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日本語参考資料
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3 kV RMS、2チャンネル
デジタル・アイソレータ
ADuM1280/ADuM1281/ADuM1285/ADuM1286
データシート
特長
概要
最大データレート: 100 Mbps (NRZ)
小さい伝搬遅延: 20 ns (typ)
小さいダイナミック消費電力
双方向通信
3 V/5 V のレベル変換
高温動作: 125°C
高い同相モード・トランジェント耐性: 25 kV/µs 以上
ハイ・レベルのデフォルト出力: ADuM1280/ADuM1281
ロー・レベルのデフォルト出力: ADuM1285/ADuM1286
RoHS 準拠のナロー・ボディ 8 ピン SOIC を採用
安全性規定の認定(申請中)
UL 認定: 3,000 V rms 1 分間の UL 1577 規格
「CSA Component Acceptance Notice #5A」に準拠
VDE の適合性認定済み
DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10): 2006-12
VIORM = 560 V ピーク
ADuM1280/ADuM1281/ADuM1285/ADuM1286 1 (このデータシー
トでは ADuM128x とも呼びます) は、アナログ・デバイセズの
iCoupler®技術を採用した 2 チャンネルのデジタル・アイソレー
タです。これらのアイソレーション・デバイスは高速 CMOS 技
術と空心コアを使ったモノリシック・トランス技術の組み合わ
せにより、フォトカプラ・デバイスやその他のカプラ IC の置換
品より優れた性能特性を提供します。
アプリケーション
汎用のマルチチャンネル・アイソレーション
データ・コンバータのアイソレーション
工業用フィールド・バスのアイソレーション
伝搬遅延 20 ns であるため、パルス幅 歪みは C グレードで 2 ns
以下です。チャンネル間マッチングは厳しく、C グレードで 5
ns です。ADuM128x の 2 つのチャンネルは独立なアイソレーシ
ョン・チャンネルであり、最大 100 Mbps の 3 種類のデータレー
トを持つ 2 つのチャンネル構成が可能です(オーダー・ガイド参
照)。これらの全モデルは、いずれの側も 2.7 V～5.5 V 範囲の電
源電圧で動作するため、低い電圧のシステムと互換性を持ち、
さらに絶縁障壁に跨がる電圧変換機能も可能にします。
ADuM128x アイソレータは、他のフォトカプラとは異なり、入
力ロジックに変化がない場合に DC を正確に維持する特許取得
済みのリフレッシュ機能を持っています。電源が最初に加えら
れ たと き、また は入 力側に電 源が 加えられ てい ないとき 、
ADuM1280 と ADuM1281 のデフォルト出力は、ハイ・レベルに
なり、ADuM1285 と ADuM1286 のデフォルト出力はロー・レベ
ルになります。
安 全 性 と 規 制 の 認 定 に つ い て は 、
http://www.analog.com/jp/icouplersafety をご覧ください。
ADuM1280/
ADuM1285
8
VDD2
VIA 2
ENCODE
DECODE
7
VOA
VIB 3
ENCODE
DECODE
6
VOB
5
GND2
GND1 4
VDD1 1
10444-001
VDD1 1
8
VDD2
VOA 2
DECODE
ENCODE
7
VIA
VIB 3
ENCODE
DECODE
6
VOB
5
GND2
GND1 4
図 2.ADuM1281/ADuM1286
図 1.ADuM1280/ADuM1285
1
ADuM1281/
ADuM1286
10444-002
機能ブロック図
米国特許 5,952,849; 6,873,065; 6,903,578; 7,075,329 により保護されています。その他の特許は申請中です。
Rev. 0
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電話 06（6350）6868
ADuM1280/ADuM1281/ADuM1282
データシート
目次
特長 ...................................................................................................... 1
推奨動作条件 .................................................................................. 8
アプリケーション .............................................................................. 1
絶対最大定格 ...................................................................................... 9
概要 ...................................................................................................... 1
ESD の注意 ..................................................................................... 9
機能ブロック図 .................................................................................. 1
ピン配置およびピン機能説明 ........................................................ 10
改訂履歴 .............................................................................................. 2
代表的な性能特性 ............................................................................ 12
仕様 ...................................................................................................... 3
アプリケーション情報 .................................................................... 13
電気的特性—5 V 動作.................................................................... 3
PC ボードのレイアウト .............................................................. 13
電気的特性—3 V 動作.................................................................... 4
伝搬遅延に関係するパラメータ ................................................ 13
電気的特性—ミックスド 5 V/3 V 動作 ........................................ 5
DC 精度と磁界耐性...................................................................... 13
電気的特性—ミックスド 3 V/5 V 動作 ........................................ 6
消費電力 ........................................................................................ 14
パッケージ特性 .............................................................................. 7
絶縁寿命 ........................................................................................ 15
適用規格 .......................................................................................... 7
外形寸法............................................................................................ 16
絶縁および安全性関連の仕様 ...................................................... 7
オーダー・ガイド ........................................................................ 16
DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10): 2006-12 絶縁特性 ....... 8
改訂履歴
5/12—Revision 0: Initial Version
Rev. 0
－ 2/16 －
ADuM1280/ADuM1281/ADuM1282
データシート
仕様
電気的特性—5 V 動作
特に指定がない限り、すべての typ 仕様は TA = 25°C および VDD1 = VDD2 = 5 V で規定します。最小／最大仕様は、4.5 V ≤ VDD1 ≤ 5.5 V、4.5
V ≤ VDD2 ≤ 5.5 V、−40°C ≤ TA ≤ 125°C の推奨動作範囲に適用されます。特に指定がない限り、スイッチング規定値は、CL = 15 pF と CMOS
信号レベルでテストされます。
表 1.
Parameter
Symbol
Min
SWITCHING
SPECIFICATIONS
Pulse Width
PW
1000
A Grade
Typ
Max
Min
B Grade
Typ
Max
Test Conditions
Within PWD limit
2
ns
Mbps
ns
ns
12
9
ns
ns
ns
ns
10
1
25
Propagation Delay
tPHL, tPLH
50
35
Pulse Width Distortion
PWD
10
3
Change vs. Temperature
7
C Grade
Typ
Max
Unit
40
Data Rate
Propagation Delay Skew
Min
13
3
18
100
24
Within PWD limit
50% input to 50% output
|tPLH − tPHL|
ps/°C
1.5
tPSK
38
Codirectional
tPSKCD
5
3
2
Opposing Direction
tPSKOD
10
6
5
Between any two units
at same operating conditions
Channel Matching
Jitter
2
2
1
表 2.
