INFINEON SFH4590

2.05
R 1.95
SFH 4590
SFH 4595
(3.2)
(R 2.8)
4.8
4.4
2.7
2.3
Chip position
4.5
7.5
3.9
5.5
2.7
2.4
Schnelle GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode
High-Speed GaAlAs Infrared Emitter
(3.2)
0...0.1
3.7
3.3
14.7
13.1
5.8
5.4
2.54 mm
spacing
GEO06968
SFH 4590
4.5
3.9
7.7
7.1
Cathode
4.5
3.9
8.0
7.4
(3.2)
(R 2.8)
4.8
4.4
2.05
R 1.95
2.7
2.4
Chip position
2.54 mm
spacing
15.5
14.7
Cathode
(3.2)
5.8
5.4
GEO06969
SFH 4595
4.5
3.9
7.7
7.1
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Semiconductor Group
1
1998-09-09
SFH 4590
SFH 4595
Wesentliche Merkmale
● Hohe Pulsleistung sowie hoher
Gesamtstrahlungsfluß Φe
● Sehr kurze Schaltzeiten (10 ns)
● Geringe Vorwärtsspannung und
Leistungsaufnahme
● Sehr hohe Langzeitstabilität
● Hohe Zuverlässigkeit
● Gegurtet lieferbar
● Geeignet für Oberflächenmontage (SMT)
● Gleiches Gehäuse wie Photodiode SFH 2500/
SFH 2505 und Phototransistor SFH 3500/
SFH 3505
● Spektrale Anpassung an Si-Photodetektoren
Features
● High pulse power and high radiant flux Φe
● Very short switching times (10 ns)
● Low forward voltage and power dissipation
● Very high long-time stability
● High reliability
● Available on tape and reel
● Suitable for surface mounting (SMT)
● Same package as photodiode SFH 2500/
SFH 2505 and phototransistor SFH 3500/
SFH 3505
● Spectral match with silicon photodetectors
Anwendungen
Applications
● Schnelle Datenübertragung mit
● High data transmission rate up to 100 Mbaud
●
●
●
●
●
Übertragungsraten bis zu 100 Mbaud
(IR Tastatur, Joystick, Multimedia)
Analoge und digitale Hi-Fi Audio- und Videosignalübertragung
Batteriebetriebene Geräte (geringe Stromaufnahme)
Anwendungen mit hohen Zuverlässigkeitsansprüchen bzw. erhöhten Ansprüchen
Alarm- und Sicherungssysteme
IR Freiraumübertragung
(IR keyboard, Joystick, Multimedia)
● Analog and digital Hi-Fi audio and video
signal transmission
● Low power consumption (battery) equipment
● Suitable for professional and high-reliability
applications
● Alarm and safety equipment
● IR free air transmission
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Gehäuse
Package
SFH 4590
SFH 4595
on request
on request
5 mm-LED-Gehäuse (T1 3/4), klar, Anschlüsse im 2,54-mm
Raster, Anodenkennzeichnung: kurzer Anschluß
5-mm-LED package (T1 3/4), clear, solder tabs 2.54-mm (1/10”),
anode marking: short lead
Semiconductor Group
2
1998-09-09
SFH 4590
SFH 4595
Grenzwerte (TA = 25 °C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Top; Tstg
– 40 ... + 100
°C
Sperrspannung
Reverse voltage
VR
3
V
Durchlaβstrom
Forward current
IF (DC)
100
mA
Stoβstrom, tp = 10 µs, D = 0
Surge current
IFSM
2
A
Verlustleistung
Power dissipation
Ptot
200
mW
Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung,
freie Beinchenlänge max. 10 mm
Thermal resistance junction - ambient,
lead length between package bottom and
PCB max. 10 mm
RthJA
375
K/W
Semiconductor Group
3
1998-09-09
SFH 4590
SFH 4595
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength of peak emission
IF = 100 mA, tP = 20 ms
λpeak
880
nm
Spektrale Bandbreite bei 50% von Imax
Spectral bandwidth at 50% of Imax
IF = 100 mA, tP = 20 ms
∆λ
25
nm
Abstrahlwinkel
Half angle
ϕ
± 14
Grad
deg.
