INFINEON FP15R12W1T4

Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FP15R12W1T4
EasyPIM™ Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und NTC
EasyPIM™ module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and NTC
Vorläufige Daten / preliminary data
V†Š» = 1200V
I† ÒÓÑ = 15A / I†ç¢ = 30A
Typische Anwendungen
• Hilfsumrichter
• Klimaanlagen
• Motorantriebe
Typical Applications
• Auxiliary Inverters
• Airconditions
• Motor Drives
Elektrische Eigenschaften
• Niedrige Schaltverluste
• Trench IGBT 4
• V†ŠÙÈÚ mit positivem Temperaturkoeffizienten
• niedriges V†ŠÙÈÚ
Electrical Features
• Low Switching Losses
• Trench IGBT 4
• V†ŠÙÈÚ with positive Temperature Coefficient
• Low V†ŠÙÈÚ
Mechanische Eigenschaften
• AlèOé Substrat für kleinen thermischen
Widerstand
• Kompaktes Design
• Lötverbindungs Technologie
• Robuste Montage durch integrierte
Befestigungsklammern
Mechanical Features
• AlèOé Substrate for Low Thermal Resistance
• Compact Design
• Solder Contact Technology
• Rugged mounting due to integrated mounting
clamps
Module Label Code
Content of the Code
Barcode Code 128
Module Serial Number
Module Material Number
Production Order Number
Datecode (Production Year)
Datecode (Production Week)
DMX - Code
prepared by: DK
date of publication: 2009-10-30
material no: 29257
approved by: MB
revision: 2.2
UL approved (E83335)
1
Digit
1- 5
6 - 11
12 - 19
20 - 21
22 - 23
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FP15R12W1T4
Vorläufige Daten
preliminary data
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
TÝÎ = 25°C
V†Š»
1200
V
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
T† = 100°C, TÝÎ = 175°C
T† = 25°C, TÝÎ = 175°C
I† ÒÓÑ
I†
15
28
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
t« = 1 ms
I†ç¢
30
A
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
T† = 25°C, TÝÎ = 175°C
PÚÓÚ
130
W
V•Š»
+/-20
V
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Charakteristische Werte / characteristic values
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
min.
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
I† = 15 A, V•Š = 15 V
I† = 15 A, V•Š = 15 V
I† = 15 A, V•Š = 15 V
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
I† = 0,48 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C
Gateladung
gate charge
V•Š = -15 V ... +15 V
Interner Gatewiderstand
internal gate resistor
V†Š ÙÈÚ
V•ŠÚÌ
5,2
typ.
1,85
2,15
2,25
max.
2,25
5,8
6,4
V
V
V
V
Q•
0,12
µC
TÝÎ = 25°C
R•ÍÒÚ
0,0
Â
Eingangskapazität
input capacitance
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V
CÍþÙ
0,89
nF
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V
CØþÙ
0,03
nF
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
V†Š = 1200 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C
I†Š»
1,0
mA
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C
I•Š»
400
nA
0,055
0,055
0,055
µs
µs
µs
0,059
0,065
0,065
µs
µs
µs
0,195
0,275
0,28
µs
µs
µs
0,145
0,19
0,215
µs
µs
µs
EÓÒ
1,30
1,75
1,95
mJ
mJ
mJ
I† = 15 A, V†Š = 600 V, L» = 50 nH
TÝÎ = 25°C
V•Š = ±15 V, du/dt = 3500 V/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 125°C
R•ÓËË = 39 Â
TÝÎ = 150°C
EÓËË
0,83
1,20
1,35
mJ
mJ
mJ
Kurzschlussverhalten
SC data
V•Š ù 15 V, V†† = 800 V
V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt
IȠ
55
A
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro IGBT / per IGBT
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro IGBT / per IGBT
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K) /
prepared by: DK
date of publication: 2009-10-30
approved by: MB
revision: 2.2
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn-on delay time (inductive load)
I† = 15 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V
R•ÓÒ = 39 Â
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
I† = 15 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V
R•ÓÒ = 39 Â
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn-off delay time (inductive load)
I† = 15 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V
R•ÓËË = 39 Â
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
I† = 15 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V
R•ÓËË = 39 Â
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn-on energy loss per pulse
I† = 15 A, V†Š = 600 V, L» = 50 nH
V•Š = ±15 V, di/dt = 550 A/µs (TÝÎ=150°C)
R•ÓÒ = 39 Â
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-off energy loss per pulse
t« ù 10 µs, TÝÎ = 150°C
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
2
tÁ ÓÒ
tØ
tÁ ÓËË
tË
RÚÌœ†
1,05
1,15 K/W
RÚ̆™
1,05
K/W
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FP15R12W1T4
Vorläufige Daten
preliminary data
Diode-Wechselrichter / diode-inverter
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
TÝÎ = 25°C
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forward current
t« = 1 ms
Grenzlastintegral
I²t - value
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 125°C
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 150°C
Vçç¢
1200
V
IŒ
15
A
IŒç¢
30
A
I²t
16,0
14,0
A²s
A²s
Charakteristische Werte / characteristic values
min.
