますが、そ の情報の利用または利用したことにより引き起こされる第3者の特許または権利の侵害 に関して、当社はいっさいの責任を負いません。さらに、アナログ・デバイセズ社の特 許または特許の権利の使用を許諾するものでもありません。 REV.0 アナログ・デバイセズ株式会社 本 社／東京都港区海岸1-16-1 電話03 （5402）8200 〒105-6891 ニューピア竹芝サウスタワービル 大阪営業所／大阪市淀川区宮原3-5-36 電話06（6350）6868（代） 〒532-0003 新大阪第二森ビル ADG611/ADG612/ADG613−仕様 両電源動作1（特に指定のない限り、VDD＝＋5V±10%、VSS＝−5V±10%、GND＝0V） VSS∼VDD 85 115 オン抵抗のチャンネル間マッチング （ΔRON） 2 4 オン抵抗の平坦性（RFLAT（ON）） 25 40 リーク電流 ソース・オフ時のリークIS（OFF） ±0.01 ±0.1 ドレイン・オフ時のリークID（OFF） ±0.01 ±0.1 チャンネル・オン時のリークID、IS（ON） ±0.01 ±0.1 デジタル入力 入力電圧ハイレベル、VINH 入力電圧ローレベル、VINL 入力電流 IINLまたはIINH 0.005 CIN、デジタル入力容量 ダイナミック特性 tON 140 160 5.5 6.5 55 60 単位 V Ω typ Ω max Ω typ Ω max Ω typ Ω max VDD＝＋5.5V、VSS＝−5.5V VD＝±4.5V、VS＝ 4.5V、 テスト回路2 VD＝±4.5V、VS＝ 4.5V、 テスト回路2 VD＝VS＝±4.5V、テスト回路3 ±2 ±0.25 ±2 ±0.25 ±6 2.4 0.8 V min V max μA typ μA max pF typ VIN＝VINLまたはVINH ±0.1 RL＝300Ω、CL＝35pF VS＝3.0V、テスト回路4 RL＝300Ω、CL＝35pF VS＝3.0V、テスト回路4 RL＝300Ω、CL＝35pF VS1＝VS2＝3.0V、テスト回路5 VS＝0V、RS＝0Ω, CL＝1nF、テスト回路6 RL＝50Ω、CL＝5pF、f＝10MHz、テスト回路7 RL＝50Ω、CL＝5pF、f＝10MHz、テスト回路8 RL＝50Ω、CL＝5pF、テスト回路9 f＝1MHz f＝1MHz f＝1MHz VDD＝＋5.5V、VSS＝−5.5V デジタル入力＝0Vまたは5.5V 2 ブレイク・ビフォア・メイク時間遅延、tD 電荷注入 −0.5 −65 −90 680 5 5 5 dB typ dB typ MHz typ pF typ pF typ pF typ 75 90 45 50 10 0.001 1.0 ISS VS＝±3V、IS＝−1mA VS＝±3V、IS＝−1mA ±0.25 ns typ ns max ns typ ns max ns typ ns min pC typ オフ・アイソレーション チャンネル間クロストーク −3dB帯域幅 CS（OFF） CD（OFF） CD、CS（ON） 電源条件 IDD VS＝±3V、IS＝−1mA テスト回路1 nA typ nA max nA typ nA max nA typ nA max 45 65 25 40 15 tOFF テスト条件／備考 0.001 1.0 μA typ μA max μA typ μA max ± 25℃ アナログ・スイッチ アナログ信号範囲 オン抵抗（RON） ± パラメータ Yバージョン −40∼ −40∼ ＋85℃ ＋125℃ デジタル入力＝0Vまたは5.5V 注 1 温度範囲Yバージョン：−40∼＋125℃。 2 設計上保証しますが、出荷テストは行いません。 仕様は予告なく変更されることがあります。 2 REV.0 ADG611/ADG612/ADG613 単電源動作1（特に指定のない限り、VDD＝5V±10%、VSS＝0V、GND＝0V） パラメータ 25℃ Yバージョン −40∼ −40∼ ＋85℃ ＋125℃ アナログ・スイッチ アナログ信号範囲 オン抵抗（RON） 0∼VDD 210 290 オン抵抗のチャンネル間マッチング（ΔRON） 3 10 リーク電流 ソース・オフ時のリークIS（OFF） ±0.01 ±0.1 ドレイン・オフ時のリークID（OFF） ±0.01 ±0.1 チャンネルオン時のリークID、IS（ON） ±0.01 ±0.1 デジタル入力 入力高電圧、VINH 入力Low電圧、VINL 入力電流 IINLまたはIINH 0.005 CIN、デジタル入力容量2 ダイナミック特性2 tON 350 380 12 13 単位 テスト条件／備考 V Ω typ Ω max Ω typ Ω max