Schnelle GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode High-Speed GaAlAs Infrared Emitter SFH 4591 SFH 4592 Area not flat 1.8 1.2 29.5 27.5 0.6 0.4 5.7 5.1 SFH 4591 Chip position fex06260 Anode 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 2.54 mm spacing 0.8 0.4 0.6 0.4 9.0 8.2 7.8 7.5 GEX06626 Area not flat 1.8 1.2 29 27 9.0 8.2 7.8 7.5 ø5.1 ø4.8 5.9 5.5 0.6 0.4 4.8 4.2 Chip position SFH 4592 Approx. weight 0.2 g GEX06984 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Hohe Pulsleistung sowie hoher Gesamtstrahlungsfluß Φe ● Sehr kurze Schaltzeiten (10 ns) ● Geringe Vorwärtsspannung und Leistungsaufnahme ● Sehr hohe Langzeitstabilität ● Gegurtet lieferbar Anwendungen ● Schnelle Datenübertragung mit Übertragungsraten bis 100 Mbaud (IR Tastatur, Joystick, Multimedia) ● Analoge und digitale Hi-Fi Audio- und Videosignalübertragung ● Batteriebetriebene Geräte (geringe Stromaufnahme) ● Anwendungen mit hohen Zuverlässigkeitsansprüchen bzw. erhöhten Anforderungen ● Alarm- und Sicherungssysteme ● IR Freiraumübertragung Semiconductor Group fex06626 Anode 0.8 0.4 2.54 mm spacing 0.6 0.4 Features ● High pulse power and high radiant flux Φe ● Very short switching times (10 ns) ● Low forward voltage and power dissipation ● Very high long-time stability ● Available on tape and reel Applications ● High data transmission rate up to 100 Mbaud (IR keyboard, Joystick, Multimedia) ● Analog and digital Hi-Fi audio and video signal transmission ● Low power consumption (battery) equipment ● Suitable for professional and high-reliability applications ● Alarm and safety equipment ● IR free air transmission 1 1998-09-08 SFH 4591 SFH 4592 Typ Type Bestellnummer Ordering Code Gehäuse Package SFH 4591 SFH 4592 Q62702-P5059 Q62702-P5060 5 mm-LED-Gehäuse (T1 3/4), klar, Anschlüsse im 2,54-mm Raster, Anodenkennzeichnung: kurzer Anschluß 5-mm-LED package (T1 3/4), clear, solder tabs 2.54-mm (1/10”), anode marking: short lead Grenzwerte (TA = 25 °C) Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg – 40 ... + 100 °C Sperrspannung Reverse voltage VR 3 V Durchlaβstrom Forward current IF (DC) 100 mA Stoβstrom, tp = 10 µs, D = 0 Surge current IFSM 2 A Verlustleistung Power dissipation Ptot 200 mW Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung, freie Beinchenlänge max. 10 mm Thermal resistance junction - ambient, lead length between package bottom and PCB max. 10 mm RthJA 375 K/W Semiconductor Group 2 1998-09-08 SFH 4591 SFH 4592 Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Wellenlänge der Strahlung Wavelength of peak emission IF = 100 mA, tP = 20 ms λpeak 880 nm Spektrale Bandbreite bei 50% von Imax Spectral bandwidth at 50% of Imax IF = 100 mA, tP = 20 ms ∆λ 25 nm Abstrahlwinkel Half angle SFH 4591 SFH 4592 ϕ Aktive Chipfläche Active chip area A 0.09 mm2 Abmessungen der aktiven Chipfläche Dimension of the active chip area L×B L×W 0.3 × 0.3 mm Schaltzeiten, Ie von 10% auf 90% und von tr, tf 90% auf 10%, bei IF = 100 mA, tP = 20 