typ.
2,00
2,10
2,10
max.
2,65
Durchlassspannung
forward voltage
IŒ = 15 A, V•Š = 0 V
IŒ = 15 A, V•Š = 0 V
IŒ = 15 A, V•Š = 0 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
VŒ
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
IŒ = 15 A, - diŒ/dt = 550 A/µs (TÝÎ=150°C)
Vç = 600 V
V•Š = -15 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
Iç¢
13,0
12,0
12,0
A
A
A
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
IŒ = 15 A, - diŒ/dt = 550 A/µs (TÝÎ=150°C)
Vç = 600 V
V•Š = -15 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
QØ
1,20
2,05
2,40
µC
µC
µC
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
IŒ = 15 A, - diŒ/dt = 550 A/µs (TÝÎ=150°C)
Vç = 600 V
V•Š = -15 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
EØþÊ
0,37
0,68
0,80
mJ
mJ
mJ
V
V
V
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro Diode / per diode
RÚÌœ†
1,75
1,90 K/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Diode / per diode
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K) / ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
RÚ̆™
1,30
K/W
Periodische Rückw. Spitzensperrspannung
TÝÎ = 25°C
repetitive peak reverse voltage
Vçç¢
1600
V
Durchlassstrom Grenzeffektivwert pro Dio.
T† = 80°C
forward current RMS maximum per diode
IŒç¢»¢
30
A
Gleichrichter Ausgang Grenzeffektivstrom
maximum RMS current at Rectifier output
T† = 80°C
I碻¢
30
A
Stoßstrom Grenzwert
surge forward current
tÔ = 10 ms, TÝÎ = 25°C
tÔ = 10 ms, TÝÎ = 150°C
IŒ»¢
300
245
A
A
Grenzlastintegral
I²t - value
tÔ = 10 ms, TÝÎ = 25°C
tÔ = 10 ms, TÝÎ = 150°C
I²t
450
300
A²s
A²s
Diode-Gleichrichter / diode-rectifier
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Charakteristische Werte / characteristic values
min.
typ.
max.
Durchlassspannung
forward voltage
TÝÎ = 150°C, IŒ = 15 A
VŒ
0,85
V
Sperrstrom
reverse current
TÝÎ = 150°C, Vç = 1600 V
Iç
1,00
mA
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro Diode
per diode
RÚÌœ†
1,20
1,35 K/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Diode / per diode
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K) / ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
RÚ̆™
1,15
K/W
prepared by: DK
date of publication: 2009-10-30
approved by: MB
revision: 2.2
3
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FP15R12W1T4
Vorläufige Daten
preliminary data
IGBT-Brems-Chopper / IGBT-brake-chopper
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
TÝÎ = 25°C
V†Š»
1200
V
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
T† = 100°C, TÝÎ = 175°C
T† = 25°C, TÝÎ = 175°C
I†ÒÓÑ
I†
15
28
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
t« = 1 ms
I†ç¢
30
A
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
T† = 25°C, TÝÎ = 175°C
PÚÓÚ
130
W
V•Š»
+/-20
V
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Charakteristische Werte / characteristic values
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
min.
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
I† = 15 A, V•Š = 15 V
I† = 15 A, V•Š = 15 V
I† = 15 A, V•Š = 15 V
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
I† = 0,48 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C
Gateladung
gate charge
V•Š = -15 V ... +15 V
Interner Gatewiderstand
internal gate resistor
V†Š ÙÈÚ
V•ŠÚÌ
5,2
typ.
