0 ... 5 3.6 3.2 0.7 0.6 0.25 0.15 LD 260 LD 262 ... LD 269 fez06365 2.54 mm spacing 1.9 1.7 0.5 0.4 3.5 3.0 Chip position 7.4 7.0 2.7 2.5 GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen GaAs Infrared Emitter Arrays 2.1 1.5 A 0.4 A GEO06367 feo06367 1.4 1.0 Collector (BPX 83) Cathode (LD 263) Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Hohe Zuverlässigkeit ● Gehäusegleich mit BPX 80-Serie Features ● GaAs infrared emitting diode, fabricated in a liquid phase epitaxy process ● High reliability ● Same package as BPX 80 series Anwendungen Applications ● Miniaturlichtschranken für Gleich- und ● ● ● ● ● GaAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren Wechsellichtbetrieb ● Lochstreifenleser ● Industrieelektronik ● “Messen/Steuern/Regeln” Semiconductor Group 1 Miniature photointerrupters Punched tape-readers Industrial electronics For control and drive circuits 1997-11-01 LD 260 LD 262 ... LD 269 Typ Type IRED Maß “A” Bestellnummer Gehäuse pro Zeile per Row Dimension “A” Ordering Code Package min. max. LD 262 2 4.5 4.9 Q62703-Q70 LD 263 3 7 7.4 Q62703-Q71 LD 264 4 9.6 10 Q62703-Q72 LD 265 5 12.1 12.5 Q62703-Q73 LD 266 6 14.6 15 Q62703-Q74 LD 267 7 17.2 17.6 Q62703-Q75 LD 268 8 19.7 20.1 Q62703-Q76 LD 269 9 22.3 22.7 Q62703-Q77 LD 260 10 24.8 25.2 Q62703-Q78 Zeilenbauform, Leiterbandgehäuse, klares Epoxy-Gießharz, linsenförmig, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (1/10’’), Kathodenkennzeichnung: Nase am Lötspieß Lead frame arrays, transparent epoxy resin lens, solder tabs, lead spacing 2.54 mm (1/10’’), cathode marking: projection at solder lead Grenzwerte (TA = 25 °C) Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg – 40 ... + 80 °C Sperrschichttemperatur Junction temperature Tj 80 °C Sperrspannung Reverse voltage VR 5 V Durchlaßstrom Forward current IF 50 mA Stoßstrom, τ ≤ 10 µs, D = 0 Surge current IFSM 1.6 A Verlustleistung Power dissipation Ptot 70 mW Wärmewiderstand Thermal resistance RthJA RthJL 750 650 K/W K/W Semiconductor Group 2 1997-11-01 LD 260 LD 262 ... LD 269 Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Wellenlänge der Strahlung Wavelength at peak emission IF = 50 mA, tp = 20 ms λpeak 950 nm Spektrale Bandbreite bei 50 % von Imax Spectral bandwidth at 50 % of Imax IF = 50 m A, tp = 20 ms ∆λ 55 nm Abstrahlwinkel Half angle ϕ ± 15 Grad deg. Aktive Chipfläche Active chip area A 0.25 mm2 Abmessungen der aktive Chipfläche Dimension of the active chip area L×B L×W 0.5 × 0.5 mm Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel Distance chip surface to lens top H 1.3 ... 1.9 mm Schaltzeiten, Ie von 10 % auf 90 % und von 90 % auf 10%, bei IF = 50 mA, RL = 50 Ω Switching times, Ie from 10 % to 90 % and from 90 % to 10 %, IF = 50 mA, RL = 50 Ω tr, tf 1 µs Kapazität, VR = 0 V Capacitance Co 40 pF Durchlaßspannung, IF = 50 mA, tp = 20 µs Forward voltage VF 1.25 (≤ 1.4) V Sperrstrom, VR = 5 V Reverse current IR 0.01 (≤ 1) µA Gesamtstrahlungsfluß, IF = 50 mA, tp = 20 ms Φe Total radiant flux 9 mW Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe, IF = 50 mA Temperature coefficient of Ie or Φe, IF = 50 mA TCI – 0.55 %/K Temperaturkoeffizient von VF, IF = 50 mA Temperature coefficient of VF, IF = 50 mA TCV – 1.5 mV/K Temperaturkoeffizient von λpeak, IF = 50 mA Temperature coefficient of λpeak, IF = 50 mA TCλ 0.3 nm/K Strahlstärke, IF = 50 mA, tp = 20 ms Radiant intensity Ie typ. 5 (≥ 2.5) mW/sr Semiconductor Group 3 1997-11-01 LD 260 LD 262 ... LD 269 Relative spectral emission Irel = f (λ) Max. permissible forward current IF = f (TA) Single pulse, tp = 20 µs OHRD1938 100 Ιe OHR01039 10 2 Ι e (100 mA) % Ι rel Ie = f (IF) Ie 100 mA Radiant intensity OHR01124 80 mA ΙF 70 80 60 10 1 50 60 40 R thJL = 650 K/W 40 30 10 0 R thJA = 750 K/W 20 20 10 0 880 920 960 1000 nm λ 10 -1 10 -2 1060 ΙF OHR01042 10 0 10 1 A ΙF 0 0 20 40 60 80 C 100 TA , TL OHR02182 10 4 Ι F mA typ. 10 0 Permissible pulse handling capability IF = f (τ), TC = 25 °C, duty cycle D = parameter Forward current IF = f (VE), single pulse, tp = 20 µs 10 1 A 10 -1 max. D= τ T τ D=0 0,005 0,01 0,02 ΙF T 10 3 0,05 0,1 0,2 10 -1 10 2 0,5 DC 10 -2 1 1.5 2 2.5 3 3.5 10 1 -5 10 4 V 4.5 VF 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 s 10 0 τ Radiation characteristics Irel = f (ϕ) 40 30 20 10 0 ϕ OHR01878 1.0 50 0.8 60 0.6 70 0.4 0.2 80 0 90 100 1.0 0.8 0.6 Semiconductor Group 0.4 0 20 40 60 80 4 100 120 1997-11-01