SFH 520 SFH 520 A α-β-γ−Strahlungsdetektoren α-β-γ−Radiation Detectors fes06874 SFH 520 SFH 520 A Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Eigenschaften 4600 ± 1400 Ωcm 381 ± 15 µm Aluminiumkontakt 1,4 µm Aluminiumabdeckung ganzflächig 0.1 µm 0,4 µm Gold/Arsen Substratscheibe: Chipdicke: Vorderseite: Rückseite: ● Kleiner Dunkelstrom ● Niedrige Kapazität ● Hohe Durchbruchspannung ermöglicht Betrieb bei voll ausgeräumten Chip Features 4600 ± 1400 Ωcm 381 ± 15 µm Aluminium contact 1.4 µm Aluminium total cover 0.1 µm 0.4 µm Au/As Substrate: Chip thickness: Topside: Backside: ● Low dark current ● Low capacitance ● High breakdown voltage permits operation at full depletion Typ Type Bestellnummer Ordering Code SFH 520 SFH 520 A Q62702-P419 Q62702-P429 Semiconductor Group 485 10.95 SFH 520 SFH 520 A Kennwerte Characteristics Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Sperrspannung Breakdown voltage 100 µA VR > 180 V Dunkelstrom Dark current 100 V 160 V IR Flußspannung Forward voltage 100 mA VF Kapazität Capacitance f = 1 MHz, Ev = 0 80 V 150 V C Kapazität pro cm2 Capacitance per cm2 120 V C/cm2 32 pF Betriebsspannung Operating voltage Vop 90 ... 120 V Ladungsträger - Lebensdauer Charge carrier lifetime – 10 msec. (< 15) 10 (< 20) 0.7 (< 2.0) V pF 12 10 Current and Capacitance Characteristics per cm2 Semiconductor Group nA 486