5.4 4.9 4.5 4.3 0.8 0.6 0.6 0.4 2.2 1.9 Chip position 3.5 3.0 1.2 0.7 0.6 0.4 Cathode marking 4.0 3.7 BP 104 F BP 104 FS feo06075 Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter NEU: in SMT Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter NEW: in SMT 0.6 0.4 0.8 0.6 0.6 0.4 0.35 0.2 0.5 0.3 0 ... 5˚ 5.08 mm spacing 1.6 1.2 Photosensitive area 2.20 mm x 2.20 mm Approx. weight 0.1 g 1.1 0.9 1.6 1.2 Photosensitive area 2.20 mm x 2.20 mm feo06861 4.0 3.7 0.9 0.7 4.5 4.3 1.7 1.5 6.7 6.2 0...5 ˚ 0.3 0...0.1 1.2 1.1 Chip position 0.2 0.1 GEO06075 Cathode lead GEO06861 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Semiconductor Group 1 1997-11-19 BP 104 F BP 104 FS Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen bei 950 nm ● kurze Schaltzeit (typ. 20 ns) ● DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte ● BP 104 FS: geeignet für Vapor-Phase Löten und IR-Reflow Löten Features ● Especially suitable for applications of 950 nm ● Short switching time (typ. 20 ns) ● DIL plastic package with high packing density ● BP 104 FS: suitable for vapor-phase and IR-reflow soldering Anwendungen Applications ● IR-Fernsteuerung von Fernseh- und ● IR remote control of hi-fi and TV sets, Rundfunkgeräten, Videorecordern, Lichtdimmern, Gerätefernsteuerungen ● Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb video tape recorders, dimmers, remote controls of various equipment ● Photointerrupters Typ (*vorher) Type (*formerly) Bestellnummer Ordering Code BP 104 F (*BP 104 ) Q62702-P84 BP 104 FS Q62702-P1646 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg – 40 ... + 85 °C Sperrspannung Reverse voltage VR 20 V Verlustleistung, TA = 25 °C Ptot 150 mW Semiconductor Group 2 1997-11-19 BP 104 F BP 104 FS Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm) Characteristics Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Fotoempfindlichkeit Spectral sensitivity VR = 5 V, Ee = 1 mW/cm2 S 34 (≥ 25) µA Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity λS max 950 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit λ 780 ... 1100 nm Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area A 4.84 mm2 Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Fläche Dimensions of radiant sensitive area L×B 2.20 × 2.20 mm × mm Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche Distance chip front to case surface H 0.5 mm 0.3 (BP 104 FS) Halbwinkel Half angle ϕ ± 60 Grad deg. Dunkelstrom, VR = 10 V Dark current IR 2 (≤ 30) nA Spektrale Fotoempfindlichkeit Spectral sensitivity Sλ 0.70 A/W Quantenausbeute Quantum yield η 0.90 Electrons Photon Leerlaufspannung, Ee = 0.5 mW/cm2 Open-circuit voltage VO 330 (≥ 250) mV Kurzschlußstrom, Ee = 0.5 mW/cm2 Short-circuit current ISC 17 µA Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes Rise and fall time of the photocurrent RL = 50 Ω; VR = 5 V; λ = 850 nm; Ip = 800 µA tr, tf 20 ns Durchlaßspannung, IF = 100 mA, E = 0 Forward voltage VF 1.3 V Kapazität, VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance C0 48 pF Semiconductor Group 3 S = 10 % von Smax Spectral range of sensitivity S = 10 % of Smax L×W 1997-11-19 BP 104 F BP 104 FS Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm) Characteristics (cont’d) Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Temperaturkoeffizient von VO Temperature coefficient of VO TCV – 2.6 mV/K Temperaturkoeffizient von ISC Temperature coefficient of ISC TCI 0.18 %/K Rauschäquivalente Strahlungsleistung Noise equivalent power VR = 10 V NEP 3.6 × 10–14 W √Hz Nachweisgrenze, VR = 10 V Detection limit D* 6.1 × 1012 cm · √Hz W Semiconductor Group 4 1997-11-19 BP 104 F BP 104 FS Relative spectral sensitivity Srel = f (λ) Photocurrent IP = f (Ee), VR = 5 V Open-circuit voltage VO = f (Ee) OHF00368 100 ΙP S rel % OHF01056 10 3 µA Total power dissipation Ptot = f (TA) 10 4 mV VO OHF00958 160 mW Ptot 140 80 10 2 10 3 VO 100 60 10 1 10 2 40 120 ΙP 80 60 10 0 10 1 40 20 20 0 700 800 900 1000 nm λ 10 -1 10 0 1200 µW/cm2 10 2 10 0 10 4 Capacitance C = f (VR), f = 1 MHz, E = 0 OHFD1781 8000 0 0 20 40 60 Ee Dark current IR = f (VR), E = 0 ΙR 10 1 C pA Dark current IR = f (TA), VR = 10 V, E = 0 OHF01778 60 80 ˚C 100 TA OHF00082 10 3 Ι R nA pF 50 10 2 6000 40 10 1 30 4000 20 10 0 2000 10 0 10 0 20 30 V 0 -2 10 40 10 -1 10 0 10 1 V 10 2 VR VR 10 -1 0 20 40 60 80 ˚C 100 TA Directional characteristics Srel = f (ϕ) 40 30 20 10 ϕ 0 OHF01402 1.0 50 0.8 60 0.6 70 0.4 80 0.2 0 90 100 1.0 0.8 0.6 Semiconductor Group 0.4 0 20 40 60 80 5 100 120 1997-11-19