2.05 R 1.95 SFH 4590 SFH 4595 (3.2) (R 2.8) 4.8 4.4 2.7 2.3 Chip position 4.5 7.5 3.9 5.5 2.7 2.4 Schnelle GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode High-Speed GaAlAs Infrared Emitter (3.2) 0...0.1 3.7 3.3 14.7 13.1 5.8 5.4 2.54 mm spacing GEO06968 SFH 4590 4.5 3.9 7.7 7.1 Cathode 4.5 3.9 8.0 7.4 (3.2) (R 2.8) 4.8 4.4 2.05 R 1.95 2.7 2.4 Chip position 2.54 mm spacing 15.5 14.7 Cathode (3.2) 5.8 5.4 GEO06969 SFH 4595 4.5 3.9 7.7 7.1 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Semiconductor Group 1 1998-09-09 SFH 4590 SFH 4595 Wesentliche Merkmale ● Hohe Pulsleistung sowie hoher Gesamtstrahlungsfluß Φe ● Sehr kurze Schaltzeiten (10 ns) ● Geringe Vorwärtsspannung und Leistungsaufnahme ● Sehr hohe Langzeitstabilität ● Hohe Zuverlässigkeit ● Gegurtet lieferbar ● Geeignet für Oberflächenmontage (SMT) ● Gleiches Gehäuse wie Photodiode SFH 2500/ SFH 2505 und Phototransistor SFH 3500/ SFH 3505 ● Spektrale Anpassung an Si-Photodetektoren Features ● High pulse power and high radiant flux Φe ● Very short switching times (10 ns) ● Low forward voltage and power dissipation ● Very high long-time stability ● High reliability ● Available on tape and reel ● Suitable for surface mounting (SMT) ● Same package as photodiode SFH 2500/ SFH 2505 and phototransistor SFH 3500/ SFH 3505 ● Spectral match with silicon photodetectors Anwendungen Applications ● Schnelle Datenübertragung mit ● High data transmission rate up to 100 Mbaud ● ● ● ● ● Übertragungsraten bis zu 100 Mbaud (IR Tastatur, Joystick, Multimedia) Analoge und digitale Hi-Fi Audio- und Videosignalübertragung Batteriebetriebene Geräte (geringe Stromaufnahme) Anwendungen mit hohen Zuverlässigkeitsansprüchen bzw. erhöhten Ansprüchen Alarm- und Sicherungssysteme IR Freiraumübertragung (IR keyboard, Joystick, Multimedia) ● Analog and digital Hi-Fi audio and video signal transmission ● Low power consumption (battery) equipment ● Suitable for professional and high-reliability applications ● Alarm and safety equipment ● IR free air transmission Typ Type Bestellnummer Ordering Code Gehäuse Package SFH 4590 SFH 4595 on request on request 5 mm-LED-Gehäuse (T1 3/4), klar, Anschlüsse im 2,54-mm Raster, Anodenkennzeichnung: kurzer Anschluß 5-mm-LED package (T1 3/4), clear, solder tabs 2.54-mm (1/10”), anode marking: short lead Semiconductor Group 2 1998-09-09 SFH 4590 SFH 4595 Grenzwerte (TA = 25 °C) Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg – 40 ... + 100 °C Sperrspannung Reverse voltage VR 3 V Durchlaβstrom Forward current IF (DC) 100 mA Stoβstrom, tp = 10 µs, D = 0 Surge current IFSM 2 A Verlustleistung Power dissipation Ptot 200 mW Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung, freie Beinchenlänge max. 10 mm Thermal resistance junction - ambient, lead length between package bottom and PCB max. 10 mm RthJA 375 K/W Semiconductor Group 3 1998-09-09 SFH 4590 SFH 4595 Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Wellenlänge der Strahlung Wavelength of peak emission IF = 100 mA, tP = 20 ms λpeak 880 nm Spektrale Bandbreite bei 50% von Imax Spectral