GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter 2.84 2.24 1) 3.6 3.2 3.0 2.5 2.7 2.5 1.15 0.90 SFH 405 3.5 3.0 0...5˚ 0.5 0.4 2.1 1.5 2.54 spacing Collector (SFH 305) Cathode (SFH 405) Approx. weight 0.02 g feo06317 1) Detaching area for tools, flash not true to size. GEO06137 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● GaAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren ● Hohe Zuverlässigkeit ● Hohe Strahlstärke ● Hohe Impulsbelastbarkeit ● Gruppiert lieferbar ● Gehäusegleich mit SFH 305 Features ● GaAs infrared emitting diode, fabricated in a liquid phase epitaxy process ● High reliability ● High radiant intensity ● High pulse handling capability ● Available in groups ● Same package as SFH 305 Anwendungen Applications ● Miniaturlichtschranken für Gleich- und ● ● ● ● Wechsellichtbetrieb ● Lochstreifenleser ● Industrieelektronik ● “Messen/Steuern/Regeln” Miniature photointerrupters Punched tape-readers Industrial electronics For control and drive ciruits Typ Type Bestellnummer Ordering Code Gehäuse Package SFH 405 Q62702-P835 Miniatur-Leiterbandgehäuse, klares Epoxy-Gießharz, linsenförmig, Anschluß im 2.54-mm-Raster (1/10’’), Kathodenkennzeichnung: abgeschrägte Anschlüsse Miniature lead frame, transparent epoxy resin, solder tabs lead spacing 2.54 mm (1/10’’), cathode marking: bevelled leads Semiconductor Group 1 1997-11-01 SFH 405 Grenzwerte (TA = 25 °C) Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg – 40 ... + 80 °C Sperrschichttemperatur Junction temperature Tj 80 °C Sperrspannung Reverse voltage VR 5 V Durchlaßstrom Forward current IF 40 mA Stoßstrom, τ ≤ 10 µs, D = 0 Surge current IFSM 1.6 A Verlustleistung Power dissipation Ptot 65 mW Wärmewiderstand Thermal resistance RthJA RthJL 950 850 K/W K/W Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Wellenlänge der Strahlung Wavelength at peak emission IF = 40 mA, tp = 20 ms λpeak 950 nm Spektrale Bandbreite bei 50 % von Imax Spectral bandwidth at 50 % of Imax IF = 40 m A, tp = 20 ms ∆λ 55 nm Abstrahlwinkel Half angle ϕ ± 16 Grad deg. Aktive Chipfläche Active chip area A 0.25 mm2 Abmessungen der aktive Chipfläche Dimension of the active chip area L×B L×W 0.5 × 0.5 mm Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel Distance chip surface to lens top H 1.3 ... 1.9 mm Semiconductor Group 2 Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics 1997-11-01 SFH 405 Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Schaltzeiten, Ie von 10 % auf 90 % und von 90 % auf 10 %, bei IF = 40 mA, RL = 50 Ω Switching times, Ie from 10 % to 90 % and from 90 % to 10 %, IF = 40 mA, RL = 50 Ω tr, tf 1 µs Kapazität Capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz Co 40 pF VF 1.25 (≤ 1.4) V Sperrstrom Reverse current VR = 5 V IR 0.01 (≤ 1) µA Gesamtstrahlungsfluß Total radiant flux IF = 40 mA, tp = 20 ms Φe 7 mW Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe, IF = 40 mA Temperature coefficient of Ie or Φe, IF = 40 mA TCI – 0.55 %/K Temperaturkoeffizient von VF, IF = 40 mA Temperature coefficient of VF, IF = 40 mA TCV – 1.5 mV/K Temperaturkoeffizient von λpeak, IF = 40 mA Temperature coefficient of λpeak, IF = 40 mA TCλ 0.3 nm/K Durchlaßspannung Forward voltage IF = 40 mA Gruppierung der Strahlstärke Ie in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr Grouping of radiant intensity Ie in axial direction at a solid angle of Ω = 0.01 sr Bezeichnung Description Symbol Werte Values Einheit Unit Strahlstärke Radiant intensity IF = 40 mA, tp = 20 ms Ie 2.5 (≥ 1.6) mW/sr Semiconductor Group 3 1997-11-01 SFH 405 Relative spectral emission Irel = f (λ) Max. permissible forward current IF = f (TA) Single pulse, tp = 20 µs OHRD1938 100 Ιe OHR01039 10 2 OHR00672 50 Ι F mA Ι e (100 mA) % Ι rel Ie = f (IF) Ie 100 mA Radiant intensity 40 80 10 1 60 30 40 20 R thJA = 950 K/W R thJL = 850 K/W 10 0 20 10 0 880 920 960 nm 1000 10 -1 10 -2 1060 λ ΙF OHR01042 10 0 10 1 A ΙF 0 0 20 40 60 80 ˚C 100 TA, TL OHR02183 10 1 ΙF typ. 10 0 Permissible pulse handling capability IF = f (τ), TA = 25 °C, duty cycle D = parameter Forward current IF = f (VF), single pulse, tp = 20 µs 10 1 A 10 -1 D= τ T τ A D = 0,005 0,01 0,02 max. ΙF T 10 0 0,05 0,1 0,2 10 -1 10 -1 0,5 DC 10 -2 1 1.5 2 2.5 3 3.5 10 -2 -5 10 4 V 4.5 VF 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 τ 10 1 Radiation characteristics Irel = f (ϕ) 40 30 20 10 0 ϕ OHR01886 1.0 50 0.8 60 0.6 70 0.4 0.2 80 0 90 100 1.0 0.8 0.6 Semiconductor Group 0.4 0 20 40 60 80 4 100 120 1997-11-01