GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 409 Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 309, SFH 487 • • • • • Anwendungen Applications • IR-Fernsteuerungen von Fernseh-, Rundfunkund Videogeräten, Lichtdimmern • Lichtschranken bis 500 kHz • Münzzähler • Sensorik • Diskrete Optokoppler • IR remote control for hifi and TV sets, video tape recorders, dimmers • Light-reflection switches (max. 500 kHz) • Coin counters • Sensor technology • Discrete optocouplers Very highly efficient GaAs-LED High reliability High pulse handling capability Good spectral match to silicon photodetectors Same package as SFH 309, SFH 487 Typ Type Bestellnummer Ordering Code Gehäuse Package SFH 409 Q62702-P860 SFH 409-2 Q62702-P1002 3-mm-LED-Gehäuse (T 1), grau eingefärbt, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (1/10’’), Kathodenkennzeichnung: kürzerer Anschluß 3 mm LED package (T 1), grey-colored epoxy resin, solder tabs lead spacing 2.54 mm (1/10’’), cathode marking: short lead 2003-11-11 1 SFH 409 Grenzwerte (TA = 25 °C) Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg – 40 … + 100 °C Sperrspannung Reverse voltage VR 5 V Durchlaßstrom Forward current IF 100 mA Stoßstrom, τ ≤ 10 µs, D = 0 Surge current IFSM 3 A Verlustleistung Power dissipation Ptot 165 mW Wärmewiderstand Thermal resistance RthJA 450 K/W Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Wellenlänge der Strahlung Wavelength at peak emission IF = 100 mA, tp = 20 ms λpeak 950 nm Spektrale Bandbreite bei 50% von Imax Spectral bandwidth at 50% of Imax IF = 100 mA, tp = 20 ms ∆λ 55 nm Abstrahlwinkel Half angle ϕ ± 20 Grad deg. Aktive Chipfläche Active chip area A 0.09 mm2 Abmessungen der aktiven Chipfläche Dimensions of the active chip area L×B L×W 0.3 × 0.3 mm Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel Distance chip surface to lens top H 2.6 mm Kapazität, VR = 0 V Capacitance Co 25 pF Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics 2003-11-11 2 SFH 409 Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics (cont’d) Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Schaltzeiten, Ie von 10% auf 90% und von 90% auf 10%, bei IF = 100 mA, RL = 50 Ω Switching times, Ιe from 10% to 90% and from 90% to10%, IF = 100 mA, RL = 50 Ω tr, tf 0.5 µs VF VF 1.30 (≤ 1.5) 1.9 (≤ 2.5) V V Sperrstrom, Reverse current, VR = 5 V IR 0.01 (≤ 1) µA Gesamtstrahlungsfluß, Total radiant flux IF = 100 mA, tp = 20 ms Φe 15 mW Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe, IF = 100 mA Temperature coefficient of Ie or Φe, IF = 100 mA TCI – 0.55 %/K Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA TCV – 1.5 mV/K Temperaturkoeffizient von λpeak, IF = 100 mA Temperature coefficient of λpeak, IF = 100 mA TCλ + 0.3 nm/K Durchlaßspannung, Forward voltage IF = 100 mA, tp = 20 ms IF = 1 A, tp = 100 µs Gruppierung der Strahlstärke Ie in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr Grouping of Radiant Intensity Ie in Axial Direction at a solid angle of Ω = 0.01 sr Bezeichnung Parameter Strahlstärke Radiant intensity IF = 100 mA, tp = 20 ms IF = 1 A, tp = 100 µs Symbol Ie Ie typ. 1) Nicht bestellbar als Einzelgruppe. 1) Can not be ordered as single group. 2003-11-11 Werte Values Einheit Unit SFH 409 SFH 409-11) SFH 409-2 SFH 409-31) ≥ 6.3 – 6.3 … 12.5 75 > 10 120 16 … 32 – 3 mW/sr mW/sr SFH 409 Relative Spectral Emission Irel = f (λ) Single pulse, tp = 20 µs Ι e (100 mA) 10 1 % Ι rel OHR00864 Ιe OHR01938 100 Ιe = f (IF ) Ιe 100 mA Radiant Intensity Max. Permissible Forward Current IF = f (T A ) OHR00883 120 Ι F mA 100 80 80 60 R thjA = 450 K/W 60 10 0 40 40 20 20 0 880 920 960 1000 nm λ 10 -1 10 -2 1060 ΙF 10 0 10 4 OHR01041 OHR00865 Ι F mA 5 D= τ τ T ΙF T D = 0.005 10 typ. 0 10 1 A ΙF Permissible Pulse Handling Capability IF = f (τ), TA = 25 °C duty cycle D = parameter Forward Current IF = f (VF), Single pulse, tp = 20 µs 10 1 A 10 -1 max. 0.01 0.02 10 5 10 -1 0.05 3 0.1 0.2 0.5 10 -2 1 1.5 2 2.5 3 3.5 DC 10 2 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 10 1 s 10 2 τ 4 V 4.5 VF Radiation Characteristics Ιrel = f (ϕ) 40 30 20 10 0 ϕ OHR01887 1.0 50 0.8 60 0.6 70 0.4 0.2 80 0 90 100 1.0 2003-11-11 0.8 0.6 0.4 0 20 40 60 80 4 100 120 0 0 20 40 60 80 100 ˚C 120 TA SFH 409 Maßzeichnung Package Outlines Area not flat 5.2 4.5 1.8 1.2 (3.5) 29 27 4.1 3.9 ø3.1 ø2.9 0.7 0.4 0.8 0.4 2.54 mm spacing 0.6 0.4 6.3 5.9 4.0 3.6 0.6 0.4 Chip position Cathode (SFH 409, SFH 4332) Anode (SFH 487, SFH 4301) GEX06250 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben / Dimensions in mm, unless otherwise specified. 2003-11-11 5