1,85
2,15
2,25
max.
2,25
5,8
6,4
V
V
V
V
Q•
0,12
µC
TÝÎ = 25°C
R•ÍÒÚ
0,00
Â
Eingangskapazität
input capacitance
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V
CÍþÙ
0,89
nF
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V
CØþÙ
0,03
nF
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
V†Š = 1200 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C
I†Š»
1,0
mA
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C
I•Š»
400
nA
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn-on delay time (inductive load)
I† = 15 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V
R•ÓÒ = 43 Â
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
tÁ ÓÒ
0,065
0,065
0,065
µs
µs
µs
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
I† = 15 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V
R•ÓÒ = 43 Â
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
tØ
0,06
0,065
0,065
µs
µs
µs
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn-off delay time (inductive load)
I† = 15 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V
R•ÓËË = 43 Â
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
tÁ ÓËË
0,21
0,28
0,285
µs
µs
µs
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
I† = 15 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V
R•ÓËË = 43 Â
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
tË
0,17
0,20
0,225
µs
µs
µs
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn-on energy loss per pulse
I† = 15 A, V†Š = 600 V, L» = 50 nH
V•Š = ±15 V
R•ÓÒ = 43 Â
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
EÓÒ
1,35
1,80
2,00
mJ
mJ
mJ
Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-off energy loss per pulse
I† = 15 A, V†Š = 600 V, L» = 50 nH
V•Š = ±15 V
R•ÓËË = 43 Â
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
EÓËË
0,85
1,20
1,35
mJ
mJ
mJ
Kurzschlussverhalten
SC data
V•Š ù 15 V, V†† = 800 V
V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š · di/dt
55
A
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro IGBT / per IGBT
RÚÌœ†
1,05
1,15 K/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro IGBT / per IGBT
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K) / ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
RÚ̆™
1,05
K/W
prepared by: DK
date of publication: 2009-10-30
approved by: MB
revision: 2.2
4
t« ù 10 µs, TÝÎ = 150°C
IȠ
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FP15R12W1T4
Vorläufige Daten
preliminary data
Diode-Brems-Chopper / Diode-brake-chopper
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
TÝÎ = 25°C
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
tÔ = 1 ms
Grenzlastintegral
I²t - value
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 125°C
Vçç¢
1200
V
IŒ
10
A
IŒç¢
20
A
I²t
16,0
A²s
Charakteristische Werte / characteristic values
min.
typ.
1,75
1,75
1,75
max.
2,25
Durchlassspannung
forward voltage
IŒ = 10 A, V•Š = 0 V
IŒ = 10 A, V•Š = 0 V
IŒ = 10 A, V•Š = 0 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
VŒ
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
IŒ = 10 A, - diŒ/dt = 500 A/µs (TÝÎ=150°C)
Vç = 600 V
V•Š = -15 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
Iç¢
12,0
10,0
8,00
A
A
A
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
IŒ = 10 A, - diŒ/dt = 500 A/µs (TÝÎ=150°C)
Vç = 600 V
V•Š = -15 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
QØ
0,90
1,70
1,90
µC
µC
µC
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
IŒ = 10 A, - diŒ/dt = 500 A/µs (TÝÎ=150°C)
Vç = 600 V
V•Š = -15 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
EØþÊ
0,24
0,52
0,59
mJ
mJ
mJ
V
V
V
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro Diode / per diode
RÚÌœ†
1,75
1,90 K/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Diode / per diode
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K) /ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
RÚ̆™
1,30
K/W
NTC-Widerstand / NTC-thermistor
Charakteristische Werte / characteristic values
min.
typ.
max.
Nennwiderstand
rated resistance
T† = 25°C
Abweichung von Ræåå
deviation of Ræåå
T† = 100°C, Ræåå = 493 Â
Verlustleistung
power dissipation
T† = 25°C
B-Wert
B-value
Rè = Rèë exp [Bèëõëå(1/Tè - 1/(298,15 K))]
Bèëõëå
3375
K
B-Wert
B-value
Rè = Rèë exp [Bèëõîå(1/Tè - 1/(298,15 K))]
Bèëõîå
3411
K
B-Wert
B-value
Rè = Rèë exp [Bèëõæåå(1/Tè - 1/(298,15 K))]
Bèëõæåå
3433
K
Rèë
ÆR/R
5,00
-5
Pèë
Angaben gemäß gültiger Application Note.