Aktive Chipfläche
Active chip area
A
0.09
mm2
Abmessungen der aktiven Chipfläche
Dimension of the active chip area
L×B
L×W
0.3 × 0.3
mm
Schaltzeiten, Ie von 10% auf 90% und von
tr, tf
90% auf 10%, bei IF = 100 mA, tP = 20 ms,
RL = 50 Ω
Switching times, Ie from 10% to 90% and from
90% to10%, IF = 100 mA, tP = 20 ms,
RL = 50 Ω
10
ns
Kapazität
Capacitance
VR = 0 V, f = 1 MHz
Co
35
pF
VF
VF
1.5 (≤ 2.0)
3.0 (≤ 3.8)
V
V
Sperrstrom
Reverse current
VR = 3 V
IR
0.01 (≤ 10)
µA
Gesamtstrahlungsfluβ
Total radiant flux
IF = 100 mA, tp = 20 ms
Φe
25
mW
Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe,
IF = 100 mA
Temperature coefficient of Ie or Φe,
IF = 100 mA
TCI
– 0.44
%/K
Semiconductor Group
4
Durchlaβspannung
Forward voltage
IF = 100 mA, tp = 20 ms
IF = 1 A, tp = 100 µs
1998-09-09
SFH 4590
SFH 4595
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics (cont’d)
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA
Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA
TCV
–2
mV/K
Temperaturkoeffizient von λ, IF = 100 mA
Temperature coefficient of λ, IF = 100 mA
TCλ
+ 0.13
nm/K
Strahlstärke Ie in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr
Radiant intensity Ie in axial direction
at a solid angle of Ω = 0.01 sr
Bezeichnung
Description
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
Strahlstärke
Radiant intensity
IF = 100 mA, tp = 20 ms
Ie min
Ie typ
25
60
mW/sr
Strahlstärke
Radiant intensity
IF = 1 A, tp = 100 µs
Ie typ
350
mW/sr
Lötbedingungen
Soldering Conditions
Tauch-, Schwall- und Schlepplötung
Dip, wave and drag soldering
Kolbenlötung (mit 1,5-mm-Kolbenspitze)
Iron soldering (with 1.5-mm-bit)
Lötbadtemperatur
Maximal
zulässige
Lötzeit
Abstand
Lötstelle –
Gehäuse
Temperatur
des Kolbens
Temperature
of the
soldering
bath
Max. perm.
soldering
time
Distance
between
solder joint
and case
Temperature Max. permissiof the solder- ble soldering
ing iron
time
Distance
between
solder joint
and case
260 °C
10 s
≥ 1.5 mm
300 °C
≥ 1.5 mm
Semiconductor Group
5
Maximale
zulässige
Lötzeit
3s
Abstand
Lötstelle –
Gehäuse
1998-09-09
SFH 4590
SFH 4595
I
Relative spectral emission
Irel = f (λ)
I e 100mA
Single pulse, tp = 20 µs
OHF00366
100
%
Ι rel 90
e
---------------- = f ( I F)
Radiant intensity
Ιe
Max. permissible forward current
IF = f (TA)
OHF00363
10 2
OHF00359
120
Ι F mA
Ι e (100 mA)
100
80
10
1
70
80
60
R thjA = 375 K/W
10 0
50
60
40
40
30
10 -1
20
20
10
0
700
750
800
850
900
nm
λ
1000
Forward current IF = f (VF)
single pulse, tp = 20 µs
10 -2 -2
10
10 -1
10 0
0
A 10 1
0
20
40
60
80
ΙF
100 ˚C 120
TA
Radiation characteristics Irel = f (ϕ)
40
OHF00362
10 1
30
20
10
0
OHF00265
1.0
ΙF A
50
0.8
10
0
60
10 -1
0.6
70
0.4
80
0.2
0
90
10 -2
0
0.5
1
1.5
2
2.5 V 3
VF
100
1.0
0.8
0.6
0.4
0
20
40
60
80
100
120
Permissible pulse power
Duty cycle D = parameter, TA = 25 °C
10 1
ΙF A
5
OHF00361
tp
D=
tp
T
ΙF
T
10 0
5
D = 0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
10 -1
10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 10 1 s 10 2
tp
Semiconductor Group
6
1998-09-09