Parameter
SUPPLY CURRENT
ADuM1280/ADuM1285
ADuM1281/ADuM1286
Symbol
1 Mbps–A, B, C Grade
Min
Typ
Max
25 Mbps–B Grade
Min
Typ
Max
100 Mbps–B Grade
Min
Typ
Max
Unit
Test Conditions
No load
IDD1
IDD2
IDD1
IDD2
1.1
2.7
2.1
2.3
1.6
4.5
2.6
2.9
6.2
4.8
4.9
4.7
7.0
7.0
6.0
6.4
20
9.5
15
15.6
25
15
19
19
mA
mA
mA
mA
表 3.すべてのモデルに対して
Parameter
Symbol
Min
DC SPECIFICATIONS
Logic High Input Threshold
Logic Low Input Threshold
Logic High Output Voltages
VIH
VIL
VOH
0.7 VDDx
Logic Low Output Voltages
VOL
Input Current per Channel
Supply Current per Channel
Quiescent Input Supply Current
Quiescent Output Supply Current
Dynamic Input Supply Current
Dynamic Output Supply Current
Undervoltage Lockout
Positive VDDx Threshold
Negative VDDx Threshold
VDDx Hysteresis
II
AC SPECIFICATIONS
Output Rise/Fall Time
Common-Mode Transient Immunity1
Refresh Period
1
Typ
Max
0.3 VDDx
VDDx − 0.1
VDDx − 0.4
−10
5.0
4.8
0.0
0.2
+0.01
0.1
0.4
+10
Test Conditions
V
V
V
V
V
V
µA
IOx = −20 µA, VIx = VIxH
IOx = −4 mA, VIx = VIxH
IOx = 20 µA, VIx = VIxL
IOx = 4 mA, VIx = VIxL
0 V ≤ VIx ≤ VDDx
IDDI(Q)
IDDO(Q)
IDDI(D)
IDDO(D)
0.54
1.6
0.09
0.04
VDDXUV+
VDDXUVVDDXUVH
2.6
2.4
0.2
V
V
V
2.5
35
ns
kV/µs
1.6
µs
tR/tF
|CM|
tr
25
0.8
2.0
Unit
mA
mA
mA/Mbps
mA/Mbps
10% to 90%
VIx = VDDx, VCM = 1000 V,
transient magnitude = 800 V
|CM|は、VO > 0.8 VDDx を維持している間に維持できる同相モード電圧の最大スルーレートです。 同相モード電圧スルーレートは、立上がりと立下がりの両同相モー
ド電圧エッジに適用されます。
Rev. 0
－ 3/16 －
ADuM1280/ADuM1281/ADuM1282
データシート
電気的特性—3 V 動作
特に指定がない限り、すべての typ 仕様は TA = 25°C および VDD1 = VDD2 = 3.0 V で規定します。最小／最大仕様は、2.7 V ≤ VDD1 ≤ 3.6 V、
2.7 V ≤ VDD2 ≤ 3.6 V、−40°C ≤ TA ≤ 125°C の推奨動作範囲に適用されます。特に指定がない限り、スイッチング規定値は、CL = 15 pF と
CMOS 信号レベルでテストされます。
表 4.
Parameter
Symbol
Min
SWITCHING
SPECIFICATIONS
Pulse Width
PW
1000
A Grade
Typ
Max
Min
B Grade
Typ
Max
40
Data Rate
25
tPHL, tPLH
50
35
Pulse Width Distortion
PWD
10
3
Propagation Delay Skew
7
20
38
Codirectional
tPSKCD
Opposing-Direction
tPSKOD
25
100
33
2.5
3
tPSK
C Grade
Typ
Max
10
1
Propagation Delay
Change vs. Temperature
Min
Unit
Test Conditions
ns
Mbps
ns
ns
Within PWD limit
Within PWD limit
50% input to 50% output
|tPLH − tPHL|
ps/°C
1.5
16
12
ns
5
3
2.5
10
6
5
ns
ns
ns
Between any two units
at same operating conditions
Channel Matching
Jitter
2
2
1
表 5.
Parameter
Symbol
SUPPLY CURRENT
ADuM1280/ADuM1285
IDD1
1 Mbps–A, B, C Grade
Min
Typ
Max
100 Mbps–C Grade
Min
Typ
Max
Unit
Test Conditions
No load
0.75
2.0
1.6
1.7
IDD2
ADuM1281/ADuM1286
25 Mbps–B, C Grade
Min
Typ
Max
IDD1
IDD2
1.4
5.1
2.7
3.8
3.9
3.5
2.1
2.3
9.0
4.6
5.0
6.2
17
4.8
11
11
23
9
15
15
mA
mA
mA
mA
表 6.すべてのモデルに対して
Parameter
Symbol
Min
DC SPECIFICATIONS
Logic High Input Threshold
Logic Low Input Threshold
Logic High Output Voltages
VIH
VIL
VOH
0.7 VDDx
Logic Low Output Voltages
VOL
Input Current per Channel
Supply Current per Channel
Quiescent Input Supply Current
Quiescent Output Supply Current
Dynamic Input Supply Current
Dynamic Output Supply Current
Undervoltage Lockout
Positive VDDx Threshold
Negative VDDx Threshold
VDDX Hysteresis
II
AC SPECIFICATIONS
Output Rise/Fall Time
Common-Mode Transient Immunity1
Refresh Period
1
Typ
Max
0.3 VDDx
VDDx − 0.1
VDDx − 0.4
−10
3.0
2.8
0.0
0.2
+0.01
0.1
0.4
+10
Test Conditions
V
V
V
V
V
V
µA
IOx = −20 µA, VIx = VIxH
IOx = −4 mA, VIx = VIxH
IOx = 20 µA, VIx = VIxL
IOx = 4 mA, VIx = VIxL
0 V ≤ VIx ≤ VDDx
IDDI(Q)
IDDO(Q)
IDDI(D)
IDDO(D)
0.4
1.2
0.08
0.015
VDDxUV+
VDDxUV−
VDDxUVH
2.6
2.4
0.2
V
V
V
3
35
ns
kV/µs
1.6
µs
tR/tF
|CM|
tr
25
0.6
1.7
Unit
mA
mA
mA/Mbps
mA/Mbps
10% to 90%
VIx = VDDx, VCM = 1000 V,
transient magnitude = 800 V
|CM|は、VO > 0.8 VDDx を維持している間に維持できる同相モード電圧の最大スルーレートです。 同相モード電圧スルーレートは、立上がりと立下がりの両同相モード
電圧エッジに適用されます。
Rev. 0
－ 4/16 －
ADuM1280/ADuM1281/ADuM1282
データシート
電気的特性—ミックスド 5 V/3 V 動作
特に指定がない限り、すべての typ 仕様は TA = 25°C、VDD1 = 5 V、VDD2 = 3.0 V で規定します。 最小／最大仕様は、4.5 V ≤ VDD1 ≤ 5.5 V、
2.7 V ≤ VDD2 ≤ 3.6 V、−40°C ≤ TA ≤ 125°C の推奨動作範囲に適用されます。特に指定がない限り、スイッチング規定値は、CL = 15 pF と
CMOS 信号レベルでテストされます。
表 7.