Specification according to the valid application note.
prepared by: DK
date of publication: 2009-10-30
approved by: MB
revision: 2.2
5
kÂ
5
%
20,0
mW
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FP15R12W1T4
Modul / module
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
Vorläufige Daten
preliminary data
Vš»¥¡
2,5
Material für innere Isolation
material for internal insulation
kV
AIè0é
Kriechstrecke
creepage distance
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
11,5
6,3
mm
Luftstrecke
clearance distance
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
10,0
5,0
mm
Vergleichszahl der Kriechwegbildung
comparative tracking index
CTI
> 200
min.
Modulinduktivität
stray inductance module
typ.
max.
LÙ†Š
30
nH
R††óôŠŠó
Rƒƒóô††ó
8,00
6,00
mÂ
Modulleitungswiderstand,
Anschlüsse - Chip
module lead resistance,
terminals - chip
T† = 25°C, pro Schalter / per switch
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper
Gleichrichter / rectifier
TÝÎ ÑÈà
Temperatur im Schaltbetrieb
temperature under switching conditions
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper
Gleichrichter / rectifier
TÝÎ ÓÔ
175
150
°C
°C
-40
-40
150
150
°C
°C
TÙÚÃ
-40
125
°C
Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder
mountig force per clamp
F
20
50
N
Gewicht
weight
G
Lagertemperatur
storage temperature
Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 30A effektiv pro Anschlusspin begrenzt.
The current under continuous operation is limited to 30A rms per connector pin.
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date of publication: 2009-10-30
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revision: 2.2
6
24
g
Technische Information / technical information
FP15R12W1T4
IGBT-Module
IGBT-modules
Ausgangskennlinie IGBT-Wechselr. (typisch)
output characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V†Š)
V•Š = 15 V
Ausgangskennlinienfeld IGBT-Wechselr. (typisch)
output characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V†Š)
TÝÎ = 150°C
30
30
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
24
24
21
21
18
18
15
12
9
9
6
6
3
3
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
V†Š [V]
3,0
0
3,5
Übertragungscharakteristik IGBT-Wechselr. (typisch)
transfer characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V•Š)
V†Š = 20 V
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-inverter (typical)
EÓÒ = f (I†), EÓËË = f (I†)
V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 39 Â, R•ÓËË = 39 Â, V†Š = 600 V
6
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
27
EÓÒ, TÝÎ = 125°C
EÓÒ, TÝÎ = 150°C
EÓËË, TÝÎ = 125°C
EÓËË, TÝÎ = 150°C
5
24
21
4
E [mJ]
18
15
12
3
2
9
6
1
3
0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
V†Š [V]
30
I† [A]
15
12
0,0
V•Š = 19 V
V•Š = 17 V
V•Š = 15 V
V•Š = 13 V
V•Š = 11 V
V•Š = 9 V
27
I† [A]
I† [A]
27
0
Vorläufige Daten
preliminary data
5
6
7
8
9
V•Š [V]
10
11
12
0
13
prepared by: DK
date of publication: 2009-10-30
approved by: MB
revision: 2.2
7
0
5
10
15
I† [A]
20
25
30
Technische Information / technical information
FP15R12W1T4
IGBT-Module
IGBT-modules
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-Inverter (typical)
EÓÒ = f (R•), EÓËË = f (R•)
V•Š = ±15 V, I† = 15 A, V†Š = 600 V
Vorläufige Daten
preliminary data
Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr.
