SFH 320 SFH 320 FA SFH 320 SFH 320 FA fplf6724 fpl06724 NPN-Silizium-Fototransistor im SMT TOPLED -Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLED -Package Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Features ● Speziell geeignet für Anwendungen im ● Especially suitable for applications from ● ● ● ● Bereich von 380 nm bis 1150 nm (SFH 320) und bei 880 nm (SFH 320 FA) Hohe Linearität P-LCC-2 Gehäuse Gruppiert lieferbar für alle Lötverfahren geeignet ● ● ● ● 380 nm to 1150 nm (SFH 320) and of 880 nm (SFH 320 FA) High linearity P-LCC-2 package Available in groups Suitable for all soldering methods Anwendungen Applications ● Miniaturlichtschranken für Gleich- und ● ● ● ● Wechsellichtbetrieb ● Lochstreifenleser ● Industrieelektronik ● “Messen/Steuern/Regeln” Semiconductor Group 1 Miniature photointerrupters punched tape readers Industrial electronics For control and drive circuits 01.97 SFH 320 SFH 320 FA Typ Type Bestellnummer Ordering Code Typ (*vorher) Type (*formerly) Bestellnummer Ordering Code SFH 320 Q62702-P0961 SFH 320 FA (*SFH 320 F) Q62702-P0988 SFH 320-3 Q62702-P390 SFH 320 FA-3 (*SFH 320 F-3) Q62702-P393 SFH 320-4 Q62702-P1606 SFH 320 FA-4 (*SFH 320 F-4) Q62702-P1607 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg – 55 ... + 100 °C Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage VCE 35 V Kollektorstrom Collector current IC 15 mA Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs Collector surge current ICS 75 mA Verlustleistung, TA = 25 °C Total power dissipation Ptot 165 mW Wärmewiderstand für Montage auf PC-Board Thermal resistance for mounting on pcb RthJA 450 K/W Semiconductor Group 2 SFH 320 SFH 320 FA Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm) Characteristics Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value SFH 320 SFH 320 FA 900 Einheit Unit Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity λS max 860 Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10 % von Smax Spectral range of sensitivity S = 10 % of Smax λ 380 ... 1150 730 ... 1120 nm Bestrahlungsempfindliche Fläche (∅ 240 µm) A Radiant sensitive area nm 0.045 0.045 mm2 Abmessung der Chipfläche Dimensions of chip area L×B L×W 0.45 × 0.45 0.45 × 0.45 mm × mm Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche Distance chip front to case surface H 0.5 ... 0.7 0.5 ... 0.7 mm Halbwinkel Half angle ϕ ± 60 ± 60 Grad deg. Kapazität, VCE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance CCE 5.0 5.0 pF Dunkelstrom Dark current VCE = 25 V, E = 0 ICEO 1 (≤ 200) 1 (≤ 200) nA Semiconductor Group 3 SFH 320 SFH 320 FA Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen Ziffern gekennzeichnet. The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished by arabian figures. Bezeichnung Description Fotostrom, λ = 950 nm Photocurrent Ee = 0.1 mW/cm2, VCE = 5 V SFH 320: Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, VCE = 5 V Anstiegszeit/Abfallzeit Rise and fall time IC = 1 mA, VCC = 5 V, RL = 1 kΩ Symbol Symbol IPCE t r, t f 1) -2 -3 -4 ≥ 16 16 ... 32 25 ... 50 ≥ 40 µA 420 650 1000 µA 7 6 7 8 µs 150 150 150 150 mV IPCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe IPCEmin is the min. photocurrent of the specified group Directional characteristics Srel = f (ϕ) Semiconductor Group Einheit Unit SFH 320/FA IPCE Kollektor-EmitterVCEsat Sättigungsspannung Collector-emitter saturation voltage IC = IPCEmin1) × 0.3, Ee = 0.1 mW/cm2 1) Wert Value 4 SFH 320 SFH 320 FA Relative spectral sensitivity, SFH 320 Srel = f (λ) Relative spectral sensitivity, SFH 320 FA Srel = f (λ) Photocurrent IPCE = f (Ee), VCE = 5 V Total power dissipation Ptot = f (TA) Photocurrent IPCE = f (VCE), Ee = Parameter Dark current ICEO = f (VCE), E = 0 Dark current ICEO = f (TA), VCE = 5 V, E = 0 Capacitance CCE = f (VCE), f = 1 MHz, E = 0 Photocurrent IPCE/IPCE25o = f (TA), VCE = 5 V Semiconductor Group 5