Parameter
Symbol
Min
SWITCHING
SPECIFICATIONS
Pulse Width
PW
1000
A Grade
Typ
Max
Min
B Grade
Typ
Max
40
Data Rate
25
tPHL, tPLH
50
35
Pulse Width Distortion
PWD
10
3
7
Propagation Delay Skew
C Grade
Typ
Max
10
1
Propagation Delay
Change vs. Temperature
Min
13
20
100
26
2
3
Unit
Test Conditions
ns
Mbps
ns
ns
Within PWD limit
Within PWD limit
50% input to 50% output
|tPLH − tPHL|
ps/°C
1.5
tPSK
38
16
12
ns
Codirectional
tPSKCD
5
3
2
Opposing-Direction
tPSKOD
10
6
5
ns
ns
ns
Between any two units
at same operating conditions
Channel Matching
Jitter
2
2
1
表 8.
Parameter
Symbol
SUPPLY CURRENT
ADuM1280/ADuM1285
IDD1
1 Mbps–A, B, C Grade
Min
Typ
Max
100 Mbps–C Grade
Min
Typ
Max
Unit
Test Conditions
No load
1.6
1.1
2.0
2.1
1.7
IDD2
ADuM1281/ADuM1286
25 Mbps–B, C Grade
Min
Typ
Max
IDD1
IDD2
6.2
2.7
4.9
3.9
3.5
2.6
2.3
7.0
4.6
6.0
6.2
20
4.8
15
11
25
mA
9.0
mA
19
mA
15
mA
表 9.すべてのモデルに対して
Parameter
Symbol
Min
DC SPECIFICATIONS
Logic High Input Threshold
Logic Low Input Threshold
Logic High Output Voltages
VIH
VIL
VOH
0.7 VDDx
Logic Low Output Voltages
VOL
Input Current per Channel
II
Typ
Max
Unit
Test Conditions
0.1
0.4
+10
V
V
V
V
V
V
µA
IOx = −20 µA, VIx = VIxH
IOx = −4 mA, VIx = VIxH
IOx = 20 µA, VIx = VIxL
IOx = 4 mA, VIx = VIxL
0 V ≤ VIx ≤ VDDx
0.75
mA
2.0
mA
0.3 VDDx
VDDx − 0.1
VDDx − 0.4
−10
VDDx
VDDx − 0.2
0.0
0.2
+0.01
Supply Current per Channel
Quiescent Input Supply Current
IDDI(Q)
Quiescent Output Supply Current
IDDO(Q)
Dynamic Input Supply Current
IDDI(D)
Dynamic Output Supply Current
IDDO(D)
Undervoltage Lockout
Positive VDDX Threshold
VDDxUV+
Negative VDDX Threshold
VDDxUV−
VDDX Hysteresis
VDDxUVH
0.54
1.2
0.09
0.02
2.6
2.4
0.2
mA/Mbps
mA/Mbps
V
V
V
AC SPECIFICATIONS
Output Rise/Fall Time
tR/tF
1
1
Common-Mode Transient Immunity
|CM|
Refresh Period
tr
25
2.5
35
ns
10% to 90%
kV/µs
VIx = VDDx, VCM = 1000 V,
transient magnitude = 800 V
1.6
µs
|CM|は、VO > 0.8 VDDx を維持している間に維持できる同相モード電圧の最大スルーレートです。 同相モード電圧スルーレートは、立上がりと立下がりの両同相モード
電圧エッジに適用されます。
Rev. 0
－ 5/16 －
ADuM1280/ADuM1281/ADuM1282
データシート
電気的特性—ミックスド 3 V/5 V 動作
特に指定がない限り、すべての typ 仕様は TA = 25°C、VDD1 = 3.0 V、VDD2 = 5 V で規定します。 最小／最大仕様は、2.7 V ≤ VDD1 ≤ 3.6 V、
4.5 V ≤ VDD2 ≤ 5.5 V、−40°C ≤ TA ≤ 125°C の推奨動作範囲に適用されます。特に指定がない限り、スイッチング規定値は、CL = 15 pF と
CMOS 信号レベルでテストされます。
表 10.
Parameter
Symbol
Min
SWITCHING
SPECIFICATIONS
Pulse Width
PW
1000
A Grade
Typ
Max
tPHL, tPLH
Pulse Width Distortion
PWD
Min
25
50
35
7
16
38
Codirectional
tPSKCD
Opposing-Direction
tPSKOD
24
3
100
30
2.5
3
tPSK
C Grade
Typ
Max
10
1
10
Change vs. Temperature
Propagation Delay Skew
B Grade
Typ
Max
40
Data Rate
Propagation Delay
Min
Unit
Test Conditions
ns
Mbps
ns
ns
Within PWD limit
Within PWD limit
50% input to 50% output
|tPLH − tPHL|
ps/°C
1.5
16
12
ns
5
3
2.5
10
6
5
ns
ns
ns
Between any two units at
same operating conditions
Channel Matching
Jitter
2
2
1
表 11.