bandwidth at 50% of Imax IF = 100 mA, tP = 20 ms ∆λ 25 nm Abstrahlwinkel Half angle ϕ ± 14 Grad deg. Aktive Chipfläche Active chip area A 0.09 mm2 Abmessungen der aktiven Chipfläche Dimension of the active chip area L×B L×W 0.3 × 0.3 mm Schaltzeiten, Ie von 10% auf 90% und von tr, tf 90% auf 10%, bei IF = 100 mA, tP = 20 ms, RL = 50 Ω Switching times, Ie from 10% to 90% and from 90% to10%, IF = 100 mA, tP = 20 ms, RL = 50 Ω 10 ns Kapazität Capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz Co 35 pF VF VF 1.5 (≤ 2.0) 3.0 (≤ 3.8) V V Sperrstrom Reverse current VR = 3 V IR 0.01 (≤ 10) µA Gesamtstrahlungsfluβ Total radiant flux IF = 100 mA, tp = 20 ms Φe 25 mW Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe, IF = 100 mA Temperature coefficient of Ie or Φe, IF = 100 mA TCI – 0.44 %/K Semiconductor Group 4 Durchlaβspannung Forward voltage IF = 100 mA, tp = 20 ms IF = 1 A, tp = 100 µs 1998-09-09 SFH 4590 SFH 4595 Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics (cont’d) Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA TCV –2 mV/K Temperaturkoeffizient von λ, IF = 100 mA Temperature coefficient of λ, IF = 100 mA TCλ + 0.13 nm/K Strahlstärke Ie in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr Radiant intensity Ie in axial direction at a solid angle of Ω = 0.01 sr Bezeichnung Description Symbol Werte Values Einheit Unit Strahlstärke Radiant intensity IF = 100 mA, tp = 20 ms Ie min Ie typ 25 60 mW/sr Strahlstärke Radiant intensity IF = 1 A, tp = 100 µs Ie typ 350 mW/sr Lötbedingungen Soldering Conditions Tauch-, Schwall- und Schlepplötung Dip, wave and drag soldering Kolbenlötung (mit 1,5-mm-Kolbenspitze) Iron soldering (with 1.5-mm-bit) Lötbadtemperatur Maximal zulässige Lötzeit Abstand Lötstelle – Gehäuse Temperatur des Kolbens Temperature of the soldering bath Max. perm. soldering time Distance between solder joint and case Temperature Max. permissiof the solder- ble soldering ing iron time Distance between solder joint and case 260 °C 10 s ≥ 1.5 mm 300 °C ≥ 1.5 mm Semiconductor Group 5 Maximale zulässige Lötzeit 3s Abstand Lötstelle – Gehäuse 1998-09-09 SFH 4590 SFH 4595 I Relative spectral emission Irel = f (λ) I e 100mA Single pulse, tp = 20 µs OHF00366 100 % Ι rel 90 e ---------------- = f ( I F) Radiant intensity Ιe Max. permissible forward current IF = f (TA) OHF00363 10 2 OHF00359 120 Ι F mA Ι e (100 mA) 100 80 10 1 70 80 60 R thjA = 375 K/W 10 0 50 60 40 40 30 10 -1 20 20 10 0 700 750 800 850 900 nm λ 1000 Forward current IF = f (VF) single pulse, tp = 20 µs 10 -2 -2 10 10 -1 10 0 0 A 10 1 0 20 40 60 80 ΙF 100 ˚C 120 TA Radiation characteristics Irel = f (ϕ) 40 OHF00362 10 1 30 20 10 0 OHF00265 1.0 ΙF A 50 0.8 10 0 60 10 -1 0.6 70 0.4 80 0.2 0 90 10 -2 0 0.5 1 1.5 2 2.5 V 3 VF 100 1.0 0.8 0.6 0.4 0 20 40 60 80 100 120 Permissible pulse power Duty cycle D = parameter, TA = 25 °C 10 1 ΙF A 5 OHF00361 tp D= tp T ΙF T 10 0 5 D = 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 10 -1 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 10 1 s 10 2 tp Semiconductor Group 6 1998-09-09