VS＝3.5V、IS＝−1mA、 テスト回路1 VS＝3.5V、IS＝−1mA ±0.25 ±2 ±0.25 ±2 ±0.25 ±6 2.4 0.8 V min V max μA typ μA max pF typ VIN＝VINLまたはVINH ±0.1 RL＝300Ω、CL＝35pF VS＝3.0V、テスト回路4 RL＝300Ω、CL＝35pF VS＝3.0V、テスト回路4 RL＝300Ω、CL＝35pF VS1＝VS2＝3.0V、テスト回路5 VS＝0V、RS＝0Ω、CL＝1nF、 テスト回路6 RL＝50Ω、CL＝5pF、f＝10MHz テスト回路7 RL＝50Ω、CL＝5pF、f＝10MHz テスト回路8 RL＝50Ω、CL＝5pF、テスト回路9 f＝1MHz f＝1MHz f＝1MHz VDD＝5.5V デジタル入力＝0Vまたは5.5V 2 ブレイク・ビフォア・メイク時間遅延、tD 70 100 25 40 25 電荷注入 1 ns typ ns max ns typ ns max ns typ ns min pC typ オフ・アイソレーション −62 dB typ チャンネル間クロストーク −90 dB typ 680 5 5 5 MHz typ pF typ pF typ pF typ tOFF 130 150 45 50 10 −3dB帯域幅 CS（OFF） CD（OFF） CD、CS（ON） 電源条件 IDD 0.001 1.0 注 1 温度範囲Yバージョン：−40∼＋125℃。 2 設計上保証しますが、出荷テストは行いません。 仕様は予告なく変更されることがあります。 REV.0 VDD＝5.5V VS＝1V/4.5V、VD＝4.5V/1V、 テスト回路2 VS＝1V/4.5V、VD＝4.5V/1V、 テスト回路2 VS＝VD＝1Vまたは4.5V、テスト回路3 nA typ nA max nA typ nA max nA typ nA max 3 μA typ μA max ADG611/ADG612/ADG613−仕様 単電源動作1（特に指定のない限り、VDD＝3V±10%、VSS＝0V、GND＝0V） パラメータ 25℃ アナログ・スイッチ アナログ信号範囲 オン抵抗（RON） 380 リーク電流 ソース・オフ時のリークIS（OFF） ドレイン・オフ時のリークID（OFF） チャンネル・オン時のリークID、IS（ON） デジタル入力 入力電圧ハイレベル、VINH 入力電圧ローレベル、VINL 入力電流 IINLまたはIINH CIN、デジタル入力容量 ダイナミック特性2 tON ±0.01 ±0.1 ±0.01 ±0.1 ±0.01 ±0.1 Yバージョン −40∼ −40∼ ＋85℃ ＋125℃ 単位 420 0∼VDD 460 ±0.25 ±2 ±0.25 ±2 ±0.25 ±6 nA typ nA max nA typ nA max nA typ nA max 2.0 0.8 V min V max μA typ μA max pF typ VIN＝VINLまたはVINL ±0.1 RL＝300Ω、CL＝35pF VS＝2V、テスト回路4 RL＝300Ω、CL＝35pF VS＝2V、テスト回路4 RL＝300Ω、CL＝35pF VS1＝VS2＝2V、テスト回路5 VS＝0V、RS＝0Ω、CL＝1nF、 テスト回路6 RL＝50Ω、CL＝5pF、f＝10MHz テスト回路7 RL＝50Ω、CL＝5pF、f＝10MHz テスト回路8 RL＝50Ω、CL＝5pF、テスト回路9 f＝1MHz f＝1MHz f＝1MHz VDD＝3.3V デジタル入力＝0Vまたは3.3V 0.005 2 V Ω typ ブレイク・ビフォア・メイク時間遅延、tD 130 185 40 55 50 電荷注入 1.5 ns typ ns max ns typ ns max ns typ ns min pC typ オフ・アイソレーション −62 dB typ チャンネル間クロストーク −90 dB typ 680 5 5 5 MHz typ pF typ pF typ pF typ tOFF 230 260 60 65 10 −3dB帯域幅 CS（OFF） CD（OFF） CD、CS（ON） 電源条件 IDD テスト条件／備考 0.001 1.0 μA typ μA max VS＝1.5V、IS＝−1mA、 テスト回路1 VDD＝3.3V VS＝1V/3V、VD＝3V/1V； テスト回路2 VS＝1V/3V、VD＝3V/1V、 テスト回路2 VS＝VD＝1Vまたは3V、テスト回路3 注 1 温度範囲Yバージョン：−40∼＋125℃。 2 設計上保証しますが、出荷テストは行いません。 仕様は予告なく変更されることがあります。 