GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Area not flat 9.0 8.2 7.8 7.5 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 0.8 0.4 1.8 1.2 29 27 Cathode (Diode) Collector (Transistor) 0.6 0.4 5.7 5.1 Chip position GEX06260 fex06260 2.54 mm spacing 0.6 0.4 Approx. weight 0.5 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Features ● Sehr enger Abstrahlwinkel ● GaAs-IR-LED, hergestellt im ● Extremely narrow half angle ● GaAs infrared emitting diode, fabricated in a ● ● ● ● Schmelzepitaxieverfahren Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gruppiert lieferbar Gehäusegleich mit SFH 484 ● ● ● ● liquid phase epitaxy process High reliability High pulse handling capability Available in groups Same package as SFH 484 Anwendungen Applications ● IR-Fernsteuerung von Fernseh- und ● IR remote control of hi-fi and TV-sets, video Rundfunkgeräten, Videorecordern, Lichtdimmern, Geräten tape recorders, dimmers, of various equipment Typ Type Bestellnummer Ordering Code Gehäuse Package LD 274 Q62703-Q1031 LD 274-21) Q62703-Q1819 LD 274-3 Q62703-Q1820 5-mm-LED-Gehäuse (T 1 3/4), graugetöntes EpoxyGießharz, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (1/10’’), Kathodenkennzeichnung: Kürzerer Lötspieß, flat 5 mm LED package (T 1 3/4), grey colored epoxy resin lens, solder tabs lead spacing 2.54 mm (1/10’’), cathode marking: shorter solder lead, flat 1) 1) Nur auf Anfrage lieferbar. Available only on request. Semiconductor Group 1 1997-11-01 LD 274 Grenzwerte (TA = 25 °C) Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg – 55 ... + 100 °C Sperrschichttemperatur Junction temperature Tj 100 °C Sperrspannung Reverse voltage VR 5 V Durchlaßstrom Forward current IF 100 mA Stoßstrom, tp = 10 µs, D = 0 Surge current IFSM 3 A Verlustleistung Power dissipation Ptot 165 mW Wärmewiderstand Thermal resistance RthJA 450 K/W Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Wellenlänge der Strahlung Wavelength at peak emission IF = 100 mA, tp = 20 ms λpeak 950 nm Spektrale Bandbreite bei 50 % von Imax Spectral bandwidth at 50 % of Imax IF = 100 m A, tp = 20 ms ∆λ 55 nm ϕ ± 10 Grad Aktive Chipfläche Active chip area A 0.09 mm2 Abmessungen der aktive Chipfläche Dimension of the active chip area L×B L×W 0.3 × 0.3 mm Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel Distance chip front to lens top H 4.9 ... 5.5 mm Schaltzeiten, Ie von 10 % auf 90 % und von 90 % auf 10 %, bei IF = 100 mA, RL = 50 Ω Switching times, Ie from 10 % to 90 % and from 90 % to 10 %, IF = 100 mA, RL = 50 Ω tr, tf 1 µs Semiconductor Group 2 Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Abstrahlwinkel Half angle 1997-11-01 LD 274 Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Kapazität Capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz Co 25 pF VF VF 1.30 (≤ 1.5) 1.90 (≤ 2.5) V V Sperrstrom, VR = 5 V Reverse current IR 0.01 (≤ 1) µA Gesamtstrahlungsfluß Total radiant flux IF = 100 mA, tp = 20 ms Φe 15 mW Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe, IF = 100 mA Temperature coefficient of Ie or Φe, IF = 100 mA TCI – 0.55 %/K Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA TCV – 1.5 mV/K Temperaturkoeffizient von λ, IF = 100 mA Temperature coefficient of λ, IF = 100 mA TCλ + 0.3 nm/K Durchlaßspannung Forward voltage IF = 100 mA, tp = 20 ms IF = 1 A, tp = 100 µs Gruppierung der Strahlstärke Ie in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.001 sr Grouping of radiant intensity Ie in axial direction at a solid angle of Ω = 0.001 sr Bezeichnung Description Strahlstärke Radiant intensity IF = 100 mA, tp = 20 ms Strahlstärke Radiant intensity IF = 1 A, tp = 100 µs 1) 1) Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit LD 274 LD 274-21) LD 274-3 Ie min Ie max 50 – 50 100 80 – mW/sr mW/sr Ie typ. 350 600 800 mW/sr Nur auf Anfrage lieferbar. Available only on request. Semiconductor Group 3 1997-11-01 LD 274 Ie = f (IF) Ie 100 mA Single pulse, tp = 20 µs Relative spectral emission Irel = f (λ) Radiant intensity OHR01938 100 OHR01038 10 2 OHR00883 120 Ι F mA Ι e (100 mA) % Ι rel Ιe Max. permissible forward current IF = f (TA) 100 80 10 1 80 60 R thjA = 450 K/W 60 40 10 0 40 20 20 0 880 920 960 1000 nm λ 1060 Forward current IF = f (VF), single pulse, tp = 20 µs ΙF 10 -1 10 -2 10 0 A ΙF 0 10 1 0 20 40 60 80 100 ˚C 120 TA Radiation characteristics, Irel = f (ϕ) 40 OHR01041 10 1 A 10 -1 30 20 10 0 ϕ OHR01882 1.0 50 0.8 typ. 10 0 max. 10 -1 60 0.6 70 0.4 0.2 80 0 90 10 -2 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 V 4.5 VF 100 1.0 0.8 0.6 0.4 0 20 40 60 80 100 120 Permissible pulse handling capability IF = f (τ), TC ≤ 25 °C, duty cycle D = parameter 10 4 OHR00860 tp Ι F mA 5 D= tp T D = 0.005 ΙF T 0.01 0.02 10 3 5 0.1 0.05 0.2 0.5 DC 10 2 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 10 1 s 10 2 tp Semiconductor Group 4 1997-11-01