SFH 309 SFH 309 FA SFH 309 SFH 309 FA feof6653 feo06653 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified Wesentliche Merkmale Features ● Speziell geeignet für Anwendungen im ● Especially suitable for applications from Bereich von 380 nm bis 1180 nm (SFH 309) und bei 880 nm (SFH 309 FA) ● Hohe Linearität ● 3 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse ● Gruppiert lieferbar 380 nm to 1180 nm (SFH 309) and of 880 nm (SFH 309 FA) ● High linearity ● 3 mm LED plastic package ● Available in groups Anwendungen ● Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb ● Industrieelektronik ● “Messen/Steuern/Regeln” Applications ● Photointerrupters ● Industrial electronics ● For control and drive circuits Semiconductor Group 1 01.97 SFH 309 SFH 309 FA Typ Type Bestellnummer Ordering Code Typ (*vorher) Type (*formerly) Bestellnummer Ordering Codes SFH 309 Q62702-P859 SFH 309 FA (*SFH 309 F) Q62702-P941 SFH 309-3 Q62702-P997 SFH 309 FA-2 (*SFH 309 F-2) Q62702-P174 SFH 309-4 Q62702-P998 SFH 309 FA-3 (*SFH 309 F-3) Q62702-P176 SFH 309-5 Q62702-P999 SFH 309 FA-4 (*SFH 309 F-4) Q62702-P178 SFH 309-61) Q62702-P1000 SFH 309 FA-5 (*SFH 309 F-51)) Q62702-P180 1) 1) Eine Lieferung in dieser Gruppe kann wegen Ausbeuteschwankungen nicht immer sichergestellt werden. Wir behalten uns in diesem Fall die Lieferung einer Ersatzgruppe vor. Supplies out of this group cannot always be guaranteed due to unforseeable spread of yield. In this case we will reserve us the right of delivering a substitute group. Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg – 55 ... + 100 °C Löttemperatur bei Tauchlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 5 s Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom, soldering time t ≤ 5 s TS 260 °C Löttemperatur bei Kolbenlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 3 s Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom, soldering time t ≤ 3 s TS 300 °C Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage VCE 35 V Kollektorstrom Collector current IC 15 mA Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs Collector surge current ICS 75 mA Semiconductor Group 2 SFH 309 SFH 309 FA Grenzwerte Maximum Ratings (cont’d) Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Verlustleistung, TA = 25 °C Total power dissipation Ptot 165 mW Wärmewiderstand Thermal resistance RthJA 450 K/W Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm) Characteristics Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value SFH 309 SFH 309 FA 900 Einheit Unit Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity λS max 860 Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10 % von Smax Spectral range of sensitivity S = 10 % of Smax λ 380 ... 1150 730 ... 1120 nm Bestrahlungsempfindliche Fläche (∅ 240 µm) A Radiant sensitive area nm 0.2 0.2 mm2 Abmessung der Chipfläche Dimensions of chip area L×B L×W 0.45 × 0.45 0.45 × 0.45 mm × mm Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche Distance chip front to case surface H 2.4 ... 2.8 2.4 ... 2.8 mm Halbwinkel Half angle ϕ ± 12 ± 12 Grad deg. Kapazität, VCE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance CCE 5.0 5.0 pF Dunkelstrom Dark current VCE = 25 V, E = 0 ICEO 1 (≤ 200) 1 (≤ 200) nA Semiconductor Group 3 SFH 309 SFH 309 FA Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen Ziffern gekennzeichnet. The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished by arabian figures. Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value -2 Fotostrom, λ = 950 nm Photocurrent Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V SFH 309: Ev = 1000 Ix, Normlicht/ standard light A, VCE = 5 V IPCE IPCE -3 -4 Einheit Unit -5 0.4 ... 0.8 0.63 ... 1. 1.0 ... 2.0 1.6 ... 3.2 mA 25 1.5 4.5 7.2 mA 2.8 Anstiegszeit/Abfallzeit Rise and fall time IC = 1 mA, VCC = 5 V, RL = 1 kΩ tr, tf 5 6 7 8 µs Kollektor-EmitterSättigungsspannung Collector-emitter saturation voltage IC = IPCEmin1) × 0.3, Ee = 0.5 mW/cm2 VCEsat 200 200 200 200 mV 1) 1) IPCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe IPCEmin is the min. photocurrent of the specified group Directional characteristics Srel = f (ϕ) Semiconductor Group 4 SFH 309 SFH 309 FA Semiconductor Group 5 SFH 309 SFH 309 FA Relative spectral sensitivity, SFH 309 Srel = f (λ) Relative spectral sensitivity, SFH 309 FA Srel = f (λ) Photocurrent IPCE = f (Ee), VCE = 5 V Total power dissipation Ptot = f (TA) Photocurrent IPCE = f (VCE), Ee = Parameter Dark current ICEO = f (VCE), E = 0 Dark current ICEO = f (TA), VCE = 25 V, E = 0 Capacitance CCE= f (VCE), f = 1 MHz, E = 0 Photocurrent IPCE/IPCE25o = f (TA), VCE = 5 V Semiconductor Group 6