4 REV.0 ADG611/ADG612/ADG613 絶対最大定格1 保管温度範囲 ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥−65∼＋150℃ 接合部温度 ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥＋150℃ 16ピンTSSOP、θJA熱インピーダンス ‥‥‥‥＋150.4℃/W ピン温度、ハンダ処理 蒸着（60秒） ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥＋215℃ 赤外線（15秒） ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥＋220℃ （特に指定のない限り、TA＝25℃） VDD∼VSS‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥13V VDD∼GND‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ −0.3∼＋6.5 VSS∼GND‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ −0.3∼＋0.3V アナログ入力2‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ VSS−0.3∼VDD＋0.3V デジタル入力2‥‥‥‥‥‥‥ GND−0.3∼VDD＋0.3Vまたは 30mAのいずれか先に発生する方 ピーク電流、SまたはD‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 20mA （1msで最大10%デューティ・サイクルのパルス） 連続電流、SまたはD‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 10mA 85∼125℃での3V動作‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 7.5mA 動作温度範囲 車載（Yバージョン）‥‥‥‥‥‥‥‥‥ −40∼＋125℃ 注 1 上記の絶対最大定格を超えるストレスを加えるとデバイスに恒久的な損傷を与えることがあり ます。この規定はストレス定格の規定のみを目的とするものであり、この仕様の動作セクショ ンに記載する規定値以上でのデバイス動作を定めたものではありません。デバイスを長時間絶 対最大定格状態に置くとデバイスの信頼性に影響を与えます。同時に複数の絶対最大定格条件 を適用することはできません。 2 IN、S、またはDでの過電圧は内部ダイオードでクランプされます。電流は、規定された最大定 格に制限してください。 オーダー・ガイド モデル 温度範囲 パッケージ パッケージ・オプション ADG611YRU ADG612YRU ADG613YRU −40∼＋125℃ −40∼＋125℃ −40∼＋125℃ 薄型シュリンク・スモール・アウトライン・パッケージ（TSSOP） 薄型シュリンク・スモール・アウトライン・パッケージ（TSSOP） 薄型シュリンク・スモール・アウトライン・パッケージ（TSSOP） RU-16 RU-16 RU-16 表I ADG611/ADG612の真理値表 ADG611In ADG612In スイッチ条件 0 1 1 0 オン オフ ピン配置 IN1 1 16 IN2 2 15 D2 14 S2 D1 S1 3 VSS 4 表 II 13 VDD 上面図 GND 5 （縮尺は異なります） 12 NC ADG613の真理値表 ロジック スイッチ1、4 スイッチ2、3 0 1 オフ オン オン オフ S4 6 11 S3 7 10 D3 IN4 8 9 IN3 D4 NC＝未接続 注意 ESD（静電放電）の影響を受けやすいデバイスです。4000Vもの高圧の静電気が人体やテスト装置に容易に帯電し、 検知されることなく放電されることがあります。本製品には当社独自のESD保護回路を備えていますが、高エネル ギーの静電放電を受けたデバイスには回復不可能な損傷が発生することがあります。このため、性能低下や機能喪 失を回避するために、適切なESD予防措置をとるようお奨めします。 REV.0 ADG611 ADG612 ADG613 5 WARNING! ESD SENSITIVE DEVICE ADG611/ADG612/ADG613 用語説明 VDD 正電源電位 VSS 負電源電位 IDD 正電源電流 負電源電流 ISS GND グラウンド（0V）リファレンス S ソース・ピン。入力または出力。 D ドレイン・ピン。入力または出力。 