SFH 205 F feof6647 Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon-PIN-Photodiode with Daylight Filter Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen bei 950 nm ● Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns) ● 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse ● Auch gegurtet lieferbar Features ● Especially suitable for applications of 950 nm ● Short switching time (typ. 20 ns) ● 5 mm LED plastic package ● Also available on tape Anwendungen ● IR-Fernsteuerung von Fernseh- und Rundfunkgeräten, Videorecordern, Lichtdimmern, Gerätefernsteuerungen ● Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb Applications ● IR-remote control of hi-fi and TV sets, video tape recorders, dimmers, remote control of various equipment ● Photointerrupters Typ (*vorher) Type (* formerly) Bestellnummer Ordering Code SFH 205 F (* SFH 205) Q62702-P102 Semiconductor Group 1 1998-03-17 SFH 205 F Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg – 55 ... + 100 °C Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom Gehäuse entfernt bei Lötzeit t ≤ 3 s) Soldering temperature in 2 mm distance from case bottom (t ≤ 3 s) TS 230 °C Sperrspannung Reverse voltage VR 32 V Verlustleistung, TA = 25 °C Total power dissipation Ptot 150 mW Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Fotoempfindlichkeit Spectral sensitivity VR = 5 V, Ee = 1 mW/cm2 S 60 (≥ 45) µA Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity λS max 950 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10 % von Smax Spectral range of sensitivity S = 10 % of Smax λ 800 ... 1100 nm Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area A 7.00 mm2 Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Fläche Dimensions of radiant sensitive area L×B 2.65 × 2.65 mm × mm Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche Distance chip surface to case surface H 2.3 ... 2.5 mm Halbwinkel Half angle ϕ ± 60 Grad deg. Dunkelstrom, VR = 10 V Dark current IR 2 (≤ 30) nA Semiconductor Group 2 Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm) Characteristics L×W 1998-03-17 SFH 205 F Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm) Characteristics (cont’d) Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Spektrale Fotoempfindlichkeit Spectral sensitivity Sλ 0.59 A/W Quantenausbeute Quantum yield η 0.77 Electrons Photon Leerlaufspannung, Ee = 0.5 mW/cm2 Open-circuit voltage VO 330 (≥ 250) mV Kurzschlußstrom, Ee = 0.5 mW/cm2 Short-circuit current ISC 28 µA Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes Rise and fall time of the photocurrent RL = 50 Ω; VR = 5 V; λ = 850 nm; Ip = 800 µA tr, tf 20 ns Durchlaßspannung, IF = 100 mA, E = 0 Forward voltage VF 1.3 V Kapazität, VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance C0 72 pF Temperaturkoeffizient von VO Temperature coefficient of VO TCV – 2.6 mV/K Temperaturkoeffizient von ISC Temperature coefficient of ISC TCI 0.18 %/K Rauschäquivalente Strahlungsleistung Noise equivalent power VR = 10 V NEP 4.3 × 10– 14 W √Hz Nachweisgrenze, VR = 10 V Detection limit D* 6.2 × 1012 cm · √Hz W Semiconductor Group 3 1998-03-17 SFH 205 F Relative spectral sensitivity Srel = f (λ) Photocurrent IP = f (Ee), VR = 5 V Open-circuit voltage VO = f (Ee) OHF01097 µA 10 4 mV 10 2 10 3 10 3 ΙP Total power dissipation Ptot = f (TA) VO VO OHF00394 160 mW Ptot 140 120 100 10 1 10 2 ΙP 80 60 10 0 10 1 40 20 10 -1 0 10 10 1 10 2 µW/cm 2 10 0 10 4 0 0 20 40 60 Ee Dark current IR = f (VR), E = 0 Capacitance C = f (VR), f = 1 MHz, E = 0 Dark current IR = f (TA), VR = 10 V, E = 0 OHF00081 100 C 80 ˚C 100 TA OHF00082 10 3 Ι R nA pF 80 10 2 70 60 10 1 50 40 30 10 0 20 10 0 -2 10 10 -1 10 0 10 1 V 10 2 VR 10 -1 0 20 40 60 80 ˚C 100 TA Directional characteristics Srel = f (ϕ) 40 30 20 10 ϕ 0 OHF01402 1.0 50 0.8 60 0.6 70 0.4 80 0.2 0 90 100 1.0 0.8 0.6 Semiconductor Group 0.4 0 20 40 60 80 4 100 120 1998-03-17