SFH 221 S Silizium-Differential-Fotodiode Silicon Differential Photodiode SFH 221 S Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm ● Hohe Fotoempfindlichkeit ● Hermetisch dichte Metallbauform (ähnlich TO-5), geeignet bis 125 oC1) ● Doppeldiode von extrem hoher Gleichmäβigkeit Features ● Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm ● High photosensitivity ● Hermetically sealed metal package (similar to TO-5), suitable up to 125 oC1) ● Double diode with extremely high homogeneousness Anwendungen Applications ● Follow-up controls ● Edge drives ● Industrial electronics ● For control and drive circuits ● ● ● ● Nachlaufsteuerungen Kantenführung Industrieelektronik “Messen/Steuern/Regeln” Typ (*ab 4/95) Bestellnummer Type (*as of 4/95) Ordering Code Gehäuse Package SFH 221 S (*SFH 221) Lötspieβe im 5.08-mm-Raster (2/10”) solder tabs 5.08 mm (2/10”) lead spacing 1) 1) Q62702-P270 Eine Abstimmung der Einsatzbedingungen mit dem Hersteller wird empfohlen bei TA > 85 oC For operating conditions of TA > 85 oC please contact us. Semiconductor Group 399 SFH 221 S Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg –40 ... +80 oC Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom Gehäuse entfernt bei Lötzeit t ≤ 3s) Soldering temperature in 2 mm distance from case bottom (t ≤ 3s) TS 230 oC Sperrspannung Reverse voltage VR 10 V Isolationsspannung gegen Gehäuse Insulation voltage vs. package VIS 100 V Verlustleistung, TA = 25 oC Total power dissipation Ptot 50 mW Kennwerte (TA = 25 oC, Normlicht A, T = 2856 K) für jede Einzeldiode Characteristics (TA = 25 oC, standard light A, T = 2856 K) per single diode Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Fotoempfindlichkeit, VR = 5 V Spectral sensitivity S 24 (≥ 15) nA/Ix Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity λS max 900 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10% von Smax Spectral range of sensitivity S = 10% of Smax λ 400 ... 1100 nm Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area A 1.54 mm2 Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Fläche Dimensions of radiant sensitive area LxB 0.7 x 2.2 mm Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche Distance chip front to case surface H 1.1 ... 1.6 mm Halbwinkel Half angle ϕ ± 55 Grad deg. Semiconductor Group 400 LxW SFH 221 S Kennwerte (TA = 25 oC, Normlicht A, T = 2856 K) für jede Einzeldiode Characteristics (TA = 25 oC, standard light A, T = 2856 K) per single diode Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Dunkelstrom, VR = 10 V Dark current IR 10 (≤ 100) nA Spektrale Fotoempfindlichkeit, λ = 850 nm Spectral sensitivity Sλ 0.55 A/W Maximale Abweichung der Fotoempfindlichkeit vom Mittelwert Max. deviation of the system spectral sensitivity from the average ∆S ±5 % Quantenausbeute, λ = 850 nm Quantum yield η 0.80 Electrons Photon Leerlaufspannung, Ev = 1000 Ix Open-circuit voltage VL 330 (≥ 280) mV Kurzschluβstrom, Ev = 1000 Ix Short-circuit current IK 24 µA Isolationsstrom, VIS = 100 V Insulation current IIS 0.1 (≤ 1) nA Anstiegs und Abfallzeit des Fotostromes Rise and fall time of the photocurrent RL= 1 kΩ; VR = 5 V; λ = 850 nm; Ip = 25 µA tr, tf 500 ns Durchlaβspannung, IF = 40 mA, E = 0 Forward voltage VF 1.0 V Kapazität, VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance C0 25 pF Temperaturkoeffizient für VL Temperature coefficient of VL TCV –2.6 mV/K Temperaturkoeffizient für IK Temperature coefficient of IK TCI 0.18 %/K Rauschäquivalente Strahlungsleistung Noise equivalent power VR = 10 V, λ = 850 nm NEP 1.0 x 10–13 W √Hz Nachweisgrenze, VR = 10 V, λ = 850 nm Detection limit D* 1.2 x 1012 cm · √Hz W Semiconductor Group 401 SFH 221 S Relative spectral sensitivity Srel = f (λ) Photocurrent IP = f (Ev), VR = 5 V Open-circuit-voltage VL= f (Ev) Total power dissipation Ptot = f (TA) Dark current IR = f (VR), E = 0 Capacitance C = f (VR), f = 1 MHz, E = 0 Dark current IR = f (TA), VR = 1 V, E = 0 Directional characteristics Srel = f (ϕ) Semiconductor Group 402