Parameter
Symbol
1 Mbps–A, B, C Grade
Min
Typ
Max
25 Mbps–B, C Grade
Min
Typ
Max
100 Mbps–C Grade
Min
Typ
Max
Unit
SUPPLY CURRENT
Test Conditions
No load
ADuM1280/ADuM1285
IDD1
ADuM1281/ADuM1286
IDD1
0.75
2.7
1.6
1.7
IDD2
IDD2
1.4
4.5
2.1
2.3
5.1
4.8
3.8
3.9
9.0
7.0
5.0
6.2
17
9.5
11
11
23
15
15
15
mA
mA
mA
mA
表 12.すべてのモデルに対して
Parameter
Symbol
Min
DC SPECIFICATIONS
Logic High Input Threshold
Logic Low Input Threshold
Logic High Output Voltages
VIH
VIL
VOH
0.7 VDDx
Logic Low Output Voltages
VOL
Input Current per Channel
II
Typ
Max
0.3 VDDx
VDDx − 0.1
VDDx − 0.4
−10
VDDx
VDDx − 0.2
0.0
0.2
+0.01
0.1
0.4
+10
Unit
Test Conditions
V
V
V
V
V
V
µA
IOx = −20 µA, VIx = VIxH
IOx = −4 mA, VIx = VIxH
IOx = 20 µA, VIx = VIxL
IOx = 4 mA, VIx = VIxL
0 V ≤ VIx ≤ VDDx
Supply Current per Channel
Quiescent Input Supply Current
IDDI(Q)
Quiescent Output Supply Current
IDDO(Q)
Dynamic Input Supply Current
IDDI(D)
0.4
1.6
0.08
0.75
mA
2.0
mA
Dynamic Output Supply Current
Undervoltage-Lockout
IDDO(D)
0.03
mA/Mbps
Positive VDDX Threshold
VDDxUV+
VDDxUV−
VDDX Hysteresis
VDDxUVH
2.6
2.4
0.2
V
Negative VDDX Threshold
mA/Mbps
V
V
AC SPECIFICATIONS
1
Output Rise/Fall Time
tR/tF
Common-Mode Transient Immunity1
|CM|
Refresh Period
tr
25
2.5
35
ns
10% to 90%
kV/µs
VIx = VDDx, VCM = 1000 V,
transient magnitude = 800 V
1.6
µs
|CM|は、VO > 0.8 VDDx を維持している間に維持できる同相モード電圧の最大スルーレートです。 同相モード電圧スルーレートは、立上がりと立下がりの両同相モード
電圧エッジに適用されます。
Rev. 0
－ 6/16 －
ADuM1280/ADuM1281/ADuM1282
データシート
パッケージ特性
表 13.
Parameter
Symbol
Resistance (Input-to-Output)1
Capacitance (Input-to-Output)1
Input Capacitance2
IC Junction-to-Ambient Thermal Resistance
RI-O
CI-O
CI
θJA
Min
Typ
Max
Unit
Ω
pF
pF
°C/W
1013
2
4.0
85
Test Conditions
f = 1 MHz
Thermocouple located at center of package underside
1
デバイスは 2 端子デバイスと見なします。 すなわち、ピン 1～ピン 4 を相互に接続し、ピン 5～ピン 8 を相互に接続します。
2
入力容量は任意の入力データ・ピンとグラウンド間。
適用規格
ADuM128x は、表 14 に記載する組織の認定を申請中です。特定のクロスアイソレーション波形と絶縁レベルに対する推奨最大動作電圧
については、 表 18 と表 19 を参照してください。
表 14.
UL (Pending)
CSA (Pending)
VDE (Pending)
Recognized under UL 1577
Component Recognition Program1
Single Protection, 3000 V RMS
Isolation Voltage
Approved under CSA Component Acceptance
Notice #5A
Basic insulation per CSA 60950-1-03 and
IEC 60950-1, 400 V rms (565 V peak) maximum
working voltage
File 205078
Certified according to DIN V VDE V 0884-10
(VDE V 0884-10): 2006-122
Reinforced insulation, 560 V peak
File E214100
1
2
File 2471900-4880-0001
UL1577 に従い、絶縁テスト電圧 3,600 V rms 以上を 1 秒間加えて各 ADuM128x を確認テストします(リーク電流検出規定値 = 6µA)。
DIN V VDE V 0884-10 に従い、各 ADuM128x に 1,050 Vpeak 以上の絶縁テスト電圧を 1 秒間加えることによりテストして保証されています(部分放電の検出規定値＝5
pC)。 (*)マーク付のブランドは、DIN V VDE V 0884-10 認定製品を表します。
絶縁および安全性関連の仕様
表 15.
Parameter
Symbol
Value
Unit
Conditions
Rated Dielectric Insulation Voltage
Minimum External Air Gap (Clearance)
L(I01)
3000
4.0
V rms
mm min
Minimum External Tracking (Creepage)
L(I02)
4.0
mm min
Minimum Internal Gap (Internal Clearance)
Tracking Resistance (Comparative Tracking Index)
Isolation Group
CTI
0.017
>400
II
mm min
V
1-minute duration
Measured from input terminals to output terminals, shortest
distance through air
Measured from input terminals to output terminals, shortest
distance path along body
Insulation distance through insulation
DIN IEC 112/VDE 0303 Part 1
Material Group (DIN VDE 0110, 1/89, Table 1)
Rev. 0
－ 7/16 －
ADuM1280/ADuM1281/ADuM1282
データシート
DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10): 2006-12 絶縁特性
これらのアイソレータは、安全性制限値データ以内でのみ強化された電気的アイソレーションを満たします。安全性データの維持は、保
護回路を使って確実にする必要があります。パッケージに(*)マークが付いたブランドは、DIN V VDE V 0884-10 認定製品を表します。
表 16.
