Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon-PIN-Photodiode with Daylight Filter 0.8 0.4 1.8 1.2 (3.8) Chip position 5.1 4.7 5.3 4.9 0.6 0.4 2.54 mm spacing Area not flat SFH 204 F SFH 204 FA 34 32 0.5 0.3 Cathode 6.3 5.7 GEO06964 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen bei 880 nm ● Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns) ● 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse ● Auch gegurtet lieferbar Features ● Especially suitable for applications of 880 nm ● Short switching time (typ. 20 ns) ● 5 mm LED plastic package ● Also available on tape Anwendungen Applications ● IR-remote control of hi-fi and TV sets, video tape recorders, dimmers, remote control of various equipment ● Photointerrupters ● IR-Fernsteuerung von Fernseh- und Rundfunkgeräten, Videorecordern, Lichtdimmern, Gerätefernsteuerungen ● Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb Typ Type Bestellnummer Ordering Code SFH 204 F Q62702-P5052 SFH 204 FA Q62702-P1793 Semiconductor Group 1 1998-11-12 SFH 204 F SFH 204 FA Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg – 55 ... + 100 °C Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom Gehäuse entfernt bei Lötzeit t ≤ 3 s) Soldering temperature in 2 mm distance from case bottom (t ≤ 3 s) TS 230 °C Sperrspannung Reverse voltage VR 20 V Verlustleistung, TA = 25 °C Total power dissipation Ptot 150 mW Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value SFH 204 F λ = 950 nm SFH 204 FA λ = 870 nm Einheit Unit Fotoempfindlichkeit Spectral sensitivity VR = 5 V, Ee = 1 mW/cm2 S 52 (≥ 43) 52 (≥ 43) µA Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity λS max 920 900 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10 % von Smax Spectral range of sensitivity S = 10 % of Smax λ 780 ... 1120 740 ... 1120 nm Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area A 4.84 4.84 mm2 Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Fläche Dimensions of radiant sensitive area L×B 2.20 × 2.20 2.20 × 2.20 mm × mm Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche Distance chip surface to case surface H 1.9 ... 2.4 1.9 ... 2.4 mm Halbwinkel horizontal Half angle horizontal plane ϕ ± 60 ± 60 Grad deg. Semiconductor Group L×W 2 1998-11-12 SFH 204 F SFH 204 FA Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics (cont’d) Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value SFH 204 F λ = 950 nm SFH 204 FA λ = 870 nm Einheit Unit Halbwinkel vertikal Half angle vertical plane ϕ + 60 – 75 + 60 – 75 Grad deg. Dunkelstrom, VR = 10 V Dark current IR 2 (< 30) 2 (< 30) nA Spektrale Fotoempfindlichkeit Spectral sensitivity Sλ 0.59 0.63 A/W Quantenausbeute Quantum yield η 0.77 0.90 Electrons Photons Leerlaufspannung, Ee = 0.5 mW/cm2 Open-circuit voltage VO 340 (> 270) 340 (> 270) mV Kurzschlußstrom, Ee = 0.5 mW/cm2 Short-circuit current ISC 25 25 µA Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes Rise and fall time of the photocurrent RL = 50 Ω; VR = 5 V; λ = 850 nm; Ip = 800 µA tr, tf 20 20 ns Durchlaßspannung, IF = 100 mA, E = 0 Forward voltage VF 1.3 1.3 V Kapazität, VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance C0 48 48 pF Temperaturkoeffizient von VO Temperature coefficient of VO TCV – 2.6 – 2.6 mV/K Temperaturkoeffizient von ISC Temperature coefficient of ISC TCI 0.18 0.1 %/K Rauschäquivalente Strahlungsleistung Noise equivalent power VR = 10 V NEP 3.6 × 1014 3.6 × 1014 W -----------Hz Nachweisgrenze, VR = 10 V Detection limit D* 6.1 × 1012 6.1 × 1012 cm × Hz -------------------------W Semiconductor Group 3 1998-11-12 SFH 204 F SFH 204 FA Relative spectral sensitivity SFH 204 F Srel = f (λ) Photocurrent IP = f (Ee), VR = 5 V Open-circuit voltage VO = f (Ee) Dark current IR = f (TA), VR = 10 V, E = 0 OHF00082 10 3 Ι R nA 10 2 10 1 10 0 10 -1 Relative spectral sensitivity SFH 204 FA Srel = f (λ) 0 20 40 60 80 ˚C 100 TA Capacitance C = f (VR), f = 1 MHz, E = 0 OHF01430 100 Srel % 80 70 60 50 40 30 20 10 0 400 600 800 1000 nm 1200 λ Dark current IR = f (VR), E = 0 Total power dissipation Ptot = f (TA) OHF00080 4000 pA 160 mW Ptot 140 3000 120 ΙR OHF00394 100 2000 80 60 1000 40 20 0 0 5 10 15 Semiconductor Group V VR 20 0 0 20 40 4 60 80 ˚C 100 TA 1998-11-12 SFH 204 F SFH 204 FA Directional characteristics – horizontal plane Srel = f (ϕ) 40 30 20 10 ϕ 0 OHF01402 1.0 50 0.8 60 0.6 70 0.4 80 0.2 0 90 100 1.0 0.8 0.6 0.4 0 20 40 60 80 100 120 Directional characteristics – vertical plane Srel = f (ϕ) Semiconductor Group 5 1998-11-12