transient thermal impedance IGBT-inverter
ZÚÌœ™ = f (t)
9,0
10
EÓÒ, TÝÎ = 125°C
EÓÒ, TÝÎ = 150°C
EÓËË, TÝÎ = 125°C
EÓËË, TÝÎ = 150°C
8,0
7,0
ZÚÌœ™ : IGBT
ZÚÌœ™ [K/W]
E [mJ]
6,0
5,0
4,0
1
3,0
2,0
4
3
2
1
i:
rÍ[K/W]: 0,154 0,345 0,865 0,736
0,0005 0,005 0,05 0,2
1,0
0,0
τ Í[s]:
0
0,1
0,001
40 80 120 160 200 240 280 320 360 400
R• [Â]
Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA)
reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA)
I† = f (V†Š)
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 39 Â, TÝÎ = 150°C
1
t [s]
10
30
I†, Modul
I†, Chip
30
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
27
27
24
24
21
21
18
18
IΠ[A]
I† [A]
0,1
Durchlasskennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)
forward characteristic of diode-inverter (typical)
IŒ = f (VŒ)
33
15
15
12
12
9
9
6
6
3
3
0
0,01
0
200
400
600
800
V†Š [V]
0
1000 1200 1400
prepared by: DK
date of publication: 2009-10-30
approved by: MB
revision: 2.2
8
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
VΠ[V]
2,5
3,0
3,5
4,0
Technische Information / technical information
FP15R12W1T4
IGBT-Module
IGBT-modules
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
EØþÊ = f (IŒ)
R•ÓÒ = 39 Â, V†Š = 600 V
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
EØþÊ = f (R•)
IŒ = 15 A, V†Š = 600 V
1,4
1,0
EØþÊ, TÝÎ = 125°C
EØþÊ, TÝÎ = 150°C
1,2
0,8
0,7
0,6
0,8
E [mJ]
E [mJ]
EØþÊ, TÝÎ = 125°C
EØþÊ, TÝÎ = 150°C
0,9
1,0
0,6
0,5
0,4
0,3
0,4
0,2
0,2
0,0
Vorläufige Daten
preliminary data
0,1
0
5
10
15
IΠ[A]
20
25
0,0
30
0
40 80 120 160 200 240 280 320 360 400
R• [Â]
Durchlasskennlinie der Diode-Gleichrichter (typisch)
forward characteristic of diode-rectifier (typical)
IŒ = f (VŒ)
Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr.
transient thermal impedance diode-inverter
ZÚÌœ™ = f (t)
10
30
ZÚÌœ™ : Diode
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 150°C
25
IΠ[A]
ZÚÌœ™ [K/W]
20
1
15
10
5
4
3
2
1
i:
rÍ[K/W]: 0,404 0,664 1,174 0,808
0,0005 0,005 0,05 0,2
τ Í[s]:
0,1
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
0
10
prepared by: DK
date of publication: 2009-10-30
approved by: MB
revision: 2.2
9
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
VΠ[V]
1,0
1,2
1,4
Technische Information / technical information
FP15R12W1T4
IGBT-Module
IGBT-modules
Ausgangskennlinie IGBT-Brems-Chopper (typisch)
output characteristic IGBT-brake-chopper (typical)
I† = f (V†Š)
V•Š = 15 V
Durchlasskennlinie der Diode-Brems-Chopper (typisch)
forward characteristic of Diode-brake-chopper (typical)
IŒ = f (VŒ)
30
20
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
24
16
21
14
18
12
15
10
12
8
9
6
6
4
3
2
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
V†Š [V]
3,0
3,5
140
160
0
NTC-Temperaturkennlinie (typisch)
NTC-temperature characteristic (typical)
R = f (T)
100000
RÚáÔ
R[Â]
10000
1000
100
0
20
40
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
18
IΠ[A]
I† [A]
27
0
Vorläufige Daten
preliminary data
60
80
T† [°C]
100
120
prepared by: DK
date of publication: 2009-10-30
approved by: MB
revision: 2.2
10
0,0
0,5
1,0
1,5
VΠ[V]
2,0
2,5
3,0
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FP15R12W1T4
Vorläufige Daten
preliminary data
Schaltplan / circuit diagram
ϑ
Gehäuseabmessungen / package outlines
Infineon
prepared by: DK
date of publication: 2009-10-30
approved by: MB
revision: 2.2
11
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FP15R12W1T4
Nutzungsbedingungen
Vorläufige Daten
preliminary data
Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die
Beurteilung der Eignung dieses Produktes für Ihre Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten
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Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder
lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle
- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;
- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;
- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und
gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen.
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and that we may make delivery depended on the realization
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Changes of this product data sheet are reserved.
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revision: 2.2
12