Description
Conditions
Installation Classification per DIN VDE 0110
For Rated Mains Voltage ≤ 150 V rms
For Rated Mains Voltage ≤ 300 V rms
For Rated Mains Voltage ≤ 400 V rms
Climatic Classification
Pollution Degree per DIN VDE 0110, Table 1
Maximum Working Insulation Voltage
Input-to-Output Test Voltage, Method B1
VIORM × 1.875 = Vpd(m), 100% production test,
tini = tm = 1 sec, partial discharge < 5 pC
Input-to-Output Test Voltage, Method A
After Environmental Tests Subgroup 1
VIORM × 1.5 = Vpd(m), tini=60 sec, tm = 10 sec,
partial discharge < 5 pC
VIORM × 1.2 = Vpd(m), tini = 60 sec, tm = 10 sec,
partial discharge < 5 pC
After Input and/or Safety Test Subgroup 2
and Subgroup 3
Highest Allowable Overvoltage
Withstand Isolation Voltage
Surge Isolation Voltage
Safety Limiting Values
1 minute withstand rating
VPEAK = 10 kV, 1.2 µs rise time, 50 µs, 50% fall time
Maximum value allowed in the event of a failure
(see Figure 3)
Case Temperature
Side 1 IDD1 Current
Insulation Resistance at TS
VIO = 500 V
Unit
VIORM
Vpd(m)
I to IV
I to III
I to II
40/105/21
2
560
1050
VPEAK
VPEAK
Vpd(m)
840
VPEAK
Vpd(m)
672
VPEAK
VIOTM
VISO
VIOSM
4000
3000
6000
VPEAK
VRMS
VPEAK
TS
IS1
RS
150
290
>109
°C
mA
Ω
表 17.
250
200
150
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
Operating Temperature
Supply Voltages1
Input Signal Rise and Fall Times
TA
VDD1, VDD2
−40
2.7
+125
5.5
1.0
°C
V
ms
1
100
50
0
0
50
100
150
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
200
10444-003
SAFETY-LIMITING CURRENT (mA)
Characteristic
推奨動作条件
300
図 3.VDDx = 5 V での熱ディレーティング・カーブ
DIN V VDE V 0884-10 による
安全な規定値のケース温度に対する依存性
Rev. 0
Symbol
－ 8/16 －
DC 精度と磁界耐性のセクション参照。
ADuM1280/ADuM1281/ADuM1282
データシート
絶対最大定格
特に指定のない限り、TA = 25 °C。
上記の絶対最大定格を超えるストレスを加えるとデバイスに恒
久的な損傷を与えることがあります。この規定はストレス定格
の規定のみを目的とするものであり、この仕様の動作のセクシ
ョンに記載する規定値以上でのデバイス動作を定めたものでは
ありません。デバイスを長時間絶対最大定格状態に置くとデバ
イスの信頼性に影響を与えます。
表 18.
Parameter
Rating
Storage Temperature (TST) Range
Ambient Operating Temperature
(TA) Range
Supply Voltages (VDD1, VDD2)
Input Voltages (VIA, VIB)
Output Voltages (VOA, VOB)
Average Output Current per Pin1
Side 1 (IO1)
Side 2 (IO2)
Common-Mode Transients2
−65°C to +150°C
−40°C to +125°C
−0.5 V to +7.0 V
−0.5 V to VDDI + 0.5 V
−0.5 V to VDD2 + 0.5 V
ESD の注意
(6'Ტ᩺ᩓ્ᩓᲣƷࢨ᪪ǛӖƚǍƢƍȇȐǤǹư
Ƣŵ電荷を帯びたデバイスや回路ボードは、検知さ
れないまま放電することがあります。本製品は当社
独自の特許技術である ESD 保護回路を内蔵してはい
ますが、デバイスが高エネルギーの静電放電を被っ
た場合、損傷を生じる可能性があります。したがっ
て、性能劣化や機能低下を防止するため、ESD に対
する適切な予防措置を講じることをお勧めします。
−10 mA to +10 mA
−10 mA to +10 mA
−100 kV/μs to +100 kV/μs
1
種々の温度に対する最大定格電流値については図 3 を参照してください。
2
絶縁障壁を跨ぐ同相モード過渡電圧を表します。絶対最大定格を超える同相
モード過渡電圧は、ラッチアップまたは永久故障の原因になります。
表 19.最大連続動作電圧1
Parameter
Max
Unit
Constraint
AC Voltage, Bipolar Waveform
AC Voltage, Unipolar Waveform
Basic Insulation
Reinforced Insulation
DC Voltage
Basic Insulation
Reinforced Insulation
565
V peak
50-year minimum lifetime
1131
560
V peak
V peak
Maximum approved working voltage per IEC 60950-1
Maximum approved working voltage per IEC 60950-1 and VDE V 0884-10
1131
560
V peak
V peak
Maximum approved working voltage per IEC 60950-1
Maximum approved working voltage per IEC 60950-1 and VDE V 0884-10
1
絶縁障壁に加わる連続電圧の大きさを意味します。詳細については、絶縁寿命のセクションを参照してください。
Rev. 0
－ 9/16 －
ADuM1280/ADuM1281/ADuM1282
データシート
VDD1 1
VIA 2
VIB 3
GND1 4
ADuM1280/
ADuM1285
8
VDD2
7
VOA
TOP VIEW
(Not to Scale)
6
VOB
5
GND2
10444-004
ピン配置およびピン機能説明
図 4.ADuM1280/ADuM1285 のピン配置
表 20.ADuM1280/ADuM1285 のピン機能説明
記号
1
VDD1
説明
アイソレータ・サイド 1 の電源電圧、2.7 V～ 5.5 V。
2
VIA
ロジック入力 A。
3
VIB
ロジック入力 B。
4
GND1
グラウンド 1。アイソレータ・サイド 1 のグラウンド基準。
5
GND2
グラウンド 2。アイソレータ・サイド 2 のグラウンド基準。
6
VOB
ロジック出力 B。
7
VOA
ロジック出力 A。
8
VDD2
アイソレータ・サイド 2 の電源電圧、2.7 V～ 5.5 V。
VDD1 1
VOA 2
VIB 3
GND1 4
ADuM1281/
ADuM1286
8
VDD2
7
VIA
TOP VIEW
(Not to Scale)
6
VOB
5
GND2
10444-005
ピン番号
図 5.ADuM1281/ADuM1286 のピン配置
表 21.ADuM1281/ADuM1286 のピン機能説明
ピン番号
記号
説明
1
VDD1
アイソレータ・サイド 1 の電源電圧、2.7 V～ 5.5 V。
2
VOA
ロジック出力 A。
3
VIB
ロジック入力 B。
4
GND1
グラウンド 1。アイソレータ・サイド 1 のグラウンド基準。
5
GND2
グラウンド 2。アイソレータ・サイド 2 のグラウンド基準。
6
VOB
ロジック出力 B。
7
VIA
ロジック入力 A。
8
VDD2
アイソレータ・サイド 2 の電源電圧、2.7 V～ 5.5 V。
特定のレイアウト・ガイドラインについては、AN-1109 アプリケーション・ノート「iCoupler デバイスでの放射制御に対する推奨事項」
をご覧ください。
Rev. 0
－ 10/16 －
ADuM1280/ADuM1281/ADuM1282
データシート
表 22.ADuM1280 の真理値表(正論理)
VIA Input
VIB Input
VDD1 State
VDD2 State
VOA Output
VOB Output
H
L
H
L
L
H
L
L
H
L
Powered
Powered
Powered
Powered
Unpowered
Powered
Powered
Powered
Powered
Powered
H
L
H
L
H
H
L
L
H
H
X
X
Powered
Unpowered
Indeterminate
Indeterminate
Notes
Outputs return to the input state within
1.6 µs of VDDI power restoration.
