3.0 2.6 2.3 2.1 2.1 1.7 0.1 (typ) 0.9 0.7 1.1 0.5 3.7 3.3 2.4 3.4 3.0 SFH 420 SFH 425 fpl06724 GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package 0.8 0.6 Cathode/Collector marking 0.18 0.6 0.12 0.4 Cathode/Collector Approx. weight 0.03 g SFH 420 TOPLED GPL06724 0.7 2.8 2.4 4.2 3.8 (2.4) Cathode/ Collector 2.54 spacing 1.1 0.9 Anode/ Emitter (2.85) GPL06880 SFH 425 SIDELED fpl06867 (R1) 3.8 3.4 (2.9) Collector/Cathode marking 4.2 3.8 Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad ● Gute Linearität (Ie = f [IF]) bei hohen Strömen ● Gleichstrom- (mit Modulation) oder Impulsbetrieb möglich ● Hohe Zuverlässigkeit ● Hohe Impulsbelastbarkeit ● Oberflächenmontage geeignet ● Gegurtet lieferbar ● SFH 420 Gehäusegleich mit SFH 320/421 SFH 425 Gehäusegleich mit SFH 325/426 ● SFH 425: Nur für IR-Reflow-Lötung geeignet. Bei Schwallötung wenden Sie sich bitte an uns. Semiconductor Group 1 Features ● Very highly efficient GaAs-LED ● Good Linearity (Ie = f [IF]) at high currents ● DC (with modulation) or pulsed operations are possible ● High reliability ● High pulse handling capability ● Suitable for surface mounting (SMT) ● Available on tape and reel ● SFH 420 same package as SFH 320/421 SFH 425 same package as SFH 325/426 ● SFH 425: Suitable only for IR-reflow soldering. In case of dip soldering, please contact us first. 1997-11-01 SFH 420 SFH 425 Anwendungen ● Miniaturlichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb, Lochstreifenlaser ● Industrieelektronik ● “Messen/Steuern/Regeln” Typ Type SFH 420 SFH 425 Applications ● Miniature photointerrupters ● Industrial electronics ● For drive and control circuits Bestellnummer Ordering Code Gehäuse Package Q62702-P1690 Q62702-P0330 Kathodenkennzeichnung: abgesetzte Ecke cathode marking: bevelled edge TOPLED SIDELED Grenzwerte (TA = 25 °C) Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg – 55 ... + 100 °C Sperrschichttemperatur Junction temperature Tj 100 °C Sperrspannung Reverse voltage VR 5 V Durchlaßstrom Forward current IF 100 mA Stoßstrom, τ = 10 µs, D = 0 Surge current IFSM 3 A Verlustleistung Power dissipation Ptot 160 mW 450 K/W 200 K/W RthJA Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung bei Montage auf FR4 Platine, Padgröße je 16 mm2 Thermal resistance junction - ambient mounted on PC-board (FR4), padsize 16 mm2 each Wärmewiderstand Sperrschicht - Lötstelle bei RthJS Montage auf Metall-Block Thermal resistance junction - soldering point, mounted on metal block Semiconductor Group 2 1997-11-01 SFH 420 SFH 425 Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Wellenlänge der Strahlung Wavelength at peak emission IF = 100 mA, tp = 20 ms λpeak 950 nm Spektrale Bandbreite bei 50% von Imax Spectral bandwidth at 50% of Imax IF = 100 mA ∆λ 55 nm Abstrahlwinkel Half angle ϕ ± 60 Grad deg. Aktive Chipfläche Active chip area A 0.09 mm2 Abmessungen der aktiven Chipfläche Dimension of the active chip area L×B L×W 0.3 × 0.3 mm Schaltzeiten, Ie von 10 % auf 90 % und von 90 % auf 10 %, bei IF = 100 mA, RL = 50 Ω Switching times, Ie from 10 % to 90 % and from 90 % to 10 %, IF = 100 mA, RL = 50 Ω tr, tf 0.5 µs Kapazität Capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz Co 25 pF VF VF 1.3 (≤ 1.5) 2.3 (≤ 2.8) V V Sperrstrom Reverse current VR = 5 V IR 0.01 (≤ 1) µA Gesamtstrahlungsfluβ Total radiant flux IF = 100 mA, tp = 20 ms Φe 14 mW Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe, TCI – 0.5 %/K Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA TCV –2 mV/K Temperaturkoeffizient von λ, IF = 100 mA Temperature coefficient of λ, IF = 100 mA TCλ + 0.3 nm/K Semiconductor Group 3 Durchlaβspannung Forward voltage IF = 100 mA, tp = 20 ms IF = 1 A, tp = 100 µs IF = 100 mA Temperature coefficient of Ie or Φe, IF = 100 mA 1997-11-01 SFH 420 SFH 425 Gruppierung der Strahlstärke Ie in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr Grouping at radiant intensity Ie in axial direction at a solid angle of Ω = 0.01 sr Bezeichnung Description Symbol Werte Values Einheit Unit Strahlstärke Radiant intensity IF = 100 mA, tp = 20 ms Ie > 2.5 mW/sr Strahlstärke Radiant intensity IF = 1 A, tp = 100 µs Ie typ. 38 mW/sr Relative spectral emission Irel = f (λ) Radiant intensity Max. permissible forward current IF = f (TA) Single pulse, tp = 20 µs OHR01938 100 10 2 A OHR01551 80 OHR00883 120 Ι F mA Ιe Ι e 100 mA % Ι rel Ie = f (IF) Ie 100 mA 100 10 1 80 60 R thjA = 450 K/W 10 0 60 40 40 10 -1 20 20 0 880 920 960 nm λ 1000 Forward current IF = f (VF), single pulse, tp = 20 µs 10 1 10 -2 10 -3 1060 10 -2 10 -1 10 0 A ΙF 0 10 1 0 20 40 60 80 100 ˚C 120 TA Radiation characteristics Srel = f (ϕ) 40˚ OHR01554 30˚ 20˚ 10˚ 0˚ ϕ A ΙF 50˚ 10 0 OHL01660 1.0 0.8 0.6 60˚ 10 -1 0.4 70˚ 0.2 80˚ 10 -2 0 90˚ 100˚ 10 -3 1 2 3 4 V 5 1.0 0.8 0.6 0.4 0˚ 20˚ 40˚ 60˚ 80˚ 100˚ 120˚ VF Semiconductor Group 4 1997-11-01 SFH 420 SFH 425 Löthinweise Soldering conditions Bauform Types Tauch-, Schwall- und Schlepplötung Dip, wave and drag soldering Reflowlötung Reflow soldering Lötbadtemperatur Maximal zulässige Lötzeit Abstand Lötstelle – Gehäuse Lötzonentemperatur Maximale Durchlaufzeit Temperature of the soldering bath Max. perm. soldering time Distance between solder joint and case Temperature of soldering zone Max. transit time TOPLED 260 °C 10 s – 10 s SIDELED – – – 245 °C : ≥ 225 °C 10 s Zusätzliche Informationen über allgemeine Lötbedingungen finden Sie im Datenbuch S. 103ff. For additional information on generel soldering conditions please refer to our Data Book on page 169ff. Permissible pulse handling capability IF = f (tp) duty cycle D = parameter, TA = 20 °C 10 4 OHR00860 tp Ι F mA 5 D= tp T D = 0.005 ΙF T 0.01 0.02 10 3 5 0.1 0.05 0.2 0.5 DC 10 2 -5 10 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 10 1 s 10 2 tp Semiconductor Group 5 1997-11-01