LPT 80 A NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor 16.51 16.00 1.52 1.29 1.14 2.54 2.03 Collector 2.34 2.08 0.64 0.46 4.57 4.32 2.54mm spacing 1.52 5.84 5.59 LPT 80 A 1.70 1.45 1.52 Plastic marking R = 0.76 feo06391 0.64 0.46 GEO06391 Approx. weight 0.2 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 470 nm bis 1080 nm ● Sidelooker im Kunststoffgehäuse ● Hohe Empfindlichkeit ● Passend zu IRED IRL 80 A, IRL 81 A Features ● Especially suitable for applications from 470 nm to 1080 nm ● Sidelooker in plastic package ● High sensitivity ● Matches IR emitter IRL 80 A, IRL 81 A Anwendungen ● Fertigungs- und Kontrollanwendungen der Industrie ● Lichtschranken Applications ● A variety of manufacturing and monitoring applications ● Photointerrupters Typ Type Bestellnummer Ordering Code Gehäuse Package LPT 80 A Q68000-A7852 Klares Kunststoffgehäuse, Lötspieße im 2.54-mm-Raster (1/10”), Kollektorkennzeichnung: Längerer Lötspieß Clear plastic miniature package, 2.54 mm (1/10”) lead spacing, collector marking: long solder lead Semiconductor Group 1 1998-11-16 LPT 80 A Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg – 40 ... + 100 °C Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage VCE 30 V Kollektorstrom Collector current IC 50 mA Kollektorspitzenstrom, τ =10 µs Collector surge current ICS 100 mA Emitter-Kollektorspannung Emitter-collector voltage VEC 7 V Verlustleistung, TA = 25 °C Total power dissipation Ptot 100 mW Wärmewiderstand Thermal resistance RthJA 750 K/W Semiconductor Group 2 1998-11-16 LPT 80 A Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm) Characteristics Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity λS max 850 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S=10% von Smax Spectral range of sensitivity S=10% of Smax λ 430 ... 1070 nm Abmessung der Chip-Fläche Dimensions of chip area LxB LxW 0.55 x 0.55 mm x mm Halbwinkel Half angle ϕ ± 35 Grad deg. Kapaziät, VCE = 5 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance CCE 3.3 pF Dunkelstrom, VCE = 5 V Dark current IR 3 (< 50) nA Bezeichnung Description Symbol Symbol Fotostrom Photocurrent Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V, IPCE λ = 950 nm Ev = 1000 lx, Normlicht/standard light A, VCE = 5 V IPCE Wert Value Einheit Unit mA > 0.25 3.2 Anstiegs- und Abfallzeit Rise and fall time RL = 1 kΩ, V = 5 V, λ=950 nm, IC = 1 mA tr, tf 10 µs Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emitter saturation voltage IC = IPCE min x 0.8, Ee = 0.5 mW/cm2 VCEsat 150 mV Semiconductor Group 3 1998-11-16 LPT 80 A Relative spectral sensitivity Srel = f (λ) Photocurrent IPCE = f (Ee) , VCE = 5 V OHF01420 100 Total power dissipation Ptot = f (TA) OHFD1422 10 1 mA Ι PCE S rel % 80 OHR01425 125 Ι F mA 100 10 0 70 L K J H 60 50 10 -1 75 50 40 30 10 -2 25 20 10 0 400 500 600 700 800 900 nm 1100 λ Photocurrent IPCE / IPCE25°= f (TA), VCE = 5 V Ι PCE OHF01524 1.6 10 -3 -3 10 10 -2 0 10 -1 mW/cm 2 10 0 Ee 60 80 C 100 Capacitance CCE = f (VCE), f = 1 MHz, E = 0 OHF00343 Ι CE0 Ι PCE 25 40 TA Dark current ICE0= f (TA), VCE = 5 V, E = 0 10 4 nA 20 0 CCE 1.4 OHF00344 8 pF 7 10 3 6 1.2 1.0 5 10 2 4 0.8 10 0.6 0.4 1 3 2 10 0 0.2 1 0 -25 0 25 50 75 C 100 TA Dark current ICE0= f (VCE), E = 0 ΙR 10 -1 0 25 50 75 0 -2 10 ˚C 100 TA 10 -1 10 0 10 1 V 10 2 V CE Directional characteristics Srel = f (ϕ) OHF00342 10 1 nA 40˚ 30˚ 20˚ 10˚ ϕ 0˚ OHF00345 1.0 50˚ 0.8 10 0 60˚ 10 0.6 70˚ 0.4 80˚ 0.2 -1 0 90˚ 10 -2 0 10 20 Semiconductor Group 30 V V CE 100˚ 1.0 0.8 4 0.6 0.4 0˚ 20˚ 40˚ 60˚ 80˚ 100˚ 120˚ 1998-11-16