Outputs return to the input state within
1.6 µs of VDDO power restoration.
表 23.ADuM1281 の真理値表(正論理)
VIA Input
VIB Input
VDD1 State
VDD2 State
VOA Output
VOB Output
H
L
H
L
X
H
L
L
H
L
Powered
Powered
Powered
Powered
Unpowered
Powered
Powered
Powered
Powered
Powered
H
L
H
L
Indeterminate
H
L
L
H
H
L
X
Powered
Unpowered
H
Indeterminate
Notes
Outputs return to the input state within
1.6 µs of VDD1 power restoration.
Outputs return to the input state within
1.6 µs of VDDO power restoration.
表 24.ADuM1285 の真理値表(正論理)
VIA Input
VIB Input
VDD1 State
VDD2 State
VOA Output
VOB Output
H
L
H
L
L
H
L
L
H
L
Powered
Powered
Powered
Powered
Unpowered
Powered
Powered
Powered
Powered
Powered
H
L
H
L
L
H
L
L
H
L
X
X
Powered
Unpowered
Indeterminate
Indeterminate
Notes
Outputs return to the input state within
1.6 µs of VDDI power restoration.
Outputs return to the input state within
1.6 µs of VDDO power restoration.
表 25.ADuM1286 の真理値表(正論理)
VIA Input
VIB Input
VDD1 State
VDD2 State
VOA Output
VOB Output
H
L
H
L
X
H
L
L
H
L
Powered
Powered
Powered
Powered
Unpowered
Powered
Powered
Powered
Powered
Powered
H
L
H
L
Indeterminate
H
L
L
H
L
L
X
Powered
Unpowered
L
Indeterminate
Rev. 0
－ 11/16 －
Notes
Outputs return to the input state within
1.6 µs of VDD1 power restoration.
Outputs return to the input state within
1.6 µs of VDDO power restoration.
ADuM1280/ADuM1281/ADuM1282
データシート
代表的な性能特性
10
20
8
CURRENT (mA)
CURRENT (mA)
15
6
5V
3V
4
5V
10
3V
5
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
DATA RATE (Mbps)
0
10444-006
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
DATA RATE (Mbps)
図 6.5 V および 3 V 動作でのデータレート対
入力チャンネル当たりの電源電流
10444-009
2
図 9.5 V および 3 V 動作でのデータレート対
ADuM1280 または ADuM1285 の VDD1 電源電流
10
20
8
CURRENT (mA)
CURRENT (mA)
15
6
4
5V
10
5V
5
2
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
DATA RATE (Mbps)
0
10444-007
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
DATA RATE (Mbps)
図 7.5 V および 3 V 動作でのデータレート(出力無負荷)対
出力チャンネルあたりの電源電流
10444-010
3V
3V
図 10.5 V および 3 V 動作でのデータレート対
ADuM1280 または ADuM1285 の VDD2 電源電流
10
20
8
CURRENT (mA)
CURRENT (mA)
15
6
5V
4
10
5V
3V
5
2
0
10
20
30
40
50
60
DATA RATE (Mbps)
70
80
90
100
0
10444-008
0
0
20
30
40
50
60
DATA RATE (Mbps)
図 8.5 V および 3 V 動作でのデータレート(15 pF 出力負荷)対
出力チャンネルあたりの電源電流
Rev. 0
10
70
80
90
100
10444-011
3V
図 11.5 V および 3 V 動作でのデータレート対
ADuM1281 または ADuM1286 の VDD1 または VDD2 電源電流
－ 12/16 －
ADuM1280/ADuM1281/ADuM1282
データシート
アプリケーション情報
PC ボードのレイアウト
DC 精度と磁界耐性
ADuM128x デジタル・アイソレータには、ロジック・インター
フェース用の外付けインターフェース回路は不要です。入力電
源ピンと出力電源ピン(VDD1 と VDD2)にはバイパス・コンデンサ
を接続することが推奨されます(図 12 参照)。コンデンサの値は、
0.01μF～0.1μF とする必要があります。コンデンサの両端と入力
電源ピンとの間の合計リード長は 20 mm 以下にする必要があり
ます。
アイソレータ入力での正および負のロジック変化により、狭い
パルス(約 1 ns)がトランスを経由してデコーダに送られます。デ
コーダは双安定であるため、パルスによるセットまたはリセッ
トにより入力ロジックの変化が表されます。約 1.6 µs 以上入力
にロジック変化がない場合、正常な入力状態を表す周期的なリ
フレッシュ・パルスのセットを送信して、出力での DC を正常
に維持します。
ADuM128x は PCB を適切にデザインすると、CISPR 22 クラス A
(および FCC クラス A) 放出規格を容易に満たすことができ、ま
たシールドなし環境でさらに厳しい CISPR 22 クラス B (および
FCC クラス B) 規格を満たすことができます。ボード・レイアウ
ト問題や積層問題などの PCB 関連の EMI 軽減技術については
AN-1109 アプリケーション・ノート「iCoupler デバイスでの放
射制御に対する推奨事項」を参照してください。
デコーダが約 6.4μs 間以上このパルスを受信しないと、入力側
が電源オフであるか非動作状態にあると見なされ、ウォッチド
ッグ・タイマ回路によりアイソレータ出力が強制的にデフォル
ト状態にされます。
伝搬遅延に関係するパラメータ
デバイスの磁界耐性の限界は、トランスの受信側コイルに発生
する誘導電圧が十分大きくなって、デコーダをセットまたはリ