IN ロジック・コントロール入力 VD（VS） D、Sピンのアナログ電圧 RON D∼S間の抵抗 ΔRON 任意の2チャンネル間のオン抵抗のマッチング、すなわちRONMAX−RONMIN。 平坦性は、仕様で規定されたアナログ信号範囲におけるオン抵抗の最大値と最小値の差として定義されます。 RFLAT（ON） IS（OFF） スイッチ“オフ”時のソース・リーク電流 ID（OFF） スイッチ“オフ”時のドレイン・リーク電流 ID、IS（ON） スイッチ“オン”時のチャンネル・リーク電流 ロジック“0”の最大入力電圧 VINL ロジック“1”の最小入力電圧 VINH IINL（IINH） デジタル入力の入力電流 スイッチ“オフ”時のソース容量。グラウンドを基準に測定。 CS（OFF） スイッチ“オフ”時のドレイン容量。グラウンドを基準に測定。 CD（OFF） CD、CS（ON） スイッチ“オン”時の容量。グラウンドを基準に測定。 デジタル入力容量 CIN tON デジタル・コントロール入力の入力から出力スイッチ・オンまでの遅延。テスト回路4参照。 デジタル・コントロール入力の入力から出力スイッチ・オフまでの遅延。 tOFF 電荷注入 スイッチング時にデジタル入力からアナログ出力へ伝達されるグリッチ・インパルスの大きさ。 オフ・アイソレーション “オフ”状態のスイッチを通過する不要信号の大きさ。 クロストーク 寄生容量に起因して1つのチャンネルから別のチャンネルに伝達される不要信号の大きさ。 オン応答 “オン”状態にあるスイッチの周波数応答 挿入損失 スイッチのオン抵抗に起因する損失 6 REV.0 代表的な性能特性−ADG611/ADG612/ADG613 600 200 ±3.3V ±4.5V ±2.7V ±3V 100 VDD = 3V 400 オン抵抗―Ω 150 VDD = +5V VSS = –5V VDD = 2.7V 500 200 オン抵抗―Ω 250 TA = 25 ℃ VSS = 0V TA = 25 ℃ VDD = 3.3V オン抵抗―Ω 250 300 VDD = 4.5V 200 150 +125 ℃ 100 ±5.5V 50 0 –5 –4 –3 –2 –1 0 1 VD, VS – V 特性1 2 3 4 0 5 オン抵抗 対 VD（VS）（両電源） VDD = 5V 0 –40 ℃ 0 –5 –4 –3 –2 –1 0 1 2 VD, VS – V 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 VD, VS – V 特性2 オン抵抗 対 VD（VS）（単電源） 特性3 2 600 VDD = 5V VSS = 0V 500 100 –40 ℃ +25 ℃ IS (OFF) 0 特性4 2.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 VD, VS – V オン抵抗 対 あらゆる温度での VD（VS）（単電源） TA = 25 ℃ 1.5 0 ID (OFF) –1 –2 IS, ID(ON) –3 –4 –5 VDD = 5V VSS = 0V –6 0 20 60 80 温度―℃ 時間―ns Qinj – pC 特性6 tON,V DD = +5V tON,V DD = +5V 60 VSS = –5V tOFF,V DD = +5V 20 tOFF,V DD = +5V VSS = –5V –2.0 –5 –4 –3 –2 –1 0 1 2 3 4 5 0 –40 –20 0 100 120 20 40 60 80 100 120 特性8 tON/tOFF時間 対 温度 7 TA = 25 ℃ –4 VDD = 5V VSS = 0V –8 –10 –12 –14 –16 –18 0.3 1 温度―℃ VS – V 電荷注入 対 ソース電圧 VDD = –5V VSS = +5V –6 VSS = 0V –1.5 80 0 40 VDD = +5V VSS = –5V 60 リーク電流 対 温度（単電源） –2 VSS = 0V –1.0 40 温度―℃ 80 –0.5 REV.0 120 リーク電流 対 温度（両電源） 100 0 特性7 100 120 VDD = +5V VSS = 0V IS, ID(ON) –3 –5 VDD = +5V VSS = –5V –6 0 20 40 特性5 VDD = +3V VSS = 0V ID (OFF) –2 –4 1.0 0.5 –1 減衰量―dB 0 5 1 電流―nA 電流―nA オン抵抗―Ω +125 ℃ +85 ℃ 200 4 2 0 300 3 オン抵抗 対 あらゆる温度での VD（VS）（両電源） IS (OFF) 1 400 +25 ℃ 50 100 ±5V +85 ℃ 特性9 10 100 周波数―MHz 1000 オン応答の周波数特性 ADG611/ADG612/ADG613 アプリケーション 図1に、プログラマブルなゲインを持つフォト・ディテクタ 回路を示します。