Chip position 0.6 0.4 2.2 1.9 5.4 4.9 4.5 4.3 BPW 34 B 3.5 3.0 1.2 0.7 0.6 0.4 Cathode marking 4.0 3.7 0.8 0.6 Silizium-PIN-Fotodiode mit erhöhter Blauempfindlichkeit Silicon PIN Photodiode with Enhanced Blue Sensitivity 0.6 0.4 0.8 0.6 0.35 0.2 0.5 0.3 0.6 0.4 0 ... 5˚ Photosensitive area 2.65 mm x 2.65 mm Approx. weight 0.1 g feo06643 1.8 1.4 5.08 mm spacing GEO06643 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm ● Kurze Schaltzeit (typ. 25 ns) ● DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte ● SMT-Variante auf Anfrage Features ● Especially suitable for applications from 350 nm to 1100 nm ● Short switching time (typ. 25 ns) ● DIL plastic package with high packing density ● SMT version on request Anwendungen Applications ● Lichtschranken für Gleich- und ● Photointerrupters ● Industrial electronics ● For control and drive circuits Wechsellichtbetrieb im sichtbaren Lichtbereich ● Industrieelektronik ● “Messen/Steuern/Regeln” Typ Type Bestellnummer Ordering Code BPW 34 B Q62702-P945 Semiconductor Group 1 1997-11-19 BPW 34 B Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg – 40 ... + 85 °C Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom Gehäuse entfernt bei Lötzeit t ≤ 3 s) Soldering temperature in 2 mm distance from case bottom (t ≤ 3 s) TS 230 °C Sperrspannung Reverse voltage VR 32 V Verlustleistung, TA = 25 °C Total power dissipation Ptot 150 mW Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K) Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K) Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Fotoempfindlichkeit, VR = 5 V Spectral sensitivity S 75 nA/Ix Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity λS max 850 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit λ 350 ... 1100 nm Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area A 7.45 mm2 Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Fläche Dimensions of radiant sensitive area L×B 2.73 × 2.73 mm × mm Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche Distance chip front to case surface H 0.5 mm Halbwinkel Half angle ϕ ± 60 Grad deg. Dunkelstrom, VR = 10 V Dark current IR 2 (≤ 30) nA Semiconductor Group 2 S = 10 % von Smax Spectral range of sensitivity S = 10 % of Smax L×W 1997-11-19 BPW 34 B Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K) Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K) (cont’d) Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Spektrale Fotoempfindlichkeit, λ = 400 nm Spectral sensitivity Sλ 0.2 A/W Quantenausbeute, λ = 400 nm Quantum yield η 0.62 Electrons Photon Leerlaufspannung, Ev = 1000 Ix Open-circuit voltage VO 390 mV Kurzschlußstrom Short-circuit current Ee = 0.5 mW/cm2, λ = 400 nm ISC 7.4 (≥ 5.4) µA Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes Rise and fall time of the photocurrent RL = 50 Ω; VR = 5 V; λ = 850 nm; Ip = 800 µA tr, tf 25 ns Durchlaßspannung, IF = 100 mA, E = 0 Forward voltage VF 1.3 V Kapazität, VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance C0 72 pF Temperaturkoeffizient von VO Temperature coefficient of VO TCV – 2.6 mV/K Temperaturkoeffizient von ISC Temperature coefficient of ISC TCI 0.18 %/K Rauschäquivalente Strahlungsleistung Noise equivalent power VR = 10 V, λ = 400 nm NEP 1.3 × 10– 13 W √Hz Nachweisgrenze, VR = 10 V, λ = 400 nm Detection limit D* 2.1 × 1012 cm · √Hz W Semiconductor Group 3 1997-11-19 BPW 34 B Relative spectral sensitivity Srel = f (λ) Photocurrent IP = f (Ev), VR = 5 V Open-circuit voltage VO = f (Ev) OHF01001 100 ΙP S rel % 80 Total power dissipation Ptot = f (TA) OHF01066 10 3 µA 10 4 mV V 10 2 10 3 VO 120 100 60 10 1 OHF00958 160 mW Ptot 140 10 2 ΙP 40 80 60 10 0 10 1 -1 0 40 20 20 10 0 400 600 800 Dark current IR = f (VR), E = 0 10 10 3 lx 10 4 EV 10 2 Capacitance C = f (VR), f = 1 MHz, E = 0 OHF00080 4000 ΙR 10 1 10 0 1000 nm 1200 λ C 0 20 40 60 80 ˚C 100 TA Dark current IR = f (TA), VR = 5 V, E = 0 OHF00081 100 pA 0 OHF00082 10 3 Ι R nA pF 80 10 2 3000 70 60 10 1 50 2000 40 30 10 0 1000 20 10 0 0 5 10 15 V VR 0 -2 10 20 10 -1 10 0 10 1 V 10 2 VR 10 -1 0 20 40 60 80 ˚C 100 TA Directional characteristics Srel = f (ϕ) 40 30 20 10 ϕ 0 OHF01402 1.0 50 0.8 60 0.6 70 0.4 80 0.2 0 90 100 1.0 0.8 0.6 Semiconductor Group 0.4 0 20 40 60 80 4 100 120 1997-11-19