セットさせる誤動作の発生により決まります。次の解析により
このような条件が決定されます。ADuM1280 の 3 V 動作は最も
感度の高い動作モードであるため、この条件を調べます。
伝搬遅延時間は、ロジック信号がデバイスを通過するのに要す
る時間を表すパラメータです。ハイ・レベルからロー・レベル
変化の入出力間伝搬遅延は、ロー・レベルからハイ・レベル変
化の伝搬遅延と異なることがあります。
トランス出力でのパルスは 1.5 V 以上の振幅を持っています。デ
コーダは約 1.0 V の検出スレッショールドを持つので、誘導電
圧に対しては 0.5 V の余裕を持っています。受信側コイルへの
誘導電圧は次式で与えられます。
V = (−dβ/dt)∑πrn2; n = 1, 2, …, N
50%
tPHL
OUTPUT (VOx)
50%
10444-012
tPLH
図 12.伝搬遅延パラメータ
パルス幅歪みとはこれら 2 つの遅延時間の間の最大の差を意味
し、入力信号のタイミングが保存される精度を表します。
ここで、
β は磁束密度。
rn は受信側コイル巻数 n 回目の半径。
N は受信側コイルの巻き数。
ADuM1280 受信側コイルの形状が与えられ、かつ誘導電圧がデ
コーダにおける 0.5 V 余裕の最大 50%であるという条件が与え
られると、最大許容磁界は図 13 のように計算されます。
チャンネル間マッチングとは、1 つの ADuM128x デバイス内に
ある複数のチャンネル間の伝搬遅延差の最大値を意味します。
伝搬遅延スキューは、同じ条件で動作する複数の ADuM128x デ
バイス間での伝搬遅延差の最大値を表します。
100
MAXIMUM ALLOWABLE MAGNETIC FLUX
DENSITY (kgauss)
INPUT (VIx)
10
1
0.1
0.001
1k
1M
10k
100k
10M
MAGNETIC FIELD FREQUENCY (Hz)
図 13.最大許容外部磁束密度
Rev. 0
－ 13/16 －
100M
10444-013
0.01
ADuM1280/ADuM1281/ADuM1282
データシート
例えば、磁界周波数= 1 MHz で、最大許容磁界= 0.08 Kgauss の
場合、受信側コイルでの誘導電圧は 0.25 V になります。これは
検出スレッショールドの約 50%であるため、出力変化の誤動作
はありません。仮にこのような条件が送信パルス内に存在し、
かつ最悪ケースの極性であっても、受信パルスが 1.0 V 以上か
ら 0.75V へ減少されるため、デコーダの検出スレッショールド
0.5 V に対してなお余裕を持っています。
強い磁界と高周波が組合わさると、プリント回路ボードのパタ
ーンで形成されるループに十分大きな誤差電圧が誘導されて、
後段回路のスレッショールドがトリガされてしまうことに注意
が必要です。ループを形成する PCB 構造を回避するように注意
してください。
前述の磁束密度値は、ADuM1280 トランスから与えられた距離
だけ離れた特定の電流値に対応します。図 14 に、周波数の関数
と して の許容電 流値 を与えら れた 距離に対 して 示します 。
ADuM1280 は、外部磁界に対して耐性を持っています。極めて
大きな高周波電流がデバイスの非常に近いところにある場合に
のみ問題になります。前述の 1 MHz の例では、部品動作に影響
を与えるためには、0.2 kA の電流を ADuM1280 から 5 mm の距
離まで近づける必要があります。
ADuM128x アイソレータ内にあるチャンネルの電源電流は、電
源電圧、チャンネルのデータレート、チャンネルの出力負荷の
関数になっています。
消費電力
各入力チャンネルに対して、電源電流は次式で与えられます。
IDDI = IDDI (Q)
f ≤ 0.5 fr
IDDI = IDDI (D) × (2f − fr) + IDDI (Q)
f > 0.5 fr
各出力チャンネルに対して、電源電流は次式で与えられます。
−3
IDDO = (IDDO (D) + (0.5 × 10 ) × CL × VDDO) × (2f − fr) + IDDO (Q)
f > 0.5 fr
100
10
DISTANCE = 100mm
1
DISTANCE = 5mm
0.1
0.01
1k
10k
100k
1M
10M
MAGNETIC FIELD FREQUENCY (Hz)
100M
図 14.様々な電流値と ADuM1280 までの距離に対する
最大許容電流
Rev. 0
f ≤ 0.5 fr
IDDO = IDDO (Q)
DISTANCE = 1m
10444-014
MAXIMUM ALLOWABLE CURRENT (kA)
1000
ここで、
IDDI(D)と IDDO(D)は、それぞれチャンネル当たりの入力ダイナミッ
ク電源電流と出力ダイナミック電源電流です(mA/Mbps)。
CL は出力負荷容量(pF)。
VDDO は出力電源電圧(V)。
f は入力ロジック信号周波数(MHz)、これは入力データレート
(Mbps)の 1/2 に一致します。
fr は入力ステージのリフレッシュ・レート(Mbps) = 1/tr (µs)。
IDDI(Q)と IDDO(Q)は、それぞれ指定された入力静止電源電流と出力
静止電源電流です(mA)。
VDD1 と VDD2 の電源電流を計算するために、VDD1 と VDD2 に対応
するチャンネルの各入力と各出力の電源電流を計算して合計し
ます。図 6 と図 7 に、無負荷状態の出力に対して、データレー
トの関数としてのチャンネル当たりの電源電流を示します。図
8 に、15 pF 負荷の出力に対して、データレートの関数としての
チャンネル当たりの電源電流を示します。図 9～図 11 に、
ADuM1280/ ADuM1281 チャンネル構成に対するデータレートの
関数としての VDD1 と VDD2 の合計電源電流を示します。
－ 14/16 －
ADuM1280/ADuM1281/ADuM1282
データシート
すべての絶縁構造は、十分長い時間電圧ストレスを受けるとブ
レークダウンします。絶縁性能の低下率は、絶縁に加えられる
電圧波形の特性に依存します。アナログ・デバイセズは、規制
当局が行うテストの他に、広範囲なセットの評価を実施して
ADuM128x の絶縁構造の寿命を測定しています。
アナログ・デバイセズは、定格連続動作電圧より高い電圧レベ
ルを使った加速寿命テストを実施しています。複数の動作条件
に対する加速ファクタを求めました。これらのファクタを使う
と、実際の動作電圧での故障までの時間を計算することができ
ます。表 19 に、バイポーラ AC 動作条件での 50 年のサービス
寿命に対するピーク電圧と最大 CSA/VDE 認定動作電圧を示し
ます。多くのケースで、実証された動作電圧は 50 年サービス寿
命の電圧より高くなっています。これらの高い動作電圧での動
作は、ケースによって絶縁寿命を短くすることがあります。
ユニポーラ AC またはユニポーラ DC 電圧の場合、絶縁に加わ
るストレスは大幅に少なくなります。このために高い動作電圧
での動作が可能になり、さらに 50 年のサービス寿命を実現する
ことができます。表 19 に示す動作電圧は、ユニポーラ AC 電圧
またはユニポーラ DC 電圧のケースに適合する場合、50 年最小
寿命に適用することができます。図 16 または図 17 に適合しな
い絶縁電圧波形は、バイポーラ AC 波形として扱う必要があり、
