GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 409 Area not flat 0.7 0.4 5.2 4.5 4.1 3.9 4.0 3.6 ø3.1 ø2.9 0.8 0.4 1.8 1.2 29 6.3 5.9 27 Cathode (SFH 409) Anode (SFH 487) (3.5) Chip position 0.6 0.4 GEX06250 fex06250 2.54 mm spacing 0.6 0.4 Approx. weight 0.3 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● GaAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren ● Hohe Zuverlässigkeit ● Hohe Impulsbelastbarkeit ● Gruppiert lieferbar ● Gehäusegleich mit SFH 309, SFH 487 Features ● GaAs infrared emitting diode, fabricated in a liquid phase epitaxy process ● High reliability ● High pulse handling capability ● Available in groups ● Same package as SFH 309, SFH 487 Anwendungen Applications ● Lichtschranken für Gleich- und ● Photointerrupters ● IR remote control of various equipment Wechsellichtbetrieb ● IR Fernsteuerungen Typ Type SFH 409 1) Bestellnummer Ordering Code Gehäuse Package Q62702-P860 3-mm-LED-Gehäuse (T 1), grau eingefärbt, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (1/10’’), Kathodenkennzeichnung: kürzerer Anschluß 3 mm LED package (T 1), grey-colored epoxy resin, solder tabs lead spacing 2.54 mm (1/10’’), cathode marking: short lead SFH 409-1 Q62702-P1001 SFH 409-2 Q62702-P1002 1) 1) Nur auf Anfrage lieferbar. Available only on request. Semiconductor Group 1 1997-11-01 SFH 409 Grenzwerte (TA = 25 °C) Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg – 55 ... + 100 °C Sperrschichttemperatur Junction temperature Tj 100 °C Sperrspannung Reverse voltage VR 5 V Durchlaßstrom Forward current IF 100 mA Stoßstrom, τ ≤ 10 µs, D = 0 Surge current IFSM 3 A Verlustleistung Power dissipation Ptot 165 mW Wärmewiderstand Thermal resistance RthJA 450 K/W Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Wellenlänge der Strahlung Wavelength at peak emission IF = 100 mA, tp = 20 ms λpeak 950 nm Spektrale Bandbreite bei 50 % von Imax Spectral bandwidth at 50 % of Imax IF = 100 m A, tp = 20 ms ∆λ 55 nm Abstrahlwinkel Half angle ϕ ± 20 Grad deg. Aktive Chipfläche Active chip area A 0.09 mm2 Abmessungen der aktive Chipfläche Dimension of the active chip area L×B L×W 0.3 × 0.3 mm Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel Distance chip surface to lens top H 2.6 mm Kapazität, VR = 0 V Capacitance Co 25 pF Semiconductor Group 2 Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics 1997-11-01 SFH 409 Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Schaltzeiten, Ie von 10 % auf 90 % und von 90 % auf 10 %, bei IF = 100 mA, RL = 50 Ω Switching times, Ie from 10 % to 90 % and from 90 % to 10 %, IF = 100 mA, RL = 50 Ω tr, tf 1 µs VF VF 1.30 (≤ 1.5) 1.9 (≤ 2.5) V V Sperrstrom Reverse current VR = 5 V IR 0.01 (≤ 1) µA Gesamtstrahlungsfluß Total radiant flux IF = 100 mA, tp = 20 ms Φe 15 mW Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe, TCI – 0.55 %/K Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA TCV – 1.5 mV/K Temperaturkoeffizient von λpeak, IF = 100 mA Temperature coefficient of λpeak, IF = 100 mA TCλ + 0.3 nm/K Durchlaßspannung Forward voltage IF = 100 mA, tp = 20 ms IF = 1 A, tp = 100 µs IF = 100 mA Temperature coefficient of Ie or Φe, IF = 100 mA Gruppierung der Strahlstärke Ie in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr Grouping of radiant intensity Ie in axial direction at a solid angle of Ω = 0.01 sr Bezeichnung Description Strahlstärke Radiant intensity IF = 100 mA, tp = 20 ms IF = 1 A, tp = 100 µs 1) 1) Symbol Ie Ie typ. Werte Values Einheit Unit SFH 409 SFH 409-11) SFH 409-2 ≥ 6.3 – 6.3 ... 12.5 75 > 10 120 mW/sr mW/sr Nur auf Anfrage lieferbar. Available only on request. Semiconductor Group 3 1997-11-01 SFH 409 Relative spectral emission Irel = f (λ) OHR00864 Ιe Ι e (100 mA) 10 1 % Ι rel Max. permissible forward current IF = f (TA) Single pulse, tp = 20 µs OHR01938 100 Ie = f (IF) Ie 100 mA Radiant intensity OHR00883 120 Ι F mA 100 80 80 60 R thjA = 450 K/W 60 10 0 40 40 20 20 0 880 920 960 1000 nm λ 10 -1 10 -2 1060 ΙF 10 0 10 4 OHR01041 τ T D= 0 20 40 60 80 100 ˚C 120 TA max. τ ΙF T D = 0.005 10 0 0 OHR00865 Ι F mA 5 typ. 10 1 A ΙF Permissible pulse handling capability IF = f (τ), TA = 25 °C, duty cycle D = parameter Forward current IF = f (VF), single pulse, tp = 20 µs 10 1 A 10 -1 0.01 0.02 10 0.05 3 0.1 0.2 5 10 -1 0.5 10 -2 1 1.5 2 2.5 3 3.5 DC 10 2 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 10 1 s 10 2 τ 4 V 4.5 VF Radiation characteristics Irel = f (ϕ) 40 30 20 10 0 ϕ OHR01887 1.0 50 0.8 60 0.6 70 0.4 0.2 80 0 90 100 1.0 0.8 0.6 Semiconductor Group 0.4 0 20 40 60 80 4 100 120 1997-11-01