回路内に示す抵抗値で、スイッチングを さまざまに組み合わせて、2∼16の範囲のゲインが得られま す。 0 –10 –20 減衰量―dB –30 –40 –50 C1 –60 R1 33kΩ –70 –90 0.3 特性10 5V VDD = –5V VSS = +5V TA = +25 ℃ –80 1 10 周波数―MHz 100 D1 VOUT 2.5V 1k R2 510kΩ 5V オフ・アイソレーションの周波数特性 D1 S1 (LSB) IN1 0 R6 R7 120kΩ 120kΩ S3 D3 R8 120kΩ S4 D4 R9 120kΩ IN2 –20 –30 減衰量―dB D2 S2 –10 –40 R3 510kΩ IN3 –50 –60 (MSB) IN4 –70 GND –80 1 特性11 10 周波数―MHz 100 2.5V R9 120kΩ ゲイン範囲2∼16 VDD = +5V VSS = –5V TA = 25 ℃ –90 –100 0.3 R4 R5 240kΩ 240kΩ 図1 プログラマブルなゲインを持つフォト・ディテクタ回路 1k クロストークの周波数特性 8 REV.0 ADG611/ADG612/ADG613 テスト回路 IDS V1 S VS IS (OFF) D RON = V1/IDS テスト回路1 S A A VS オン抵抗 D NC＝未接続 オフ・リーク テスト回路3 0.1μF VDD VSS S VIN ADG611 50% 50% VIN ADG612 50% 50% VOUT D RL 300Ω IN CL 35pF 90% VOUT 90% GND tOFF tON テスト回路4 VDD スイッチング・タイミング VSS 0.1μF VIN 0.1μF 50% 0V VDD VS1 VS2 VIN VSS S1 D1 S2 D2 RL2 300Ω IN1, IN2 CL2 35pF RL1 300Ω VOUT2 CL 35pF VOUT1 VOUT1 VOUT2 ADG613 90% 90% 0V tD テスト回路5 RS VDD VSS VDD VSS S D IN GND ADG611 VOUT ON OFF ADG612 CL 1nF VS tD ブレイク・ビフォア・メイク時間遅延 VIN VIN VOUT QINJ = CL × △VOUT テスト回路6 9 電荷注入 90% 0V GND REV.0 50% 90% △VOUT A VD オン・リーク VSS 0.1μF VS S NC VD テスト回路2 VDD ID (ON) ID (OFF) D ADG611/ADG612/ADG613 VSS VDD 0.1μF VDD 0.1μF VDD 0.1μF ネットワーク・ アナライザ VSS S VDD D S D 50Ω VIN1 VS VS D VIN RL 50Ω GND VIN2 VOUT NC GND オフ・アイソレーション = 20 LOG テスト回路7 VSS S 50Ω 50Ω IN VSS 0.1μF VOUT VS VOUT チャンネル間クロストーク = 20 LOG VS/VOUT オフ・アイソレーション テスト回路8 VDD RL 50Ω チャンネル間クロストーク VSS 0.1μF 0.1μF VDD ネットワーク・ アナライザ VSS S 50Ω IN VS D VIN RL 50Ω GND 挿入損失 = 20 LOG テスト回路9 10 VOUT スイッチした VOUT スイッチなしの VOUT 帯域幅 REV.0 ADG611/ADG612/ADG613 外形寸法 サイズはインチと（mm）で示します。 16ピンTSSOP （RU-16） 0.201 (5.10) 0.193 (4.90) 16 9 0.177 (4.50) 0.169 (4.30) 0.256 (6.50) 0.246 (6.25) 1 8 ピン1 0.006 (0.15) 0.002 (0.05) 実装面 REV.0 0.0433 (1.10) MAX 8° 0.0256 (0.65) 0.0118 (0.30) 0.0079 (0.20) 0° BSC 0.0075 (0.19) 0.0035 (0.090) 11 0.028 (0.70) 0.020 (0.50) PRINTED IN JAPAN TDS04/2002/1000 ADG611/ADG612/ADG613 このデータシートはエコマーク認定の再生紙を使用しています。 12 REV.0