ピーク電圧は表 19 に示す 50 年寿命電圧値に制限する必要があ
ります。
図 17 に示す電圧は、説明目的のためにのみ正弦波としています。
すなわち、0 V とある規定値との間で変化する任意の電圧波形
とすることができます。規定値は正または負となることができ
ますが、電圧は 0 V を通過することはできません。
RATED PEAK VOLTAGE
0V
ADuM128x の絶縁寿命は、アイソレーション障壁に加えられる
電圧波形のタイプに依存します。iCoupler 絶縁構造の性能は、
波形がバイポーラ AC、ユニポーラ AC、DC のいずれであるか
に応じて、異なるレートで低下します。図 15、図 16、図 17 に、
これらのアイソレーション電圧波形を示します。
10444-015
絶縁寿命
図 15.バイポーラ AC 波形
バイポーラ AC 電圧は最も厳しい環境です。AC バイポーラ条件
での 50 年動作寿命の目標により、アナログ・デバイセズが推奨
する最大動作電圧が決定されています。
10444-016
RATED PEAK VOLTAGE
0V
図 16.ユニポーラ AC 波形
10444-017
RATED PEAK VOLTAGE
0V
図 17.DC 波形
Rev. 0
－ 15/16 －
ADuM1280/ADuM1281/ADuM1282
データシート
外形寸法
5.00 (0.1968)
4.80 (0.1890)
1
5
4
1.27 (0.0500)
BSC
0.25 (0.0098)
0.10 (0.0040)
COPLANARITY
0.10
SEATING
PLANE
6.20 (0.2441)
5.80 (0.2284)
1.75 (0.0688)
1.35 (0.0532)
0.51 (0.0201)
0.31 (0.0122)
0.50 (0.0196)
0.25 (0.0099)
45°
8°
0°
0.25 (0.0098)
0.17 (0.0067)
1.27 (0.0500)
0.40 (0.0157)
COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MS-012-AA
CONTROLLING DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS; INCH DIMENSIONS
(IN PARENTHESES) ARE ROUNDED-OFF MILLIMETER EQUIVALENTS FOR
REFERENCE ONLY AND ARE NOT APPROPRIATE FOR USE IN DESIGN.
012407-A
8
4.00 (0.1574)
3.80 (0.1497)
図 18. 19 ピン標準スモール・アウトライン・パッケージ[SOIC_N]
ナロー・ボディ(R-8)
寸法: mm (インチ)
オーダー・ガイド
Model1
No. of Inputs No. of Inputs,
VDD1 Side
VDD2 Side
Max
Data Rate
Max Prop Output
Delay, 5 V Default State
Temperature
Range
Package Description
Package
Option
ADuM1280ARZ
ADuM1280ARZ-RL7
ADuM1280BRZ
ADuM1280BRZ-RL7
ADuM1280CRZ
ADuM1280CRZ-RL7
ADuM1281ARZ
ADuM1281ARZ-RL7
ADuM1281BRZ
ADuM1281BRZ-RL7
ADuM1281CRZ
ADuM1281CRZ-RL7
ADuM1285ARZ
ADuM1285ARZ-RL7
ADuM1285BRZ
ADuM1285BRZ-RL7
ADuM1285CRZ
ADuM1285CRZ-RL7
ADuM1286ARZ
ADuM1286ARZ-RL7
ADuM1286BRZ
ADuM1286BRZ-RL7
ADuM1286CRZ
ADuM1286CRZ-RL7
2
2
2
2
2
2
1
1
1
1
1
1
2
2
2
2
2
2
1
1
1
1
1
1
1 Mbps
1 Mbps
25 Mbps
25 Mbps
100 Mbps
100 Mbps
1 Mbps
1 Mbps
25 Mbps
25 Mbps
100 Mbps
100 Mbps
1 Mbps
1 Mbps
25 Mbps
25 Mbps
100 Mbps
100 Mbps
1 Mbps
1 Mbps
25 Mbps
25 Mbps
100 Mbps
100 Mbps
50
50
35
35
24
24
50
50
35
35
24
24
50
50
35
35
24
24
50
50
35
35
24
24
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N 7” Tape and Reel
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N 7” Tape and Reel
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N 7” Tape and Reel
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N 7” Tape and Reel
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N 7” Tape and Reel
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N 7” Tape and Reel
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N 7” Tape and Reel
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N 7” Tape and Reel
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N 7” Tape and Reel
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N 7” Tape and Reel
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N 7” Tape and Reel
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N 7” Tape and Reel
R-8
R-8
R-8
R-8
R-8
R-8
R-8
R-8
R-8
R-8
R-8
R-8
R-8
R-8
R-8
R-8
R-8
R-8
R-8
R-8
R-8
R-8
R-8
R-8
1
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
High
High
High
High
High
High
High
High
High
High
High
High
Low
Low
Low
Low
Low
Low
Low
Low
Low
Low
Low
Low
Z = RoHS 準拠品。
Rev. 0
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