ms, RL = 50 Ω Switching times, Ie from 10% to 90% and from 90% to10%, IF = 100 mA, tP = 20 ms, RL = 50 Ω 10 ns Kapazität Capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz Co 35 pF VF VF 1.5 (≤ 2.0) 3.0 (≤ 3.8) V V Sperrstrom Reverse current VR = 3 V IR 0.01 (≤ 10) µA Gesamtstrahlungsfluβ Total radiant flux IF = 100 mA, tp = 20 ms Φe 25 mW Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe, IF = 100 mA Temperature coefficient of Ie or Φe, IF = 100 mA TCI – 0.44 %/K Semiconductor Group 3 Durchlaβspannung Forward voltage IF = 100 mA, tp = 20 ms IF = 1 A, tp = 100 µs Grad deg. ±7 ± 18 1998-09-08 SFH 4591 SFH 4592 Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics (cont’d) Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA TCV –2 mV/K Temperaturkoeffizient von λ, IF = 100 mA Temperature coefficient of λ, IF = 100 mA TCλ + 0.13 nm/K Strahlstärke Ie in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr Radiant intensity Ie in axial direction at a solid angle of Ω = 0.01 sr Bezeichnung Description Symbol Werte Values SFH 4591 SFH 4592 Einheit Unit Strahlstärke Radiant intensity IF = 100 mA, tp = 20 ms Ie min Ie typ 40 80 25 40 mW/sr Strahlstärke Radiant intensity IF = 1 A, tp = 100 µs Ie typ 600 300 mW/sr Lötbedingungen Soldering Conditions Tauch-, Schwall- und Schlepplötung Dip, wave and drag soldering Kolbenlötung (mit 1,5-mm-Kolbenspitze) Iron soldering (with 1.5-mm-bit) Lötbadtemperatur Maximal zulässige Lötzeit Abstand Lötstelle – Gehäuse Temperatur des Kolbens Temperature of the soldering bath Max. perm. soldering time Distance between solder joint and case Temperature Max. permissiof the solder- ble soldering ing iron time Distance between solder joint and case 260 °C 10 s ≥ 1.5 mm 300 °C ≥ 1.5 mm Semiconductor Group 4 Maximale zulässige Lötzeit 3s Abstand Lötstelle – Gehäuse 1998-09-08 SFH 4591 SFH 4592 I Relative spectral emission Irel = f (λ) I e 100mA Single pulse, tp = 20 µs OHF00366 100 % Ι rel 90 e ---------------- = f ( I F) Radiant intensity Ιe Max. permissible forward current IF = f (TA) OHF00363 10 2 OHF00359 120 Ι F mA Ι e (100 mA) 100 80 10 1 70 80 60 R thjA = 375 K/W 10 0 50 60 40 40 30 10 -1 20 20 10 0 700 750 800 850 900 nm λ 1000 Forward current IF = f (VF) single pulse, tp = 20 µs 10 -2 -2 10 10 -1 10 0 0 A 10 1 0 20 40 60 80 ΙF 100 ˚C 120 TA Radiation characteristics Irel = f (ϕ), SFH 4591 40˚ OHF00362 10 1 30˚ 20˚ 10˚ ϕ ΙF A 0˚ OHF00365 1.0 50˚ 0.8 10 0 60˚ 10 -1 0.6 70˚ 0.4 80˚ 0.2 0 90˚ 10 -2 0 0.5 1 1.5 2 2.5 V 3 VF Permissible pulse power Duty cycle D = parameter, TA = 25 °C 10 1 ΙF A 5 100˚ 0.8 0.6 0.4 40˚ 30˚ 20˚ 5 10˚ ϕ tp tp T ΙF D = 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 Semiconductor Group 40˚ 60˚ 80˚ 100˚ 120˚ 0˚ OHR00397 1.0 0.8 60˚ 0.6 70˚ 0.4 80˚ 0.2 0 90˚ 10 -1 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 10 1 s 10 2 tp 20˚ 50˚ T 10 0 0˚ Radiation characteristics Irel = f (ϕ), SFH 4592 OHF00361 D= 1.0 100˚ 1.0 0.8 5 0.6 0.4 0˚ 20˚ 40˚ 60˚ 80˚ 100˚ 120˚ 1998-09-08